Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41090) > Сторінка 190 з 685

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 204 272 340 408 476 544 612 680 685  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N5623GP-E3/54 1N5623GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5615gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V
на замовлення 5131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.51 грн
11+29.62 грн
100+23.68 грн
500+17.06 грн
1000+15.39 грн
2000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/73 1N5822-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5820.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.01 грн
10+57.37 грн
100+37.95 грн
500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1N6481-E3/96 1N6481-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 12034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.15 грн
15+20.10 грн
100+11.72 грн
500+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6482-E3/96 1N6482-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.93 грн
13+24.00 грн
100+14.40 грн
500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6484-E3/96 1N6484-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.04 грн
17+18.07 грн
100+14.54 грн
500+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
31GF6-E3/54 31GF6-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 31gf6.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 7398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.28 грн
10+31.42 грн
100+31.27 грн
500+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
B230LA-E3/61T B230LA-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division b230la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 6904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.37 грн
14+22.80 грн
100+13.69 грн
500+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BA157-E3/54 BA157-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ba157.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 45379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.01 грн
100+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BA158-E3/54 BA158-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ba157.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.01 грн
51+5.92 грн
100+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BA159-E3/54 BA159-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ba157.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 25793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.02 грн
33+9.22 грн
100+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BY228GP-E3/54 BY228GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by228gp.pdf Description: DIODE STD 1500V 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.94 грн
10+182.61 грн
100+128.30 грн
500+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10D-E3/TR BYG10D-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 11890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.14 грн
21+14.62 грн
100+10.44 грн
500+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/96 BYM10-400-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 14803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.73 грн
11+28.12 грн
100+18.01 грн
500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-600-E3/96 BYM11-600-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.15 грн
15+20.02 грн
100+11.94 грн
500+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-200-E3/96 BYM12-200-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.37 грн
17+18.45 грн
100+15.75 грн
500+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-30-E3/96 BYM13-30-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.38 грн
10+30.67 грн
100+21.34 грн
500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-60-E3/96 BYM13-60-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym13.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 16319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.38 грн
10+30.67 грн
100+21.34 грн
500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-25-E3/TR BYS10-25-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 25V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 25 V
на замовлення 7596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.59 грн
15+20.40 грн
100+10.27 грн
500+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-45-E3/TR3 BYS10-45-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.58 грн
37+8.32 грн
100+7.14 грн
500+5.49 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26DGP-E3/73 BYV26DGP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26dgp.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.60 грн
10+71.92 грн
100+48.05 грн
500+35.50 грн
1000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EDF1AS-E3/77 EDF1AS-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division edf1as.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.83 грн
10+80.25 грн
100+54.59 грн
500+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1A-E3/67A EGF1A-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1a.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 9380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.30 грн
10+39.75 грн
100+30.56 грн
500+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10D-E3/54 EGP10D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.72 грн
12+25.50 грн
100+17.33 грн
500+12.76 грн
1000+11.59 грн
2000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20B-E3/54 EGP20B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.30 грн
10+51.97 грн
100+35.96 грн
500+28.20 грн
1000+24.00 грн
2000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20G-E3/54 EGP20G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp20a.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.89 грн
10+51.30 грн
100+33.87 грн
500+24.76 грн
1000+22.50 грн
2000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ES1C-E3/61T ES1C-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 7649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.36 грн
21+14.55 грн
100+10.42 грн
500+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ES1D-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 23389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.71 грн
16+19.50 грн
100+12.34 грн
500+8.66 грн
1000+7.72 грн
2000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16GT-E3/81 FESB16GT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fes16jt.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.05 грн
10+98.39 грн
100+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GI250-4-E3/54 GI250-4-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi2501.pdf Description: DIODE GEN PURP 4KV 250MA DO204
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GI501-E3/54 GI501-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi500.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 9.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.71 грн
12+27.07 грн
100+20.24 грн
500+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GI504-E3/54 GI504-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi500.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 9.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.49 грн
11+27.37 грн
100+19.03 грн
500+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GI750-E3/73 GI750-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi750.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.68 грн
10+59.92 грн
100+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GI821-E3/54 GI821-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI820~828.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 5A P600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GI851-E3/54 GI851-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gi850.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL34A-E3/98 GL34A-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.49 грн
14+22.35 грн
100+16.70 грн
500+12.10 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GL34D-E3/98 GL34D-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gl34a.pdf Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.82 грн
13+24.07 грн
100+17.96 грн
500+12.96 грн
1000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41B-E3/96 GL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.05 грн
11+28.72 грн
100+19.93 грн
500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41D-E3/96 GL41D-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.05 грн
11+28.72 грн
100+19.93 грн
500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GP10G-E3/54 GP10G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 10631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.82 грн
14+21.75 грн
100+20.17 грн
500+15.38 грн
1000+11.64 грн
2000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GP10W-E3/54 GP10W-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 1500V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 40384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.94 грн
13+23.77 грн
100+19.38 грн
500+13.86 грн
1000+12.08 грн
2000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1060-E3/81 MBRB1060-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbr10xx.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1545CT-E3/81 MBRB1545CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbrf15xxct.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 45V 7.5A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 7.5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20100CT-E3/8W MBRB20100CT-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbr20100.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MSS2P2-M3/89A MSS2P2-M3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mss2p3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 20748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.36 грн
22+13.87 грн
100+8.67 грн
500+6.02 грн
1000+5.33 грн
2000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MURS340HE3/57T MURS340HE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs340.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81 NSB8MT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P600D-E3/54 P600D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.99 грн
10+44.55 грн
100+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
P600D-E3/73 P600D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p600a.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.01 грн
10+61.20 грн
100+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1M-E3/67A RGF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgf1.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 6241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.04 грн
19+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RGL34G-E3/98 RGL34G-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgl34a.pdf Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.50 грн
12+25.65 грн
100+19.00 грн
500+13.75 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RGL41G-E3/96 RGL41G-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.71 грн
13+24.45 грн
100+14.64 грн
500+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-12E-E3/73 RGP02-12E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp02.pdf Description: DIODE STD 1200V 500MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.14 грн
16+19.42 грн
100+18.81 грн
500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-16E-E3/54 RGP02-16E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp02.pdf Description: DIODE STD 1600V 500MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.62 грн
10+34.65 грн
100+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10J-E3/54 RGP10J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.57 грн
10+58.42 грн
100+38.69 грн
500+28.34 грн
1000+25.77 грн
2000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGP25M-E3/54 RGP25M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp25a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.90 грн
10+71.92 грн
100+55.98 грн
500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RMB4S-E3/80 RMB4S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rmbs.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.01 грн
10+57.15 грн
100+37.78 грн
500+27.65 грн
1000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D-E3/5AT RS1D-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.36 грн
21+14.47 грн
100+9.08 грн
500+6.60 грн
1000+5.48 грн
2000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RS1K-E3/61T RS1K-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1a.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GHE3/5AT S1GHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1J-E3/5AT S1J-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 49006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.82 грн
14+22.57 грн
100+11.98 грн
500+7.39 грн
1000+5.03 грн
2000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1N5623GP-E3/54 1n5615gp.pdf
1N5623GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 1000 V
на замовлення 5131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.51 грн
11+29.62 грн
100+23.68 грн
500+17.06 грн
1000+15.39 грн
2000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/73 1n5820.pdf
1N5822-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.01 грн
10+57.37 грн
100+37.95 грн
500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1N6481-E3/96 1n6478.pdf
1N6481-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 12034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.15 грн
15+20.10 грн
100+11.72 грн
500+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6482-E3/96 1n6478.pdf
1N6482-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.93 грн
13+24.00 грн
100+14.40 грн
500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6484-E3/96 1n6478.pdf
1N6484-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.04 грн
17+18.07 грн
100+14.54 грн
500+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
31GF6-E3/54 31gf6.pdf
31GF6-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 7398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.28 грн
10+31.42 грн
100+31.27 грн
500+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
B230LA-E3/61T b230la.pdf
B230LA-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 6904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.37 грн
14+22.80 грн
100+13.69 грн
500+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BA157-E3/54 ba157.pdf
BA157-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 45379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.01 грн
100+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BA158-E3/54 ba157.pdf
BA158-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.01 грн
51+5.92 грн
100+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BA159-E3/54 ba157.pdf
BA159-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 25793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.02 грн
33+9.22 грн
100+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BY228GP-E3/54 by228gp.pdf
BY228GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 1500V 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.94 грн
10+182.61 грн
100+128.30 грн
500+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10D-E3/TR byg10.pdf
BYG10D-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 11890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.14 грн
21+14.62 грн
100+10.44 грн
500+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-400-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 14803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.73 грн
11+28.12 грн
100+18.01 грн
500+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-600-E3/96 bym1150.pdf
BYM11-600-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.15 грн
15+20.02 грн
100+11.94 грн
500+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-200-E3/96 egl41.pdf
BYM12-200-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.37 грн
17+18.45 грн
100+15.75 грн
500+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-30-E3/96 bym13.pdf
BYM13-30-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.38 грн
10+30.67 грн
100+21.34 грн
500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYM13-60-E3/96 bym13.pdf
BYM13-60-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A GL41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB (GL41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 16319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.38 грн
10+30.67 грн
100+21.34 грн
500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-25-E3/TR bys10.pdf
BYS10-25-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 25V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 25 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 25 V
на замовлення 7596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.59 грн
15+20.40 грн
100+10.27 грн
500+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYS10-45-E3/TR3 bys10.pdf
BYS10-45-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 45 V
на замовлення 13858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.58 грн
37+8.32 грн
100+7.14 грн
500+5.49 грн
1000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26DGP-E3/73 byv26dgp.pdf
BYV26DGP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.60 грн
10+71.92 грн
100+48.05 грн
500+35.50 грн
1000+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EDF1AS-E3/77 edf1as.pdf
EDF1AS-E3/77
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1A DFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFS
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 8934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.83 грн
10+80.25 грн
100+54.59 грн
500+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1A-E3/67A egf1a.pdf
EGF1A-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 9380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.30 грн
10+39.75 грн
100+30.56 грн
500+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EGP10D-E3/54 egp10a.pdf
EGP10D-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.72 грн
12+25.50 грн
100+17.33 грн
500+12.76 грн
1000+11.59 грн
2000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20B-E3/54 egp20a.pdf
EGP20B-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.30 грн
10+51.97 грн
100+35.96 грн
500+28.20 грн
1000+24.00 грн
2000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EGP20G-E3/54 egp20a.pdf
EGP20G-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.89 грн
10+51.30 грн
100+33.87 грн
500+24.76 грн
1000+22.50 грн
2000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ES1C-E3/61T es1.pdf
ES1C-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 150V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 7649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.36 грн
21+14.55 грн
100+10.42 грн
500+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ES1D-E3/5AT es1.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 23389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.71 грн
16+19.50 грн
100+12.34 грн
500+8.66 грн
1000+7.72 грн
2000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FESB16GT-E3/81 fes16jt.pdf
FESB16GT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.05 грн
10+98.39 грн
100+78.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GI250-4-E3/54 gi2501.pdf
GI250-4-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 4KV 250MA DO204
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GI501-E3/54 gi500.pdf
GI501-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 9.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.71 грн
12+27.07 грн
100+20.24 грн
500+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GI504-E3/54 gi500.pdf
GI504-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 9.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.49 грн
11+27.37 грн
100+19.03 грн
500+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GI750-E3/73 gi750.pdf
GI750-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.68 грн
10+59.92 грн
100+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GI821-E3/54 GI820~828.pdf
GI821-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 5A P600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GI851-E3/54 gi850.pdf
GI851-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GL34A-E3/98 gl34a.pdf
GL34A-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.49 грн
14+22.35 грн
100+16.70 грн
500+12.10 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GL34D-E3/98 gl34a.pdf
GL34D-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 9156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.82 грн
13+24.07 грн
100+17.96 грн
500+12.96 грн
1000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41B-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41B-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.05 грн
11+28.72 грн
100+19.93 грн
500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41D-E3/96 bym10-xxx.pdf
GL41D-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.05 грн
11+28.72 грн
100+19.93 грн
500+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GP10G-E3/54 gp10a.pdf
GP10G-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 10631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.82 грн
14+21.75 грн
100+20.17 грн
500+15.38 грн
1000+11.64 грн
2000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GP10W-E3/54 gp10a.pdf
GP10W-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1500V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 40384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.94 грн
13+23.77 грн
100+19.38 грн
500+13.86 грн
1000+12.08 грн
2000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1060-E3/81 mbr10xx.pdf
MBRB1060-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB1545CT-E3/81 mbrf15xxct.pdf
MBRB1545CT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 45V 7.5A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 7.5A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRB20100CT-E3/8W mbr20100.pdf
MBRB20100CT-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 3888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MSS2P2-M3/89A mss2p3.pdf
MSS2P2-M3/89A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO219AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 20 V
на замовлення 20748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.36 грн
22+13.87 грн
100+8.67 грн
500+6.02 грн
1000+5.33 грн
2000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MURS340HE3/57T murs340.pdf
MURS340HE3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MT-E3/81 ns8xt.pdf
NSB8MT-E3/81
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P600D-E3/54 p600a.pdf
P600D-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.99 грн
10+44.55 грн
100+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
P600D-E3/73 p600a.pdf
P600D-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 6A P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.01 грн
10+61.20 грн
100+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGF1M-E3/67A rgf1.pdf
RGF1M-E3/67A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 6241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.04 грн
19+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RGL34G-E3/98 rgl34a.pdf
RGL34G-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.50 грн
12+25.65 грн
100+19.00 грн
500+13.75 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RGL41G-E3/96 bym1150.pdf
RGL41G-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.71 грн
13+24.45 грн
100+14.64 грн
500+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-12E-E3/73 rgp02.pdf
RGP02-12E-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 1200V 500MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.14 грн
16+19.42 грн
100+18.81 грн
500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RGP02-16E-E3/54 rgp02.pdf
RGP02-16E-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 1600V 500MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1600 V
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.62 грн
10+34.65 грн
100+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10J-E3/54 rgp10a.pdf
RGP10J-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.57 грн
10+58.42 грн
100+38.69 грн
500+28.34 грн
1000+25.77 грн
2000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RGP25M-E3/54 rgp25a.pdf
RGP25M-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.90 грн
10+71.92 грн
100+55.98 грн
500+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RMB4S-E3/80 rmbs.pdf
RMB4S-E3/80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 0.5A TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.01 грн
10+57.15 грн
100+37.78 грн
500+27.65 грн
1000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RS1D-E3/5AT rs1a.pdf
RS1D-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 7155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.36 грн
21+14.47 грн
100+9.08 грн
500+6.60 грн
1000+5.48 грн
2000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RS1K-E3/61T rs1a.pdf
RS1K-E3/61T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1GHE3/5AT s1.pdf
S1GHE3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S1J-E3/5AT s1.pdf
S1J-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 49006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.82 грн
14+22.57 грн
100+11.98 грн
500+7.39 грн
1000+5.03 грн
2000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 204 272 340 408 476 544 612 680 685  [ Наступна Сторінка >> ]