Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1022) > Сторінка 17 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMQ175N10LG4 WMQ175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 65.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.46 грн
23+17.12 грн
25+15.37 грн
73+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ20N06TS WMQ20N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.76 грн
31+12.38 грн
37+10.47 грн
100+9.79 грн
113+7.95 грн
309+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ25P06TS WMQ25P06TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.46 грн
16+24.92 грн
25+22.40 грн
50+18.27 грн
136+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ26P02TS WMQ26P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -26A
Pulsed drain current: -104A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.82 грн
36+10.86 грн
43+9.10 грн
100+8.56 грн
130+6.96 грн
357+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30N03T2 WMQ30N03T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 100A; 24W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.69 грн
24+16.05 грн
29+13.30 грн
88+10.32 грн
241+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30N06TS WMQ30N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 34.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 34.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.93 грн
29+13.30 грн
35+11.09 грн
100+10.47 грн
107+8.49 грн
293+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40N03T1 WMQ40N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.11 грн
30+13.00 грн
36+10.86 грн
100+10.24 грн
108+8.33 грн
297+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMR050N03LG4 WMR050N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 68A; 2.4W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 2.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.93 грн
29+13.23 грн
35+11.01 грн
100+10.40 грн
107+8.49 грн
293+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMR05N10TS WMR05N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 24A; 15W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.5nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.23 грн
55+6.96 грн
91+4.22 грн
102+3.78 грн
298+3.07 грн
820+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N03T1 WMR07N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 35A; 1.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.46 грн
36+10.63 грн
52+7.43 грн
100+6.64 грн
167+5.40 грн
460+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N06TS WMR07N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Case: DFN2020-6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.29 грн
37+10.55 грн
46+8.41 грн
100+7.95 грн
141+6.42 грн
389+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07P03TS WMR07P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.40 грн
33+11.77 грн
41+9.40 грн
100+8.94 грн
126+7.19 грн
346+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMR10N03T1 WMR10N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 26.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 26.6W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.9nC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.93 грн
32+12.31 грн
38+10.32 грн
100+9.79 грн
114+8.03 грн
314+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMR12P02T1 WMR12P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.5A; Idm: -46A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.5A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 3.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.11 грн
35+11.16 грн
49+7.83 грн
100+7.04 грн
157+5.70 грн
430+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMR140NV6LG4 WMR140NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 9A; Idm: 36A; 2.1W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.64 грн
35+10.93 грн
42+9.17 грн
100+8.64 грн
128+7.03 грн
351+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS048NV6HG4 WMS048NV6HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 18.5A; Idm: 74A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 74A
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 18.5A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.63 грн
12+32.41 грн
25+29.05 грн
38+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS048NV6LG4 WMS048NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 18.5A; Idm: 74A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 74A
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 18.5A
On-state resistance: 5.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.63 грн
12+32.41 грн
25+29.05 грн
38+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS WMS04P06TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.76 грн
33+11.70 грн
47+8.26 грн
100+7.34 грн
150+5.96 грн
412+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS05P06T1 WMS05P06T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.05 грн
29+13.53 грн
34+11.31 грн
100+10.70 грн
103+8.72 грн
283+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMS06N15T2 WMS06N15T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.8A; Idm: 23.2A; 3.2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2 WMS080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.22 грн
13+30.50 грн
25+27.45 грн
41+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DH04T1 WMS08DH04T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 7.5/-5.5A; 2.2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 7.5/-5.5A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24/47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.11 грн
28+14.07 грн
33+11.77 грн
100+9.02 грн
274+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DP03TS WMS08DP03TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+41.16 грн
21+18.50 грн
25+15.44 грн
76+11.77 грн
208+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08N06TS WMS08N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.87 грн
32+12.31 грн
39+9.86 грн
100+9.40 грн
120+7.49 грн
330+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08P03T1 WMS08P03T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.76 грн
33+11.85 грн
46+8.33 грн
100+7.49 грн
147+6.12 грн
404+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08P04TS WMS08P04TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8A; Idm: -32A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -32A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.99 грн
37+10.55 грн
44+8.79 грн
100+8.26 грн
134+6.73 грн
367+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMS09N06TS WMS09N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.52 грн
26+14.91 грн
31+12.38 грн
94+9.63 грн
257+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS WMS10DH04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 10/-8A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16/33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.11 грн
28+14.07 грн
33+11.77 грн
100+9.02 грн
274+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS119N10LG2 WMS119N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.5A; Idm: 38A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.10 грн
12+33.56 грн
25+30.12 грн
37+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13N03T1 WMS13N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.93 грн
29+13.46 грн
35+11.24 грн
100+10.63 грн
104+8.56 грн
286+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4 WMS140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.11 грн
23+17.05 грн
28+14.07 грн
79+11.39 грн
216+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4 WMS175N10HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+34.58 грн
21+18.27 грн
26+14.98 грн
75+12.08 грн
206+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4 WMS175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.76 грн
21+18.58 грн
25+16.74 грн
67+13.53 грн
184+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.29 грн
23+16.67 грн
28+13.68 грн
81+11.16 грн
222+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS690N15HG2 WMS690N15HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; Idm: 20A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 7.5nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.81 грн
13+31.80 грн
25+28.67 грн
39+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P10TS WMT04P10TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -14.4A; 3.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.29 грн
25+15.29 грн
28+13.76 грн
81+11.16 грн
222+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N12TS WMT05N12TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.6A; Idm: 18.4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 18.4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.76 грн
24+16.51 грн
26+14.83 грн
75+12.08 грн
206+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.57 грн
10+50.00 грн
23+40.52 грн
62+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.56 грн
14+68.04 грн
37+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1 WMX4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.86 грн
14+68.04 грн
37+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPD WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI WSRSIC005120NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.72 грн
9+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NNI WSRSIC006065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.90 грн
10+109.32 грн
11+87.92 грн
28+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPC WSRSIC006065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.15 грн
10+69.03 грн
16+55.88 грн
44+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPD WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.84 грн
10+90.21 грн
28+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.80 грн
10+70.33 грн
16+56.57 грн
44+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF WSRSIC008065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.96 грн
10+105.50 грн
11+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NNI WSRSIC010065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 1.5µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+199.24 грн
7+129.96 грн
19+123.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NPC WSRSIC010065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 1.5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 1.5µA
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.55 грн
10+100.15 грн
12+77.21 грн
32+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NPF WSRSIC010065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 1.5µA
Kind of package: tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+181.95 грн
8+121.55 грн
21+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NP4 WSRSIC020065NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 3uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 170A
Leakage current: 3µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPC WSRSIC020065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 6uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 152A
Leakage current: 6µA
Kind of package: tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.24 грн
8+125.38 грн
20+118.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS WSRSIC030065NPS WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.52 грн
3+314.97 грн
8+297.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ175N10LG4
WMQ175N10LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 65.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.46 грн
23+17.12 грн
25+15.37 грн
73+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ20N06TS
WMQ20N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.76 грн
31+12.38 грн
37+10.47 грн
100+9.79 грн
113+7.95 грн
309+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ25P06TS
WMQ25P06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.46 грн
16+24.92 грн
25+22.40 грн
50+18.27 грн
136+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ26P02TS
WMQ26P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -26A
Pulsed drain current: -104A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.82 грн
36+10.86 грн
43+9.10 грн
100+8.56 грн
130+6.96 грн
357+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30N03T2
WMQ30N03T2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 100A; 24W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.69 грн
24+16.05 грн
29+13.30 грн
88+10.32 грн
241+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30N06TS
WMQ30N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 34.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 34.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.93 грн
29+13.30 грн
35+11.09 грн
100+10.47 грн
107+8.49 грн
293+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40N03T1
WMQ40N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.11 грн
30+13.00 грн
36+10.86 грн
100+10.24 грн
108+8.33 грн
297+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMR050N03LG4
WMR050N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 68A; 2.4W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 2.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.93 грн
29+13.23 грн
35+11.01 грн
100+10.40 грн
107+8.49 грн
293+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMR05N10TS
WMR05N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 24A; 15W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.5nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.23 грн
55+6.96 грн
91+4.22 грн
102+3.78 грн
298+3.07 грн
820+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N03T1
WMR07N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 35A; 1.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.46 грн
36+10.63 грн
52+7.43 грн
100+6.64 грн
167+5.40 грн
460+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N06TS
WMR07N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Case: DFN2020-6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.29 грн
37+10.55 грн
46+8.41 грн
100+7.95 грн
141+6.42 грн
389+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07P03TS
WMR07P03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.40 грн
33+11.77 грн
41+9.40 грн
100+8.94 грн
126+7.19 грн
346+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMR10N03T1
WMR10N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 26.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 26.6W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.9nC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.93 грн
32+12.31 грн
38+10.32 грн
100+9.79 грн
114+8.03 грн
314+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMR12P02T1
WMR12P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.5A; Idm: -46A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.5A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 3.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.11 грн
35+11.16 грн
49+7.83 грн
100+7.04 грн
157+5.70 грн
430+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMR140NV6LG4
WMR140NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 9A; Idm: 36A; 2.1W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+29.64 грн
35+10.93 грн
42+9.17 грн
100+8.64 грн
128+7.03 грн
351+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS048NV6HG4
WMS048NV6HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 18.5A; Idm: 74A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 74A
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 18.5A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.63 грн
12+32.41 грн
25+29.05 грн
38+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS048NV6LG4
WMS048NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 18.5A; Idm: 74A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 74A
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 18.5A
On-state resistance: 5.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.63 грн
12+32.41 грн
25+29.05 грн
38+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS
WMS04P06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.76 грн
33+11.70 грн
47+8.26 грн
100+7.34 грн
150+5.96 грн
412+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS05P06T1
WMS05P06T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.05 грн
29+13.53 грн
34+11.31 грн
100+10.70 грн
103+8.72 грн
283+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMS06N15T2
WMS06N15T2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.8A; Idm: 23.2A; 3.2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2
WMS080N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.22 грн
13+30.50 грн
25+27.45 грн
41+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DH04T1
WMS08DH04T1
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 7.5/-5.5A; 2.2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 7.5/-5.5A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24/47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.11 грн
28+14.07 грн
33+11.77 грн
100+9.02 грн
274+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DP03TS
WMS08DP03TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.16 грн
21+18.50 грн
25+15.44 грн
76+11.77 грн
208+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08N06TS
WMS08N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+37.87 грн
32+12.31 грн
39+9.86 грн
100+9.40 грн
120+7.49 грн
330+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08P03T1
WMS08P03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.76 грн
33+11.85 грн
46+8.33 грн
100+7.49 грн
147+6.12 грн
404+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08P04TS
WMS08P04TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8A; Idm: -32A; 3.1W; SOP8
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -32A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.99 грн
37+10.55 грн
44+8.79 грн
100+8.26 грн
134+6.73 грн
367+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMS09N06TS
WMS09N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.52 грн
26+14.91 грн
31+12.38 грн
94+9.63 грн
257+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS
WMS10DH04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 10/-8A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16/33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.11 грн
28+14.07 грн
33+11.77 грн
100+9.02 грн
274+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS119N10LG2
WMS119N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.5A; Idm: 38A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.10 грн
12+33.56 грн
25+30.12 грн
37+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13N03T1
WMS13N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.93 грн
29+13.46 грн
35+11.24 грн
100+10.63 грн
104+8.56 грн
286+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4
WMS140DNV6LG4
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.11 грн
23+17.05 грн
28+14.07 грн
79+11.39 грн
216+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4
WMS175N10HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 36A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+34.58 грн
21+18.27 грн
26+14.98 грн
75+12.08 грн
206+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4
WMS175N10LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; Idm: 38A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.76 грн
21+18.58 грн
25+16.74 грн
67+13.53 грн
184+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.29 грн
23+16.67 грн
28+13.68 грн
81+11.16 грн
222+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS690N15HG2
WMS690N15HG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; Idm: 20A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 7.5nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.81 грн
13+31.80 грн
25+28.67 грн
39+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P10TS
WMT04P10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -14.4A; 3.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.29 грн
25+15.29 грн
28+13.76 грн
81+11.16 грн
222+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N12TS
WMT05N12TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 4.6A; Idm: 18.4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 18.4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.76 грн
24+16.51 грн
26+14.83 грн
75+12.08 грн
206+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+62.57 грн
10+50.00 грн
23+40.52 грн
62+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.56 грн
14+68.04 грн
37+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1
WMX4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.86 грн
14+68.04 грн
37+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPD
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 4A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI
WSRSIC005120NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.72 грн
9+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NNI
WSRSIC006065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.90 грн
10+109.32 грн
11+87.92 грн
28+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPC
WSRSIC006065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.15 грн
10+69.03 грн
16+55.88 грн
44+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPD
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 6A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.84 грн
10+90.21 грн
28+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.80 грн
10+70.33 грн
16+56.57 грн
44+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF
WSRSIC008065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.96 грн
10+105.50 грн
11+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NNI
WSRSIC010065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 1.5µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+199.24 грн
7+129.96 грн
19+123.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NPC
WSRSIC010065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 1.5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 75A
Leakage current: 1.5µA
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.55 грн
10+100.15 грн
12+77.21 грн
32+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NPF
WSRSIC010065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 1.5µA
Kind of package: tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+181.95 грн
8+121.55 грн
21+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NP4
WSRSIC020065NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; Ir: 3uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 170A
Leakage current: 3µA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPC
WSRSIC020065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; Ir: 6uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 152A
Leakage current: 6µA
Kind of package: tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.24 грн
8+125.38 грн
20+118.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS
WSRSIC030065NPS
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.52 грн
3+314.97 грн
8+297.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]