Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25051) > Сторінка 212 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PGSMAJ10AHR2G PGSMAJ10AHR2G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G A0G 1N5408G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58AHF2G PGSMAJ58AHF2G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58A R2G PGSMAJ58A R2G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58AHF3G PGSMAJ58AHF3G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58A F4G PGSMAJ58A F4G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10GHR0G 6A10GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G%20SERIES_F2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10GHB0G 6A10GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G%20SERIES_F2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10GHA0G 6A10GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G%20SERIES_F2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10G A0G 6A10G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10G B0G 6A10G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G%20SERIES_F2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE9.1AH P6KE9.1AH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS 600W 9.1V DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 47A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.78V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4S30AH SMA4S30AH Taiwan Semiconductor Corporation SMA4S12AH SERIES_C2103.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.7VC SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: SOD-128
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B6V8 A0G BZX79B6V8 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V4%20SERIES_E2103.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLWH PU1BLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLWH SERIES_A2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLWH PU1BLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLWH SERIES_A2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.73 грн
21+15.36 грн
100+10.35 грн
500+7.50 грн
1000+6.76 грн
2000+6.12 грн
5000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PU3BAH PU3BAH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BAH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
PU3BAH PU3BAH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BAH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 13679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.19 грн
13+26.08 грн
100+16.68 грн
500+11.85 грн
1000+10.13 грн
2000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLWH PU2DLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU2BLWH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.35 грн
20000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLWH PU2DLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU2BLWH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
17+18.75 грн
100+13.21 грн
500+9.30 грн
1000+7.20 грн
2000+6.99 грн
5000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PU4BCH PU4BCH Taiwan Semiconductor Corporation PU4BCH%20SERIES_C2110.pdf Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU4BCH PU4BCH Taiwan Semiconductor Corporation PU4BCH%20SERIES_C2110.pdf Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLSH PU1BLSH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLSH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLSH PU1BLSH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLSH SERIES_B2109.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 16821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.18 грн
15+21.12 грн
100+11.15 грн
500+9.12 грн
1000+8.15 грн
2000+7.54 грн
5000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLSH PU2DLSH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLSH PU2DLSH Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 19950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.91 грн
10+31.83 грн
100+21.66 грн
500+15.24 грн
1000+11.43 грн
2000+10.48 грн
5000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PU4DCH PU4DCH Taiwan Semiconductor Corporation PU4BCH SERIES_C2110.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PU4DCH PU4DCH Taiwan Semiconductor Corporation PU4BCH SERIES_C2110.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.64 грн
10+38.37 грн
100+26.66 грн
500+19.54 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP3BH PUUP3BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP3BH%20SERIES_B2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP3BH PUUP3BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP3BH%20SERIES_B2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.55 грн
10+51.14 грн
100+39.18 грн
500+29.06 грн
1000+23.25 грн
2000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP4BH PUUP4BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP4BH%20SERIES_B2109.pdf Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP4BH PUUP4BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP4BH%20SERIES_B2109.pdf Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BMH M3G PU1BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 25NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BMH M3G PU1BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 25NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP8DH PUUP8DH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP8BH SERIES_A2111.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 96pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP8DH PUUP8DH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP8BH SERIES_A2111.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 96pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.01 грн
10+54.13 грн
100+35.50 грн
500+25.83 грн
1000+23.41 грн
2000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DLWH PU1DLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLWH SERIES_A2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DLWH PU1DLWH Taiwan Semiconductor Corporation PU1BLWH SERIES_A2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.73 грн
21+15.36 грн
100+10.35 грн
500+7.50 грн
1000+6.76 грн
2000+6.12 грн
5000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PU3DAH PU3DAH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BAH%20SERIES_B2109.pdf Description: 25NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU3DAH PU3DAH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BAH%20SERIES_B2109.pdf Description: 25NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 22424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP6BH PUUP6BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP6BH%20SERIES_C2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP6BH PUUP6BH Taiwan Semiconductor Corporation PUUP6BH%20SERIES_C2109.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.01 грн
10+77.38 грн
100+60.29 грн
500+46.75 грн
1000+36.90 грн
2000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PU2BMH M3G PU2BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 25NS, 2A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU2BMH M3G PU2BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: 25NS, 2A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DMH M3G PU1DMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DMH M3G PU1DMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.46 грн
10+31.75 грн
100+23.72 грн
500+17.49 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSF10H100C C0G TSF10H100C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF10H100C-TSF10H200C_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H100CT C0G MBR10H100CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR10H100CT%20SERIES_J2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TST10H100CW C0G TST10H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6.8AH P6KE6.8AH Taiwan Semiconductor Corporation P6KE SERIES_P2203.pdf Description: TVS 600W 6.8V DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 60A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.46V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER152G HER152G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HER152G Description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER151G HER151G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HER151G Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER153G HER153G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=HER153G Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD6S10AH TLD6S10AH Taiwan Semiconductor Corporation TLD6S10AH SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5S10AH TLD5S10AH Taiwan Semiconductor Corporation TLD5S10AH SERIES_D2103.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 2800W (2.8kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DFS ES2DFS Taiwan Semiconductor Corporation ES2BFS SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DFS ES2DFS Taiwan Semiconductor Corporation ES2BFS SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAL ES2DAL Taiwan Semiconductor Corporation ES2BAL SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAL ES2DAL Taiwan Semiconductor Corporation ES2BAL SERIES_D2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ85AH SMBJ85AH Taiwan Semiconductor Corporation SMBJH SERIES_A2102.pdf Description: TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ10AHR2G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ10AHR2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408G A0G 1N5400G%20SERIES_K2105.pdf
1N5408G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58AHF2G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ58AHF2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58A R2G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ58A R2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58AHF3G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ58AHF3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58A F4G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ58A F4G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10GHR0G 6A05G%20SERIES_F2104.pdf
6A10GHR0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10GHB0G 6A05G%20SERIES_F2104.pdf
6A10GHB0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10GHA0G 6A05G%20SERIES_F2104.pdf
6A10GHA0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10G A0G
6A10G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6A10G B0G 6A05G%20SERIES_F2104.pdf
6A10G B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A R-6
Packaging: Bulk
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: R-6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE9.1AH
P6KE9.1AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS 600W 9.1V DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 47A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.78V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMA4S30AH SMA4S12AH SERIES_C2103.pdf
SMA4S30AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 30VWM 48.7VC SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: SOD-128
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79B6V8 A0G BZX79B2V4%20SERIES_E2103.pdf
BZX79B6V8 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLWH PU1BLWH SERIES_A2109.pdf
PU1BLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLWH PU1BLWH SERIES_A2109.pdf
PU1BLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.73 грн
21+15.36 грн
100+10.35 грн
500+7.50 грн
1000+6.76 грн
2000+6.12 грн
5000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PU3BAH PU3BAH SERIES_B2109.pdf
PU3BAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
PU3BAH PU3BAH SERIES_B2109.pdf
PU3BAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 13679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.19 грн
13+26.08 грн
100+16.68 грн
500+11.85 грн
1000+10.13 грн
2000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLWH PU2BLWH SERIES_B2109.pdf
PU2DLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.35 грн
20000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLWH PU2BLWH SERIES_B2109.pdf
PU2DLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 33pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.37 грн
17+18.75 грн
100+13.21 грн
500+9.30 грн
1000+7.20 грн
2000+6.99 грн
5000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PU4BCH PU4BCH%20SERIES_C2110.pdf
PU4BCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU4BCH PU4BCH%20SERIES_C2110.pdf
PU4BCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLSH PU1BLSH SERIES_B2109.pdf
PU1BLSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BLSH PU1BLSH SERIES_B2109.pdf
PU1BLSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 16821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.18 грн
15+21.12 грн
100+11.15 грн
500+9.12 грн
1000+8.15 грн
2000+7.54 грн
5000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLSH
PU2DLSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU2DLSH
PU2DLSH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 19950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.91 грн
10+31.83 грн
100+21.66 грн
500+15.24 грн
1000+11.43 грн
2000+10.48 грн
5000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PU4DCH PU4BCH SERIES_C2110.pdf
PU4DCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PU4DCH PU4BCH SERIES_C2110.pdf
PU4DCH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 78pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 5242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.64 грн
10+38.37 грн
100+26.66 грн
500+19.54 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP3BH PUUP3BH%20SERIES_B2109.pdf
PUUP3BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP3BH PUUP3BH%20SERIES_B2109.pdf
PUUP3BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 47pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.55 грн
10+51.14 грн
100+39.18 грн
500+29.06 грн
1000+23.25 грн
2000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP4BH PUUP4BH%20SERIES_B2109.pdf
PUUP4BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP4BH PUUP4BH%20SERIES_B2109.pdf
PUUP4BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 4A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BMH M3G
PU1BMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1BMH M3G
PU1BMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 1A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP8DH PUUP8BH SERIES_A2111.pdf
PUUP8DH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 96pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP8DH PUUP8BH SERIES_A2111.pdf
PUUP8DH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 96pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.01 грн
10+54.13 грн
100+35.50 грн
500+25.83 грн
1000+23.41 грн
2000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DLWH PU1BLWH SERIES_A2109.pdf
PU1DLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DLWH PU1BLWH SERIES_A2109.pdf
PU1DLWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.73 грн
21+15.36 грн
100+10.35 грн
500+7.50 грн
1000+6.76 грн
2000+6.12 грн
5000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PU3DAH PU3BAH%20SERIES_B2109.pdf
PU3DAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU3DAH PU3BAH%20SERIES_B2109.pdf
PU3DAH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 22424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP6BH PUUP6BH%20SERIES_C2109.pdf
PUUP6BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUUP6BH PUUP6BH%20SERIES_C2109.pdf
PUUP6BH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.01 грн
10+77.38 грн
100+60.29 грн
500+46.75 грн
1000+36.90 грн
2000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PU2BMH M3G
PU2BMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 2A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU2BMH M3G
PU2BMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 25NS, 2A, 100V, ULTRA FAST RECOV
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DMH M3G
PU1DMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PU1DMH M3G
PU1DMH M3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.46 грн
10+31.75 грн
100+23.72 грн
500+17.49 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSF10H100C C0G TSF10H100C-TSF10H200C_I2105.pdf
TSF10H100C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10H100CT C0G MBR10H100CT%20SERIES_J2104.pdf
MBR10H100CT C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TST10H100CW C0G TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf
TST10H100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE6.8AH P6KE SERIES_P2203.pdf
P6KE6.8AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS 600W 6.8V DO-15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 60A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.46V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER152G pdf.php?pn=HER152G
HER152G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER151G pdf.php?pn=HER151G
HER151G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER153G pdf.php?pn=HER153G
HER153G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD6S10AH TLD6S10AH SERIES_D2103.pdf
TLD6S10AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5S10AH TLD5S10AH SERIES_D2103.pdf
TLD5S10AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 2800W (2.8kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DFS ES2BFS SERIES_D2103.pdf
ES2DFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DFS ES2BFS SERIES_D2103.pdf
ES2DFS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SOD128
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAL ES2BAL SERIES_D2103.pdf
ES2DAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A THIN SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DAL ES2BAL SERIES_D2103.pdf
ES2DAL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A THIN SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Thin SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ85AH SMBJH SERIES_A2102.pdf
SMBJ85AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 207 208 209 210 211 212 213 214 215 216 217 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]