Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40819) > Сторінка 402 з 681

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 476 544 612 680 681  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1.5SMC39AHE3/9AT 1.5SMC39AHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC39CAHE3/9AT 1.5SMC39CAHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15smc.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006E-E3/54 1N4006E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
16+18.73 грн
100+11.87 грн
500+8.35 грн
1000+7.45 грн
2000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GPE-E3/54 1N4007GPE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4001gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 17423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
13+23.81 грн
100+19.71 грн
500+14.11 грн
1000+12.30 грн
2000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N4947GP-E3/54 1N4947GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4942gp.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.63 грн
11+27.54 грн
100+18.75 грн
500+13.81 грн
1000+12.55 грн
2000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399GP-E3/54 1N5399GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5391gp.pdf Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.06 грн
11+29.03 грн
100+23.18 грн
500+16.69 грн
1000+15.07 грн
2000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5405-E3/54 1N5405-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5400.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
15+20.97 грн
100+17.91 грн
500+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6267A-E3/54 1N6267A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 143A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
12+25.68 грн
100+21.11 грн
500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6285A-E3/54 1N6285A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.63 грн
10+36.42 грн
100+26.89 грн
500+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N6293A-E3/54 1N6293A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ke.pdf Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.73 грн
10+38.66 грн
100+29.15 грн
500+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N6377-E3/54 1N6377-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division icte.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 20.6VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6478-E3/96 1N6478-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 18604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
15+20.38 грн
100+12.77 грн
500+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6480-E3/96 1N6480-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 45087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
13+23.88 грн
100+14.33 грн
500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n6478.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
13+23.88 грн
100+14.33 грн
500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
5KP14A-E3/54 5KP14A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 216A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 23.2V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.99 грн
10+118.97 грн
100+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP188A-E3/54 5KP188A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 188VWM 328VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.22 грн
10+126.74 грн
100+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP30AHE3/54 5KP30AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 103A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.25 грн
10+155.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP33AHE3/54 5KP33AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 93.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.70 грн
10+175.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PMHM3/84A AU1PMHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1pm.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.63 грн
11+27.32 грн
100+21.88 грн
500+15.68 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C5V6-G3-08 AZ23C5V6-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division az23g.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 300MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
на замовлення 14772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.13 грн
15+21.27 грн
100+11.30 грн
500+6.98 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
B230LA-E3/5AT B230LA-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division b230la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 14322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
14+21.94 грн
100+13.14 грн
500+11.42 грн
1000+7.77 грн
2000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/5AT B340A-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division b330la.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 38233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.68 грн
15+20.60 грн
100+14.46 грн
500+10.24 грн
1000+8.86 грн
2000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
B360B-E3/5BT B360B-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division b360b.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 60
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
15+21.20 грн
100+16.86 грн
500+12.00 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
B4S-E3/80 B4S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division b2s.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.26 грн
10+34.71 грн
100+23.75 грн
500+17.63 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BA157GP-E3/54 BA157GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ba157gp.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA159GP-E3/54 BA159GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ba157gp.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 15369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ33-GS18 BAQ33-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baq33.pdf Description: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WS-G3-08 BAS16WS-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas16wsg.pdf Description: DIODE STANDARD 75V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.63 грн
40+7.61 грн
100+5.41 грн
500+3.72 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WS-HE3-18 BAS170WS-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas170ws.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.28 грн
28+10.75 грн
100+7.68 грн
500+5.81 грн
1000+4.60 грн
2000+4.52 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAS285-GS18 BAS285-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas285.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.40 грн
41+7.31 грн
100+6.26 грн
500+4.87 грн
1000+4.65 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAS381-TR BAS381-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas381.pdf Description: DIODE SCHOTTK 40V 30MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.28 грн
32+9.33 грн
100+7.88 грн
500+5.70 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAS385-TR3 BAS385-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas385.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
на замовлення 14599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.03 грн
21+14.26 грн
100+8.94 грн
500+6.23 грн
1000+5.53 грн
2000+4.94 грн
5000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05-G3-08 BAS70-05-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas70-00-gtobas70-06-g.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 12780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
28+10.82 грн
100+8.73 грн
500+6.07 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BAS86-GS18 BAS86-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bas86.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.05 грн
28+10.67 грн
100+8.73 грн
500+6.08 грн
1000+5.05 грн
2000+4.67 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W-E3-18 BAT42W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bat42w.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 43501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.50 грн
30+10.00 грн
100+8.28 грн
500+5.75 грн
1000+4.94 грн
2000+4.55 грн
5000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-E3-18 BAW56-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division baw56.pdf Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 70 V
на замовлення 27728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.30 грн
50+6.05 грн
100+5.34 грн
500+3.46 грн
1000+2.53 грн
2000+2.43 грн
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BY252P-E3/54 BY252P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.58 грн
15+20.82 грн
100+18.44 грн
500+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BY253P-E3/54 BY253P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
12+26.94 грн
100+20.14 грн
500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BY254P-E3/54 BY254P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by251p.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.48 грн
17+18.44 грн
100+12.82 грн
500+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BY268TR BY268TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division by268.pdf Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.43 грн
12+25.82 грн
100+22.62 грн
500+18.11 грн
1000+15.93 грн
2000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BY520-16E-E3/54 BY520-16E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by5201416.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR3 BYG10G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
15+21.12 грн
100+13.43 грн
500+9.47 грн
1000+8.46 грн
2000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 BYG10K-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
17+18.36 грн
100+10.84 грн
500+8.86 грн
1000+7.91 грн
2000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.88 грн
15+20.60 грн
100+13.09 грн
500+9.23 грн
1000+8.25 грн
2000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 BYG20D-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.58 грн
19+16.35 грн
100+13.14 грн
500+9.27 грн
1000+6.50 грн
2000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 BYG20G-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.58 грн
18+16.64 грн
100+13.14 грн
500+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 BYG20J-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.58 грн
18+16.87 грн
100+13.14 грн
500+9.27 грн
1000+8.19 грн
2000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR BYG22A-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
12+25.82 грн
100+17.54 грн
500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H BYG22DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg22a.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.83 грн
26+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 BYM07-100-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
13+24.03 грн
100+17.96 грн
500+12.97 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 BYM07-150-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 BYM07-200-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 BYM07-200-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
13+23.88 грн
100+18.92 грн
500+13.47 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 BYM07-400-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl34.pdf Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.78 грн
12+26.42 грн
100+19.74 грн
500+14.56 грн
1000+11.25 грн
2000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 BYM10-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.23 грн
17+18.06 грн
100+13.36 грн
500+10.31 грн
1000+8.75 грн
2000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 BYM10-200-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.36 грн
14+22.79 грн
100+14.54 грн
500+10.30 грн
1000+9.21 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 BYM10-400-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 BYM10-600-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
16+18.73 грн
100+11.36 грн
500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 BYM10-600-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 BYM10-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
18+17.54 грн
100+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC39AHE3/9AT 15smc.pdf
1.5SMC39AHE3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1.5SMC39CAHE3/9AT 15smc.pdf
1.5SMC39CAHE3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9V DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006E-E3/54 1n4001.pdf
1N4006E-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.78 грн
16+18.73 грн
100+11.87 грн
500+8.35 грн
1000+7.45 грн
2000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GPE-E3/54 1n4001gp.pdf
1N4007GPE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 17423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.65 грн
13+23.81 грн
100+19.71 грн
500+14.11 грн
1000+12.30 грн
2000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
1N4947GP-E3/54 1n4942gp.pdf
1N4947GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.63 грн
11+27.54 грн
100+18.75 грн
500+13.81 грн
1000+12.55 грн
2000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N5399GP-E3/54 1n5391gp.pdf
1N5399GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 1000V 1.5A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 5367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.06 грн
11+29.03 грн
100+23.18 грн
500+16.69 грн
1000+15.07 грн
2000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N5405-E3/54 1n5400.pdf
1N5405-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 500V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 500 V
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.00 грн
15+20.97 грн
100+17.91 грн
500+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6267A-E3/54 15ke.pdf
1N6267A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 143A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.78 грн
12+25.68 грн
100+21.11 грн
500+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6285A-E3/54 15ke.pdf
1N6285A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.63 грн
10+36.42 грн
100+26.89 грн
500+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
1N6293A-E3/54 15ke.pdf
1N6293A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC 1.5KE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: 1.5KE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.73 грн
10+38.66 грн
100+29.15 грн
500+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1N6377-E3/54 icte.pdf
1N6377-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 20.6VC 1.5KE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N6478-E3/96 1n6478.pdf
1N6478-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 18604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.78 грн
15+20.38 грн
100+12.77 грн
500+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6480-E3/96 1n6478.pdf
1N6480-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 45087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.78 грн
13+23.88 грн
100+14.33 грн
500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N6483-E3/96 1n6478.pdf
1N6483-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.78 грн
13+23.88 грн
100+14.33 грн
500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
5KP14A-E3/54 5kp8_5a.pdf
5KP14A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 216A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 15.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 23.2V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.99 грн
10+118.97 грн
100+85.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP188A-E3/54 5kp8_5a.pdf
5KP188A-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 188VWM 328VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.22 грн
10+126.74 грн
100+91.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP30AHE3/54 5kp8_5a.pdf
5KP30AHE3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 103A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.25 грн
10+155.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
5KP33AHE3/54 5kp8_5a.pdf
5KP33AHE3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC P600
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 93.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.70 грн
10+175.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AU1PMHM3/84A au1pm.pdf
AU1PMHM3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.63 грн
11+27.32 грн
100+21.88 грн
500+15.68 грн
1000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C5V6-G3-08 az23g.pdf
AZ23C5V6-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 300MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 1 V
на замовлення 14772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.13 грн
15+21.27 грн
100+11.30 грн
500+6.98 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
B230LA-E3/5AT b230la.pdf
B230LA-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 14322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.45 грн
14+21.94 грн
100+13.14 грн
500+11.42 грн
1000+7.77 грн
2000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
B340A-E3/5AT b330la.pdf
B340A-E3/5AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 38233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.68 грн
15+20.60 грн
100+14.46 грн
500+10.24 грн
1000+8.86 грн
2000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
B360B-E3/5BT b360b.pdf
B360B-E3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 60
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
15+21.20 грн
100+16.86 грн
500+12.00 грн
1000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
B4S-E3/80 b2s.pdf
B4S-E3/80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1P 400V TO269AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-269AA, 4-BESOP
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: TO-269AA (MBS)
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 500 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.26 грн
10+34.71 грн
100+23.75 грн
500+17.63 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BA157GP-E3/54 ba157gp.pdf
BA157GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA159GP-E3/54 ba157gp.pdf
BA159GP-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 15369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAQ33-GS18 baq33.pdf
BAQ33-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16WS-G3-08 bas16wsg.pdf
BAS16WS-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 75V 250MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.63 грн
40+7.61 грн
100+5.41 грн
500+3.72 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WS-HE3-18 bas170ws.pdf
BAS170WS-HE3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 70mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.28 грн
28+10.75 грн
100+7.68 грн
500+5.81 грн
1000+4.60 грн
2000+4.52 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAS285-GS18 bas285.pdf
BAS285-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.40 грн
41+7.31 грн
100+6.26 грн
500+4.87 грн
1000+4.65 грн
2000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BAS381-TR bas381.pdf
BAS381-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTK 40V 30MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1.6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.28 грн
32+9.33 грн
100+7.88 грн
500+5.70 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAS385-TR3 bas385.pdf
BAS385-TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.3 µA @ 25 V
на замовлення 14599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.03 грн
21+14.26 грн
100+8.94 грн
500+6.23 грн
1000+5.53 грн
2000+4.94 грн
5000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-05-G3-08 bas70-00-gtobas70-06-g.pdf
BAS70-05-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 12780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.05 грн
28+10.82 грн
100+8.73 грн
500+6.07 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BAS86-GS18 bas86.pdf
BAS86-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-80 MiniMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.05 грн
28+10.67 грн
100+8.73 грн
500+6.08 грн
1000+5.05 грн
2000+4.67 грн
5000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BAT42W-E3-18 bat42w.pdf
BAT42W-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 50 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
на замовлення 43501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.50 грн
30+10.00 грн
100+8.28 грн
500+5.75 грн
1000+4.94 грн
2000+4.55 грн
5000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56-E3-18 baw56.pdf
BAW56-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 70 V
на замовлення 27728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.30 грн
50+6.05 грн
100+5.34 грн
500+3.46 грн
1000+2.53 грн
2000+2.43 грн
5000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BY252P-E3/54 by251p.pdf
BY252P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 6819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.58 грн
15+20.82 грн
100+18.44 грн
500+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BY253P-E3/54 by251p.pdf
BY253P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
12+26.94 грн
100+20.14 грн
500+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BY254P-E3/54 by251p.pdf
BY254P-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.48 грн
17+18.44 грн
100+12.82 грн
500+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BY268TR by268.pdf
BY268TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1400V 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.43 грн
12+25.82 грн
100+22.62 грн
500+18.11 грн
1000+15.93 грн
2000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BY520-16E-E3/54 by5201416.pdf
BY520-16E-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10G-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
15+21.12 грн
100+13.43 грн
500+9.47 грн
1000+8.46 грн
2000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10K-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10K-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.90 грн
17+18.36 грн
100+10.84 грн
500+8.86 грн
1000+7.91 грн
2000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BYG10M-E3/TR3 byg10.pdf
BYG10M-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 11983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.88 грн
15+20.60 грн
100+13.09 грн
500+9.23 грн
1000+8.25 грн
2000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20D-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20D-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.58 грн
19+16.35 грн
100+13.14 грн
500+9.27 грн
1000+6.50 грн
2000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20G-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20G-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.58 грн
18+16.64 грн
100+13.14 грн
500+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20J-E3/TR3 byg20d.pdf
BYG20J-E3/TR3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 7666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.58 грн
18+16.87 грн
100+13.14 грн
500+9.27 грн
1000+8.19 грн
2000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22A-E3/TR byg22a.pdf
BYG22A-E3/TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.30 грн
12+25.82 грн
100+17.54 грн
500+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYG22DHE3_A/H byg22a.pdf
BYG22DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.83 грн
26+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-100-E3/98 egl34.pdf
BYM07-100-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 100V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.98 грн
13+24.03 грн
100+17.96 грн
500+12.97 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-150-E3/98 egl34.pdf
BYM07-150-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 150V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/83 egl34.pdf
BYM07-200-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-200-E3/98 egl34.pdf
BYM07-200-E3/98
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 200V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.75 грн
13+23.88 грн
100+18.92 грн
500+13.47 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BYM07-400-E3/83 egl34.pdf
BYM07-400-E3/83
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 400V 500MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.78 грн
12+26.42 грн
100+19.74 грн
500+14.56 грн
1000+11.25 грн
2000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-1000-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-1000-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.23 грн
17+18.06 грн
100+13.36 грн
500+10.31 грн
1000+8.75 грн
2000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-200-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-200-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 25014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.36 грн
14+22.79 грн
100+14.54 грн
500+10.30 грн
1000+9.21 грн
2000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-400-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-400-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.45 грн
16+18.73 грн
100+11.36 грн
500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-600-E3/97 bym10-xxx.pdf
BYM10-600-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM10-800-E3/96 bym10-xxx.pdf
BYM10-800-E3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.45 грн
18+17.54 грн
100+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 68 136 204 272 340 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 476 544 612 680 681  [ Наступна Сторінка >> ]