Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (41143) > Сторінка 401 з 686

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 396 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 408 476 544 612 680 686  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
VS-UFH280FA30 VS-UFH280FA30 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-ufh280fa30.pdf Description: DIODE MODULE GP 300V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1569.55 грн
10+1092.94 грн
100+893.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-08 1N4148WS-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4148wsg.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-18 1N4148WS-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4148wsg.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CDU06-M3/I VS-10CDU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10cdu06-m3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 5A TO263AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA15 VS-FC420SA15 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-fc420sa15.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 909W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1889.27 грн
10+1326.24 грн
100+1061.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100DA120UF VS-GT100DA120UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt100da120uf.pdf Description: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 187 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 890 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2893.22 грн
10+2083.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120U VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt80da120u.pdf Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2394.39 грн
10+1709.99 грн
100+1521.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-QA300FA17 VS-QA300FA17 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-qa300fa17.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 170V 300A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 170 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2095.88 грн
10+1491.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS3V3GSMF-HM3-18 VTVS3V3GSMF-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vtvs3v3asmf.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 8.9VC DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.9V
Voltage - Breakdown (Min): 6.57V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 43.99A
Capacitance @ Frequency: 2095pF @ 1MHz
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/H BYG10YHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/I BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/H BYG10YHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+10.21 грн
3600+9.66 грн
5400+9.42 грн
9000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/I BYG10YHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+9.99 грн
15000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBUE2560-M3/P GBUE2560-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division gbue2560.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4.9 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.08 грн
20+141.12 грн
100+140.11 грн
500+125.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF06SLHM3 VS-10ETF06SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf06slhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.97 грн
10+102.50 грн
100+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF12SLHM3 VS-10ETF12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf12slhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.60 грн
10+124.82 грн
100+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETS12SLHM3 VS-10ETS12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10ets12slhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.76 грн
10+100.99 грн
100+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF06SLHM3 VS-20ETF06SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20etf06slhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.67 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.52 грн
10+165.67 грн
100+129.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF12SLHM3 VS-20ETF12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20etf12slhm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.02 грн
10+165.14 грн
100+120.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25ETS12SLHM3 VS-25ETS12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.53 грн
10+150.69 грн
100+119.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS12SLHM3 VS-25TTS12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25tts12slhm3.pdf Description: SCR 1.2KV 25A TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Off State (Max): 10 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.52 грн
10+167.56 грн
100+117.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS16SLHM3 VS-25TTS16SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25tts16slhm3.pdf Description: SCR 1.6KV 25A TO-263AB (D2PAK)
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Off State (Max): 10 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.66 грн
10+169.98 грн
100+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-50TPS12LHM3 VS-50TPS12LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50tps12lhm3.pdf Description: SCR 1.2KV 79A TO247AD
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Off State (Max): 50 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 630A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.21 грн
25+232.48 грн
100+196.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF06SLHM3 VS-8EWF06SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf06slhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.27 грн
10+69.29 грн
100+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS12SLHM3 VS-8EWS12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews12shm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+126.78 грн
100+87.26 грн
500+66.04 грн
1000+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS16SLHM3 VS-8EWS16SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews16slhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1600V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.67 грн
10+126.56 грн
100+87.10 грн
500+65.93 грн
1000+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-08 1N4148WS-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4148wsg.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-18 1N4148WS-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4148wsg.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CDU06-M3/I VS-10CDU06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10cdu06-m3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 5A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.84 грн
10+84.19 грн
100+65.49 грн
500+52.09 грн
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/H BYG10YHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.49 грн
14+22.09 грн
100+18.65 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/I BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.42 грн
13+23.53 грн
100+19.46 грн
500+13.92 грн
1000+11.38 грн
2000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/H BYG10YHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
на замовлення 14508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.99 грн
12+25.34 грн
100+20.02 грн
500+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/I BYG10YHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
на замовлення 29727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.28 грн
12+26.48 грн
100+20.02 грн
500+14.27 грн
1000+12.17 грн
2000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE250A-E3/73 1.5KE250A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 214VWM 344VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.88 грн
10+139.87 грн
100+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE30A-E3/73 1.5KE30A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002-E3/53 1N4002-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.71 грн
14+22.01 грн
100+13.96 грн
500+9.84 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003GP-E3/73 1N4003GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.77 грн
10+53.78 грн
100+35.44 грн
500+25.86 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005-E3/73 1N4005-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.78 грн
39+7.94 грн
100+6.45 грн
500+4.45 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005GP-E3/73 1N4005GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.98 грн
10+53.33 грн
100+35.16 грн
500+25.65 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007-E3/53 1N4007-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.71 грн
14+22.01 грн
100+13.96 грн
500+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007E-E3/73 1N4007E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.28 грн
13+23.30 грн
100+14.83 грн
500+10.47 грн
1000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/73 1N4007GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.98 грн
10+53.33 грн
100+35.16 грн
500+25.65 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GPE-E3/73 1N4007GPE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.41 грн
10+65.96 грн
100+43.89 грн
500+32.30 грн
1000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4936GP-E3/73 1N4936GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933gp.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.20 грн
10+59.46 грн
100+39.34 грн
500+28.81 грн
1000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937-E3/73 1N4937-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.63 грн
13+24.74 грн
100+15.80 грн
500+11.19 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937GP-E3/73 1N4937GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933gp.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.41 грн
10+58.93 грн
100+39.03 грн
500+28.59 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4947GP-E3/73 1N4947GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5227B-TAP 1N5227B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5221.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
на замовлення 12242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.49 грн
14+23.07 грн
100+14.68 грн
500+10.36 грн
1000+9.26 грн
2000+8.33 грн
5000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5229B-TAP 1N5229B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5221.pdf Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO204AH
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.86 грн
57+5.37 грн
129+2.35 грн
500+2.02 грн
1000+1.66 грн
2000+1.62 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934-E3/73 1N4934-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4933.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.92 грн
18+16.87 грн
100+14.82 грн
500+10.49 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399GP-E3/73 1N5399GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391gp.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.26 грн
10+77.84 грн
100+52.21 грн
500+38.68 грн
1000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401-E3/73 1N5401-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.99 грн
12+26.78 грн
100+24.70 грн
500+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402-E3/73 1N5402-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.77 грн
10+60.59 грн
100+40.12 грн
500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404-E3/73 1N5404-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.55 грн
10+61.05 грн
100+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406-E3/73 1N5406-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.77 грн
10+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407-E3/73 1N5407-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.55 грн
10+61.05 грн
100+40.44 грн
500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1N5817-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5817.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.20 грн
10+32.07 грн
100+20.67 грн
500+14.77 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW76-TAP BAW76-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw76.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 300MA DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.28 грн
138+2.19 грн
149+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY228-15TAP BY228-15TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division by22813.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1200V 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.16 грн
10+173.23 грн
100+121.32 грн
500+93.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP33A-E3/73 5KP33A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 93.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.03 грн
10+180.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-UFH280FA30 vs-ufh280fa30.pdf
VS-UFH280FA30
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MODULE GP 300V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1569.55 грн
10+1092.94 грн
100+893.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-08 1n4148wsg.pdf
1N4148WS-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-18 1n4148wsg.pdf
1N4148WS-HG3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CDU06-M3/I vs-10cdu06-m3.pdf
VS-10CDU06-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 5A TO263AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA15 vs-fc420sa15.pdf
VS-FC420SA15
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 909W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1889.27 грн
10+1326.24 грн
100+1061.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT100DA120UF vs-gt100da120uf.pdf
VS-GT100DA120UF
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 187 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 890 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2893.22 грн
10+2083.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-GT80DA120U vs-gt80da120u.pdf
VS-GT80DA120U
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 139 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 658 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2394.39 грн
10+1709.99 грн
100+1521.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-QA300FA17 vs-qa300fa17.pdf
VS-QA300FA17
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE MOD SCHOT 170V 300A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 170 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2095.88 грн
10+1491.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VTVS3V3GSMF-HM3-18 vtvs3v3asmf.pdf
VTVS3V3GSMF-HM3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 3.3VWM 8.9VC DO219AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.9V
Voltage - Breakdown (Min): 6.57V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 43.99A
Capacitance @ Frequency: 2095pF @ 1MHz
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/H byg10.pdf
BYG10YHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1800+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/I byg10.pdf
BYG10YHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/H byg10.pdf
BYG10YHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1800+10.21 грн
3600+9.66 грн
5400+9.42 грн
9000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/I byg10.pdf
BYG10YHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7500+9.99 грн
15000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBUE2560-M3/P gbue2560.pdf
GBUE2560-M3/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4.9 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+322.08 грн
20+141.12 грн
100+140.11 грн
500+125.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF06SLHM3 vs-10etf06slhm3.pdf
VS-10ETF06SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.97 грн
10+102.50 грн
100+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETF12SLHM3 vs-10etf12slhm3.pdf
VS-10ETF12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+195.60 грн
10+124.82 грн
100+91.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10ETS12SLHM3 vs-10ets12slhm3.pdf
VS-10ETS12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+154.76 грн
10+100.99 грн
100+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF06SLHM3 vs-20etf06slhm3.pdf
VS-20ETF06SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.67 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+254.52 грн
10+165.67 грн
100+129.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-20ETF12SLHM3 vs-20etf12slhm3.pdf
VS-20ETF12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+249.02 грн
10+165.14 грн
100+120.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25ETS12SLHM3
VS-25ETS12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.14 V @ 25 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+188.53 грн
10+150.69 грн
100+119.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS12SLHM3 vs-25tts12slhm3.pdf
VS-25TTS12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 1.2KV 25A TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Off State (Max): 10 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+265.52 грн
10+167.56 грн
100+117.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25TTS16SLHM3 vs-25tts16slhm3.pdf
VS-25TTS16SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 1.6KV 25A TO-263AB (D2PAK)
Voltage - Off State: 1.6 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Off State (Max): 10 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.25 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 45 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 150 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.66 грн
10+169.98 грн
100+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-50TPS12LHM3 vs-50tps12lhm3.pdf
VS-50TPS12LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SCR 1.2KV 79A TO247AD
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Off State: 1.2 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AD
Current - Off State (Max): 50 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 630A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Standard Recovery
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+391.21 грн
25+232.48 грн
100+196.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF06SLHM3 vs-8ewf06slhm3.pdf
VS-8EWF06SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+105.27 грн
10+69.29 грн
100+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS12SLHM3 vs-8ews12shm3.pdf
VS-8EWS12SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.25 грн
10+126.78 грн
100+87.26 грн
500+66.04 грн
1000+62.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS16SLHM3 vs-8ews16slhm3.pdf
VS-8EWS16SLHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1600V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+202.67 грн
10+126.56 грн
100+87.10 грн
500+65.93 грн
1000+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-08 1n4148wsg.pdf
1N4148WS-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WS-HG3-18 1n4148wsg.pdf
1N4148WS-HG3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10CDU06-M3/I vs-10cdu06-m3.pdf
VS-10CDU06-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 5A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.84 грн
10+84.19 грн
100+65.49 грн
500+52.09 грн
1000+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/H byg10.pdf
BYG10YHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.49 грн
14+22.09 грн
100+18.65 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHE3_A/I byg10.pdf
BYG10YHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+31.42 грн
13+23.53 грн
100+19.46 грн
500+13.92 грн
1000+11.38 грн
2000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/H byg10.pdf
BYG10YHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
на замовлення 14508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.99 грн
12+25.34 грн
100+20.02 грн
500+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10YHM3_A/I byg10.pdf
BYG10YHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
на замовлення 29727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.28 грн
12+26.48 грн
100+20.02 грн
500+14.27 грн
1000+12.17 грн
2000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE250A-E3/73 15ke.pdf
1.5KE250A-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 214VWM 344VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.88 грн
10+139.87 грн
100+96.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE30A-E3/73 15ke.pdf
1.5KE30A-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 25.6V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 28.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002-E3/53 1n4001.pdf
1N4002-E3/53
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.71 грн
14+22.01 грн
100+13.96 грн
500+9.84 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003GP-E3/73 1n4001gp.pdf
1N4003GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.77 грн
10+53.78 грн
100+35.44 грн
500+25.86 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005-E3/73 1n4001.pdf
1N4005-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.78 грн
39+7.94 грн
100+6.45 грн
500+4.45 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005GP-E3/73 1n4001gp.pdf
1N4005GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.98 грн
10+53.33 грн
100+35.16 грн
500+25.65 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007-E3/53 1n4001.pdf
1N4007-E3/53
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.71 грн
14+22.01 грн
100+13.96 грн
500+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007E-E3/73 1n4001.pdf
1N4007E-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.28 грн
13+23.30 грн
100+14.83 грн
500+10.47 грн
1000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/73 1n4001gp.pdf
1N4007GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 4264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.98 грн
10+53.33 грн
100+35.16 грн
500+25.65 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GPE-E3/73 1n4001gp.pdf
1N4007GPE-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.41 грн
10+65.96 грн
100+43.89 грн
500+32.30 грн
1000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4936GP-E3/73 1n4933gp.pdf
1N4936GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.20 грн
10+59.46 грн
100+39.34 грн
500+28.81 грн
1000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937-E3/73 1n4933.pdf
1N4937-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.63 грн
13+24.74 грн
100+15.80 грн
500+11.19 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4937GP-E3/73 1n4933gp.pdf
1N4937GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 6708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.41 грн
10+58.93 грн
100+39.03 грн
500+28.59 грн
1000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4947GP-E3/73 1n4942gp.pdf
1N4947GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5227B-TAP 1n5221.pdf
1N5227B-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 24 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1 V
на замовлення 12242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.49 грн
14+23.07 грн
100+14.68 грн
500+10.36 грн
1000+9.26 грн
2000+8.33 грн
5000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5229B-TAP 1n5221.pdf
1N5229B-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO204AH
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 22 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
на замовлення 9021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+7.86 грн
57+5.37 грн
129+2.35 грн
500+2.02 грн
1000+1.66 грн
2000+1.62 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4934-E3/73 1n4933.pdf
1N4934-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.92 грн
18+16.87 грн
100+14.82 грн
500+10.49 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399GP-E3/73 1n5391gp.pdf
1N5399GP-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+127.26 грн
10+77.84 грн
100+52.21 грн
500+38.68 грн
1000+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5401-E3/73 1n5400.pdf
1N5401-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.99 грн
12+26.78 грн
100+24.70 грн
500+19.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5402-E3/73 1n5400.pdf
1N5402-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.77 грн
10+60.59 грн
100+40.12 грн
500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5404-E3/73 1n5400.pdf
1N5404-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.55 грн
10+61.05 грн
100+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5406-E3/73 1n5400.pdf
1N5406-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+99.77 грн
10+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5407-E3/73 1n5400.pdf
1N5407-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.55 грн
10+61.05 грн
100+40.44 грн
500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1n5817.pdf
1N5817-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.20 грн
10+32.07 грн
100+20.67 грн
500+14.77 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW76-TAP baw76.pdf
BAW76-TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 300MA DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+6.28 грн
138+2.19 грн
149+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BY228-15TAP by22813.pdf
BY228-15TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1200V 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+274.16 грн
10+173.23 грн
100+121.32 грн
500+93.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
5KP33A-E3/73 5KP5.0%20thru%205KP188A.pdf
5KP33A-E3/73
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 93.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+194.03 грн
10+180.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 396 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 408 476 544 612 680 686  [ Наступна Сторінка >> ]