| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WM05N03M | WAYON | WM05N03M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05P01G | WAYON | WM05P01G-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05P01M | WAYON | WM05P01M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05P02F | WAYON |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.25A Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WM05P02G | WAYON | WM05P02G-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05P20M | WAYON | WM05P20M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06DN03DE | WAYON | WM06DN03DE-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 2754 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N03GE | WAYON | WM06N03GE-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM06N03HE | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 1.36A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.06nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WM06N03LE | WAYON | WM06N03LE-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N03ME | WAYON | WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N30M | WAYON | WM06N30M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N30MS | WAYON | WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06P17MR | WAYON | WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM10N02G | WAYON | WM10N02G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2944 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM10N02M | WAYON | WM10N02M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM10N20M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N20M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2327 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM10N33M | WAYON | WM10N33M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2863 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM10N35M2 | WAYON | WM10N35M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM10N35M3 | WAYON | WM10N35M3-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM10P20M2 | WAYON | WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM12N35M2 | WAYON | WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM15P10M2 | WAYON | WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM4C62160A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD Case: CSP1515-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common drain Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 19.5mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM4C62160A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD Case: CSP1515-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: common drain Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC On-state resistance: 19.5mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 8A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
WM6C61042A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8A Power dissipation: 0.45W Case: CSP6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Version: ESD |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
WM6C61042A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8A Power dissipation: 0.45W Case: CSP6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMAA2N100D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 60W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6.3Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMAA4N65D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 14.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMAA4N80D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 156W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: THT Gate charge: 24.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMAA4N80D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 96W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMB007N03LG4 | WAYON | WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB009N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB009N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB010N04LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 118nC On-state resistance: 1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 114W Drain current: 268A Pulsed drain current: 1072A Case: PDFN5060-8 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB010N04LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 118nC On-state resistance: 1mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 114W Drain current: 268A Pulsed drain current: 1072A Case: PDFN5060-8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB014N04LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 165A Pulsed drain current: 660A Power dissipation: 62.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB014N04LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 165A Pulsed drain current: 660A Power dissipation: 62.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 116nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB014N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 278A Pulsed drain current: 1112A Power dissipation: 183.8W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
WMB014N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 278A Pulsed drain current: 1112A Power dissipation: 183.8W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB014N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 278A Pulsed drain current: 1112A Power dissipation: 183.8W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB017N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 63.3A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 30.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB017N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 63.3A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 30.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB020N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 50W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB020N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 50W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB020N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 174A Pulsed drain current: 696A Power dissipation: 113.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 69nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB020N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 174A Pulsed drain current: 696A Power dissipation: 113.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 69nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB023N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 67A Pulsed drain current: 251A Power dissipation: 49W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB023N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 67A Pulsed drain current: 251A Power dissipation: 49W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB027N08HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 195A Pulsed drain current: 780A Power dissipation: 192.3W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
WMB02DN10T1 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 6.94W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB02DN10T1 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 6.94W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB034N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB034N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB034N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WM05N03M |
Виробник: WAYON
WM05N03M-CYG SMD N channel transistors
WM05N03M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.18 грн |
| 746+ | 1.53 грн |
| 2051+ | 1.45 грн |
| WM05P01G |
Виробник: WAYON
WM05P01G-CYG SMD P channel transistors
WM05P01G-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 156.02 грн |
| 662+ | 1.72 грн |
| 1819+ | 1.63 грн |
| WM05P01M |
Виробник: WAYON
WM05P01M-CYG SMD P channel transistors
WM05P01M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.59 грн |
| 812+ | 1.40 грн |
| 2234+ | 1.32 грн |
| WM05P02F |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM05P02G |
Виробник: WAYON
WM05P02G-CYG SMD P channel transistors
WM05P02G-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.01 грн |
| 638+ | 1.79 грн |
| 1755+ | 1.69 грн |
| WM05P20M |
Виробник: WAYON
WM05P20M-CYG SMD P channel transistors
WM05P20M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.61 грн |
| 426+ | 2.68 грн |
| 1172+ | 2.53 грн |
| WM06DN03DE |
Виробник: WAYON
WM06DN03DE-CYG Multi channel transistors
WM06DN03DE-CYG Multi channel transistors
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.20 грн |
| 443+ | 2.57 грн |
| 1219+ | 2.43 грн |
| WM06N03GE |
Виробник: WAYON
WM06N03GE-CYG SMD N channel transistors
WM06N03GE-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.86 грн |
| 688+ | 1.65 грн |
| 1890+ | 1.56 грн |
| WM06N03HE |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM06N03LE |
Виробник: WAYON
WM06N03LE-CYG SMD N channel transistors
WM06N03LE-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.01 грн |
| 638+ | 1.79 грн |
| 1755+ | 1.69 грн |
| WM06N03ME |
Виробник: WAYON
WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors
WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.73 грн |
| 995+ | 1.15 грн |
| 2732+ | 1.08 грн |
| WM06N30M |
Виробник: WAYON
WM06N30M-CYG SMD N channel transistors
WM06N30M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.85 грн |
| 447+ | 2.55 грн |
| 1229+ | 2.41 грн |
| WM06N30MS |
Виробник: WAYON
WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors
WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.05 грн |
| 407+ | 2.80 грн |
| 1117+ | 2.66 грн |
| WM06P17MR |
Виробник: WAYON
WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors
WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.61 грн |
| 426+ | 2.68 грн |
| 1172+ | 2.53 грн |
| WM10N02G |
Виробник: WAYON
WM10N02G-CYG SMD N channel transistors
WM10N02G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.05 грн |
| 589+ | 1.94 грн |
| 1619+ | 1.83 грн |
| WM10N02M |
Виробник: WAYON
WM10N02M-CYG SMD N channel transistors
WM10N02M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.03 грн |
| 893+ | 1.27 грн |
| 2458+ | 1.21 грн |
| WM10N20M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 26.00 грн |
| 49+ | 8.37 грн |
| 113+ | 3.57 грн |
| 161+ | 2.50 грн |
| 500+ | 2.25 грн |
| WM10N20M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.20 грн |
| 29+ | 10.43 грн |
| 68+ | 4.29 грн |
| 100+ | 3.00 грн |
| 500+ | 2.70 грн |
| 3000+ | 2.15 грн |
| 6000+ | 2.09 грн |
| WM10N33M |
Виробник: WAYON
WM10N33M-CYG SMD N channel transistors
WM10N33M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.47 грн |
| 389+ | 2.94 грн |
| 1069+ | 2.77 грн |
| WM10N35M2 |
Виробник: WAYON
WM10N35M2-CYG SMD N channel transistors
WM10N35M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.92 грн |
| 190+ | 6.03 грн |
| 520+ | 5.70 грн |
| WM10N35M3 |
Виробник: WAYON
WM10N35M3-CYG SMD N channel transistors
WM10N35M3-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.72 грн |
| 176+ | 6.47 грн |
| 484+ | 6.08 грн |
| WM10P20M2 |
Виробник: WAYON
WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.47 грн |
| 144+ | 7.92 грн |
| 396+ | 7.53 грн |
| WM12N35M2 |
Виробник: WAYON
WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.72 грн |
| 176+ | 6.47 грн |
| 484+ | 6.08 грн |
| WM15P10M2 |
Виробник: WAYON
WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.33 грн |
| 87+ | 13.14 грн |
| 239+ | 12.46 грн |
| WM4C62160A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.07 грн |
| 27+ | 15.13 грн |
| 33+ | 12.48 грн |
| 100+ | 11.03 грн |
| 500+ | 10.22 грн |
| WM4C62160A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.48 грн |
| 16+ | 18.86 грн |
| 25+ | 14.97 грн |
| 100+ | 13.23 грн |
| 500+ | 12.27 грн |
| 3000+ | 11.49 грн |
| WM6C61042A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.80 грн |
| 22+ | 18.43 грн |
| 25+ | 16.58 грн |
| 100+ | 14.65 грн |
| 500+ | 13.12 грн |
| WM6C61042A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 8A; 450mW; CSP6; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8A
Power dissipation: 0.45W
Case: CSP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.56 грн |
| 14+ | 22.97 грн |
| 25+ | 19.90 грн |
| 100+ | 17.58 грн |
| 500+ | 15.74 грн |
| 2000+ | 15.26 грн |
| WMAA2N100D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 60W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA4N65D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA4N80D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA4N80D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB007N03LG4 |
Виробник: WAYON
WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.93 грн |
| 18+ | 66.64 грн |
| 47+ | 62.78 грн |
| WMB009N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.87 грн |
| 10+ | 57.55 грн |
| 25+ | 50.71 грн |
| WMB009N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.05 грн |
| 10+ | 71.71 грн |
| 25+ | 60.85 грн |
| 100+ | 56.69 грн |
| 500+ | 54.86 грн |
| 3000+ | 53.02 грн |
| WMB010N04LG4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 62.41 грн |
| 10+ | 54.81 грн |
| 25+ | 48.61 грн |
| WMB010N04LG4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Case: PDFN5060-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.89 грн |
| 10+ | 68.30 грн |
| 25+ | 58.34 грн |
| 100+ | 54.09 грн |
| 500+ | 52.25 грн |
| 3000+ | 50.51 грн |
| WMB014N04LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.01 грн |
| 10+ | 49.18 грн |
| 25+ | 43.30 грн |
| WMB014N04LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.01 грн |
| 10+ | 61.28 грн |
| 25+ | 51.96 грн |
| 100+ | 48.48 грн |
| 500+ | 46.84 грн |
| 3000+ | 45.30 грн |
| WMB014N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB014N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.74 грн |
| 10+ | 58.11 грн |
| 25+ | 51.51 грн |
| 100+ | 47.81 грн |
| WMB014N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.09 грн |
| 10+ | 72.41 грн |
| 25+ | 61.81 грн |
| 100+ | 57.37 грн |
| 500+ | 55.44 грн |
| 3000+ | 53.51 грн |
| WMB017N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.75 грн |
| WMB017N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.01 грн |
| 10+ | 54.36 грн |
| 25+ | 49.45 грн |
| 100+ | 43.56 грн |
| 500+ | 41.14 грн |
| WMB020N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 51.14 грн |
| 13+ | 32.44 грн |
| 25+ | 29.14 грн |
| 100+ | 25.84 грн |
| WMB020N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.37 грн |
| 10+ | 40.42 грн |
| 25+ | 34.96 грн |
| 100+ | 31.00 грн |
| 500+ | 28.68 грн |
| 3000+ | 26.85 грн |
| WMB020N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.14 грн |
| 10+ | 56.34 грн |
| 25+ | 49.90 грн |
| WMB020N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.97 грн |
| 10+ | 70.21 грн |
| 25+ | 59.88 грн |
| 100+ | 55.53 грн |
| WMB023N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 51.14 грн |
| 13+ | 33.24 грн |
| 25+ | 29.94 грн |
| 100+ | 26.40 грн |
| WMB023N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.37 грн |
| 10+ | 41.42 грн |
| 25+ | 35.93 грн |
| 100+ | 31.68 грн |
| 500+ | 29.55 грн |
| 3000+ | 27.62 грн |
| WMB025N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 63.27 грн |
| 10+ | 55.37 грн |
| 25+ | 49.10 грн |
| WMB025N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.93 грн |
| 10+ | 69.00 грн |
| 25+ | 58.92 грн |
| 100+ | 54.57 грн |
| 500+ | 52.83 грн |
| 3000+ | 51.48 грн |
| WMB025N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 63.27 грн |
| 10+ | 55.37 грн |
| 25+ | 49.10 грн |
| WMB025N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.93 грн |
| 10+ | 69.00 грн |
| 25+ | 58.92 грн |
| 100+ | 54.57 грн |
| 500+ | 52.83 грн |
| 3000+ | 51.48 грн |
| WMB027N08HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB02DN10T1 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 6.94W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 6.94W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 42.47 грн |
| 22+ | 18.99 грн |
| 26+ | 15.94 грн |
| 100+ | 14.97 грн |
| 500+ | 13.20 грн |
| WMB02DN10T1 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 6.94W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 6.94W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 6.94W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.97 грн |
| 13+ | 23.67 грн |
| 25+ | 19.12 грн |
| 100+ | 17.96 грн |
| 500+ | 15.84 грн |
| 3000+ | 14.29 грн |
| 6000+ | 13.81 грн |
| WMB034N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.14 грн |
| 10+ | 51.03 грн |
| 25+ | 45.23 грн |
| WMB034N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.97 грн |
| 10+ | 63.59 грн |
| 25+ | 54.28 грн |
| 100+ | 50.22 грн |
| 500+ | 48.58 грн |
| 3000+ | 46.94 грн |
| WMB034N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.14 грн |
| 10+ | 51.19 грн |
| 25+ | 45.39 грн |






