Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41408) > Сторінка 403 з 691

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 414 483 552 621 690 691  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1N4006E-E3/54 1N4006E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.23 грн
13+24.20 грн
50+17.56 грн
100+14.45 грн
500+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GPE-E3/54 1N4007GPE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 18476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.60 грн
10+68.49 грн
50+51.19 грн
100+42.78 грн
500+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4947GP-E3/54 1N4947GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.61 грн
11+28.18 грн
100+19.18 грн
500+14.12 грн
1000+12.84 грн
2000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399GP-E3/54 1N5399GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391gp.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.83 грн
10+80.17 грн
50+60.23 грн
100+50.48 грн
500+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5405-E3/54 1N5405-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.08 грн
10+62.92 грн
50+46.84 грн
100+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6267A-E3/54 1N6267A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 143A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.70 грн
10+61.24 грн
100+40.56 грн
500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6285A-E3/54 1N6285A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC 1.5KE
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 1.5KE
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.61 грн
10+37.26 грн
100+27.51 грн
500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6293A-E3/54 1N6293A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC 1.5KE
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 1.5KE
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
10+39.55 грн
100+29.82 грн
500+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6377-E3/54 1N6377-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division icte.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 20.6VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6478-E3/96 1N6478-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.91 грн
10+60.78 грн
100+40.21 грн
500+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6480-E3/96 1N6480-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.91 грн
10+60.78 грн
100+40.21 грн
500+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.51 грн
13+24.43 грн
100+14.66 грн
500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP14A-E3/54 5KP14A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC P600
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 23.2V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: P600
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 216A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: P600, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.72 грн
10+121.71 грн
100+87.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP188A-E3/54 5KP188A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 188VWM 328VC P600
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: P600
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: P600, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.65 грн
10+129.65 грн
100+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP30AHE3/54 5KP30AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 103A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.28 грн
10+177.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP33AHE3/54 5KP33AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: P600
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 93.8A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: P600, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.36 грн
10+179.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PMHM3/84A AU1PMHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.43 грн
50+33.49 грн
100+27.81 грн
500+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C5V6-G3-08 AZ23C5V6-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division az23g_series.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
на замовлення 16419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
32+9.85 грн
100+4.41 грн
500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B230LA-E3/5AT B230LA-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division b230la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.13 грн
14+22.45 грн
100+13.45 грн
500+11.69 грн
1000+7.95 грн
2000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/5AT B340A-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division b330la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 29728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
12+26.34 грн
50+19.15 грн
100+15.77 грн
500+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B360B-E3/5BT B360B-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division b360b.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 60
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.75 грн
11+29.93 грн
50+21.84 грн
100+18.03 грн
500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B4S-E3/80 B4S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division b2s.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V TO269AA
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 500 mA
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+35.51 грн
100+24.30 грн
500+18.03 грн
1000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA157GP-E3/54 BA157GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ba157gp.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA159GP-E3/54 BA159GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ba157gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ33-GS18 BAQ33-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq33.pdf Description: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WS-G3-08 BAS16WS-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16ws.pdf Description: DIODE STANDARD 75V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 3841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
21+15.12 грн
50+10.84 грн
100+8.88 грн
500+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WS-HE3-18 BAS170WS-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas170ws.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS285-GS18 BAS285-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas285.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
21+14.66 грн
50+10.54 грн
100+8.62 грн
500+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS381-TR BAS381-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas381.pdf Description: DIODE SCHOTTK 40V 30MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
21+14.89 грн
100+9.32 грн
500+6.48 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS385-TR3 BAS385-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas385.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
на замовлення 13589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
20+15.73 грн
100+9.84 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
2000+5.44 грн
5000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05-G3-08 BAS70-05-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas70-00-gtobas70-06-g.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 12640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.72 грн
17+18.94 грн
50+13.68 грн
100+11.24 грн
500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS86-GS18 BAS86-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas86.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 8555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
22+14.28 грн
100+8.91 грн
500+6.18 грн
1000+5.47 грн
2000+4.88 грн
5000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W-E3-18 BAT42W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bat42w.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 38114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.51 грн
16+19.32 грн
50+13.91 грн
100+11.42 грн
500+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-E3-18 BAW56-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw56.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 70 V
на замовлення 17086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
21+15.04 грн
50+10.78 грн
100+8.82 грн
500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY252P-E3/54 BY252P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.70 грн
10+61.16 грн
100+40.49 грн
500+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY253P-E3/54 BY253P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.30 грн
12+27.56 грн
100+20.61 грн
500+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY254P-E3/54 BY254P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.70 грн
10+61.16 грн
100+40.49 грн
500+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY268TR BY268TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division by268.pdf Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Part Status: Active
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
12+26.42 грн
100+23.14 грн
500+18.53 грн
1000+16.30 грн
2000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY520-16E-E3/54 BY520-16E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by5201416.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR3 BYG10G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.30 грн
15+21.61 грн
100+13.74 грн
500+9.69 грн
1000+8.65 грн
2000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 BYG10K-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
17+18.78 грн
100+11.09 грн
500+9.06 грн
1000+8.09 грн
2000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.68 грн
15+21.07 грн
100+13.39 грн
500+9.44 грн
1000+8.44 грн
2000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 BYG20D-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
10+31.54 грн
100+20.27 грн
500+14.48 грн
1000+13.01 грн
2000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 BYG20G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.92 грн
10+32.53 грн
100+20.91 грн
500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 BYG20J-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
10+31.54 грн
100+20.27 грн
500+14.48 грн
1000+13.01 грн
2000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR BYG22A-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.23 грн
12+26.42 грн
100+17.94 грн
500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H BYG22DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.67 грн
10+49.33 грн
100+32.32 грн
500+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 BYM07-100-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
13+24.59 грн
100+18.37 грн
500+13.27 грн
1000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 BYM07-150-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 BYM07-200-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 BYM07-200-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
13+24.43 грн
100+19.36 грн
500+13.78 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 BYM07-400-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.51 грн
12+27.03 грн
100+20.20 грн
500+14.89 грн
1000+11.51 грн
2000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 BYM10-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
17+18.48 грн
100+13.67 грн
500+10.55 грн
1000+8.95 грн
2000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 BYM10-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.24 грн
14+23.31 грн
100+14.87 грн
500+10.53 грн
1000+9.43 грн
2000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 BYM10-400-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 BYM10-600-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.13 грн
16+19.17 грн
100+11.62 грн
500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 BYM10-600-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.13 грн
18+17.94 грн
100+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/97 BYM10-800-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
15+20.46 грн
100+15.22 грн
500+10.95 грн
1000+8.80 грн
2000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/97 BYM11-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym1150.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
12+25.66 грн
100+15.37 грн
500+13.35 грн
1000+9.08 грн
2000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006E-E3/54 1n4001.pdf
1N4006E-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.23 грн
13+24.20 грн
50+17.56 грн
100+14.45 грн
500+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GPE-E3/54 1n4001gp.pdf
1N4007GPE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 18476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.60 грн
10+68.49 грн
50+51.19 грн
100+42.78 грн
500+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4947GP-E3/54 1n4942gp.pdf
1N4947GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.61 грн
11+28.18 грн
100+19.18 грн
500+14.12 грн
1000+12.84 грн
2000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399GP-E3/54 1n5391gp.pdf
1N5399GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.83 грн
10+80.17 грн
50+60.23 грн
100+50.48 грн
500+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5405-E3/54 1n5400.pdf
1N5405-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 500V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.08 грн
10+62.92 грн
50+46.84 грн
100+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6267A-E3/54 15ke.pdf
1N6267A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 143A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.70 грн
10+61.24 грн
100+40.56 грн
500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6285A-E3/54 15ke.pdf
1N6285A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC 1.5KE
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 1.5KE
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.8A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.61 грн
10+37.26 грн
100+27.51 грн
500+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6293A-E3/54 15ke.pdf
1N6293A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC 1.5KE
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 1.5KE
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.78 грн
10+39.55 грн
100+29.82 грн
500+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6377-E3/54 icte.pdf
1N6377-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 20.6VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6478-E3/96 1n6478.pdf
1N6478-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.91 грн
10+60.78 грн
100+40.21 грн
500+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6480-E3/96 1n6478.pdf
1N6480-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.91 грн
10+60.78 грн
100+40.21 грн
500+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1n6478.pdf
1N6483-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.51 грн
13+24.43 грн
100+14.66 грн
500+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP14A-E3/54 5kp8_5a.pdf
5KP14A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC P600
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 23.2V
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: P600
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 216A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: P600, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.72 грн
10+121.71 грн
100+87.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP188A-E3/54 5kp8_5a.pdf
5KP188A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 188VWM 328VC P600
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: P600
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.2A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: P600, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+196.65 грн
10+129.65 грн
100+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP30AHE3/54 5kp8_5a.pdf
5KP30AHE3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 103A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.28 грн
10+177.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP33AHE3/54 5kp8_5a.pdf
5KP33AHE3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: P600
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 93.8A
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: P600, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.36 грн
10+179.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PMHM3/84A au1pm.pdf
AU1PMHM3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.33 грн
10+45.43 грн
50+33.49 грн
100+27.81 грн
500+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C5V6-G3-08 az23g_series.pdf
AZ23C5V6-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
на замовлення 16419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.07 грн
32+9.85 грн
100+4.41 грн
500+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B230LA-E3/5AT b230la.pdf
B230LA-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.13 грн
14+22.45 грн
100+13.45 грн
500+11.69 грн
1000+7.95 грн
2000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/5AT b330la.pdf
B340A-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 29728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.40 грн
12+26.34 грн
50+19.15 грн
100+15.77 грн
500+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B360B-E3/5BT b360b.pdf
B360B-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 60
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.75 грн
11+29.93 грн
50+21.84 грн
100+18.03 грн
500+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B4S-E3/80 b2s.pdf
B4S-E3/80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 400V TO269AA
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Technology: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Single Phase
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 500 mA
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.51 грн
10+35.51 грн
100+24.30 грн
500+18.03 грн
1000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BA157GP-E3/54 ba157gp.pdf
BA157GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA159GP-E3/54 ba157gp.pdf
BA159GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ33-GS18 baq33.pdf
BAQ33-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WS-G3-08 bas16ws.pdf
BAS16WS-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 75V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 3841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.37 грн
21+15.12 грн
50+10.84 грн
100+8.88 грн
500+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WS-HE3-18 bas170ws.pdf
BAS170WS-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS285-GS18 bas285.pdf
BAS285-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.58 грн
21+14.66 грн
50+10.54 грн
100+8.62 грн
500+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS381-TR bas381.pdf
BAS381-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 40V 30MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.37 грн
21+14.89 грн
100+9.32 грн
500+6.48 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS385-TR3 bas385.pdf
BAS385-TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
на замовлення 13589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.96 грн
20+15.73 грн
100+9.84 грн
500+6.86 грн
1000+6.09 грн
2000+5.44 грн
5000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05-G3-08 bas70-00-gtobas70-06-g.pdf
BAS70-05-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 12640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.72 грн
17+18.94 грн
50+13.68 грн
100+11.24 грн
500+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS86-GS18 bas86.pdf
BAS86-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 8555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.58 грн
22+14.28 грн
100+8.91 грн
500+6.18 грн
1000+5.47 грн
2000+4.88 грн
5000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W-E3-18 bat42w.pdf
BAT42W-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 38114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.51 грн
16+19.32 грн
50+13.91 грн
100+11.42 грн
500+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-E3-18 baw56.pdf
BAW56-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 70 V
на замовлення 17086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.37 грн
21+15.04 грн
50+10.78 грн
100+8.82 грн
500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY252P-E3/54 by251p.pdf
BY252P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.70 грн
10+61.16 грн
100+40.49 грн
500+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY253P-E3/54 by251p.pdf
BY253P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.30 грн
12+27.56 грн
100+20.61 грн
500+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY254P-E3/54 by251p.pdf
BY254P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.70 грн
10+61.16 грн
100+40.49 грн
500+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY268TR by268.pdf
BY268TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Part Status: Active
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.27 грн
12+26.42 грн
100+23.14 грн
500+18.53 грн
1000+16.30 грн
2000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY520-16E-E3/54 by5201416.pdf
BY520-16E-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.30 грн
15+21.61 грн
100+13.74 грн
500+9.69 грн
1000+8.65 грн
2000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10K-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.55 грн
17+18.78 грн
100+11.09 грн
500+9.06 грн
1000+8.09 грн
2000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10M-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.68 грн
15+21.07 грн
100+13.39 грн
500+9.44 грн
1000+8.44 грн
2000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20D-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.33 грн
10+31.54 грн
100+20.27 грн
500+14.48 грн
1000+13.01 грн
2000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.92 грн
10+32.53 грн
100+20.91 грн
500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20J-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.33 грн
10+31.54 грн
100+20.27 грн
500+14.48 грн
1000+13.01 грн
2000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR byg22a.pdf
BYG22A-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.23 грн
12+26.42 грн
100+17.94 грн
500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H byg22a.pdf
BYG22DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.67 грн
10+49.33 грн
100+32.32 грн
500+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 egl34.pdf
BYM07-100-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.85 грн
13+24.59 грн
100+18.37 грн
500+13.27 грн
1000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 egl34.pdf
BYM07-150-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 egl34.pdf
BYM07-200-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 egl34.pdf
BYM07-200-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.65 грн
13+24.43 грн
100+19.36 грн
500+13.78 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 egl34.pdf
BYM07-400-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.51 грн
12+27.03 грн
100+20.20 грн
500+14.89 грн
1000+11.51 грн
2000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-1000-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.92 грн
17+18.48 грн
100+13.67 грн
500+10.55 грн
1000+8.95 грн
2000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-200-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+39.24 грн
14+23.31 грн
100+14.87 грн
500+10.53 грн
1000+9.43 грн
2000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-400-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.13 грн
16+19.17 грн
100+11.62 грн
500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-800-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.13 грн
18+17.94 грн
100+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-800-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Avalanche
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.92 грн
15+20.46 грн
100+15.22 грн
500+10.95 грн
1000+8.80 грн
2000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYM11-1000-E3/97 bym1150.pdf
BYM11-1000-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.89 грн
12+25.66 грн
100+15.37 грн
500+13.35 грн
1000+9.08 грн
2000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 69 138 207 276 345 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 414 483 552 621 690 691  [ Наступна Сторінка >> ]