Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1172) > Сторінка 8 з 20

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
T2035H-800A WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2035H-800L T2035H-800L WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube; Ifsm: 200A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2035H-800N WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 35mA; TO262; THT; tube; Ifsm: 200A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO262
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2035H-800NB T2035H-800NB WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 35mA; TO263; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO263
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2050H-800K T2050H-800K WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 50mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 200A
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2535H-800A WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2535H-800AY WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; Igt: 35mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 250A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220-3
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3035H-800A WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 30A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Mounting: THT
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Gate current: 35mA
Case: TO220ABIns
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4050H-800EA WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 40A; Igt: 50mA; TO3PF; THT; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.4kA
Gate current: 50mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Kind of package: tube
Case: TO3PF
Type of thyristor: standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800AM T435H-800AM WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO252; SMD; Ifsm: 40A
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: standard
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800L T435H-800L WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Kind of package: tube
Type of thyristor: standard
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TE P0050150.00j5 WAYON 265V; 150R; 20%; 150°C; 200mA; dimensions: 7x5mm; r=6mm;   Thermistor PTC; 150R TE P0050150.00j5
кількість в упаковці: 32 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
64+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DH08D WM02DH08D WAYON WM02DH08D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.35 грн
50+8.55 грн
118+3.59 грн
132+3.23 грн
500+2.86 грн
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN080C WM02DN080C WAYON WM02DN080C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.58 грн
25+17.10 грн
30+14.22 грн
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN085C WM02DN085C WAYON WM02DN085C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.58 грн
25+17.10 грн
30+14.22 грн
100+13.46 грн
500+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08D WM02DN08D WAYON WM02DN08D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.53 грн
55+7.79 грн
131+3.25 грн
145+2.93 грн
500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08T WM02DN08T WAYON WM02DN08T.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 3A
Gate charge: 1.1nC
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
53+8.13 грн
87+4.88 грн
100+4.38 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN095C WM02DN095C WAYON WM02DN095C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.58 грн
21+20.40 грн
25+17.01 грн
100+16.08 грн
500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN110C WM02DN110C WAYON WM02DN110C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.55 грн
23+18.88 грн
28+15.49 грн
100+13.71 грн
500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN48A WM02DN48A WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.17 грн
45+9.48 грн
75+5.69 грн
100+5.11 грн
500+4.51 грн
2000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN50M3 WM02DN50M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.53 грн
55+7.79 грн
131+3.25 грн
145+2.93 грн
500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q WAYON WM02DN560Q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.61 грн
14+30.64 грн
25+27.51 грн
100+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3 WM02DN60M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.08 грн
44+9.65 грн
74+5.76 грн
100+5.16 грн
500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A WAYON WM02DN70A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.20 грн
33+13.04 грн
41+10.33 грн
100+9.82 грн
500+8.63 грн
2000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3 WAYON WM02DN70M3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.64 грн
38+11.26 грн
63+6.81 грн
100+6.06 грн
500+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T WAYON WM02DP06T.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: -2.64A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
53+8.13 грн
87+4.88 грн
100+4.38 грн
500+3.86 грн
3000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G WM02N20G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.44 грн
52+8.30 грн
120+3.56 грн
171+2.48 грн
500+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R WM02P160R WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.38 грн
35+12.44 грн
43+9.99 грн
100+9.40 грн
500+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2 WM02P60M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.08 грн
44+9.65 грн
74+5.79 грн
100+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03DP50A WM03DP50A WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
44+9.65 грн
64+6.67 грн
100+6.02 грн
500+5.34 грн
2000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N115A WM03N115A WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.29 грн
33+12.87 грн
41+10.33 грн
100+9.82 грн
500+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N57M WM03N57M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.29 грн
34+12.70 грн
79+5.38 грн
113+3.77 грн
500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M WM03N58M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.00 грн
42+10.16 грн
98+4.33 грн
140+3.03 грн
500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M2 WM03N58M2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
56+7.62 грн
133+3.18 грн
148+2.86 грн
500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03P42M WM03P42M WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
46+9.23 грн
108+3.93 грн
155+2.73 грн
500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04N50M WM04N50M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 10nC
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.73 грн
39+10.92 грн
91+4.67 грн
130+3.28 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2 WM04P56M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -22.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02G WM05N02G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; Idm: 0.88A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
38+11.17 грн
84+5.08 грн
199+2.13 грн
500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02M WM05N02M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.17 грн
37+11.60 грн
110+3.86 грн
262+1.62 грн
500+1.46 грн
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03G WM05N03G WAYON WM05N03G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
56+7.62 грн
129+3.28 грн
186+2.29 грн
500+2.05 грн
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03M WM05N03M WAYON WM05N03M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.35 грн
46+9.31 грн
100+4.23 грн
240+1.77 грн
500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02F WAYON WM05P02F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Case: DFN1006-3
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.1nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -0.25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02G WM05P02G WAYON WM05P02G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 300mW
Case: SOT323
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -200mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -0.8A
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
39+11.09 грн
84+5.08 грн
200+2.12 грн
500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02M WM05P02M WAYON WM05P02M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 380mW
Case: SOT23
Power dissipation: 0.38W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -200mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P20M WM05P20M WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -2A; Idm: -8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
55+7.70 грн
132+3.22 грн
146+2.90 грн
500+2.57 грн
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WAYON WM06N03FB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WAYON WM06N03FE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE WAYON WM06N03GE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.00 грн
41+10.41 грн
89+4.77 грн
213+1.99 грн
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03HE WAYON WM06N03He.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE WAYON WM06N03LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
38+11.34 грн
83+5.15 грн
197+2.15 грн
500+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME WAYON WM06N03ME.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02G WM10N02G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.5A
Gate charge: 1.5nC
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
42+10.16 грн
92+4.61 грн
220+1.93 грн
500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02M WM10N02M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Gate charge: 1.5nC
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.08 грн
41+10.50 грн
121+3.52 грн
288+1.47 грн
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N20M WM10N20M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 5.3nC
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
47+9.14 грн
109+3.89 грн
156+2.72 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N33M WM10N33M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.2A
Gate charge: 4nC
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.35 грн
51+8.38 грн
121+3.52 грн
135+3.14 грн
500+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M2 WM10N35M2 WAYON WM10N35M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 21nC
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.47 грн
36+12.02 грн
59+7.21 грн
100+6.44 грн
500+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3 WAYON WM10N35M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 21nC
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.29 грн
34+12.61 грн
57+7.53 грн
100+6.77 грн
500+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A WAYON WM4C62160A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.73 грн
27+16.00 грн
33+13.21 грн
100+11.68 грн
500+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Gate charge: 14.5nC
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2035H-800A
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2035H-800L
T2035H-800L
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube; Ifsm: 200A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2035H-800N
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 35mA; TO262; THT; tube; Ifsm: 200A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO262
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2035H-800NB
T2035H-800NB
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 35mA; TO263; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Case: TO263
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2050H-800K
T2050H-800K
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 50mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 200A
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
Max. load current: 20A
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 200A
Case: TO220-3
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2535H-800A
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2535H-800AY
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; Igt: 35mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 250A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220-3
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3035H-800A
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 30A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Mounting: THT
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Gate current: 35mA
Case: TO220ABIns
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4050H-800EA
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 40A; Igt: 50mA; TO3PF; THT; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 0.4kA
Gate current: 50mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 40A
Kind of package: tube
Case: TO3PF
Type of thyristor: standard
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800AM
T435H-800AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO252; SMD; Ifsm: 40A
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Kind of package: reel; tape
Type of thyristor: standard
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800L
T435H-800L
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Kind of package: tube
Type of thyristor: standard
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TE P0050150.00j5
Виробник: WAYON
265V; 150R; 20%; 150°C; 200mA; dimensions: 7x5mm; r=6mm;   Thermistor PTC; 150R TE P0050150.00j5
кількість в упаковці: 32 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DH08D WM02DH08D.pdf
WM02DH08D
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.35 грн
50+8.55 грн
118+3.59 грн
132+3.23 грн
500+2.86 грн
3000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN080C WM02DN080C.pdf
WM02DN080C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.58 грн
25+17.10 грн
30+14.22 грн
100+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN085C WM02DN085C.pdf
WM02DN085C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.58 грн
25+17.10 грн
30+14.22 грн
100+13.46 грн
500+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08D WM02DN08D.pdf
WM02DN08D
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.53 грн
55+7.79 грн
131+3.25 грн
145+2.93 грн
500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08T WM02DN08T.pdf
WM02DN08T
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 3A
Gate charge: 1.1nC
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
53+8.13 грн
87+4.88 грн
100+4.38 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN095C WM02DN095C.pdf
WM02DN095C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.58 грн
21+20.40 грн
25+17.01 грн
100+16.08 грн
500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN110C WM02DN110C.pdf
WM02DN110C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.55 грн
23+18.88 грн
28+15.49 грн
100+13.71 грн
500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN48A
WM02DN48A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.17 грн
45+9.48 грн
75+5.69 грн
100+5.11 грн
500+4.51 грн
2000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN50M3
WM02DN50M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.53 грн
55+7.79 грн
131+3.25 грн
145+2.93 грн
500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q.pdf
WM02DN560Q
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.61 грн
14+30.64 грн
25+27.51 грн
100+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3
WM02DN60M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.08 грн
44+9.65 грн
74+5.76 грн
100+5.16 грн
500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A.pdf
WM02DN70A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.20 грн
33+13.04 грн
41+10.33 грн
100+9.82 грн
500+8.63 грн
2000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3.pdf
WM02DN70M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.64 грн
38+11.26 грн
63+6.81 грн
100+6.06 грн
500+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T.pdf
WM02DP06T
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: -2.64A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
53+8.13 грн
87+4.88 грн
100+4.38 грн
500+3.86 грн
3000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G
WM02N20G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.44 грн
52+8.30 грн
120+3.56 грн
171+2.48 грн
500+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R
WM02P160R
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.38 грн
35+12.44 грн
43+9.99 грн
100+9.40 грн
500+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2
WM02P60M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.08 грн
44+9.65 грн
74+5.79 грн
100+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03DP50A
WM03DP50A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
44+9.65 грн
64+6.67 грн
100+6.02 грн
500+5.34 грн
2000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N115A
WM03N115A
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.29 грн
33+12.87 грн
41+10.33 грн
100+9.82 грн
500+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N57M
WM03N57M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.29 грн
34+12.70 грн
79+5.38 грн
113+3.77 грн
500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M
WM03N58M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.00 грн
42+10.16 грн
98+4.33 грн
140+3.03 грн
500+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M2
WM03N58M2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
56+7.62 грн
133+3.18 грн
148+2.86 грн
500+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03P42M
WM03P42M
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
46+9.23 грн
108+3.93 грн
155+2.73 грн
500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04N50M
WM04N50M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 10nC
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.73 грн
39+10.92 грн
91+4.67 грн
130+3.28 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2
WM04P56M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -22.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02G
WM05N02G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; Idm: 0.88A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
38+11.17 грн
84+5.08 грн
199+2.13 грн
500+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02M
WM05N02M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.17 грн
37+11.60 грн
110+3.86 грн
262+1.62 грн
500+1.46 грн
3000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03G WM05N03G.pdf
WM05N03G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.70 грн
56+7.62 грн
129+3.28 грн
186+2.29 грн
500+2.05 грн
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03M WM05N03M.pdf
WM05N03M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.35 грн
46+9.31 грн
100+4.23 грн
240+1.77 грн
500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02F WM05P02F.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Case: DFN1006-3
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.1nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -0.25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02G WM05P02G.pdf
WM05P02G
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 300mW
Case: SOT323
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -200mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -0.8A
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
39+11.09 грн
84+5.08 грн
200+2.12 грн
500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02M WM05P02M.pdf
WM05P02M
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 380mW
Case: SOT23
Power dissipation: 0.38W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -200mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P20M
WM05P20M
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -2A; Idm: -8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
55+7.70 грн
132+3.22 грн
146+2.90 грн
500+2.57 грн
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WM06N03FB.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WM06N03FE.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE.pdf
WM06N03GE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.00 грн
41+10.41 грн
89+4.77 грн
213+1.99 грн
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03He.pdf
WM06N03HE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE.pdf
WM06N03LE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
38+11.34 грн
83+5.15 грн
197+2.15 грн
500+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME.pdf
WM06N03ME
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02G
WM10N02G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.5A
Gate charge: 1.5nC
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
42+10.16 грн
92+4.61 грн
220+1.93 грн
500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02M
WM10N02M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Gate charge: 1.5nC
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.08 грн
41+10.50 грн
121+3.52 грн
288+1.47 грн
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N20M
WM10N20M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
Gate charge: 5.3nC
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
47+9.14 грн
109+3.89 грн
156+2.72 грн
500+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N33M
WM10N33M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.2A
Gate charge: 4nC
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.35 грн
51+8.38 грн
121+3.52 грн
135+3.14 грн
500+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M2 WM10N35M2.pdf
WM10N35M2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 21nC
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.47 грн
36+12.02 грн
59+7.21 грн
100+6.44 грн
500+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3.pdf
WM10N35M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
Gate charge: 21nC
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.29 грн
34+12.61 грн
57+7.53 грн
100+6.77 грн
500+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A.pdf
WM4C62160A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.73 грн
27+16.00 грн
33+13.21 грн
100+11.68 грн
500+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Gate charge: 14.5nC
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]