Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41233) > Сторінка 401 з 688

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 396 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 408 476 544 612 680 688  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VTVS3V3GSMF-HM3-18 VTVS3V3GSMF-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vtvs3v3asmf.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 8.9VC DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.9V
Voltage - Breakdown (Min): 6.57V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 43.99A
Capacitance @ Frequency: 2095pF @ 1MHz
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/H BYG10YHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/I BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/H BYG10YHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+10.01 грн
3600+9.47 грн
5400+9.23 грн
9000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/I BYG10YHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+9.78 грн
15000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBUE2560-M3/P GBUE2560-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbue2560.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4.9 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.59 грн
20+138.27 грн
100+137.29 грн
500+122.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF06SLHM3 VS-10ETF06SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf06slhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.09 грн
10+100.44 грн
100+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF12SLHM3 VS-10ETF12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf12slhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.66 грн
10+122.30 грн
100+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETS12SLHM3 VS-10ETS12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10ets12slhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.64 грн
10+98.95 грн
100+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF06SLHM3 VS-20ETF06SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20etf06slhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.67 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.39 грн
10+162.33 грн
100+126.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF12SLHM3 VS-20ETF12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20etf12slhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.00 грн
10+161.81 грн
100+117.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25ETS12SLHM3 VS-25ETS12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.74 грн
10+147.65 грн
100+117.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS12SLHM3 VS-25TTS12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25tts12slhm3.pdf Description: SCR 1.2KV 25A TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Off State (Max): 10 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.17 грн
10+164.18 грн
100+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS16SLHM3 VS-25TTS16SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25tts16slhm3.pdf Description: SCR 1.6KV 25A TO-263AB (D2PAK)
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Off State (Max): 10 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.25 грн
10+166.55 грн
100+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-50TPS12LHM3 VS-50TPS12LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50tps12lhm3.pdf Description: SCR 1.2KV 79A TO247AD
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Off State (Max): 50 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 630A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.33 грн
25+227.79 грн
100+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF06SLHM3 VS-8EWF06SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf06slhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.14 грн
10+67.90 грн
100+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS12SLHM3 VS-8EWS12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews12shm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.13 грн
10+124.23 грн
100+85.50 грн
500+64.71 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS16SLHM3 VS-8EWS16SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews16slhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1600V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.59 грн
10+124.01 грн
100+85.34 грн
500+64.60 грн
1000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-08 1N4148WS-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4148wsg.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-18 1N4148WS-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4148wsg.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CDU06-M3/I VS-10CDU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10cdu06-m3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 5A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.68 грн
10+82.50 грн
100+64.17 грн
500+51.04 грн
1000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/H BYG10YHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.94 грн
14+21.64 грн
100+18.27 грн
500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/I BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.79 грн
13+23.05 грн
100+19.07 грн
500+13.64 грн
1000+11.15 грн
2000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/H BYG10YHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
на замовлення 14508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.33 грн
12+24.83 грн
100+19.61 грн
500+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/I BYG10YHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
на замовлення 29727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
12+25.94 грн
100+19.61 грн
500+13.98 грн
1000+11.92 грн
2000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE250A-E3/73 1.5KE250A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 214VWM 344VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.37 грн
10+137.05 грн
100+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE30A-E3/73 1.5KE30A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002-E3/53 1N4002-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.95 грн
14+21.72 грн
100+13.79 грн
500+9.72 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003GP-E3/73 1N4003GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.70 грн
100+34.73 грн
500+25.33 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005-E3/73 1N4005-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.55 грн
39+7.78 грн
100+6.32 грн
500+4.36 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005GP-E3/73 1N4005GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.26 грн
100+34.45 грн
500+25.13 грн
1000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007-E3/53 1N4007-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.72 грн
14+22.24 грн
100+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007E-E3/73 1N4007E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.03 грн
13+23.50 грн
100+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/73 1N4007GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.29 грн
10+53.89 грн
100+35.53 грн
500+25.92 грн
1000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GPE-E3/73 1N4007GPE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.30 грн
10+66.64 грн
100+44.35 грн
500+32.64 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4936GP-E3/73 1N4936GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933gp.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.22 грн
10+58.26 грн
100+38.54 грн
500+28.23 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937-E3/73 1N4937-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.80 грн
13+24.24 грн
100+15.48 грн
500+10.96 грн
1000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937GP-E3/73 1N4937GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933gp.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.45 грн
10+57.74 грн
100+38.24 грн
500+28.01 грн
1000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4947GP-E3/73 1N4947GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5227B-TAP 1N5227B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5221.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
на замовлення 12242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
13+22.83 грн
100+14.50 грн
500+10.24 грн
1000+9.15 грн
2000+8.23 грн
5000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5229B-TAP 1N5229B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5221.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO204AH
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.70 грн
57+5.26 грн
129+2.31 грн
500+1.98 грн
1000+1.62 грн
2000+1.59 грн
5000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934-E3/73 1N4934-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
18+16.53 грн
100+14.52 грн
500+10.28 грн
1000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399GP-E3/73 1N5399GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391gp.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.78 грн
10+78.05 грн
100+52.34 грн
500+38.78 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401-E3/73 1N5401-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.53 грн
10+59.82 грн
100+39.63 грн
500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402-E3/73 1N5402-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.76 грн
10+59.37 грн
100+39.31 грн
500+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404-E3/73 1N5404-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.83 грн
10+61.22 грн
100+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406-E3/73 1N5406-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.83 грн
10+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407-E3/73 1N5407-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.83 грн
10+61.22 грн
100+40.54 грн
500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1N5817-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5817.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.88 грн
10+32.17 грн
100+20.72 грн
500+14.80 грн
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW76-TAP BAW76-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw76.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 300MA DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.16 грн
138+2.15 грн
149+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY228-15TAP BY228-15TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division by22813.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1200V 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.02 грн
10+172.85 грн
100+121.07 грн
500+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP33A-E3/73 5KP33A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 93.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.12 грн
10+176.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY448GP-E3/73 BY448GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by448gp.pdf Description: DIODE GP 1.65KV 1.5A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.82 грн
10+51.74 грн
100+39.33 грн
500+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT52M-TAP BYT52M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt52.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT62-TAP BYT62-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt62.pdf Description: DIODE AVAL 2.4KV 350MA SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.60 грн
10+71.90 грн
100+55.92 грн
500+44.48 грн
1000+36.23 грн
2000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26A-TAP BYV26A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.95 грн
10+101.32 грн
100+68.90 грн
500+51.63 грн
1000+47.44 грн
2000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26B-TAP BYV26B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.95 грн
10+101.32 грн
100+68.90 грн
500+51.63 грн
1000+47.44 грн
2000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26D-TAP BYV26D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.34 грн
10+104.73 грн
100+71.31 грн
500+53.51 грн
1000+49.20 грн
2000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV27-150-TAP BYV27-150-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv27.pdf Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV28-150-TAP BYV28-150-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv2850.pdf Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.48 грн
10+165.81 грн
100+116.51 грн
500+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS3V3GSMF-HM3-18 vtvs3v3asmf.pdf
VTVS3V3GSMF-HM3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 3.3VWM 8.9VC DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.9V
Voltage - Breakdown (Min): 6.57V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 43.99A
Capacitance @ Frequency: 2095pF @ 1MHz
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/H byg10.pdf
BYG10YHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/I byg10.pdf
BYG10YHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/H byg10.pdf
BYG10YHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1800+10.01 грн
3600+9.47 грн
5400+9.23 грн
9000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/I byg10.pdf
BYG10YHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+9.78 грн
15000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBUE2560-M3/P gbue2560.pdf
GBUE2560-M3/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4.9 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+315.59 грн
20+138.27 грн
100+137.29 грн
500+122.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF06SLHM3 vs-10etf06slhm3.pdf
VS-10ETF06SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.09 грн
10+100.44 грн
100+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF12SLHM3 vs-10etf12slhm3.pdf
VS-10ETF12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.66 грн
10+122.30 грн
100+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETS12SLHM3 vs-10ets12slhm3.pdf
VS-10ETS12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.64 грн
10+98.95 грн
100+70.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF06SLHM3 vs-20etf06slhm3.pdf
VS-20ETF06SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.67 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.39 грн
10+162.33 грн
100+126.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF12SLHM3 vs-20etf12slhm3.pdf
VS-20ETF12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.00 грн
10+161.81 грн
100+117.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25ETS12SLHM3
VS-25ETS12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.74 грн
10+147.65 грн
100+117.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS12SLHM3 vs-25tts12slhm3.pdf
VS-25TTS12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 1.2KV 25A TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Off State (Max): 10 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.17 грн
10+164.18 грн
100+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS16SLHM3 vs-25tts16slhm3.pdf
VS-25TTS16SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 1.6KV 25A TO-263AB (D2PAK)
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Off State (Max): 10 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.25 грн
10+166.55 грн
100+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-50TPS12LHM3 vs-50tps12lhm3.pdf
VS-50TPS12LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 1.2KV 79A TO247AD
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Off State (Max): 50 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 630A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+383.33 грн
25+227.79 грн
100+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF06SLHM3 vs-8ewf06slhm3.pdf
VS-8EWF06SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.14 грн
10+67.90 грн
100+52.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS12SLHM3 vs-8ews12shm3.pdf
VS-8EWS12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.13 грн
10+124.23 грн
100+85.50 грн
500+64.71 грн
1000+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS16SLHM3 vs-8ews16slhm3.pdf
VS-8EWS16SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1600V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.59 грн
10+124.01 грн
100+85.34 грн
500+64.60 грн
1000+60.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-08 1n4148wsg.pdf
1N4148WS-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-18 1n4148wsg.pdf
1N4148WS-HG3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CDU06-M3/I vs-10cdu06-m3.pdf
VS-10CDU06-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 5A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.68 грн
10+82.50 грн
100+64.17 грн
500+51.04 грн
1000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/H byg10.pdf
BYG10YHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.94 грн
14+21.64 грн
100+18.27 грн
500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/I byg10.pdf
BYG10YHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+30.79 грн
13+23.05 грн
100+19.07 грн
500+13.64 грн
1000+11.15 грн
2000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/H byg10.pdf
BYG10YHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
на замовлення 14508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.33 грн
12+24.83 грн
100+19.61 грн
500+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/I byg10.pdf
BYG10YHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
на замовлення 29727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.49 грн
12+25.94 грн
100+19.61 грн
500+13.98 грн
1000+11.92 грн
2000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE250A-E3/73 15ke.pdf
1.5KE250A-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 214VWM 344VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.37 грн
10+137.05 грн
100+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE30A-E3/73 15ke.pdf
1.5KE30A-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002-E3/53 1n4001.pdf
1N4002-E3/53
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.95 грн
14+21.72 грн
100+13.79 грн
500+9.72 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003GP-E3/73 1n4001gp.pdf
1N4003GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.98 грн
10+52.70 грн
100+34.73 грн
500+25.33 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005-E3/73 1n4001.pdf
1N4005-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.55 грн
39+7.78 грн
100+6.32 грн
500+4.36 грн
1000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005GP-E3/73 1n4001gp.pdf
1N4005GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.21 грн
10+52.26 грн
100+34.45 грн
500+25.13 грн
1000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007-E3/53 1n4001.pdf
1N4007-E3/53
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.72 грн
14+22.24 грн
100+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007E-E3/73 1n4001.pdf
1N4007E-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.03 грн
13+23.50 грн
100+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/73 1n4001gp.pdf
1N4007GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.29 грн
10+53.89 грн
100+35.53 грн
500+25.92 грн
1000+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GPE-E3/73 1n4001gp.pdf
1N4007GPE-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.30 грн
10+66.64 грн
100+44.35 грн
500+32.64 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4936GP-E3/73 1n4933gp.pdf
1N4936GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.22 грн
10+58.26 грн
100+38.54 грн
500+28.23 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937-E3/73 1n4933.pdf
1N4937-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.80 грн
13+24.24 грн
100+15.48 грн
500+10.96 грн
1000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937GP-E3/73 1n4933gp.pdf
1N4937GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.45 грн
10+57.74 грн
100+38.24 грн
500+28.01 грн
1000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4947GP-E3/73 1n4942gp.pdf
1N4947GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5227B-TAP 1n5221.pdf
1N5227B-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
на замовлення 12242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.49 грн
13+22.83 грн
100+14.50 грн
500+10.24 грн
1000+9.15 грн
2000+8.23 грн
5000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5229B-TAP 1n5221.pdf
1N5229B-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO204AH
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.70 грн
57+5.26 грн
129+2.31 грн
500+1.98 грн
1000+1.62 грн
2000+1.59 грн
5000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934-E3/73 1n4933.pdf
1N4934-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.40 грн
18+16.53 грн
100+14.52 грн
500+10.28 грн
1000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399GP-E3/73 1n5391gp.pdf
1N5399GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.78 грн
10+78.05 грн
100+52.34 грн
500+38.78 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401-E3/73 1n5400.pdf
1N5401-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.53 грн
10+59.82 грн
100+39.63 грн
500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402-E3/73 1n5400.pdf
1N5402-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.76 грн
10+59.37 грн
100+39.31 грн
500+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404-E3/73 1n5400.pdf
1N5404-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.83 грн
10+61.22 грн
100+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406-E3/73 1n5400.pdf
1N5406-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.83 грн
10+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407-E3/73 1n5400.pdf
1N5407-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.83 грн
10+61.22 грн
100+40.54 грн
500+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1n5817.pdf
1N5817-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.88 грн
10+32.17 грн
100+20.72 грн
500+14.80 грн
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW76-TAP baw76.pdf
BAW76-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 300MA DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+6.16 грн
138+2.15 грн
149+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY228-15TAP by22813.pdf
BY228-15TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1200V 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.02 грн
10+172.85 грн
100+121.07 грн
500+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP33A-E3/73 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf
5KP33A-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 93.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.12 грн
10+176.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY448GP-E3/73 by448gp.pdf
BY448GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.65KV 1.5A DO204AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.82 грн
10+51.74 грн
100+39.33 грн
500+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT52M-TAP byt52.pdf
BYT52M-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.4A SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYT62-TAP byt62.pdf
BYT62-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 2.4KV 350MA SOD57
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-57
Current - Average Rectified (Io): 350mA
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SOD-57, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.60 грн
10+71.90 грн
100+55.92 грн
500+44.48 грн
1000+36.23 грн
2000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26A-TAP byv26.pdf
BYV26A-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.95 грн
10+101.32 грн
100+68.90 грн
500+51.63 грн
1000+47.44 грн
2000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26B-TAP byv26.pdf
BYV26B-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.95 грн
10+101.32 грн
100+68.90 грн
500+51.63 грн
1000+47.44 грн
2000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26D-TAP byv26.pdf
BYV26D-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.34 грн
10+104.73 грн
100+71.31 грн
500+53.51 грн
1000+49.20 грн
2000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV27-150-TAP byv27.pdf
BYV27-150-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 165V 2A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 165 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 165 V
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV28-150-TAP byv2850.pdf
BYV28-150-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 150V 3.5A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.48 грн
10+165.81 грн
100+116.51 грн
500+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 396 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 408 476 544 612 680 688  [ Наступна Сторінка >> ]