Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (954) > Сторінка 16 з 16

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WMQ30P03T1 WMQ30P03T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 29.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 29.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.27 грн
29+14.71 грн
34+12.30 грн
100+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30P04T1 WMQ30P04T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 21W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.80 грн
22+19.20 грн
27+15.62 грн
100+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ35P02TS WMQ35P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -140A; 24W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
38+11.05 грн
46+9.22 грн
100+8.73 грн
500+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40DN03T1 WMQ40DN03T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 28.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 28.4W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40N03T1 WMQ40N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.90 грн
30+13.88 грн
36+11.63 грн
100+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ46N03T1 WMQ46N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.69 грн
30+13.88 грн
36+11.55 грн
100+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ50N04T1 WMQ50N04T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 22.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.74 грн
21+19.86 грн
25+16.70 грн
100+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ80N03T1 WMQ80N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.22 грн
24+17.37 грн
30+14.29 грн
100+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR050N03LG4 WMR050N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 68A; 2.4W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 5.4mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 68A
Polarisation: unipolar
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.69 грн
29+14.79 грн
34+12.30 грн
100+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N03T1 WMR07N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 35A; 1.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.32 грн
37+11.30 грн
53+7.89 грн
100+7.15 грн
500+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N06TS WMR07N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
37+11.30 грн
47+8.97 грн
100+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07P03TS WMR07P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.69 грн
35+12.22 грн
43+9.81 грн
100+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR13N03T1 WMR13N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 50A; 2.1W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Case: DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.06 грн
28+15.29 грн
33+12.80 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR15N03TS WMR15N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 58A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
43+9.81 грн
54+7.81 грн
100+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10T1 WMS04N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
31+13.46 грн
39+10.72 грн
100+10.14 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10TS WMS04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.11 грн
36+11.63 грн
52+8.06 грн
100+7.23 грн
500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS WMS04P06TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.69 грн
33+12.80 грн
47+8.97 грн
100+8.06 грн
500+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS06N10TS WMS06N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.8A; Idm: 23A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.01 грн
26+16.20 грн
32+13.38 грн
100+11.72 грн
500+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2 WMS080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.80 грн
13+31.99 грн
25+28.83 грн
100+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DH04T1 WMS08DH04T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 7.5/-5.5A; 2.2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.2W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.5/-5.5A
On-state resistance: 24/47mΩ
Gate charge: 26/20nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.90 грн
27+15.54 грн
32+13.05 грн
100+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08N06TS WMS08N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.38 грн
32+13.13 грн
40+10.55 грн
100+9.97 грн
500+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS090N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS09P02TS WMS09P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.69 грн
34+12.46 грн
42+9.97 грн
100+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS WMS10DH04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 10/-8A
On-state resistance: 16/33mΩ
Gate charge: 26/30nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.90 грн
27+15.54 грн
32+13.05 грн
100+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DN04TS WMS10DN04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.59 грн
25+16.79 грн
30+14.04 грн
100+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1 WMS15N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.01 грн
24+18.03 грн
29+14.79 грн
100+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1 WMS15P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.80 грн
28+14.87 грн
34+12.46 грн
100+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
35+11.88 грн
47+8.89 грн
100+7.89 грн
250+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1 WMT05N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.6nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 5A
Power dissipation: 4.2W
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.74 грн
25+17.28 грн
32+13.05 грн
100+11.47 грн
250+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.12 грн
10+53.43 грн
50+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+87.25 грн
30+78.94 грн
120+69.80 грн
300+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1 WMX4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.54 грн
6+81.43 грн
30+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPD WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Case: DFN5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220FP-2
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.70 грн
10+73.12 грн
50+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPO WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004120NPO WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; tape
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.5µA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.81 грн
10+115.50 грн
50+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.59 грн
10+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF WSRSIC008065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC WSRSIC015065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.76 грн
10+122.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL WSRSIC020065NPL WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 130A
Leakage current: 3µA
Kind of package: tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+268.47 грн
10+225.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS WSRSIC030065NPS WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+487.71 грн
10+408.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4 WSRSIC030120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 13uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 13µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+590.62 грн
10+493.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC060120NP4 WSRSIC060120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+974.53 грн
10+811.85 грн
30+718.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AM X0405-600AM WAYON X0405-600AM.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AV WAYON X0405-600AV.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO126; THT; tube; Ifsm: 30A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO126
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-610AM X0405-610AM WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON WAYON Транзистор польовий TO220-3 MOSFET n-ch Vds=650V, Id=15A, Rds=0,300 Ohm, Pd=86W Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30P03T1
WMQ30P03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 29.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 29.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.27 грн
29+14.71 грн
34+12.30 грн
100+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30P04T1
WMQ30P04T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 21W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.80 грн
22+19.20 грн
27+15.62 грн
100+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ35P02TS
WMQ35P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -140A; 24W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
38+11.05 грн
46+9.22 грн
100+8.73 грн
500+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40DN03T1
WMQ40DN03T1
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 28.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 28.4W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40N03T1
WMQ40N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.90 грн
30+13.88 грн
36+11.63 грн
100+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ46N03T1
WMQ46N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.69 грн
30+13.88 грн
36+11.55 грн
100+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ50N04T1
WMQ50N04T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 22.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.74 грн
21+19.86 грн
25+16.70 грн
100+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ80N03T1
WMQ80N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.22 грн
24+17.37 грн
30+14.29 грн
100+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR050N03LG4
WMR050N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 68A; 2.4W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 5.4mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 68A
Polarisation: unipolar
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.69 грн
29+14.79 грн
34+12.30 грн
100+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N03T1
WMR07N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 35A; 1.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.32 грн
37+11.30 грн
53+7.89 грн
100+7.15 грн
500+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N06TS
WMR07N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.06 грн
37+11.30 грн
47+8.97 грн
100+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07P03TS
WMR07P03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.69 грн
35+12.22 грн
43+9.81 грн
100+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR13N03T1
WMR13N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 50A; 2.1W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Case: DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.06 грн
28+15.29 грн
33+12.80 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR15N03TS
WMR15N03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 58A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
43+9.81 грн
54+7.81 грн
100+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10T1
WMS04N10T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
31+13.46 грн
39+10.72 грн
100+10.14 грн
500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10TS
WMS04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.11 грн
36+11.63 грн
52+8.06 грн
100+7.23 грн
500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS
WMS04P06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.69 грн
33+12.80 грн
47+8.97 грн
100+8.06 грн
500+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS06N10TS
WMS06N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.8A; Idm: 23A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.01 грн
26+16.20 грн
32+13.38 грн
100+11.72 грн
500+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2
WMS080N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.80 грн
13+31.99 грн
25+28.83 грн
100+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DH04T1
WMS08DH04T1
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 7.5/-5.5A; 2.2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.2W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.5/-5.5A
On-state resistance: 24/47mΩ
Gate charge: 26/20nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.90 грн
27+15.54 грн
32+13.05 грн
100+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08N06TS
WMS08N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.38 грн
32+13.13 грн
40+10.55 грн
100+9.97 грн
500+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS090N04LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS09P02TS
WMS09P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.69 грн
34+12.46 грн
42+9.97 грн
100+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS
WMS10DH04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 10/-8A
On-state resistance: 16/33mΩ
Gate charge: 26/30nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.90 грн
27+15.54 грн
32+13.05 грн
100+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DN04TS
WMS10DN04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+37.59 грн
25+16.79 грн
30+14.04 грн
100+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1
WMS15N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.01 грн
24+18.03 грн
29+14.79 грн
100+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1
WMS15P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.80 грн
28+14.87 грн
34+12.46 грн
100+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
35+11.88 грн
47+8.89 грн
100+7.89 грн
250+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1
WMT05N10T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 4.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.6nC
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 5A
Power dissipation: 4.2W
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.74 грн
25+17.28 грн
32+13.05 грн
100+11.47 грн
250+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B
WMT4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.12 грн
10+53.43 грн
50+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+87.25 грн
30+78.94 грн
120+69.80 грн
300+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1
WMX4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+97.54 грн
6+81.43 грн
30+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPD
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Case: DFN5x6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220FP-2
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.70 грн
10+73.12 грн
50+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPO
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.8µA
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
Case: DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004120NPO
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 4A; tape
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1.5µA
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.81 грн
10+115.50 грн
50+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.59 грн
10+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF
WSRSIC008065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+128.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC
WSRSIC015065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+146.76 грн
10+122.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL
WSRSIC020065NPL
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 130A
Leakage current: 3µA
Kind of package: tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.47 грн
10+225.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS
WSRSIC030065NPS
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+487.71 грн
10+408.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4
WSRSIC030120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 30A; TO247-2; Ir: 13uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 13µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+590.62 грн
10+493.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC060120NP4
WSRSIC060120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 60A; TO247-2; Ir: 25uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 340A
Leakage current: 25µA
Kind of package: tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+974.53 грн
10+811.85 грн
30+718.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AM X0405-600AM.pdf
X0405-600AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-600AV X0405-600AV.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO126; THT; tube; Ifsm: 30A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO126
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
X0405-610AM
X0405-610AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 4A; Igt: 0.2mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Gate current: 0.2mA
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON
Транзистор польовий WMK20N65C2 WAYON
Виробник: WAYON
Транзистор польовий TO220-3 MOSFET n-ch Vds=650V, Id=15A, Rds=0,300 Ohm, Pd=86W Транзистори польові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16