Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1204) > Сторінка 20 з 21

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WMQ55P02T1 WMQ55P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -55A; Idm: -220A; 39W
Case: PDFN3030-8
Power dissipation: 39W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -220A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ80N03T1 WMQ80N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN3030-8
On-state resistance: 3.4mΩ
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.07 грн
24+17.29 грн
29+14.31 грн
100+12.65 грн
500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR050N03LG4 WMR050N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 68A; 2.4W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
Power dissipation: 2.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.63 грн
29+14.72 грн
34+12.24 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR05N10TS WMR05N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 24A; 15W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 15W
Gate charge: 9.5nC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.14 грн
69+6.04 грн
87+4.80 грн
100+4.33 грн
271+3.50 грн
743+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N03T1 WMR07N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 35A; 1.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.18 грн
37+11.25 грн
53+7.86 грн
100+7.03 грн
500+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N06TS WMR07N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+24.94 грн
37+11.25 грн
47+8.93 грн
100+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07P03TS WMR07P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.52 грн
35+12.16 грн
43+9.76 грн
100+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR10N03T1 WMR10N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 26.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 26.6W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.63 грн
32+13.23 грн
38+11.08 грн
100+10.50 грн
500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR12P02T1 WMR12P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.5A; Idm: -46A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.5A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 3.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.27 грн
35+11.91 грн
50+8.27 грн
100+7.44 грн
500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR13N03T1 WMR13N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 50A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.86 грн
27+15.47 грн
33+12.90 грн
100+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR140NV6LG4 WMR140NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 9A; Idm: 36A; 2.1W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.07 грн
36+11.74 грн
43+9.84 грн
100+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR15N02T1 WMR15N02T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 60A; 2.2W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMR15N03TS WMR15N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 58A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.28 грн
42+9.93 грн
53+7.94 грн
100+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS032N04LG2 WMS032N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 165A; 22W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 165A
Power dissipation: 22W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.80 грн
12+37.22 грн
25+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS048NV6LG4 WMS048NV6LG4 WAYON WMS048NV6LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 18.5A; Idm: 74A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 18.5A
Pulsed drain current: 74A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.90 грн
13+32.26 грн
25+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10T1 WMS04N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.39 грн
31+13.65 грн
38+10.92 грн
100+10.34 грн
500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10TS WMS04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.85 грн
35+11.83 грн
51+8.19 грн
100+7.36 грн
500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS WMS04P06TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.105Ω
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.19 грн
30+13.81 грн
43+9.68 грн
100+8.68 грн
135+7.03 грн
371+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS06N10TS WMS06N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.8A; Idm: 23A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 3.1W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.74 грн
26+16.38 грн
31+13.48 грн
100+11.83 грн
500+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2 WMS080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 260A
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.44 грн
13+32.42 грн
25+29.11 грн
100+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DH04T1 WMS08DH04T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 7.5/-5.5A; 2.2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.2W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.5/-5.5A
On-state resistance: 24/47mΩ
Gate charge: 26/20nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.74 грн
27+15.47 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08N06TS WMS08N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.19 грн
32+13.07 грн
40+10.50 грн
100+9.93 грн
500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS090N04LG2 WMS090N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS090NV6LG4 WMS090NV6LG4 WAYON WMS090NV6LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 14.5A; Idm: 58A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.96 грн
27+15.72 грн
33+12.90 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS09P02TS WMS09P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.52 грн
34+12.41 грн
43+9.84 грн
100+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS WMS10DH04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 10/-8A
On-state resistance: 16/33mΩ
Gate charge: 26/30nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.74 грн
27+15.47 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DN04TS WMS10DN04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 25.8nC
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.41 грн
25+16.62 грн
30+13.90 грн
100+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10N04TS WMS10N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22.2nC
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.43 грн
28+15.14 грн
35+12.08 грн
100+11.41 грн
113+8.44 грн
310+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS11P02TS WMS11P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -44A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4 WMS140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.74 грн
23+18.53 грн
28+15.30 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140NV6LG4 WMS140NV6LG4 WAYON WMS140NV6LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 11.5A; Idm: 46A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.76 грн
26+16.13 грн
31+13.40 грн
100+12.74 грн
500+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1 WMS15N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.74 грн
23+18.36 грн
28+15.14 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1 WMS15P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -60A
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.52 грн
28+14.89 грн
34+12.41 грн
100+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175DN10LG4 WMS175DN10LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.55 грн
13+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4 WMS175N10HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 17nC
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.30 грн
20+20.84 грн
25+17.12 грн
69+13.81 грн
188+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4 WMS175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 17.5mΩ
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 22.5nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.41 грн
20+21.34 грн
25+19.27 грн
62+15.47 грн
168+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.85 грн
24+17.95 грн
28+14.81 грн
100+13.07 грн
500+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.28 грн
35+11.99 грн
44+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1 WMT05N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Gate charge: 20.6nC
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.99 грн
22+18.94 грн
30+14.23 грн
83+11.50 грн
227+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.59 грн
10+53.93 грн
50+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 40nC
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+88.50 грн
30+79.40 грн
120+70.30 грн
300+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1 WMX4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 41nC
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+82.71 грн
30+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 20.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ EM
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ C4
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 97mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL SOT23-6 WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL SOT23-6 WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Leakage current: 0.8µA
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.18 грн
10+73.61 грн
50+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 1.2µA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.95 грн
10+116.62 грн
50+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 1.2µA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.07 грн
10+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF WSRSIC008065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 1.2µA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4 WSRSIC010120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 95A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.79 грн
10+184.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC WSRSIC015065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.08 грн
10+122.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL WSRSIC020065NPL WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 3µA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.66 грн
10+220.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS WSRSIC030065NPS WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+485.45 грн
10+406.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4 WSRSIC030120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 13uA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 220A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 13µA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+585.21 грн
10+487.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC060120NP4 WSRSIC060120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+951.30 грн
10+792.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ55P02T1
WMQ55P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -55A; Idm: -220A; 39W
Case: PDFN3030-8
Power dissipation: 39W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -220A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ80N03T1
WMQ80N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN3030-8
On-state resistance: 3.4mΩ
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.07 грн
24+17.29 грн
29+14.31 грн
100+12.65 грн
500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR050N03LG4
WMR050N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 68A; 2.4W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
Power dissipation: 2.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 68A
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.63 грн
29+14.72 грн
34+12.24 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR05N10TS
WMR05N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 24A; 15W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 0.26Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 15W
Gate charge: 9.5nC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.14 грн
69+6.04 грн
87+4.80 грн
100+4.33 грн
271+3.50 грн
743+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N03T1
WMR07N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 35A; 1.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.18 грн
37+11.25 грн
53+7.86 грн
100+7.03 грн
500+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N06TS
WMR07N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+24.94 грн
37+11.25 грн
47+8.93 грн
100+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07P03TS
WMR07P03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.52 грн
35+12.16 грн
43+9.76 грн
100+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR10N03T1
WMR10N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 26.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 26.6W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.63 грн
32+13.23 грн
38+11.08 грн
100+10.50 грн
500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR12P02T1
WMR12P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.5A; Idm: -46A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.5A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 3.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.27 грн
35+11.91 грн
50+8.27 грн
100+7.44 грн
500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR13N03T1
WMR13N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 50A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.86 грн
27+15.47 грн
33+12.90 грн
100+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR140NV6LG4
WMR140NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 9A; Idm: 36A; 2.1W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.07 грн
36+11.74 грн
43+9.84 грн
100+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR15N02T1
WMR15N02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 60A; 2.2W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMR15N03TS
WMR15N03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 58A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.28 грн
42+9.93 грн
53+7.94 грн
100+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS032N04LG2
WMS032N04LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 165A; 22W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 165A
Power dissipation: 22W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.80 грн
12+37.22 грн
25+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS048NV6LG4 WMS048NV6LG4.pdf
WMS048NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 18.5A; Idm: 74A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 18.5A
Pulsed drain current: 74A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.90 грн
13+32.26 грн
25+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10T1
WMS04N10T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.39 грн
31+13.65 грн
38+10.92 грн
100+10.34 грн
500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10TS
WMS04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.85 грн
35+11.83 грн
51+8.19 грн
100+7.36 грн
500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS
WMS04P06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.105Ω
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.19 грн
30+13.81 грн
43+9.68 грн
100+8.68 грн
135+7.03 грн
371+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS06N10TS
WMS06N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.8A; Idm: 23A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 3.1W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.74 грн
26+16.38 грн
31+13.48 грн
100+11.83 грн
500+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2
WMS080N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 260A
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.44 грн
13+32.42 грн
25+29.11 грн
100+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DH04T1
WMS08DH04T1
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 7.5/-5.5A; 2.2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.2W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.5/-5.5A
On-state resistance: 24/47mΩ
Gate charge: 26/20nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.74 грн
27+15.47 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08N06TS
WMS08N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.19 грн
32+13.07 грн
40+10.50 грн
100+9.93 грн
500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS090N04LG2
WMS090N04LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS090NV6LG4 WMS090NV6LG4.pdf
WMS090NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 14.5A; Idm: 58A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.96 грн
27+15.72 грн
33+12.90 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS09P02TS
WMS09P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.52 грн
34+12.41 грн
43+9.84 грн
100+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS
WMS10DH04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 10/-8A
On-state resistance: 16/33mΩ
Gate charge: 26/30nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.74 грн
27+15.47 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DN04TS
WMS10DN04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 25.8nC
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+37.41 грн
25+16.62 грн
30+13.90 грн
100+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10N04TS
WMS10N04TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22.2nC
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.43 грн
28+15.14 грн
35+12.08 грн
100+11.41 грн
113+8.44 грн
310+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS11P02TS
WMS11P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -44A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4
WMS140DNV6LG4
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.74 грн
23+18.53 грн
28+15.30 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140NV6LG4 WMS140NV6LG4.pdf
WMS140NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 11.5A; Idm: 46A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 65V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 15mΩ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.76 грн
26+16.13 грн
31+13.40 грн
100+12.74 грн
500+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1
WMS15N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.74 грн
23+18.36 грн
28+15.14 грн
100+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1
WMS15P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -60A
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.52 грн
28+14.89 грн
34+12.41 грн
100+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175DN10LG4
WMS175DN10LG4
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.5A; Idm: 34A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.55 грн
13+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4
WMS175N10HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 18mΩ
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 17nC
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.30 грн
20+20.84 грн
25+17.12 грн
69+13.81 грн
188+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4
WMS175N10LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 17.5mΩ
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 22.5nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+37.41 грн
20+21.34 грн
25+19.27 грн
62+15.47 грн
168+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.85 грн
24+17.95 грн
28+14.81 грн
100+13.07 грн
500+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.28 грн
35+11.99 грн
44+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1
WMT05N10T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 4.2W
Gate charge: 20.6nC
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.99 грн
22+18.94 грн
30+14.23 грн
83+11.50 грн
227+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B
WMT4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.59 грн
10+53.93 грн
50+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 40nC
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+88.50 грн
30+79.40 грн
120+70.30 грн
300+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1
WMX4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 41nC
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+82.71 грн
30+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 20.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ EM
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ C4
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 97mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL SOT23-6
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL SOT23-6
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Leakage current: 0.8µA
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.18 грн
10+73.61 грн
50+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 1.2µA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.95 грн
10+116.62 грн
50+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 1.2µA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+89.07 грн
10+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF
WSRSIC008065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Leakage current: 1.2µA
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4
WSRSIC010120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 95A
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.79 грн
10+184.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC
WSRSIC015065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+146.08 грн
10+122.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL
WSRSIC020065NPL
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: tube
Leakage current: 3µA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.66 грн
10+220.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS
WSRSIC030065NPS
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.45 грн
10+406.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4
WSRSIC030120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 13uA
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 220A
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Technology: SiC
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 13µA
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+585.21 грн
10+487.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC060120NP4
WSRSIC060120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+951.30 грн
10+792.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.