| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WMO20N15T2 | WAYON | WMO20N15T2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 433 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO20N20JN | WAYON | WMO20N20JN-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO20N65EM | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ EM Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO252 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| WMO20P04T1 | WAYON | WMO20P04T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO20P15TS | WAYON | WMO20P15TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 152 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO22N50C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 11A; Idm: 60A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
WMO240N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Pulsed drain current: 144A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO240N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Pulsed drain current: 144A Power dissipation: 56.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2118 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO25N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 41.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO25N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 41.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| WMO25N10T1 | WAYON | WMO25N10T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 409 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO25N50C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 13A; Idm: 65A; 135W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 135W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| WMO25P03TS | WAYON | WMO25P03TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 240 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO25P04TS | WAYON | WMO25P04TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 488 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO25P06T1 | WAYON | WMO25P06T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 999 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO26N60C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| WMO26N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.5A Power dissipation: 135W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 40A Gate charge: 22.1nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| WMO26N65F2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| WMO28N15T2 | WAYON | WMO28N15T2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 208 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
WMO30P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 24W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -30A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 24W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO30P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 24W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -30A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 24W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 349 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO30P10TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -35A; Idm: -140A; 119W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -35A Pulsed drain current: -140A Power dissipation: 119W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO30P10TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -35A; Idm: -140A; 119W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -35A Pulsed drain current: -140A Power dissipation: 119W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| WMO35N06T1 | WAYON | WMO35N06T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 426 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO35P04T1 | WAYON | WMO35P04T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 249 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO35P06TS | WAYON | WMO35P06TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 47 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
WMO40N04TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 33W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO40N04TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 33W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 361 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| WMO4N65D1B | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| WMO4N80D1B | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 96W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| WMO4N90D1C | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
WMO50N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 69.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO50N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 69.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 279 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| WMO50P04T1 | WAYON | WMO50P04T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO55N03T1 | WAYON | WMO55N03T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 429 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
WMO60N02T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 35.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO60N02T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 35.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2553 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO60N04T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 46.2W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO60N04T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 46.2W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 454 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| WMO60P02TS | WAYON | WMO60P02TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 457 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO60P03TS | WAYON | WMO60P03TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO690N15HG2 | WAYON | WMO690N15HG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO6N80D1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 45.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 45.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| WMO6N80D1B | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| WMO75N04T1 | WAYON | WMO75N04T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 412 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO7N65D1B | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 24.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
WMO80N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 59.5W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 59.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO80N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 59.5W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 59.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 322 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO80N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 92W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 92W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
WMO80N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 92W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 92W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| WMO80N08TS | WAYON | WMO80N08TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO80P04TS | WAYON | WMO80P04TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
WMO90N02T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 90A; Idm: 222A; 39W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Case: TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 39W Drain current: 90A Pulsed drain current: 222A Gate charge: 0.1µC |
на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMO90N02T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 90A; Idm: 222A; 39W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Case: TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 39W Drain current: 90A Pulsed drain current: 222A Gate charge: 0.1µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 442 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| WMO95P06TS | WAYON | WMO95P06TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| WMO96N03T1 | WAYON | WMO96N03T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 288 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
WMP04N60C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 29W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
WMP04N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 29W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMP04N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 29W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 348 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
WMP04N70C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2.6A Power dissipation: 29W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMO20N15T2 |
Виробник: WAYON
WMO20N15T2-CYG SMD N channel transistors
WMO20N15T2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 433 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.38 грн |
| 45+ | 26.10 грн |
| 124+ | 24.72 грн |
| WMO20N20JN |
Виробник: WAYON
WMO20N20JN-CYG SMD N channel transistors
WMO20N20JN-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.02 грн |
| 61+ | 19.18 грн |
| 168+ | 18.19 грн |
| WMO20N65EM |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO252
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO252
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO20P04T1 |
Виробник: WAYON
WMO20P04T1-CYG SMD P channel transistors
WMO20P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.43 грн |
| 106+ | 11.07 грн |
| 290+ | 10.48 грн |
| WMO20P15TS |
Виробник: WAYON
WMO20P15TS-CYG SMD P channel transistors
WMO20P15TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 152 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.09 грн |
| 38+ | 31.44 грн |
| 103+ | 29.76 грн |
| 5000+ | 29.67 грн |
| WMO22N50C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 11A; Idm: 60A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 11A; Idm: 60A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO240N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 33.72 грн |
| 25+ | 16.56 грн |
| 28+ | 14.83 грн |
| 100+ | 13.18 грн |
| 250+ | 11.87 грн |
| 1000+ | 11.45 грн |
| WMO240N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; Idm: 144A; 56.8W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 144A
Power dissipation: 56.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.46 грн |
| 15+ | 20.64 грн |
| 25+ | 17.80 грн |
| 100+ | 15.82 грн |
| 250+ | 14.24 грн |
| 1000+ | 13.74 грн |
| WMO25N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 36.38 грн |
| 30+ | 14.17 грн |
| 39+ | 10.71 грн |
| 100+ | 9.48 грн |
| 250+ | 8.49 грн |
| 1000+ | 8.24 грн |
| WMO25N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.66 грн |
| 18+ | 17.66 грн |
| 25+ | 12.85 грн |
| 100+ | 11.37 грн |
| 250+ | 10.18 грн |
| 1000+ | 9.89 грн |
| WMO25N10T1 |
Виробник: WAYON
WMO25N10T1-CYG SMD N channel transistors
WMO25N10T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 409 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.36 грн |
| 90+ | 13.15 грн |
| 246+ | 12.36 грн |
| WMO25N50C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 13A; Idm: 65A; 135W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 13A; Idm: 65A; 135W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO25P03TS |
Виробник: WAYON
WMO25P03TS-CYG SMD P channel transistors
WMO25P03TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.60 грн |
| 103+ | 11.37 грн |
| 283+ | 10.78 грн |
| WMO25P04TS |
Виробник: WAYON
WMO25P04TS-CYG SMD P channel transistors
WMO25P04TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.39 грн |
| 95+ | 12.36 грн |
| 260+ | 11.67 грн |
| WMO25P06T1 |
Виробник: WAYON
WMO25P06T1-CYG SMD P channel transistors
WMO25P06T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 999 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.96 грн |
| 68+ | 17.40 грн |
| 185+ | 16.51 грн |
| WMO26N60C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO26N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 22.1nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Gate charge: 22.1nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO26N65F2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO28N15T2 |
Виробник: WAYON
WMO28N15T2-CYG SMD N channel transistors
WMO28N15T2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 208 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.05 грн |
| 38+ | 31.54 грн |
| 103+ | 29.86 грн |
| WMO30P03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 24W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 24W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 24W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 24W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 43.48 грн |
| 25+ | 16.64 грн |
| 33+ | 12.52 грн |
| 100+ | 11.12 грн |
| 250+ | 9.97 грн |
| WMO30P03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 24W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 24W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 24W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 24W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 349 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.18 грн |
| 15+ | 20.74 грн |
| 25+ | 15.03 грн |
| 100+ | 13.35 грн |
| 250+ | 11.96 грн |
| 1000+ | 11.67 грн |
| WMO30P10TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -35A; Idm: -140A; 119W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 119W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -35A; Idm: -140A; 119W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 119W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 39.04 грн |
| 19+ | 21.92 грн |
| 25+ | 19.69 грн |
| 100+ | 17.39 грн |
| WMO30P10TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -35A; Idm: -140A; 119W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 119W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -35A; Idm: -140A; 119W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 119W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.85 грн |
| 12+ | 27.31 грн |
| 25+ | 23.63 грн |
| 100+ | 20.86 грн |
| 250+ | 20.07 грн |
| WMO35N06T1 |
Виробник: WAYON
WMO35N06T1-CYG SMD N channel transistors
WMO35N06T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 426 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.64 грн |
| 87+ | 13.45 грн |
| 239+ | 12.76 грн |
| WMO35P04T1 |
Виробник: WAYON
WMO35P04T1-CYG SMD P channel transistors
WMO35P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 249 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 82+ | 14.44 грн |
| 224+ | 13.64 грн |
| WMO35P06TS |
Виробник: WAYON
WMO35P06TS-CYG SMD P channel transistors
WMO35P06TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.57 грн |
| 46+ | 25.61 грн |
| 126+ | 24.22 грн |
| WMO40N04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 31.06 грн |
| 32+ | 13.18 грн |
| 41+ | 10.05 грн |
| 100+ | 8.82 грн |
| 250+ | 8.32 грн |
| WMO40N04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 361 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.27 грн |
| 19+ | 16.43 грн |
| 25+ | 12.06 грн |
| 100+ | 10.58 грн |
| 250+ | 9.99 грн |
| WMO4N65D1B |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO4N80D1B |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO4N90D1C |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO50N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.83 грн |
| 26+ | 15.99 грн |
| 29+ | 14.34 грн |
| 100+ | 12.69 грн |
| 250+ | 11.37 грн |
| WMO50N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| 16+ | 19.92 грн |
| 25+ | 17.20 грн |
| 100+ | 15.23 грн |
| 250+ | 13.64 грн |
| 1000+ | 13.15 грн |
| WMO50P04T1 |
Виробник: WAYON
WMO50P04T1-CYG SMD P channel transistors
WMO50P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.72 грн |
| 60+ | 19.68 грн |
| 164+ | 18.59 грн |
| WMO55N03T1 |
Виробник: WAYON
WMO55N03T1-CYG SMD N channel transistors
WMO55N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.26 грн |
| 99+ | 11.96 грн |
| 271+ | 11.27 грн |
| WMO60N02T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 39.93 грн |
| 27+ | 15.33 грн |
| 36+ | 11.54 грн |
| 100+ | 10.22 грн |
| 250+ | 9.15 грн |
| 1000+ | 8.90 грн |
| WMO60N02T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 240A; 35.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 35.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.92 грн |
| 17+ | 19.10 грн |
| 25+ | 13.84 грн |
| 100+ | 12.26 грн |
| 250+ | 10.98 грн |
| 1000+ | 10.68 грн |
| WMO60N04T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 46.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 46.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.83 грн |
| 29+ | 14.25 грн |
| 33+ | 12.85 грн |
| 100+ | 11.29 грн |
| 250+ | 10.13 грн |
| WMO60N04T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 46.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 46.2W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 46.2W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| 18+ | 17.76 грн |
| 25+ | 15.42 грн |
| 100+ | 13.55 грн |
| 250+ | 12.16 грн |
| 1000+ | 11.87 грн |
| WMO60P02TS |
Виробник: WAYON
WMO60P02TS-CYG SMD P channel transistors
WMO60P02TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 457 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.47 грн |
| 90+ | 13.05 грн |
| 247+ | 12.36 грн |
| WMO60P03TS |
Виробник: WAYON
WMO60P03TS-CYG SMD P channel transistors
WMO60P03TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.84 грн |
| 53+ | 22.25 грн |
| 145+ | 21.06 грн |
| WMO690N15HG2 |
Виробник: WAYON
WMO690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
WMO690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.95 грн |
| 34+ | 34.61 грн |
| 93+ | 32.73 грн |
| WMO6N80D1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 45.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 6A; Idm: 24A; 45.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45.8W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO6N80D1B |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO75N04T1 |
Виробник: WAYON
WMO75N04T1-CYG SMD N channel transistors
WMO75N04T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 412 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.13 грн |
| 75+ | 15.72 грн |
| 206+ | 14.83 грн |
| WMO7N65D1B |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO80N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 59.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 59.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 59.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 59.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 42.59 грн |
| 23+ | 18.13 грн |
| 26+ | 16.31 грн |
| 100+ | 14.42 грн |
| 250+ | 12.94 грн |
| WMO80N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 59.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 59.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 59.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 59.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 322 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.11 грн |
| 14+ | 22.59 грн |
| 25+ | 19.58 грн |
| 100+ | 17.30 грн |
| 250+ | 15.52 грн |
| 1000+ | 15.23 грн |
| WMO80N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 92W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 92W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 92W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 92W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO80N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 92W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 92W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 92W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 92W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO80N08TS |
Виробник: WAYON
WMO80N08TS-CYG SMD N channel transistors
WMO80N08TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.48 грн |
| 41+ | 29.17 грн |
| 111+ | 27.59 грн |
| WMO80P04TS |
Виробник: WAYON
WMO80P04TS-CYG SMD P channel transistors
WMO80P04TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.96 грн |
| 35+ | 34.31 грн |
| 94+ | 32.43 грн |
| WMO90N02T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 90A; Idm: 222A; 39W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Case: TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 222A
Gate charge: 0.1µC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 90A; Idm: 222A; 39W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Case: TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 222A
Gate charge: 0.1µC
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 33.72 грн |
| 27+ | 15.57 грн |
| 35+ | 11.87 грн |
| 100+ | 10.46 грн |
| 250+ | 9.31 грн |
| WMO90N02T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 90A; Idm: 222A; 39W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Case: TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 222A
Gate charge: 0.1µC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 90A; Idm: 222A; 39W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Case: TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 222A
Gate charge: 0.1µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 442 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.46 грн |
| 16+ | 19.41 грн |
| 25+ | 14.24 грн |
| 100+ | 12.56 грн |
| 250+ | 11.17 грн |
| 1000+ | 10.98 грн |
| WMO95P06TS |
Виробник: WAYON
WMO95P06TS-CYG SMD P channel transistors
WMO95P06TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.31 грн |
| 27+ | 44.49 грн |
| 73+ | 42.12 грн |
| WMO96N03T1 |
Виробник: WAYON
WMO96N03T1-CYG SMD N channel transistors
WMO96N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 288 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.53 грн |
| 78+ | 15.13 грн |
| 213+ | 14.34 грн |
| WMP04N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMP04N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 52.35 грн |
| 23+ | 18.29 грн |
| 25+ | 16.48 грн |
| 80+ | 14.67 грн |
| WMP04N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.82 грн |
| 14+ | 22.79 грн |
| 25+ | 19.78 грн |
| 80+ | 17.60 грн |
| 480+ | 17.30 грн |
| WMP04N70C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 53.24 грн |
| 10+ | 41.20 грн |







