Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (24892) > Сторінка 213 з 415

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 246 287 328 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PU3BAH PU3BAH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BAH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+8.85 грн
15000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
PU3BAH PU3BAH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BAH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 21418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.54 грн
12+25.55 грн
100+15.34 грн
500+13.33 грн
1000+9.06 грн
2000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLWH PU2DLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU2BLWH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLWH PU2DLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU2BLWH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.69 грн
16+20.11 грн
100+14.17 грн
500+9.98 грн
1000+7.15 грн
2000+6.90 грн
5000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PU4BCH PU4BCH Taiwan Semiconductor Corporation PU4BCH%20SERIES_C2110.pdf Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU4BCH PU4BCH Taiwan Semiconductor Corporation PU4BCH%20SERIES_C2110.pdf Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLSH PU1BLSH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLSH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLSH PU1BLSH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLSH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 16821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.75 грн
15+20.26 грн
100+10.70 грн
500+8.75 грн
1000+7.82 грн
2000+7.23 грн
5000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLSH PU2DLSH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLSH PU2DLSH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 19950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.25 грн
10+30.54 грн
100+20.78 грн
500+14.62 грн
1000+10.97 грн
2000+10.05 грн
5000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PU4DCH PU4DCH Taiwan Semiconductor Corporation PU4BCH SERIES_C2110.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PU4DCH PU4DCH Taiwan Semiconductor Corporation PU4BCH SERIES_C2110.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.74 грн
10+36.81 грн
100+25.58 грн
500+18.74 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP3BH PUUP3BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP3BH%20SERIES_B2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP3BH PUUP3BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP3BH%20SERIES_B2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.09 грн
10+49.06 грн
100+37.58 грн
500+27.88 грн
1000+22.31 грн
2000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP4BH PUUP4BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP4BH%20SERIES_B2109.pdf Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP4BH PUUP4BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP4BH%20SERIES_B2109.pdf Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BMH M3G PU1BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 25NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BMH M3G PU1BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 25NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP8DH PUUP8DH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP8BH SERIES_A2111.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 96pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP8DH PUUP8DH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP8BH SERIES_A2111.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 96pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.35 грн
10+51.93 грн
100+34.06 грн
500+24.78 грн
1000+22.46 грн
2000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DLWH PU1DLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLWH SERIES_A2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DLWH PU1DLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLWH SERIES_A2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.76 грн
21+14.74 грн
100+9.93 грн
500+7.19 грн
1000+6.48 грн
2000+5.87 грн
5000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PU3DAH PU3DAH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BAH%20SERIES_B2109.pdf Description: 25NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU3DAH PU3DAH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BAH%20SERIES_B2109.pdf Description: 25NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 22424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP6BH PUUP6BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP6BH%20SERIES_C2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP6BH PUUP6BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP6BH%20SERIES_C2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.35 грн
10+74.23 грн
100+57.84 грн
500+44.85 грн
1000+35.40 грн
2000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PU2BMH M3G PU2BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 25NS, 2A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU2BMH M3G PU2BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 25NS, 2A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DMH M3G PU1DMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DMH M3G PU1DMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.89 грн
10+30.46 грн
100+22.76 грн
500+16.78 грн
1000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSF10H100C C0G TSF10H100C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF10H100C-TSF10H200C_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H100CT C0G MBR10H100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR10H100CT%20SERIES_J2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TST10H100CW C0G TST10H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6.8AH P6KE6.8AH Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS 600W 6.8V DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 60A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.46V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER152G HER152G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HER152G Description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER151G HER151G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HER151G Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER153G HER153G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HER153G Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD6S10AH TLD6S10AH Taiwan Semiconductor Corporation TLD6S10AH SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5S10AH TLD5S10AH Taiwan Semiconductor Corporation TLD5S10AH SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 2800W (2.8kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DFS ES2DFS Taiwan Semiconductor Corporation ES2BFS SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DFS ES2DFS Taiwan Semiconductor Corporation ES2BFS SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAL ES2DAL Taiwan Semiconductor Corporation ES2BAL SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAL ES2DAL Taiwan Semiconductor Corporation ES2BAL SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ85AH SMBJ85AH Taiwan Semiconductor Corporation SMBJH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRAS2060 MNG SRAS2060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS2020%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRAS2060HMNG SRAS2060HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRAS2020%20SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS1635HMNG MBRS1635HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1635%20SERIES_K2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.27 грн
5000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG TQM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.27 грн
10+70.98 грн
100+55.22 грн
500+43.93 грн
1000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBL205 GBL205 Taiwan Semiconductor Corporation GBL201 SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFAS806G MNG SFAS806G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFAS801G%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFAS806GHMNG SFAS806GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation SFAS801G%20SERIES_N2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B6V2 A0G BZX79B6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V4%20SERIES_E2103.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GAL RS1GAL Taiwan Semiconductor Corporation RS1DAL SERIES_C2304.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GAL RS1GAL Taiwan Semiconductor Corporation RS1DAL SERIES_C2304.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS1635 MNG MBRS1635 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1635%20SERIES_K2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMB5933 R5G 1PGSMB5933 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5926%20-%201PGSMB5956.pdf Description: DIODE ZENER 22V 3W DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 17.5 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Power - Max: 3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16.7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JAL ES1JAL Taiwan Semiconductor Corporation ES1BAL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JAL ES1JAL Taiwan Semiconductor Corporation ES1BAL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
16+19.43 грн
100+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JFS ES1JFS Taiwan Semiconductor Corporation ES1BFS SERIES_C2103.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU3BAH PU3BAH SERIES_B2109.pdf
PU3BAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+8.85 грн
15000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
PU3BAH PU3BAH SERIES_B2109.pdf
PU3BAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 21418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.54 грн
12+25.55 грн
100+15.34 грн
500+13.33 грн
1000+9.06 грн
2000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLWH PU2BLWH SERIES_B2109.pdf
PU2DLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLWH PU2BLWH SERIES_B2109.pdf
PU2DLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.69 грн
16+20.11 грн
100+14.17 грн
500+9.98 грн
1000+7.15 грн
2000+6.90 грн
5000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PU4BCH PU4BCH%20SERIES_C2110.pdf
PU4BCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU4BCH PU4BCH%20SERIES_C2110.pdf
PU4BCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLSH PU1BLSH SERIES_B2109.pdf
PU1BLSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLSH PU1BLSH SERIES_B2109.pdf
PU1BLSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 16821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.75 грн
15+20.26 грн
100+10.70 грн
500+8.75 грн
1000+7.82 грн
2000+7.23 грн
5000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLSH
PU2DLSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLSH
PU2DLSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 19950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.25 грн
10+30.54 грн
100+20.78 грн
500+14.62 грн
1000+10.97 грн
2000+10.05 грн
5000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PU4DCH PU4BCH SERIES_C2110.pdf
PU4DCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PU4DCH PU4BCH SERIES_C2110.pdf
PU4DCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.74 грн
10+36.81 грн
100+25.58 грн
500+18.74 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP3BH PUUP3BH%20SERIES_B2109.pdf
PUUP3BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP3BH PUUP3BH%20SERIES_B2109.pdf
PUUP3BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.09 грн
10+49.06 грн
100+37.58 грн
500+27.88 грн
1000+22.31 грн
2000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP4BH PUUP4BH%20SERIES_B2109.pdf
PUUP4BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP4BH PUUP4BH%20SERIES_B2109.pdf
PUUP4BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BMH M3G
PU1BMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BMH M3G
PU1BMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP8DH PUUP8BH SERIES_A2111.pdf
PUUP8DH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 96pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP8DH PUUP8BH SERIES_A2111.pdf
PUUP8DH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 96pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.35 грн
10+51.93 грн
100+34.06 грн
500+24.78 грн
1000+22.46 грн
2000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DLWH PU1BLWH SERIES_A2109.pdf
PU1DLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DLWH PU1BLWH SERIES_A2109.pdf
PU1DLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.76 грн
21+14.74 грн
100+9.93 грн
500+7.19 грн
1000+6.48 грн
2000+5.87 грн
5000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PU3DAH PU3BAH%20SERIES_B2109.pdf
PU3DAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU3DAH PU3BAH%20SERIES_B2109.pdf
PU3DAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 22424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP6BH PUUP6BH%20SERIES_C2109.pdf
PUUP6BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP6BH PUUP6BH%20SERIES_C2109.pdf
PUUP6BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.35 грн
10+74.23 грн
100+57.84 грн
500+44.85 грн
1000+35.40 грн
2000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PU2BMH M3G
PU2BMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 2A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU2BMH M3G
PU2BMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 2A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DMH M3G
PU1DMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DMH M3G
PU1DMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.89 грн
10+30.46 грн
100+22.76 грн
500+16.78 грн
1000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSF10H100C C0G TSF10H100C-TSF10H200C_I2105.pdf
TSF10H100C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H100CT C0G MBR10H100CT%20SERIES_J2104.pdf
MBR10H100CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TST10H100CW C0G TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf
TST10H100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6.8AH P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE6.8AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS 600W 6.8V DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 60A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.46V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER152G pdf.php?pn=HER152G
HER152G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER151G pdf.php?pn=HER151G
HER151G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER153G pdf.php?pn=HER153G
HER153G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD6S10AH TLD6S10AH SERIES_D2103.pdf
TLD6S10AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5S10AH TLD5S10AH SERIES_D2103.pdf
TLD5S10AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 2800W (2.8kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DFS ES2BFS SERIES_D2103.pdf
ES2DFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DFS ES2BFS SERIES_D2103.pdf
ES2DFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAL ES2BAL SERIES_D2103.pdf
ES2DAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAL ES2BAL SERIES_D2103.pdf
ES2DAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ85AH SMBJH SERIES_A2102.pdf
SMBJ85AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRAS2060 MNG SRAS2020%20SERIES_M2103.pdf
SRAS2060 MNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRAS2060HMNG SRAS2020%20SERIES_M2103.pdf
SRAS2060HMNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS1635HMNG MBRS1635%20SERIES_K2103.pdf
MBRS1635HMNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 35 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG
TQM300NB06DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.27 грн
5000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TQM300NB06DCR RLG
TQM300NB06DCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/25A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.27 грн
10+70.98 грн
100+55.22 грн
500+43.93 грн
1000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBL205 GBL201 SERIES_J2103.pdf
GBL205
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFAS806G MNG SFAS801G%20SERIES_N2103.pdf
SFAS806G MNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFAS806GHMNG SFAS801G%20SERIES_N2103.pdf
SFAS806GHMNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B6V2 A0G BZX79B2V4%20SERIES_E2103.pdf
BZX79B6V2 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GAL RS1DAL SERIES_C2304.pdf
RS1GAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1GAL RS1DAL SERIES_C2304.pdf
RS1GAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS1635 MNG MBRS1635%20SERIES_K2103.pdf
MBRS1635 MNG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMB5933 R5G 1PGSMB5926%20-%201PGSMB5956.pdf
1PGSMB5933 R5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 3W DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 22 V
Impedance (Max) (Zzt): 17.5 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Power - Max: 3 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 16.7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JAL ES1BAL SERIES_C2103.pdf
ES1JAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JAL ES1BAL SERIES_C2103.pdf
ES1JAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
16+19.43 грн
100+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ES1JFS ES1BFS SERIES_C2103.pdf
ES1JFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 246 287 328 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]