Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1121) > Сторінка 8 з 19

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
T435H-800AM T435H-800AM WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO252
Gate current: 35mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800L T435H-800L WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube; Ifsm: 40A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TE P0050150.00j5 WAYON 265V; 150R; 20%; 150°C; 200mA; dimensions: 7x5mm; r=6mm;   Thermistor PTC; 150R TE P0050150.00j5
кількість в упаковці: 32 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
64+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DH08D WM02DH08D WAYON WM02DH08D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.29 грн
50+8.53 грн
118+3.58 грн
132+3.22 грн
500+2.85 грн
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN080C WM02DN080C WAYON WM02DN080C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.48 грн
25+17.06 грн
30+14.19 грн
100+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN085C WM02DN085C WAYON WM02DN085C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.48 грн
25+17.06 грн
30+14.19 грн
100+13.43 грн
500+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08D WM02DN08D WAYON WM02DN08D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.47 грн
55+7.77 грн
131+3.24 грн
145+2.92 грн
500+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08T WM02DN08T WAYON WM02DN08T.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.47 грн
52+8.28 грн
86+4.97 грн
100+4.45 грн
500+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN095C WM02DN095C WAYON WM02DN095C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.48 грн
21+20.36 грн
25+16.98 грн
100+16.05 грн
500+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN110C WM02DN110C WAYON WM02DN110C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.47 грн
23+18.84 грн
28+15.46 грн
100+13.68 грн
500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN48A WM02DN48A WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.11 грн
45+9.46 грн
75+5.68 грн
100+5.10 грн
500+4.50 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN50M3 WM02DN50M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.47 грн
55+7.77 грн
131+3.24 грн
145+2.92 грн
500+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q WAYON WM02DN560Q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.49 грн
14+30.58 грн
25+27.45 грн
100+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3 WM02DN60M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.02 грн
44+9.63 грн
74+5.74 грн
100+5.15 грн
500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A WAYON WM02DN70A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.11 грн
33+13.01 грн
41+10.30 грн
100+9.80 грн
500+8.62 грн
2000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3 WAYON WM02DN70M3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.56 грн
38+11.23 грн
63+6.79 грн
100+6.05 грн
500+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T WAYON WM02DP06T.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.64A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.47 грн
52+8.28 грн
86+4.93 грн
100+4.43 грн
500+3.90 грн
3000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G WM02N20G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.38 грн
52+8.28 грн
120+3.55 грн
172+2.47 грн
500+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R WM02P160R WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.29 грн
35+12.42 грн
43+9.97 грн
100+9.38 грн
500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2 WM02P60M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.02 грн
44+9.63 грн
74+5.74 грн
100+5.15 грн
500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N115A WM03N115A WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.20 грн
33+12.84 грн
41+10.30 грн
100+9.80 грн
500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N57M WM03N57M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.20 грн
34+12.67 грн
79+5.37 грн
113+3.76 грн
500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M WM03N58M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.93 грн
42+10.14 грн
98+4.32 грн
140+3.02 грн
500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M2 WM03N58M2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.56 грн
56+7.60 грн
133+3.18 грн
148+2.85 грн
500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04N50M WM04N50M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 10nC
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.65 грн
39+10.90 грн
91+4.66 грн
130+3.27 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2 WM04P56M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -22.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02G WM05N02G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; Idm: 0.88A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.20 грн
38+11.15 грн
84+5.07 грн
199+2.13 грн
500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02M WM05N02M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.11 грн
37+11.57 грн
110+3.85 грн
262+1.61 грн
500+1.46 грн
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03G WM05N03G WAYON WM05N03G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.65 грн
56+7.60 грн
129+3.28 грн
186+2.28 грн
500+2.04 грн
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03M WM05N03M WAYON WM05N03M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.29 грн
46+9.29 грн
100+4.22 грн
240+1.77 грн
500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P20M WM05P20M WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -2A; Idm: -8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.56 грн
55+7.69 грн
132+3.21 грн
146+2.90 грн
500+2.57 грн
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WAYON WM06N03FB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WAYON WM06N03FE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE WAYON WM06N03GE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.93 грн
41+10.39 грн
89+4.76 грн
213+1.98 грн
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03HE WAYON WM06N03He.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE WAYON WM06N03LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.20 грн
38+11.32 грн
83+5.14 грн
197+2.15 грн
500+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME WAYON WM06N03ME.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02G WM10N02G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.5A
Gate charge: 1.5nC
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.56 грн
42+10.14 грн
92+4.59 грн
220+1.93 грн
500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02M WM10N02M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Gate charge: 1.5nC
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.02 грн
41+10.47 грн
121+3.51 грн
288+1.47 грн
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N20M WM10N20M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 5.3nC
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.20 грн
47+9.12 грн
109+3.89 грн
156+2.71 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N33M WM10N33M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.2A
Gate charge: 4nC
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.29 грн
51+8.36 грн
121+3.51 грн
135+3.13 грн
500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M2 WM10N35M2 WAYON WM10N35M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 21nC
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.38 грн
36+11.99 грн
59+7.20 грн
100+6.43 грн
500+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3 WAYON WM10N35M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 21nC
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.20 грн
34+12.58 грн
57+7.52 грн
100+6.76 грн
500+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A WAYON WM4C62160A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.65 грн
27+15.96 грн
33+13.18 грн
100+11.66 грн
500+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Gate charge: 14.5nC
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA6N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB007N03LG4 WMB007N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 220A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 220A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.95 грн
10+71.79 грн
25+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB009N03LG4 WMB009N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4 WAYON WMB010N04LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Power dissipation: 114W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.58 грн
10+56.84 грн
25+50.42 грн
100+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N04LG4 WMB014N04LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Drain current: 165A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.13 грн
10+52.45 грн
25+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06HG4 WMB014N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06LG4 WMB014N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB017N03LG2 WMB017N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N03LG4 WMB020N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 500A
Gate charge: 29.5nC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.49 грн
13+34.97 грн
25+31.42 грн
100+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N06HG4 WMB020N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.41 грн
10+66.56 грн
25+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB023N03LG2 WMB023N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.58 грн
12+35.64 грн
25+32.18 грн
100+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06HG4 WMB025N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.22 грн
10+59.55 грн
25+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06LG4 WMB025N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.22 грн
10+59.55 грн
25+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800AM
T435H-800AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO252
Gate current: 35mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800L
T435H-800L
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube; Ifsm: 40A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TE P0050150.00j5
Виробник: WAYON
265V; 150R; 20%; 150°C; 200mA; dimensions: 7x5mm; r=6mm;   Thermistor PTC; 150R TE P0050150.00j5
кількість в упаковці: 32 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DH08D WM02DH08D.pdf
WM02DH08D
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.29 грн
50+8.53 грн
118+3.58 грн
132+3.22 грн
500+2.85 грн
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN080C WM02DN080C.pdf
WM02DN080C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.48 грн
25+17.06 грн
30+14.19 грн
100+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN085C WM02DN085C.pdf
WM02DN085C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.48 грн
25+17.06 грн
30+14.19 грн
100+13.43 грн
500+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08D WM02DN08D.pdf
WM02DN08D
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.47 грн
55+7.77 грн
131+3.24 грн
145+2.92 грн
500+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08T WM02DN08T.pdf
WM02DN08T
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.47 грн
52+8.28 грн
86+4.97 грн
100+4.45 грн
500+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN095C WM02DN095C.pdf
WM02DN095C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.48 грн
21+20.36 грн
25+16.98 грн
100+16.05 грн
500+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN110C WM02DN110C.pdf
WM02DN110C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.47 грн
23+18.84 грн
28+15.46 грн
100+13.68 грн
500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN48A
WM02DN48A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.11 грн
45+9.46 грн
75+5.68 грн
100+5.10 грн
500+4.50 грн
2000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN50M3
WM02DN50M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.47 грн
55+7.77 грн
131+3.24 грн
145+2.92 грн
500+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q.pdf
WM02DN560Q
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.49 грн
14+30.58 грн
25+27.45 грн
100+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3
WM02DN60M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.02 грн
44+9.63 грн
74+5.74 грн
100+5.15 грн
500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A.pdf
WM02DN70A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.11 грн
33+13.01 грн
41+10.30 грн
100+9.80 грн
500+8.62 грн
2000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3.pdf
WM02DN70M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.56 грн
38+11.23 грн
63+6.79 грн
100+6.05 грн
500+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T.pdf
WM02DP06T
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.64A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.47 грн
52+8.28 грн
86+4.93 грн
100+4.43 грн
500+3.90 грн
3000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G
WM02N20G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.38 грн
52+8.28 грн
120+3.55 грн
172+2.47 грн
500+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R
WM02P160R
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.29 грн
35+12.42 грн
43+9.97 грн
100+9.38 грн
500+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2
WM02P60M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.02 грн
44+9.63 грн
74+5.74 грн
100+5.15 грн
500+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N115A
WM03N115A
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.20 грн
33+12.84 грн
41+10.30 грн
100+9.80 грн
500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N57M
WM03N57M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.20 грн
34+12.67 грн
79+5.37 грн
113+3.76 грн
500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M
WM03N58M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.93 грн
42+10.14 грн
98+4.32 грн
140+3.02 грн
500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M2
WM03N58M2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.56 грн
56+7.60 грн
133+3.18 грн
148+2.85 грн
500+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04N50M
WM04N50M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 10nC
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.65 грн
39+10.90 грн
91+4.66 грн
130+3.27 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2
WM04P56M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -22.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02G
WM05N02G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; Idm: 0.88A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.20 грн
38+11.15 грн
84+5.07 грн
199+2.13 грн
500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02M
WM05N02M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.11 грн
37+11.57 грн
110+3.85 грн
262+1.61 грн
500+1.46 грн
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03G WM05N03G.pdf
WM05N03G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.65 грн
56+7.60 грн
129+3.28 грн
186+2.28 грн
500+2.04 грн
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03M WM05N03M.pdf
WM05N03M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.29 грн
46+9.29 грн
100+4.22 грн
240+1.77 грн
500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P20M
WM05P20M
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -2A; Idm: -8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.56 грн
55+7.69 грн
132+3.21 грн
146+2.90 грн
500+2.57 грн
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WM06N03FB.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WM06N03FE.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE.pdf
WM06N03GE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.93 грн
41+10.39 грн
89+4.76 грн
213+1.98 грн
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03He.pdf
WM06N03HE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE.pdf
WM06N03LE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.20 грн
38+11.32 грн
83+5.14 грн
197+2.15 грн
500+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME.pdf
WM06N03ME
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02G
WM10N02G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.5A
Gate charge: 1.5nC
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.56 грн
42+10.14 грн
92+4.59 грн
220+1.93 грн
500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02M
WM10N02M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Gate charge: 1.5nC
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.02 грн
41+10.47 грн
121+3.51 грн
288+1.47 грн
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N20M
WM10N20M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 5.3nC
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.20 грн
47+9.12 грн
109+3.89 грн
156+2.71 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N33M
WM10N33M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.2A
Gate charge: 4nC
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.29 грн
51+8.36 грн
121+3.51 грн
135+3.13 грн
500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M2 WM10N35M2.pdf
WM10N35M2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 21nC
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.38 грн
36+11.99 грн
59+7.20 грн
100+6.43 грн
500+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3.pdf
WM10N35M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 21nC
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.20 грн
34+12.58 грн
57+7.52 грн
100+6.76 грн
500+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A.pdf
WM4C62160A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.65 грн
27+15.96 грн
33+13.18 грн
100+11.66 грн
500+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Gate charge: 14.5nC
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA6N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB007N03LG4
WMB007N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 220A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 220A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.95 грн
10+71.79 грн
25+64.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB009N03LG4
WMB009N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4.pdf
WMB010N04LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Power dissipation: 114W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.58 грн
10+56.84 грн
25+50.42 грн
100+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N04LG4
WMB014N04LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Drain current: 165A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.13 грн
10+52.45 грн
25+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06HG4
WMB014N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06LG4
WMB014N06LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB017N03LG2
WMB017N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N03LG4
WMB020N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 500A
Gate charge: 29.5nC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.49 грн
13+34.97 грн
25+31.42 грн
100+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N06HG4
WMB020N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.41 грн
10+66.56 грн
25+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB023N03LG2
WMB023N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.58 грн
12+35.64 грн
25+32.18 грн
100+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06HG4
WMB025N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.22 грн
10+59.55 грн
25+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06LG4
WMB025N06LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.22 грн
10+59.55 грн
25+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]