Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25591) > Сторінка 334 з 427

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 378 420 427  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BZX79C68 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C2V0%20SERIES_G2301.pdf Description: DO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 68 V
Impedance (Max) (Zzt): 240 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 47.6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C68 A0G BZX79C68 A0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BZX79C68 Description: DIODE ZENER 68V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 68 V
Impedance (Max) (Zzt): 240 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 47.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43S R9G BZT52C43S R9G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: SOD-323F, 200MW, 5%, SMALL SIGNA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43S R9G BZT52C43S R9G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: SOD-323F, 200MW, 5%, SMALL SIGNA
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.65 грн
28+11.22 грн
100+5.49 грн
500+4.30 грн
1000+2.99 грн
2000+2.59 грн
5000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43 RHG BZT52C43 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD123F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43 RHG BZT52C43 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD123F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
31+10.00 грн
100+4.87 грн
500+3.81 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43K RKG BZT52C43K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7K SERIES_G2402.pdf Description: DIODE ZENER 43V 200MW SOD523F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 33 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
6000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43K RKG BZT52C43K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7K SERIES_G2402.pdf Description: DIODE ZENER 43V 200MW SOD523F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 33 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.03 грн
25+12.52 грн
100+6.12 грн
500+4.79 грн
1000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43-G RHG BZT52C43-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4-G SERIES_C2007.pdf Description: DIODE ZENER 43V 350MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 32 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.03 грн
6000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43-G RHG BZT52C43-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4-G SERIES_C2007.pdf Description: DIODE ZENER 43V 350MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 32 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.24 грн
26+11.84 грн
100+5.81 грн
500+4.54 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43S BZT52C43S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S%20SERIES_J2212.pdf Description: SOD-323F, 200MW, 5%, SMALL SIGNA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43-G BZT52C43-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4-G%20SERIES_C2007.pdf Description: SOD-123, 350MW, 5%, SMALL SIGNAL
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 32 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43K BZT52C43K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7K%20SERIES_G2402.pdf Description: SOD-523F, 200MW, 5%, SMALL SIGNA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 33 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MF-T S1MF-T Taiwan Semiconductor Corporation S1DF-T SERIES_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MF-T S1MF-T Taiwan Semiconductor Corporation S1DF-T SERIES_B2103.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.03 грн
27+11.38 грн
50+8.14 грн
100+6.64 грн
500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS22M SS22M Taiwan Semiconductor Corporation SS22M SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS22M SS22M Taiwan Semiconductor Corporation SS22M SERIES_M2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 20 V
на замовлення 11887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.13 грн
17+18.02 грн
50+12.98 грн
100+10.63 грн
500+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180P03CS RLG TSM180P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS_A14.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180P03CS RLG TSM180P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS_A14.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.54 грн
10+47.04 грн
100+31.55 грн
500+24.66 грн
1000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180P03CS TSM180P03CS Taiwan Semiconductor Corporation Description: -30V, -10A, SINGLE P-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER105GH HER105GH Taiwan Semiconductor Corporation HER101G SERIES_L2104.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
19+16.42 грн
100+10.35 грн
500+7.24 грн
1000+6.44 грн
2000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1006GH HERF1006GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1001G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 10A ITO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.46 грн
10+64.29 грн
100+42.82 грн
500+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1604GH HERF1604GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1601G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 16A ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Qualification: AEC-Q101
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.56 грн
10+85.29 грн
100+57.37 грн
500+42.59 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1606GH HERF1606GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1601G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 16A ITO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.80 грн
50+62.03 грн
100+55.44 грн
500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1608GH HERF1608GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1601G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARR GP 1000V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.90 грн
10+89.18 грн
50+67.13 грн
100+56.29 грн
500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1607GH HERF1607GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1601G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 800V 16A ITO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.56 грн
10+85.29 грн
100+57.37 грн
500+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1004GH HERF1004GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1001G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.67 грн
10+63.83 грн
100+42.53 грн
500+31.33 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1008GH HERF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1001G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARR GP 1000V 10A ITO220AB
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.57 грн
10+57.04 грн
100+37.96 грн
500+27.97 грн
1000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1005GH HERF1005GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1001G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 400V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.56 грн
10+71.24 грн
100+47.46 грн
500+34.97 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1007GH HERF1007GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1001G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.56 грн
10+71.24 грн
100+47.46 грн
500+34.97 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1605GH HERF1605GH Taiwan Semiconductor Corporation HERF1601G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE ARRAY GP 400V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.56 грн
10+85.29 грн
100+57.37 грн
500+42.59 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG2DH UG2DH Taiwan Semiconductor Corporation UG2D_F2105.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
14+22.91 грн
100+14.53 грн
500+10.24 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG2D UG2D Taiwan Semiconductor Corporation UG2D_F2105.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG2D UG2D Taiwan Semiconductor Corporation UG2D_F2105.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
14+22.91 грн
100+14.53 грн
500+10.24 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMC5353H Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE ZENER 16V 5W DO214AB
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Grade: Automotive
Power - Max: 5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1T5G 1T5G Taiwan Semiconductor Corporation 1T1G SERIES_H2104.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A TS1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1T5G 1T5G Taiwan Semiconductor Corporation 1T1G SERIES_H2104.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A TS1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
31+9.93 грн
100+6.19 грн
500+4.27 грн
1000+3.76 грн
2000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G SFT16G Taiwan Semiconductor Corporation SFT11G SERIES_J2104.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G SFT16G Taiwan Semiconductor Corporation SFT11G SERIES_J2104.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.72 грн
17+18.86 грн
100+11.92 грн
500+8.37 грн
1000+7.46 грн
2000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS8P06G TS8P06G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TS8P06G Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.15 грн
10+94.45 грн
100+75.14 грн
500+59.67 грн
1000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS50P05GH TS50P05GH Taiwan Semiconductor Corporation TS50P05G SERIES_H2203.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 50A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.75 грн
15+167.78 грн
105+135.76 грн
510+113.24 грн
1005+96.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12CAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.06 грн
3600+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12CAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+33.14 грн
100+21.41 грн
500+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ABS4H ABS4H Taiwan Semiconductor Corporation Description: BRIDGE RECT 1P 400V 800MA ABS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ABS4H ABS4H Taiwan Semiconductor Corporation Description: BRIDGE RECT 1P 400V 800MA ABS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
11+28.71 грн
100+17.23 грн
500+14.97 грн
1000+10.18 грн
2000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ABS4 REG ABS4 REG Taiwan Semiconductor Corporation ABS2%20SERIES_M2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 800MA ABS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS4HREG ABS4HREG Taiwan Semiconductor Corporation ABS2%20SERIES_M2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 800MA ABS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M R3G S1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHR3G S1MHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1A%20SERIES_S2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHR3G S1MLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL%20SERIES_Q2108.pdf Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M-KR3G S1M-KR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1D-K_Rev.B1603.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M-26R3G S1M-26R3G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239B RHG MMSZ5239B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5221B series_H2007.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239B RHG MMSZ5239B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5221B series_H2007.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
33+9.47 грн
100+5.86 грн
500+4.02 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C7V5 A0G BZX79C7V5 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C2V0%20SERIES_F1804.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM680P06CH Taiwan Semiconductor Corporation datasheet Description: -60V, -18A, SINGLE P-CHANNEL POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CH Taiwan Semiconductor Corporation Description: -60V, -20A, SINGLE P-CHANNEL POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH_A2208.pdf Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (I-PAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600ACL Taiwan Semiconductor Corporation Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Short Leads, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262S (I2PAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS157GH DBLS157GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151G SERIES_M2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.71 грн
10+46.58 грн
50+34.34 грн
100+28.51 грн
500+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C68 BZX79C2V0%20SERIES_G2301.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 68 V
Impedance (Max) (Zzt): 240 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 47.6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C68 A0G pdf.php?pn=BZX79C68
BZX79C68 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 68V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 68 V
Impedance (Max) (Zzt): 240 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 47.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43S R9G BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C43S R9G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-323F, 200MW, 5%, SMALL SIGNA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43S R9G BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C43S R9G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-323F, 200MW, 5%, SMALL SIGNA
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.65 грн
28+11.22 грн
100+5.49 грн
500+4.30 грн
1000+2.99 грн
2000+2.59 грн
5000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43 RHG BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf
BZT52C43 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD123F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43 RHG BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf
BZT52C43 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 500MW SOD123F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.07 грн
31+10.00 грн
100+4.87 грн
500+3.81 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43K RKG BZT52C2V7K SERIES_G2402.pdf
BZT52C43K RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 200MW SOD523F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 33 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.19 грн
6000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43K RKG BZT52C2V7K SERIES_G2402.pdf
BZT52C43K RKG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 200MW SOD523F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 33 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.03 грн
25+12.52 грн
100+6.12 грн
500+4.79 грн
1000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43-G RHG BZT52C2V4-G SERIES_C2007.pdf
BZT52C43-G RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 350MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 32 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.03 грн
6000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43-G RHG BZT52C2V4-G SERIES_C2007.pdf
BZT52C43-G RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 350MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 32 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.24 грн
26+11.84 грн
100+5.81 грн
500+4.54 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43S BZT52C2V4S%20SERIES_J2212.pdf
BZT52C43S
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-323F, 200MW, 5%, SMALL SIGNA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 30.1 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43-G BZT52C2V4-G%20SERIES_C2007.pdf
BZT52C43-G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-123, 350MW, 5%, SMALL SIGNAL
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 32 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C43K BZT52C2V7K%20SERIES_G2402.pdf
BZT52C43K
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: SOD-523F, 200MW, 5%, SMALL SIGNA
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: SOD-523F
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 33 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MF-T S1DF-T SERIES_B2103.pdf
S1MF-T
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SMAF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1MF-T S1DF-T SERIES_B2103.pdf
S1MF-T
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A SMAF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMAF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.03 грн
27+11.38 грн
50+8.14 грн
100+6.64 грн
500+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS22M SS22M SERIES_M2103.pdf
SS22M
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A MICRO SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS22M SS22M SERIES_M2103.pdf
SS22M
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A MICRO SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: Micro SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 20 V
на замовлення 11887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.13 грн
17+18.02 грн
50+12.98 грн
100+10.63 грн
500+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180P03CS RLG TSM180P03CS_A14.pdf
TSM180P03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180P03CS RLG TSM180P03CS_A14.pdf
TSM180P03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.54 грн
10+47.04 грн
100+31.55 грн
500+24.66 грн
1000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180P03CS
TSM180P03CS
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -30V, -10A, SINGLE P-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HER105GH HER101G SERIES_L2104.pdf
HER105GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.75 грн
19+16.42 грн
100+10.35 грн
500+7.24 грн
1000+6.44 грн
2000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1006GH HERF1001G SERIES_I2105.pdf
HERF1006GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 600V 10A ITO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+105.46 грн
10+64.29 грн
100+42.82 грн
500+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1604GH HERF1601G SERIES_I2105.pdf
HERF1604GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 16A ITO220AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Qualification: AEC-Q101
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.56 грн
10+85.29 грн
100+57.37 грн
500+42.59 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1606GH HERF1601G SERIES_I2105.pdf
HERF1606GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 600V 16A ITO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.80 грн
50+62.03 грн
100+55.44 грн
500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1608GH HERF1601G SERIES_I2105.pdf
HERF1608GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR GP 1000V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.90 грн
10+89.18 грн
50+67.13 грн
100+56.29 грн
500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1607GH HERF1601G SERIES_I2105.pdf
HERF1607GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 800V 16A ITO220AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.56 грн
10+85.29 грн
100+57.37 грн
500+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1004GH HERF1001G SERIES_I2105.pdf
HERF1004GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 300V 10A ITO220AB
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.67 грн
10+63.83 грн
100+42.53 грн
500+31.33 грн
1000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1008GH HERF1001G SERIES_I2105.pdf
HERF1008GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARR GP 1000V 10A ITO220AB
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: ITO-220AB
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.57 грн
10+57.04 грн
100+37.96 грн
500+27.97 грн
1000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1005GH HERF1001G SERIES_I2105.pdf
HERF1005GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 400V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.56 грн
10+71.24 грн
100+47.46 грн
500+34.97 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1007GH HERF1001G SERIES_I2105.pdf
HERF1007GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 800V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.56 грн
10+71.24 грн
100+47.46 грн
500+34.97 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HERF1605GH HERF1601G SERIES_I2105.pdf
HERF1605GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY GP 400V 16A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.56 грн
10+85.29 грн
100+57.37 грн
500+42.59 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG2DH UG2D_F2105.pdf
UG2DH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.85 грн
14+22.91 грн
100+14.53 грн
500+10.24 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG2D UG2D_F2105.pdf
UG2D
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UG2D UG2D_F2105.pdf
UG2D
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.85 грн
14+22.91 грн
100+14.53 грн
500+10.24 грн
1000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1PGSMC5353H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 5W DO214AB
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Grade: Automotive
Power - Max: 5 W
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 12.2 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1T5G 1T1G SERIES_H2104.pdf
1T5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A TS1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1T5G 1T1G SERIES_H2104.pdf
1T5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A TS1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.44 грн
31+9.93 грн
100+6.19 грн
500+4.27 грн
1000+3.76 грн
2000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G SFT11G SERIES_J2104.pdf
SFT16G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SFT16G SFT11G SERIES_J2104.pdf
SFT16G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A TS1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TS-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.72 грн
17+18.86 грн
100+11.92 грн
500+8.37 грн
1000+7.46 грн
2000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS8P06G pdf.php?pn=TS8P06G
TS8P06G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.15 грн
10+94.45 грн
100+75.14 грн
500+59.67 грн
1000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS50P05GH TS50P05G SERIES_H2203.pdf
TS50P05GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 50A TS-6P
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, TS-6P
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TS-6P
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.75 грн
15+167.78 грн
105+135.76 грн
510+113.24 грн
1005+96.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12CAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+14.06 грн
3600+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ12CAHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.51 грн
10+33.14 грн
100+21.41 грн
500+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ABS4H
ABS4H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 800MA ABS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ABS4H
ABS4H
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 800MA ABS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.06 грн
11+28.71 грн
100+17.23 грн
500+14.97 грн
1000+10.18 грн
2000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ABS4 REG ABS2%20SERIES_M2103.pdf
ABS4 REG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 800MA ABS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS4HREG ABS2%20SERIES_M2103.pdf
ABS4HREG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 800MA ABS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 800 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M R3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MHR3G S1A%20SERIES_S2102.pdf
S1MHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1MLHR3G S1AL%20SERIES_Q2108.pdf
S1MLHR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M-KR3G S1D-K_Rev.B1603.pdf
S1M-KR3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1M-26R3G
S1M-26R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239B RHG MMSZ5221B series_H2007.pdf
MMSZ5239B RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5239B RHG MMSZ5221B series_H2007.pdf
MMSZ5239B RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123F
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.86 грн
33+9.47 грн
100+5.86 грн
500+4.02 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C7V5 A0G BZX79C2V0%20SERIES_F1804.pdf
BZX79C7V5 A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM680P06CH datasheet
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -60V, -18A, SINGLE P-CHANNEL POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM480P06CH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: -60V, -20A, SINGLE P-CHANNEL POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM4NB60CH TSM4NB60CH_A2208.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (I-PAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600ACL
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 700V, 8A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Short Leads, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262S (I2PAK SL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS157GH DBLS151G SERIES_M2103.pdf
DBLS157GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBLS
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+77.71 грн
10+46.58 грн
50+34.34 грн
100+28.51 грн
500+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 42 84 126 168 210 252 294 329 330 331 332 333 334 335 336 337 338 339 378 420 427  [ Наступна Сторінка >> ]