Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1254) > Сторінка 21 з 21

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WMS10DH04TS WMS10DH04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 10/-8A
On-state resistance: 16/33mΩ
Gate charge: 26/30nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.89 грн
27+15.98 грн
32+13.42 грн
100+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DN04TS WMS10DN04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 25.8nC
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.65 грн
25+17.18 грн
30+14.36 грн
100+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10N04TS WMS10N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22.2nC
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.93 грн
28+15.64 грн
35+12.48 грн
100+11.79 грн
113+8.72 грн
310+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS11P02TS WMS11P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -44A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4 WMS140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.89 грн
23+19.14 грн
28+15.81 грн
100+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140NV6LG4 WMS140NV6LG4 WAYON WMS140NV6LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 11.5A; Idm: 46A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.17 грн
26+16.66 грн
31+13.84 грн
100+13.16 грн
500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1 WMS15N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.89 грн
23+18.97 грн
28+15.64 грн
100+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1 WMS15P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -60A
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.73 грн
28+15.38 грн
34+12.82 грн
100+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175DN10LG4 WMS175DN10LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.29 грн
13+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4 WMS175N10HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 17nC
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.57 грн
20+21.53 грн
25+17.69 грн
69+14.27 грн
188+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4 WMS175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 17.5mΩ
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 22.5nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.65 грн
20+22.05 грн
25+19.91 грн
62+15.98 грн
168+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.97 грн
24+18.54 грн
28+15.30 грн
100+13.50 грн
500+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.29 грн
35+12.39 грн
44+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS WMT04N15TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.65 грн
20+21.70 грн
25+19.65 грн
62+15.72 грн
170+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1 WMT05N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Gate charge: 20.6nC
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+50.61 грн
22+19.57 грн
30+14.70 грн
83+11.88 грн
227+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.86 грн
10+55.71 грн
50+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 40nC
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.43 грн
30+82.03 грн
120+72.63 грн
300+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1 WMX4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 41nC
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+85.45 грн
30+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 20.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ EM
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ C4
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 97mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL SOT23-6 WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL SOT23-6 WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC002120NPO WSRSIC002120NPO WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 18A
Max. forward voltage: 1.36V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Case: DPAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Leakage current: 0.8µA
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+91.10 грн
10+76.05 грн
50+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: TO220ACIns
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.36 грн
10+106.81 грн
26+100.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.30 грн
10+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPD WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 45A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: DFN5x6
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPE WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 45A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: DFN8x8
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF WSRSIC008065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: TO220FP-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPO WSRSIC008065NPO WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: DPAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4 WSRSIC010120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 95A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.66 грн
6+173.46 грн
16+164.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC WSRSIC015065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.92 грн
10+126.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NNI WSRSIC020065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220ACIns; Ir: 3uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 1.32V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Case: TO220ACIns
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+436.19 грн
4+293.95 грн
10+277.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NP4 WSRSIC020065NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 3uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 170A
Max. forward voltage: 1.32V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NP8 WSRSIC020065NP8 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 140A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 1.5µA
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+348.77 грн
5+234.99 грн
12+222.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPC WSRSIC020065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 6uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 152A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 6µA
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+223.61 грн
7+151.25 грн
18+142.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL WSRSIC020065NPL WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 1.32V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Case: TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+303.67 грн
5+204.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPM WSRSIC020065NPM WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 1.32V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2µA
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020120NP4 WSRSIC020120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+549.37 грн
3+370.85 грн
8+350.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020120NP8 WSRSIC020120NP8 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 180A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 5µA
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+549.37 грн
3+370.85 грн
8+350.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS WSRSIC030065NPS WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+501.52 грн
10+420.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4 WSRSIC030120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 13uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 220A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 13µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+669.92 грн
3+452.88 грн
6+428.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP8 WSRSIC030120NP8 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; Ir: 8uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 270A
Max. forward voltage: 1.43V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 8µA
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+786.79 грн
2+530.64 грн
6+501.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC040120NP4 WSRSIC040120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 325A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 15µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+809.80 грн
2+545.17 грн
5+515.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC040120NP8 WSRSIC040120NP8 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.32kA
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 10µA
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+809.80 грн
2+546.02 грн
5+516.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC060120NP4 WSRSIC060120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Leakage current: 25µA
Max. forward impulse current: 340A
Max. forward voltage: 1.4V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1106.11 грн
2+745.97 грн
4+705.81 грн
10+704.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AM X0405-600AM WAYON X0405-600AM.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AV WAYON X0405-600AV.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO126; THT; tube; Ifsm: 30A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO126
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-610AM X0405-610AM WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON WAYON Транзистор польовий TO220-3 MOSFET n-ch Vds=650V, Id=15A, Rds=0,300 Ohm, Pd=86W Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS
WMS10DH04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 10/-8A
On-state resistance: 16/33mΩ
Gate charge: 26/30nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.89 грн
27+15.98 грн
32+13.42 грн
100+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DN04TS
WMS10DN04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 25.8nC
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.65 грн
25+17.18 грн
30+14.36 грн
100+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10N04TS
WMS10N04TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22.2nC
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.93 грн
28+15.64 грн
35+12.48 грн
100+11.79 грн
113+8.72 грн
310+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS11P02TS
WMS11P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -44A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4
WMS140DNV6LG4
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.89 грн
23+19.14 грн
28+15.81 грн
100+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140NV6LG4 WMS140NV6LG4.pdf
WMS140NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 11.5A; Idm: 46A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.17 грн
26+16.66 грн
31+13.84 грн
100+13.16 грн
500+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1
WMS15N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.89 грн
23+18.97 грн
28+15.64 грн
100+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1
WMS15P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -60A
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.73 грн
28+15.38 грн
34+12.82 грн
100+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175DN10LG4
WMS175DN10LG4
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.29 грн
13+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4
WMS175N10HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 17nC
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.57 грн
20+21.53 грн
25+17.69 грн
69+14.27 грн
188+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4
WMS175N10LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 17.5mΩ
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 22.5nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.65 грн
20+22.05 грн
25+19.91 грн
62+15.98 грн
168+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.97 грн
24+18.54 грн
28+15.30 грн
100+13.50 грн
500+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.29 грн
35+12.39 грн
44+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS
WMT04N15TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.65 грн
20+21.70 грн
25+19.65 грн
62+15.72 грн
170+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1
WMT05N10T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Gate charge: 20.6nC
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+50.61 грн
22+19.57 грн
30+14.70 грн
83+11.88 грн
227+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B
WMT4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.86 грн
10+55.71 грн
50+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 40nC
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.43 грн
30+82.03 грн
120+72.63 грн
300+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1
WMX4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 41nC
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+85.45 грн
30+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 20.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ EM
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ C4
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 97mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL SOT23-6
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL SOT23-6
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC002120NPO
WSRSIC002120NPO
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 18A
Max. forward voltage: 1.36V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Case: DPAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Leakage current: 0.8µA
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+91.10 грн
10+76.05 грн
50+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: TO220ACIns
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.36 грн
10+106.81 грн
26+100.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 65A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.30 грн
10+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPD
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 45A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: DFN5x6
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPE
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN8x8; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 45A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: DFN8x8
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF
WSRSIC008065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: TO220FP-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+149.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPO
WSRSIC008065NPO
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.2µA
Case: DPAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4
WSRSIC010120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 95A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.66 грн
6+173.46 грн
16+164.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC
WSRSIC015065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+150.92 грн
10+126.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NNI
WSRSIC020065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220ACIns; Ir: 3uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 1.32V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Case: TO220ACIns
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+436.19 грн
4+293.95 грн
10+277.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NP4
WSRSIC020065NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 3uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 170A
Max. forward voltage: 1.32V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NP8
WSRSIC020065NP8
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 140A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 1.5µA
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+348.77 грн
5+234.99 грн
12+222.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPC
WSRSIC020065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 6uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 152A
Max. forward voltage: 1.38V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 6µA
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+223.61 грн
7+151.25 грн
18+142.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL
WSRSIC020065NPL
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 1.32V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3µA
Case: TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.67 грн
5+204.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPM
WSRSIC020065NPM
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 20A; tape
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 130A
Max. forward voltage: 1.32V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Kind of package: tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2µA
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020120NP4
WSRSIC020120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 10uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+549.37 грн
3+370.85 грн
8+350.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020120NP8
WSRSIC020120NP8
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 180A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 5µA
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+549.37 грн
3+370.85 грн
8+350.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS
WSRSIC030065NPS
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+501.52 грн
10+420.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4
WSRSIC030120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 13uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 220A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 13µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+669.92 грн
3+452.88 грн
6+428.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP8
WSRSIC030120NP8
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; Ir: 8uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 270A
Max. forward voltage: 1.43V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 8µA
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+786.79 грн
2+530.64 грн
6+501.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC040120NP4
WSRSIC040120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; Ir: 15uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 325A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 15µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+809.80 грн
2+545.17 грн
5+515.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC040120NP8
WSRSIC040120NP8
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.32kA
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 10µA
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+809.80 грн
2+546.02 грн
5+516.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC060120NP4
WSRSIC060120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Leakage current: 25µA
Max. forward impulse current: 340A
Max. forward voltage: 1.4V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1106.11 грн
2+745.97 грн
4+705.81 грн
10+704.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AM X0405-600AM.pdf
X0405-600AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AV X0405-600AV.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO126; THT; tube; Ifsm: 30A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO126
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-610AM
X0405-610AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON
Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON
Виробник: WAYON
Транзистор польовий TO220-3 MOSFET n-ch Vds=650V, Id=15A, Rds=0,300 Ohm, Pd=86W Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.