| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WM03P42M2 | WAYON | WM03P42M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P51A | WAYON | WM03P51A-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P56M2 | WAYON | WM03P56M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2649 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P91A | WAYON | WM03P91A-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM04N50M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM04N50M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM04P50M | WAYON | WM04P50M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM04P56M2 | WAYON | WM04P56M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05DP01D | WAYON | WM05DP01D-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05N02G | WAYON | WM05N02G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM05N02M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC Pulsed drain current: 1A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM05N02M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC Pulsed drain current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM05N03G | WAYON | WM05N03G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05N03M | WAYON | WM05N03M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05P01G | WAYON | WM05P01G-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05P01M | WAYON | WM05P01M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05P02F | WAYON |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.25A Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WM05P02G | WAYON | WM05P02G-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05P20M | WAYON | WM05P20M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06DN03DE | WAYON | WM06DN03DE-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 2754 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N03GE | WAYON | WM06N03GE-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM06N03HE | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 1.36A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.06nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WM06N03LE | WAYON | WM06N03LE-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N03ME | WAYON | WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N30M | WAYON | WM06N30M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N30MS | WAYON | WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06P17MR | WAYON | WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM10N02G | WAYON | WM10N02G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2944 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM10N02M | WAYON | WM10N02M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM10N20M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N20M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2327 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM10N33M | WAYON | WM10N33M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM10N35M2 | WAYON | WM10N35M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM10N35M3 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 2W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N35M3 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 2W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM10P20M2 | WAYON | WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM12N35M2 | WAYON | WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM15P10M2 | WAYON | WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM4C62160A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD Case: CSP1515-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common drain Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 19.5mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM4C62160A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD Case: CSP1515-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common drain Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 19.5mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
WM6C61042A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8A Power dissipation: 0.45W Case: CSP6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Version: ESD |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
WM6C61042A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8A Power dissipation: 0.45W Case: CSP6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMAA2N100D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 60W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.3Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMAA4N65D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 14.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMAA4N80D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 156W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: THT Gate charge: 24.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMAA4N80D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 96W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMAA6N80D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMB007N03LG4 | WAYON | WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB009N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB009N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB010N04LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 118nC On-state resistance: 1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 114W Drain current: 268A Pulsed drain current: 1072A Case: PDFN5060-8 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB010N04LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 118nC On-state resistance: 1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 114W Drain current: 268A Pulsed drain current: 1072A Case: PDFN5060-8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB014N04LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 165A Pulsed drain current: 660A Power dissipation: 62.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB014N04LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 165A Pulsed drain current: 660A Power dissipation: 62.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB014N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 278A Pulsed drain current: 1112A Power dissipation: 183.8W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
WMB014N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 278A Pulsed drain current: 1112A Power dissipation: 183.8W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB014N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 278A Pulsed drain current: 1112A Power dissipation: 183.8W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB017N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 63.3A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 30.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB017N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 63.3A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 30.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB020N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 50W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WM03P42M2 |
Виробник: WAYON
WM03P42M2-CYG SMD P channel transistors
WM03P42M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.49 грн |
| 447+ | 2.53 грн |
| 1229+ | 2.39 грн |
| WM03P51A |
Виробник: WAYON
WM03P51A-CYG SMD P channel transistors
WM03P51A-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.88 грн |
| 289+ | 3.91 грн |
| 794+ | 3.70 грн |
| WM03P56M2 |
Виробник: WAYON
WM03P56M2-CYG SMD P channel transistors
WM03P56M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.90 грн |
| 298+ | 3.79 грн |
| 820+ | 3.58 грн |
| WM03P91A |
Виробник: WAYON
WM03P91A-CYG SMD P channel transistors
WM03P91A-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.09 грн |
| 128+ | 8.80 грн |
| 353+ | 8.32 грн |
| WM04N50M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 30.91 грн |
| 40+ | 9.97 грн |
| 94+ | 4.24 грн |
| 135+ | 2.97 грн |
| 500+ | 2.69 грн |
| 3000+ | 2.13 грн |
| WM04N50M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.10 грн |
| 24+ | 12.42 грн |
| 57+ | 5.09 грн |
| 100+ | 3.57 грн |
| 500+ | 3.22 грн |
| 3000+ | 2.55 грн |
| 6000+ | 2.46 грн |
| WM04P50M |
Виробник: WAYON
WM04P50M-CYG SMD P channel transistors
WM04P50M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 426+ | 2.65 грн |
| 1172+ | 2.51 грн |
| WM04P56M2 |
Виробник: WAYON
WM04P56M2-CYG SMD P channel transistors
WM04P56M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.77 грн |
| 280+ | 4.04 грн |
| 768+ | 3.82 грн |
| WM05DP01D |
Виробник: WAYON
WM05DP01D-CYG Multi channel transistors
WM05DP01D-CYG Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 426+ | 2.65 грн |
| 1172+ | 2.51 грн |
| WM05N02G |
Виробник: WAYON
WM05N02G-CYG SMD N channel transistors
WM05N02G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.70 грн |
| 638+ | 1.77 грн |
| 1755+ | 1.67 грн |
| WM05N02M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 28.34 грн |
| 37+ | 11.00 грн |
| 109+ | 3.67 грн |
| 261+ | 1.53 грн |
| 500+ | 1.39 грн |
| 3000+ | 1.09 грн |
| WM05N02M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.01 грн |
| 22+ | 13.71 грн |
| 66+ | 4.40 грн |
| 157+ | 1.84 грн |
| 500+ | 1.66 грн |
| 3000+ | 1.31 грн |
| 6000+ | 1.27 грн |
| WM05N03G |
Виробник: WAYON
WM05N03G-CYG SMD N channel transistors
WM05N03G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 596+ | 1.89 грн |
| 1640+ | 1.79 грн |
| WM05N03M |
Виробник: WAYON
WM05N03M-CYG SMD N channel transistors
WM05N03M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.85 грн |
| 746+ | 1.51 грн |
| 2051+ | 1.44 грн |
| WM05P01G |
Виробник: WAYON
WM05P01G-CYG SMD P channel transistors
WM05P01G-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 154.57 грн |
| 662+ | 1.70 грн |
| 1819+ | 1.62 грн |
| WM05P01M |
Виробник: WAYON
WM05P01M-CYG SMD P channel transistors
WM05P01M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.24 грн |
| 812+ | 1.39 грн |
| 2234+ | 1.31 грн |
| WM05P02F |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM05P02G |
Виробник: WAYON
WM05P02G-CYG SMD P channel transistors
WM05P02G-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.70 грн |
| 638+ | 1.77 грн |
| 1755+ | 1.67 грн |
| WM05P20M |
Виробник: WAYON
WM05P20M-CYG SMD P channel transistors
WM05P20M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 426+ | 2.65 грн |
| 1172+ | 2.51 грн |
| WM06DN03DE |
Виробник: WAYON
WM06DN03DE-CYG Multi channel transistors
WM06DN03DE-CYG Multi channel transistors
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.84 грн |
| 443+ | 2.55 грн |
| 1219+ | 2.41 грн |
| WM06N03GE |
Виробник: WAYON
WM06N03GE-CYG SMD N channel transistors
WM06N03GE-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.51 грн |
| 688+ | 1.64 грн |
| 1890+ | 1.55 грн |
| WM06N03HE |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM06N03LE |
Виробник: WAYON
WM06N03LE-CYG SMD N channel transistors
WM06N03LE-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.70 грн |
| 638+ | 1.77 грн |
| 1755+ | 1.67 грн |
| WM06N03ME |
Виробник: WAYON
WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors
WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.41 грн |
| 995+ | 1.14 грн |
| 2732+ | 1.07 грн |
| WM06N30M |
Виробник: WAYON
WM06N30M-CYG SMD N channel transistors
WM06N30M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.49 грн |
| 447+ | 2.53 грн |
| 1229+ | 2.39 грн |
| WM06N30MS |
Виробник: WAYON
WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors
WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.75 грн |
| 407+ | 2.77 грн |
| 1117+ | 2.63 грн |
| WM06P17MR |
Виробник: WAYON
WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors
WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 426+ | 2.65 грн |
| 1172+ | 2.51 грн |
| WM10N02G |
Виробник: WAYON
WM10N02G-CYG SMD N channel transistors
WM10N02G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.75 грн |
| 589+ | 1.92 грн |
| 1619+ | 1.81 грн |
| WM10N02M |
Виробник: WAYON
WM10N02M-CYG SMD N channel transistors
WM10N02M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.66 грн |
| 893+ | 1.26 грн |
| 2458+ | 1.20 грн |
| WM10N20M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 25.76 грн |
| 49+ | 8.29 грн |
| 113+ | 3.54 грн |
| 161+ | 2.48 грн |
| 500+ | 2.23 грн |
| WM10N20M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.91 грн |
| 29+ | 10.33 грн |
| 68+ | 4.25 грн |
| 100+ | 2.98 грн |
| 500+ | 2.68 грн |
| 3000+ | 2.13 грн |
| 6000+ | 2.07 грн |
| WM10N33M |
Виробник: WAYON
WM10N33M-CYG SMD N channel transistors
WM10N33M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.16 грн |
| 389+ | 2.91 грн |
| 1069+ | 2.75 грн |
| WM10N35M2 |
Виробник: WAYON
WM10N35M2-CYG SMD N channel transistors
WM10N35M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.50 грн |
| 190+ | 5.97 грн |
| 520+ | 5.65 грн |
| WM10N35M3 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 39.50 грн |
| 32+ | 12.84 грн |
| 53+ | 7.65 грн |
| 100+ | 6.86 грн |
| 174+ | 5.42 грн |
| 477+ | 5.10 грн |
| WM10N35M3 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.40 грн |
| 19+ | 16.00 грн |
| 32+ | 9.19 грн |
| 100+ | 8.23 грн |
| 174+ | 6.51 грн |
| 477+ | 6.12 грн |
| 12000+ | 5.93 грн |
| WM10P20M2 |
Виробник: WAYON
WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.02 грн |
| 144+ | 7.85 грн |
| 396+ | 7.46 грн |
| WM12N35M2 |
Виробник: WAYON
WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.26 грн |
| 176+ | 6.41 грн |
| 484+ | 6.03 грн |
| WM15P10M2 |
Виробник: WAYON
WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.82 грн |
| 87+ | 13.01 грн |
| 239+ | 12.34 грн |
| WM4C62160A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 31.77 грн |
| 27+ | 14.99 грн |
| 33+ | 12.36 грн |
| 100+ | 10.92 грн |
| 500+ | 10.13 грн |
| WM4C62160A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.13 грн |
| 16+ | 18.68 грн |
| 25+ | 14.83 грн |
| 100+ | 13.11 грн |
| 500+ | 12.15 грн |
| 3000+ | 11.39 грн |
| WM6C61042A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.49 грн |
| 22+ | 18.26 грн |
| 25+ | 16.43 грн |
| 100+ | 14.51 грн |
| 500+ | 13.00 грн |
| WM6C61042A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.19 грн |
| 14+ | 22.75 грн |
| 25+ | 19.71 грн |
| 100+ | 17.41 грн |
| 500+ | 15.60 грн |
| 2000+ | 15.12 грн |
| WMAA2N100D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA4N65D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA4N80D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA4N80D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA6N80D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB007N03LG4 |
Виробник: WAYON
WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.99 грн |
| 18+ | 66.02 грн |
| 47+ | 62.20 грн |
| WMB009N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.26 грн |
| 10+ | 57.01 грн |
| 25+ | 50.24 грн |
| WMB009N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.32 грн |
| 10+ | 71.05 грн |
| 25+ | 60.28 грн |
| 100+ | 56.17 грн |
| 500+ | 54.35 грн |
| 3000+ | 52.53 грн |
| WMB010N04LG4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 61.83 грн |
| 10+ | 54.30 грн |
| 25+ | 48.16 грн |
| WMB010N04LG4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.19 грн |
| 10+ | 67.67 грн |
| 25+ | 57.79 грн |
| 100+ | 53.58 грн |
| 500+ | 51.77 грн |
| 3000+ | 50.04 грн |
| WMB014N04LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.40 грн |
| 10+ | 48.72 грн |
| 25+ | 42.90 грн |
| WMB014N04LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 77.28 грн |
| 10+ | 60.71 грн |
| 25+ | 51.48 грн |
| 100+ | 48.03 грн |
| 500+ | 46.41 грн |
| 3000+ | 44.88 грн |
| WMB014N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB014N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.12 грн |
| 10+ | 57.57 грн |
| 25+ | 51.03 грн |
| 100+ | 47.36 грн |
| WMB014N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.35 грн |
| 10+ | 71.74 грн |
| 25+ | 61.24 грн |
| 100+ | 56.84 грн |
| 500+ | 54.92 грн |
| 3000+ | 53.01 грн |
| WMB017N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.41 грн |
| WMB017N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 103.05 грн |
| 10+ | 54.55 грн |
| 25+ | 49.66 грн |
| 100+ | 43.73 грн |
| 500+ | 40.76 грн |
| 3000+ | 40.57 грн |
| WMB020N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 51.52 грн |
| 13+ | 32.61 грн |
| 25+ | 29.34 грн |
| 100+ | 25.99 грн |







