Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1172) > Сторінка 20 з 20

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WMS15P02T1 WMS15P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -60A
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
28+15.10 грн
34+12.58 грн
100+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175DN10LG4 WMS175DN10LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.29 грн
13+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4 WMS175N10HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 17nC
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.13 грн
22+19.62 грн
27+16.10 грн
100+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4 WMS175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 17.5mΩ
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 22.5nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.13 грн
22+19.96 грн
25+18.11 грн
100+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.32 грн
24+18.20 грн
28+15.01 грн
100+13.25 грн
500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.71 грн
35+12.16 грн
44+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1 WMT05N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Gate charge: 20.6nC
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.06 грн
24+17.78 грн
32+13.42 грн
100+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
10+54.68 грн
50+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.06 грн
30+78.83 грн
120+69.61 грн
300+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1 WMX4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
6+82.19 грн
30+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ C4
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 97mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Leakage current: 0.8µA
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.41 грн
10+74.64 грн
50+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.89 грн
10+117.41 грн
50+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.41 грн
10+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF WSRSIC008065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4 WSRSIC010120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 95A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+224.89 грн
10+187.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC WSRSIC015065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.12 грн
10+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL WSRSIC020065NPL WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 3µA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+267.34 грн
10+223.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS WSRSIC030065NPS WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+492.22 грн
10+412.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4 WSRSIC030120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 13uA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 220A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 13µA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+593.38 грн
10+494.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC060120NP4 WSRSIC060120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+964.58 грн
10+803.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AM X0405-600AM WAYON X0405-600AM.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AV WAYON X0405-600AV.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO126; THT; tube; Ifsm: 30A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO126
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-610AM X0405-610AM WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON WAYON Транзистор польовий TO220-3 MOSFET n-ch Vds=650V, Id=15A, Rds=0,300 Ohm, Pd=86W Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1
WMS15P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -60A
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.03 грн
28+15.10 грн
34+12.58 грн
100+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175DN10LG4
WMS175DN10LG4
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.29 грн
13+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4
WMS175N10HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 17nC
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.13 грн
22+19.62 грн
27+16.10 грн
100+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4
WMS175N10LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 17.5mΩ
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 22.5nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.13 грн
22+19.96 грн
25+18.11 грн
100+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.32 грн
24+18.20 грн
28+15.01 грн
100+13.25 грн
500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.71 грн
35+12.16 грн
44+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1
WMT05N10T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Gate charge: 20.6nC
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.06 грн
24+17.78 грн
32+13.42 грн
100+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B
WMT4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.54 грн
10+54.68 грн
50+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+88.06 грн
30+78.83 грн
120+69.61 грн
300+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1
WMX4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.44 грн
6+82.19 грн
30+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ C4
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 97mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Leakage current: 0.8µA
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.41 грн
10+74.64 грн
50+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.89 грн
10+117.41 грн
50+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.41 грн
10+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF
WSRSIC008065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+131.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4
WSRSIC010120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 95A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+224.89 грн
10+187.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC
WSRSIC015065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+148.12 грн
10+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL
WSRSIC020065NPL
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 3µA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.34 грн
10+223.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS
WSRSIC030065NPS
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+492.22 грн
10+412.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4
WSRSIC030120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 13uA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 220A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 13µA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+593.38 грн
10+494.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC060120NP4
WSRSIC060120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+964.58 грн
10+803.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AM X0405-600AM.pdf
X0405-600AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AV X0405-600AV.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO126; THT; tube; Ifsm: 30A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO126
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-610AM
X0405-610AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON
Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON
Виробник: WAYON
Транзистор польовий TO220-3 MOSFET n-ch Vds=650V, Id=15A, Rds=0,300 Ohm, Pd=86W Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20