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SSM6J422TU,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN1306,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN1306,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN1305,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2304,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2301,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2301,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN1305,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2412,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2310,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2412,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2304,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2404,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2404,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2310,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN1313,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1313,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN1313,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1313,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC74LCX16245(EL,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC74LCX16245(EL,F) - Transceiver, TC74LCX16245, 2 bis 3.6V Versorgung, -40°C bis 125°C, TSSOP-48 tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: TC74 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: TC74LCX Bauform - Logikbaustein: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CMZB24A,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - CMZB24A,LQ(M - Zener-Diode, 24 V, 1 W, SOD-128, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 24V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2B6M4BSL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2B6M4BSL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOD-962 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V Betriebsspannung: 5.5V rohsPhthalatesCompliant: TBA Verlustleistung Pd: 30W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2S5M4SL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2S5M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.6 V, 30 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-962 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.6V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 38410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CMZB30A,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - CMZB30A,LQ(M - Zener-Diode, 30 V, 1 W, SOD-128, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 30V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2B6M4ASL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2B6M4ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOD-962 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V Betriebsspannung: 5.5V rohsPhthalatesCompliant: TBA Verlustleistung Pd: 30W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CMZB16A,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - CMZB16A,LQ(M - Zener-Diode, 16 V, 1 W, SOD-128, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2S5M4SL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2S5M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.6 V, 30 WtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-962 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 30W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.6V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 38410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2S6.8ASL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2S6.8ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 16 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5 V, 40 W tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-962 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 16V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2S7MSL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2S7MSL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5 V, 60 W tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-962 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: To Be Advised |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2B6M4ASL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2B6M4ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V Betriebsspannung: 5.5V rohsPhthalatesCompliant: TBA Verlustleistung Pd: 30W usEccn: EAR99 |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2B6M4SL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2B6M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOD-962 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V Betriebsspannung: 5.5V rohsPhthalatesCompliant: TBA Verlustleistung Pd: 30W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 8150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2B5M4SL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2B5M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.6 V, 30 W tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOD-962 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V Betriebsspannung: 3.6V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 30W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2B20M4SL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2B20M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOD-962, 2 Pin(s), 18.5 V, 15 W tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOD-962 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V Betriebsspannung: 18.5V rohsPhthalatesCompliant: TBA Verlustleistung Pd: 15W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2S6.2ASL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2S6.2ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5 V, 37 W tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V Betriebsspannung: 5V rohsPhthalatesCompliant: TBA Verlustleistung Pd: 37W usEccn: EAR99 |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DF2B7ASL,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF2B7ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 80 W tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOD-962 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V Betriebsspannung: 5.5V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 80W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 7985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74HC175D(BJ) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 74HC175D(BJ) - Flipflop, 74HC175, D, 16 ns, 63 MHz, 5.2 mA, SOICtariffCode: 85423190 Logik-IC-Sockelnummer: 74175 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74HC IC-Ausgang: CMOS hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Ausgangsstrom: 5.2mA Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Frequenz: 63MHz Flip-Flop-Typ: D Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC175 euEccn: NLR Ausbreitungsverzögerung: 0 Triggertyp: Positive Taktflanke Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2301,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2301,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC2873-Y(TE12L,ZC | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2873-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH8R903NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH8R903NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH5900CNH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.05 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TPH5900CNH,L1Q(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.05 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPWR7904PB,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Advance L Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPWR7904PB,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: DSOP Advance L Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6J808R,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSM6J808R,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2070(TE12L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2056(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2056(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TSM, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SA2154CT-GR,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: CST Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC7WZ86FU,LJ(CT | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC7WZ86FU,LJ(CT - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Zwei, 2 Inputs, 8 Pin(s), SOT-505 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: XOR (Exclusive OR) Logik-IC-Familie: TC7WZ Anzahl der Elemente: Zwei Bauform - Logikbaustein: SOT-505 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 50mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TC7SET04F,LJ(CT | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC7SET04F,LJ(CT - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SOT-25tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: TC7SET Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 25mA isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TB9084FTG(EL) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TB9084FTG(EL) - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, MOSFET, 36 Pin(s), WFVQFNtariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFVQFN Eingang: PWM usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 6Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 128µs Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2415,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2415,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN1303,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN1303,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2303,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2303,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2309,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2408,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2408,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN2309,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TK40A10N1,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TK40A10N1,S4X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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TK6A65W,S5X(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK6A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.85 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SSM6J422TU,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J422TU,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.51 грн |
| 500+ | 11.02 грн |
| 1000+ | 9.07 грн |
| RN1306,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 23.74 грн |
| 38+ | 21.56 грн |
| 100+ | 12.92 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| 1000+ | 5.23 грн |
| RN1306,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.92 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| 1000+ | 5.23 грн |
| RN1305,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.98 грн |
| 500+ | 6.82 грн |
| 1000+ | 4.84 грн |
| RN2304,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.95 грн |
| 108+ | 7.49 грн |
| 500+ | 5.18 грн |
| 1000+ | 4.18 грн |
| RN2301,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2301,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2301,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 23.74 грн |
| 38+ | 21.56 грн |
| 100+ | 12.92 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| 1000+ | 5.23 грн |
| RN1305,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 20.19 грн |
| 45+ | 18.33 грн |
| 100+ | 10.98 грн |
| 500+ | 6.82 грн |
| 1000+ | 4.84 грн |
| RN2412,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 18.41 грн |
| 72+ | 11.23 грн |
| 115+ | 7.07 грн |
| 500+ | 4.86 грн |
| 1000+ | 3.87 грн |
| RN2310,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.80 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| 1000+ | 4.52 грн |
| RN2412,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2412,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.23 грн |
| 115+ | 7.07 грн |
| 500+ | 4.86 грн |
| 1000+ | 3.87 грн |
| RN2304,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 19.63 грн |
| 68+ | 11.95 грн |
| 108+ | 7.49 грн |
| 500+ | 5.18 грн |
| 1000+ | 4.18 грн |
| RN2404,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2404,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2404,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 21.64 грн |
| 42+ | 19.38 грн |
| 100+ | 11.47 грн |
| 500+ | 6.57 грн |
| 1000+ | 4.80 грн |
| RN2310,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2310,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 23.10 грн |
| 58+ | 14.05 грн |
| 100+ | 8.80 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| 1000+ | 4.52 грн |
| RN1313,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1313,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN1313,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.92 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| 1000+ | 5.23 грн |
| RN1313,LXHF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1313,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN1313,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 23.74 грн |
| 38+ | 21.56 грн |
| 100+ | 12.92 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| 1000+ | 5.23 грн |
| TC74LCX16245(EL,F) |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC74LCX16245(EL,F) - Transceiver, TC74LCX16245, 2 bis 3.6V Versorgung, -40°C bis 125°C, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: TC74
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: TC74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: TOSHIBA - TC74LCX16245(EL,F) - Transceiver, TC74LCX16245, 2 bis 3.6V Versorgung, -40°C bis 125°C, TSSOP-48
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: TC74
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: TC74LCX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.20 грн |
| 250+ | 34.82 грн |
| 500+ | 33.71 грн |
| CMZB24A,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - CMZB24A,LQ(M - Zener-Diode, 24 V, 1 W, SOD-128, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
Description: TOSHIBA - CMZB24A,LQ(M - Zener-Diode, 24 V, 1 W, SOD-128, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 129.22 грн |
| 10+ | 85.61 грн |
| 100+ | 45.55 грн |
| 500+ | 36.90 грн |
| 1000+ | 31.84 грн |
| DF2B6M4BSL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2B6M4BSL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2B6M4BSL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 13.08 грн |
| 114+ | 7.10 грн |
| 175+ | 4.63 грн |
| 500+ | 4.23 грн |
| 1000+ | 3.84 грн |
| DF2S5M4SL,L3F(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2S5M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.6 V, 30 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2S5M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.6 V, 30 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 38410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 98+ | 8.32 грн |
| 137+ | 5.90 грн |
| 278+ | 2.92 грн |
| 500+ | 2.37 грн |
| 1000+ | 1.92 грн |
| 5000+ | 1.86 грн |
| CMZB30A,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - CMZB30A,LQ(M - Zener-Diode, 30 V, 1 W, SOD-128, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
Description: TOSHIBA - CMZB30A,LQ(M - Zener-Diode, 30 V, 1 W, SOD-128, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 129.22 грн |
| 10+ | 85.61 грн |
| 100+ | 45.55 грн |
| 500+ | 36.90 грн |
| 1000+ | 31.84 грн |
| DF2B6M4ASL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2B6M4ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2B6M4ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 48+ | 16.88 грн |
| 71+ | 11.47 грн |
| 182+ | 4.45 грн |
| 500+ | 4.06 грн |
| 1000+ | 3.68 грн |
| 5000+ | 3.61 грн |
| CMZB16A,LQ(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - CMZB16A,LQ(M - Zener-Diode, 16 V, 1 W, SOD-128, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
Description: TOSHIBA - CMZB16A,LQ(M - Zener-Diode, 16 V, 1 W, SOD-128, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 132.45 грн |
| 10+ | 87.23 грн |
| 100+ | 46.84 грн |
| 500+ | 37.95 грн |
| 1000+ | 32.74 грн |
| DF2S5M4SL,L3F(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2S5M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.6 V, 30 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2S5M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.6 V, 30 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 38410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.32 грн |
| 137+ | 5.90 грн |
| 278+ | 2.92 грн |
| 500+ | 2.37 грн |
| 1000+ | 1.92 грн |
| 5000+ | 1.86 грн |
| DF2S6.8ASL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2S6.8ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 16 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5 V, 40 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 16V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2S6.8ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 16 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5 V, 40 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 16V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.85 грн |
| 1000+ | 1.54 грн |
| 5000+ | 1.48 грн |
| DF2S7MSL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2S7MSL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5 V, 60 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2S7MSL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5 V, 60 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-962
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.08 грн |
| 244+ | 3.32 грн |
| DF2B6M4ASL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2B6M4ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - DF2B6M4ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.47 грн |
| 182+ | 4.45 грн |
| 500+ | 4.06 грн |
| 1000+ | 3.68 грн |
| 5000+ | 3.61 грн |
| DF2B6M4SL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2B6M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2B6M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 15.43 грн |
| 88+ | 9.21 грн |
| 144+ | 5.63 грн |
| 500+ | 4.94 грн |
| 1000+ | 3.90 грн |
| 5000+ | 3.17 грн |
| DF2B5M4SL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2B5M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.6 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 3.6V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2B5M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 3.6 V, 30 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 3.6V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 30W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 15.43 грн |
| 76+ | 10.66 грн |
| 185+ | 4.39 грн |
| DF2B20M4SL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2B20M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOD-962, 2 Pin(s), 18.5 V, 15 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: 18.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 15W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2B20M4SL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOD-962, 2 Pin(s), 18.5 V, 15 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: 18.5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 15W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 13.89 грн |
| 87+ | 9.29 грн |
| 202+ | 4.01 грн |
| 500+ | 3.50 грн |
| 1000+ | 2.97 грн |
| 5000+ | 2.90 грн |
| DF2S6.2ASL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2S6.2ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5 V, 37 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 37W
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - DF2S6.2ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 15 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5 V, 37 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 15V
Betriebsspannung: 5V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung Pd: 37W
usEccn: EAR99
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 105+ | 7.71 грн |
| 524+ | 1.54 грн |
| 535+ | 1.51 грн |
| 547+ | 1.37 грн |
| 1000+ | 1.25 грн |
| 5000+ | 1.22 грн |
| DF2B7ASL,L3F(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF2B7ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 80 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 80W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF2B7ASL,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-962, 2 Pin(s), 5.5 V, 80 W
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-962
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Betriebsspannung: 5.5V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 80W
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 12.36 грн |
| 125+ | 6.48 грн |
| 210+ | 3.86 грн |
| 500+ | 2.72 грн |
| 1000+ | 1.85 грн |
| 5000+ | 1.79 грн |
| 74HC175D(BJ) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 74HC175D(BJ) - Flipflop, 74HC175, D, 16 ns, 63 MHz, 5.2 mA, SOIC
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 74175
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
IC-Ausgang: CMOS
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 5.2mA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Frequenz: 63MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC175
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 0
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: TOSHIBA - 74HC175D(BJ) - Flipflop, 74HC175, D, 16 ns, 63 MHz, 5.2 mA, SOIC
tariffCode: 85423190
Logik-IC-Sockelnummer: 74175
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74HC
IC-Ausgang: CMOS
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 5.2mA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Frequenz: 63MHz
Flip-Flop-Typ: D
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74HC175
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 0
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 60.82 грн |
| 23+ | 36.67 грн |
| 100+ | 23.10 грн |
| 500+ | 16.12 грн |
| 1000+ | 14.40 грн |
| RN2301,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2301,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2301,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.92 грн |
| 500+ | 7.38 грн |
| 1000+ | 5.23 грн |
| 2SC2873-Y(TE12L,ZC |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2873-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SC2873-Y(TE12L,ZC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.92 грн |
| 500+ | 14.77 грн |
| 1000+ | 11.28 грн |
| TPH8R903NL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 111.46 грн |
| 12+ | 70.18 грн |
| 100+ | 46.60 грн |
| 500+ | 33.90 грн |
| 1000+ | 28.52 грн |
| 5000+ | 25.27 грн |
| TPH8R903NL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38 A, 7600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.60 грн |
| 500+ | 33.90 грн |
| 1000+ | 28.52 грн |
| 5000+ | 25.27 грн |
| TPH5900CNH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.05 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.05 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TPH5900CNH,L1Q(M |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.05 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPH5900CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.05 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 118.72 грн |
| 11+ | 75.03 грн |
| TPWR7904PB,L1XHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 212.41 грн |
| 10+ | 137.30 грн |
| 100+ | 94.49 грн |
| 500+ | 85.50 грн |
| 1000+ | 76.84 грн |
| TPWR7904PB,L1XHQ(O |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TPWR7904PB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 790 µohm, DSOP Advance L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP Advance L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 94.49 грн |
| 500+ | 85.50 грн |
| 1000+ | 76.84 грн |
| SSM6J808R,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.52 грн |
| 500+ | 22.42 грн |
| 1000+ | 18.62 грн |
| SSM6J808R,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J808R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 81.57 грн |
| 16+ | 50.88 грн |
| 100+ | 33.52 грн |
| 500+ | 22.42 грн |
| 1000+ | 18.62 грн |
| 2SA2070(TE12L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SA2070(TE12L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 2 W, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.04 грн |
| 500+ | 17.77 грн |
| 1000+ | 14.33 грн |
| 2SA2056(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2056(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TSM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SA2056(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, TSM, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.69 грн |
| 500+ | 12.37 грн |
| 1000+ | 10.11 грн |
| 2SA2154CT-GR,L3F(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: CST
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: CST
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 11.06 грн |
| 119+ | 6.83 грн |
| 184+ | 4.39 грн |
| 500+ | 3.09 грн |
| 1000+ | 2.38 грн |
| 5000+ | 1.99 грн |
| TC7WZ86FU,LJ(CT |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7WZ86FU,LJ(CT - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Zwei, 2 Inputs, 8 Pin(s), SOT-505
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: TC7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SOT-505
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TC7WZ86FU,LJ(CT - Logik-IC, XOR (Exclusive OR), Zwei, 2 Inputs, 8 Pin(s), SOT-505
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: XOR (Exclusive OR)
Logik-IC-Familie: TC7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SOT-505
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-505
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.15 грн |
| 9000+ | 8.96 грн |
| TC7SET04F,LJ(CT |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7SET04F,LJ(CT - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SOT-25
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: TC7SET
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TC7SET04F,LJ(CT - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 5 Pin(s), SOT-25
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: TC7SET
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.31 грн |
| 9000+ | 4.16 грн |
| TB9084FTG(EL) |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TB9084FTG(EL) - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, MOSFET, 36 Pin(s), WFVQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFVQFN
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 128µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: TOSHIBA - TB9084FTG(EL) - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Nicht isoliert, High-Side und Low-Side, MOSFET, 36 Pin(s), WFVQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFVQFN
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 128µs
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 577.47 грн |
| 10+ | 445.82 грн |
| 25+ | 413.51 грн |
| 50+ | 367.48 грн |
| 100+ | 323.29 грн |
| 250+ | 308.75 грн |
| 500+ | 299.75 грн |
| 1000+ | 292.14 грн |
| RN2415,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.32 грн |
| 500+ | 5.23 грн |
| 1000+ | 4.18 грн |
| RN2415,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2415,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 21.64 грн |
| 61+ | 13.25 грн |
| 100+ | 8.32 грн |
| 500+ | 5.23 грн |
| 1000+ | 4.18 грн |
| RN1303,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN1303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.80 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| RN1303,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN1303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 23.02 грн |
| 58+ | 14.05 грн |
| 100+ | 8.80 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| RN2303,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 23.02 грн |
| 58+ | 14.05 грн |
| 100+ | 8.80 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| RN2303,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.80 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| RN2309,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 19.55 грн |
| 69+ | 11.87 грн |
| 108+ | 7.49 грн |
| 500+ | 5.17 грн |
| 1000+ | 4.17 грн |
| RN2408,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2408,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2408,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.23 грн |
| 115+ | 7.07 грн |
| 500+ | 4.84 грн |
| 1000+ | 3.86 грн |
| RN2309,LXHF(T |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - RN2309,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.87 грн |
| 108+ | 7.49 грн |
| 500+ | 5.17 грн |
| 1000+ | 4.17 грн |
| TK40A10N1,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK40A10N1,S4X(S |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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| TK6A65W,S5X(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK6A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.85 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK6A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.85 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 169.61 грн |
| 10+ | 82.38 грн |























