Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25196) > Сторінка 221 з 420

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1SMA5933H 1SMA5933H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM056NH04LCR RLG TSM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04LCR_E2207.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM056NH04LCR RLG TSM056NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM056NH04LCR_E2207.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.08 грн
10+84.98 грн
100+57.21 грн
500+42.52 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM032NH04LCR RLG TSM032NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM032NH04LCR_D2207.pdf Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM032NH04LCR RLG TSM032NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM032NH04LCR_D2207.pdf Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 25 V
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.10 грн
10+107.53 грн
100+73.36 грн
500+55.13 грн
1000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCR RLG TSM070NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04LCR_E2207.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCR RLG TSM070NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04LCR_E2207.pdf Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446 pF @ 25 V
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.21 грн
10+72.84 грн
100+48.65 грн
500+35.93 грн
1000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM019NH04LCR RLG TSM019NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM019NH04LCR_E2207.pdf Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6282 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM019NH04LCR RLG TSM019NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM019NH04LCR_E2207.pdf Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6282 pF @ 25 V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.87 грн
10+171.62 грн
100+120.17 грн
500+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19 A0G SRT19 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT12%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19 R0G SRT19 R0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT12%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19 A1G SRT19 A1G Taiwan Semiconductor Corporation SRT12%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19HA1G SRT19HA1G Taiwan Semiconductor Corporation SRT12%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19HA0G SRT19HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT12%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19 SRT19 Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 1A 90V TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19HR0G SRT19HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SRT12%20SERIES_I2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19H SRT19H Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 1A 90V TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23M BYG23M Taiwan Semiconductor Corporation BYG23M_C2102.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B62 A0G BZX55B62 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 62V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B39 A0G BZX55B39 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 39V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B3V0 A0G BZX55B3V0 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B33 A0G BZX55B33 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B8V2 A0G BZX55B8V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B18 A0G BZX55B18 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B22 A0G BZX55B22 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B13 A0G BZX55B13 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B20 A0G BZX55B20 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 20V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B2V4 A0G BZX55B2V4 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B3V9 A0G BZX55B3V9 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B4V3 A0G BZX55B4V3 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B56 A0G BZX55B56 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ70A M6G SMDJ70A M6G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJ%20SERIES_I2104.pdf Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ70AH SMDJ70AH Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SMDJ70AH Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ70A SMDJ70A Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=SMDJ70A Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ70AHM6G SMDJ70AHM6G Taiwan Semiconductor Corporation SMDJH%20SERIES_B2104.pdf Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B30 A0G BZX55B30 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf Description: DIODE ZENER 30V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAHR5G SMBJ33CAHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SMBJ%20SERIES_R2104.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24M SS24M Taiwan Semiconductor Corporation SS22M SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
6000+5.19 грн
9000+4.91 грн
15000+4.31 грн
21000+4.13 грн
30000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS24M SS24M Taiwan Semiconductor Corporation SS22M SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
на замовлення 68066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.16 грн
22+15.61 грн
100+9.89 грн
500+6.30 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SS24LWH SS24LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS24LWH SERIES_B2301.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24LWH SS24LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS24LWH SERIES_B2301.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 6041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.73 грн
20+16.68 грн
100+10.08 грн
500+7.03 грн
1000+6.08 грн
2000+5.58 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82AH 1.5KE82AH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU2504 GBU2504 Taiwan Semiconductor Corporation GBU2504 SERIES_E2205.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.78 грн
10+86.06 грн
100+66.93 грн
500+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLS RS1KLS Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLS SERIES_E2304.pdf Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLS RS1KLS Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLS SERIES_E2304.pdf Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 29095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+22.30 грн
26+12.88 грн
100+8.04 грн
500+5.57 грн
1000+4.93 грн
2000+4.38 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS26LWH SS26LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS24LWH SERIES_B2301.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26LWH SS26LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS24LWH SERIES_B2301.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.44 грн
21+16.02 грн
100+10.08 грн
500+7.03 грн
1000+6.08 грн
2000+5.58 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1060CT MBRF1060CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1035CT SERIES_M2105.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 60V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1545CT MBRF1545CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1535CT SERIES_J2105.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 45V 15A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.31 грн
50+24.64 грн
100+24.21 грн
500+21.50 грн
1000+18.64 грн
2000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S15MCHV7G S15MCHV7G Taiwan Semiconductor Corporation S15GC%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO214AB
на замовлення 6560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+42.41 грн
1700+32.68 грн
2550+29.61 грн
5950+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
S15MCHV7G S15MCHV7G Taiwan Semiconductor Corporation S15GC%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO214AB
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.76 грн
10+67.39 грн
100+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S15GCHV7G S15GCHV7G Taiwan Semiconductor Corporation S15GC%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 15A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S15GCHV7G S15GCHV7G Taiwan Semiconductor Corporation S15GC%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 15A DO214AB
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.76 грн
10+67.39 грн
100+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPAR3J S1G TPAR3J S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3D%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TPAR3J S1G TPAR3J S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3D%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.48 грн
10+70.28 грн
100+54.77 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPAU3J S1G TPAU3J S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPAU3D SERIES_C2103.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.88 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TPAU3J S1G TPAU3J S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPAU3D SERIES_C2103.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.88 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.65 грн
10+78.62 грн
100+52.72 грн
500+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1N5397G 1N5397G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5391G SERIES_G2309.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27AH 1.5KE27AH Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 42A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58AHR2G PGSMAJ58AHR2G Taiwan Semiconductor Corporation PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SMA5933H 1SMA5926%20SERIES_L2102.pdf
1SMA5933H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 1.5W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM056NH04LCR RLG TSM056NH04LCR_E2207.pdf
TSM056NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM056NH04LCR RLG TSM056NH04LCR_E2207.pdf
TSM056NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 78.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.08 грн
10+84.98 грн
100+57.21 грн
500+42.52 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM032NH04LCR RLG TSM032NH04LCR_D2207.pdf
TSM032NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM032NH04LCR RLG TSM032NH04LCR_D2207.pdf
TSM032NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 25 V
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.10 грн
10+107.53 грн
100+73.36 грн
500+55.13 грн
1000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCR RLG TSM070NH04LCR_E2207.pdf
TSM070NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM070NH04LCR RLG TSM070NH04LCR_E2207.pdf
TSM070NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 46.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446 pF @ 25 V
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.21 грн
10+72.84 грн
100+48.65 грн
500+35.93 грн
1000+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM019NH04LCR RLG TSM019NH04LCR_E2207.pdf
TSM019NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6282 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM019NH04LCR RLG TSM019NH04LCR_E2207.pdf
TSM019NH04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6282 pF @ 25 V
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.87 грн
10+171.62 грн
100+120.17 грн
500+99.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19 A0G SRT12%20SERIES_I2104.pdf
SRT19 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19 R0G SRT12%20SERIES_I2104.pdf
SRT19 R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19 A1G SRT12%20SERIES_I2104.pdf
SRT19 A1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19HA1G SRT12%20SERIES_I2104.pdf
SRT19HA1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19HA0G SRT12%20SERIES_I2104.pdf
SRT19HA0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19
SRT19
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 1A 90V TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19HR0G SRT12%20SERIES_I2104.pdf
SRT19HR0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SRT19H
SRT19H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 1A 90V TS-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYG23M BYG23M_C2102.pdf
BYG23M
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B62 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B62 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 62V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B39 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B39 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 39V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B3V0 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B3V0 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B33 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B33 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B8V2 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B8V2 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B18 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B18 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B22 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B22 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 22V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B13 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B13 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B20 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B20 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B2V4 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B2V4 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B3V9 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B3V9 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B4V3 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B4V3 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B56 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B56 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ70A M6G SMDJ%20SERIES_I2104.pdf
SMDJ70A M6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ70AH pdf.php?pn=SMDJ70AH
SMDJ70AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ70A pdf.php?pn=SMDJ70A
SMDJ70A
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ70AHM6G SMDJH%20SERIES_B2104.pdf
SMDJ70AHM6G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55B30 A0G BZX55B2V4%20SERIES_F1610.pdf
BZX55B30 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 30V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ33CAHR5G SMBJ%20SERIES_R2104.pdf
SMBJ33CAHR5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24M SS22M SERIES_M2103.pdf
SS24M
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.96 грн
6000+5.19 грн
9000+4.91 грн
15000+4.31 грн
21000+4.13 грн
30000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS24M SS22M SERIES_M2103.pdf
SS24M
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
на замовлення 68066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.16 грн
22+15.61 грн
100+9.89 грн
500+6.30 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SS24LWH SS24LWH SERIES_B2301.pdf
SS24LWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS24LWH SS24LWH SERIES_B2301.pdf
SS24LWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 6041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.73 грн
20+16.68 грн
100+10.08 грн
500+7.03 грн
1000+6.08 грн
2000+5.58 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82AH
1.5KE82AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU2504 GBU2504 SERIES_E2205.pdf
GBU2504
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.78 грн
10+86.06 грн
100+66.93 грн
500+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLS RS1JLS SERIES_E2304.pdf
RS1KLS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
RS1KLS RS1JLS SERIES_E2304.pdf
RS1KLS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STD 800V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 29095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.30 грн
26+12.88 грн
100+8.04 грн
500+5.57 грн
1000+4.93 грн
2000+4.38 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SS26LWH SS24LWH SERIES_B2301.pdf
SS26LWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS26LWH SS24LWH SERIES_B2301.pdf
SS26LWH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 11036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.44 грн
21+16.02 грн
100+10.08 грн
500+7.03 грн
1000+6.08 грн
2000+5.58 грн
5000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1060CT MBRF1035CT SERIES_M2105.pdf
MBRF1060CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 60V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF1545CT MBRF1535CT SERIES_J2105.pdf
MBRF1545CT
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR SCHOT 45V 15A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 5938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.31 грн
50+24.64 грн
100+24.21 грн
500+21.50 грн
1000+18.64 грн
2000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S15MCHV7G S15GC%20SERIES_C2102.pdf
S15MCHV7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO214AB
на замовлення 6560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+42.41 грн
1700+32.68 грн
2550+29.61 грн
5950+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
S15MCHV7G S15GC%20SERIES_C2102.pdf
S15MCHV7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 15A DO214AB
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.76 грн
10+67.39 грн
100+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S15GCHV7G S15GC%20SERIES_C2102.pdf
S15GCHV7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 15A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S15GCHV7G S15GC%20SERIES_C2102.pdf
S15GCHV7G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 15A DO214AB
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.76 грн
10+67.39 грн
100+51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPAR3J S1G TPAR3D%20SERIES_C2103.pdf
TPAR3J S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TPAR3J S1G TPAR3D%20SERIES_C2103.pdf
TPAR3J S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.48 грн
10+70.28 грн
100+54.77 грн
500+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPAU3J S1G TPAU3D SERIES_C2103.pdf
TPAU3J S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.88 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
TPAU3J S1G TPAU3D SERIES_C2103.pdf
TPAU3J S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.88 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 8842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.65 грн
10+78.62 грн
100+52.72 грн
500+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1N5397G 1N5391G SERIES_G2309.pdf
1N5397G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1.5A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27AH
1.5KE27AH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 42A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PGSMAJ58AHR2G PGSMAJ_Series_Rev_A1707.pdf
PGSMAJ58AHR2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]