| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WMB025N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB027N08HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 195A Pulsed drain current: 780A Power dissipation: 192.3W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMB02DN10T1 | WAYON | WMB02DN10T1-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB034N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB034N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB034N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB034N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB03DN06T1 | WAYON | WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB040N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 38A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 28W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB040N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 38A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 28W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB040N08HGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 130A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 122.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB040N08HGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 130A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 122.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB042DN03LG2 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 45/50A Power dissipation: 26/27.1W Case: PDFN5060D-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5/4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8/15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB042DN03LG2 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 45/50A Power dissipation: 26/27.1W Case: PDFN5060D-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5/4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8/15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB043N10HGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 131.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB043N10HGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 131.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB043N10LGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 131.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 111.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB043N10LGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 131.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 111.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB048NV6HG4 | WAYON | WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB048NV6LG4 | WAYON | WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB049N12HG2 | WAYON | WMB049N12HG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB050N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 31.25W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB050N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 31.25W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB060N08LG2 | WAYON | WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB060N10HGS | WAYON | WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB060N10LGS | WAYON | WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB072N12HG2 | WAYON | WMB072N12HG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB072N12LG2-S | WAYON | WMB072N12LG2-S-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB080N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 30.4W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 30.4W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N10HG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 80.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N10HG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 80.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46.8A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 84W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46.8A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 84W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB090DN04LG2 | WAYON | WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB090DNV6LG4 | WAYON | WMB090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB090N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 32.9W Drain current: 33A Pulsed drain current: 200A Gate charge: 6.5nC |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB090N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 32.9W Drain current: 33A Pulsed drain current: 200A Gate charge: 6.5nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB090NV6LG4 | WAYON | WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB098N03LG2 | WAYON | WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB099N10HGS | WAYON | WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB099N10LG2 | WAYON | WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB099N10LGS | WAYON | WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB100N04TS | WAYON | WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB100N07TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 125W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
WMB100P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Pulsed drain current: -400A Power dissipation: 73.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 134nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB100P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Pulsed drain current: -400A Power dissipation: 73.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 134nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB108N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 108A Pulsed drain current: 432A Power dissipation: 69W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB108N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 108A Pulsed drain current: 432A Power dissipation: 69W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB115N15HG4 | WAYON | WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB119N10LG2 | WAYON | WMB119N10LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB119N12HG4 | WAYON | WMB119N12HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB119N12LG4 | WAYON | WMB119N12LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB128N10T2 | WAYON | WMB128N10T2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB129N10T2 | WAYON | WMB129N10T2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB13N65EM | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ EM Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 31W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
WMB140DNV6LG4 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 25W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMB025N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.47 грн |
| 10+ | 56.67 грн |
| 25+ | 50.19 грн |
| WMB025N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.36 грн |
| 10+ | 70.61 грн |
| 25+ | 60.23 грн |
| 100+ | 55.80 грн |
| 500+ | 54.03 грн |
| 3000+ | 52.45 грн |
| WMB025N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.47 грн |
| 10+ | 56.67 грн |
| 25+ | 50.19 грн |
| WMB025N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.36 грн |
| 10+ | 70.61 грн |
| 25+ | 60.23 грн |
| 100+ | 55.80 грн |
| 500+ | 54.03 грн |
| 3000+ | 52.45 грн |
| WMB027N08HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB02DN10T1 |
Виробник: WAYON
WMB02DN10T1-CYG Multi channel transistors
WMB02DN10T1-CYG Multi channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.92 грн |
| 75+ | 15.65 грн |
| 206+ | 14.76 грн |
| WMB034N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.35 грн |
| 10+ | 51.99 грн |
| 25+ | 46.09 грн |
| WMB034N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.42 грн |
| 10+ | 64.79 грн |
| 25+ | 55.30 грн |
| 100+ | 51.17 грн |
| 500+ | 49.50 грн |
| 3000+ | 47.83 грн |
| WMB034N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.35 грн |
| 10+ | 52.16 грн |
| 25+ | 46.25 грн |
| WMB034N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.42 грн |
| 10+ | 64.99 грн |
| 25+ | 55.50 грн |
| 100+ | 51.47 грн |
| 500+ | 49.79 грн |
| 3000+ | 48.02 грн |
| WMB03DN06T1 |
Виробник: WAYON
WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.92 грн |
| 75+ | 15.65 грн |
| 206+ | 14.76 грн |
| WMB040N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.44 грн |
| 22+ | 19.19 грн |
| 25+ | 17.22 грн |
| 100+ | 15.25 грн |
| WMB040N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 13+ | 23.91 грн |
| 25+ | 20.67 грн |
| 100+ | 18.30 грн |
| 500+ | 17.02 грн |
| 3000+ | 16.04 грн |
| WMB040N08HGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 77.72 грн |
| 10+ | 68.06 грн |
| 25+ | 60.68 грн |
| WMB040N08HGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.26 грн |
| 10+ | 84.82 грн |
| 25+ | 72.82 грн |
| 100+ | 66.92 грн |
| 500+ | 64.95 грн |
| 3000+ | 62.98 грн |
| WMB042DN03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 68.00 грн |
| 10+ | 50.68 грн |
| 25+ | 47.89 грн |
| WMB042DN03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.60 грн |
| 10+ | 63.15 грн |
| 25+ | 57.47 грн |
| 100+ | 50.88 грн |
| 500+ | 47.24 грн |
| 3000+ | 44.09 грн |
| WMB043N10HGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 68.88 грн |
| 10+ | 60.85 грн |
| 25+ | 53.96 грн |
| WMB043N10HGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.66 грн |
| 10+ | 75.83 грн |
| 25+ | 64.75 грн |
| 100+ | 60.03 грн |
| 500+ | 58.06 грн |
| 3000+ | 56.09 грн |
| WMB043N10LGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 68.88 грн |
| 10+ | 60.85 грн |
| 25+ | 53.96 грн |
| 100+ | 50.02 грн |
| WMB043N10LGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.66 грн |
| 10+ | 75.83 грн |
| 25+ | 64.75 грн |
| 100+ | 60.03 грн |
| 500+ | 58.06 грн |
| 3000+ | 56.09 грн |
| WMB048NV6HG4 |
Виробник: WAYON
WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.26 грн |
| 37+ | 31.59 грн |
| 102+ | 29.92 грн |
| WMB048NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.22 грн |
| 41+ | 29.03 грн |
| 111+ | 27.46 грн |
| WMB049N12HG2 |
Виробник: WAYON
WMB049N12HG2-CYG SMD N channel transistors
WMB049N12HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.14 грн |
| 12+ | 105.30 грн |
| 31+ | 100.38 грн |
| WMB050N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.44 грн |
| 26+ | 16.16 грн |
| 31+ | 13.37 грн |
| 100+ | 11.73 грн |
| WMB050N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 16+ | 20.13 грн |
| 25+ | 16.04 грн |
| 100+ | 14.07 грн |
| 500+ | 13.09 грн |
| 3000+ | 12.20 грн |
| WMB060N08LG2 |
Виробник: WAYON
WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.03 грн |
| 26+ | 45.56 грн |
| 71+ | 43.00 грн |
| WMB060N10HGS |
Виробник: WAYON
WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors
WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.34 грн |
| 23+ | 52.75 грн |
| 61+ | 49.89 грн |
| WMB060N10LGS |
Виробник: WAYON
WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors
WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.08 грн |
| 22+ | 53.24 грн |
| 61+ | 50.29 грн |
| WMB072N12HG2 |
Виробник: WAYON
WMB072N12HG2-CYG SMD N channel transistors
WMB072N12HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.87 грн |
| 15+ | 78.73 грн |
| 41+ | 74.79 грн |
| WMB072N12LG2-S |
Виробник: WAYON
WMB072N12LG2-S-CYG SMD N channel transistors
WMB072N12LG2-S-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.74 грн |
| 18+ | 65.93 грн |
| 49+ | 62.98 грн |
| WMB080N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.44 грн |
| 28+ | 15.17 грн |
| 33+ | 12.63 грн |
| 100+ | 11.97 грн |
| 500+ | 10.58 грн |
| WMB080N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 17+ | 18.91 грн |
| 25+ | 15.15 грн |
| 100+ | 14.37 грн |
| 500+ | 12.69 грн |
| 3000+ | 11.42 грн |
| 6000+ | 11.12 грн |
| WMB080N10HG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.24 грн |
| 10+ | 43.96 грн |
| 25+ | 41.49 грн |
| WMB080N10HG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.48 грн |
| 10+ | 54.77 грн |
| 25+ | 49.79 грн |
| 100+ | 43.89 грн |
| 500+ | 40.94 грн |
| 3000+ | 38.48 грн |
| WMB080N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 52.11 грн |
| 13+ | 33.05 грн |
| 25+ | 29.69 грн |
| WMB080N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.53 грн |
| 10+ | 41.18 грн |
| 25+ | 35.62 грн |
| 100+ | 31.59 грн |
| 500+ | 29.23 грн |
| 3000+ | 27.36 грн |
| WMB090DN04LG2 |
Виробник: WAYON
WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.73 грн |
| 58+ | 20.27 грн |
| 159+ | 19.19 грн |
| WMB090DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMB090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
WMB090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.49 грн |
| 34+ | 34.93 грн |
| 92+ | 33.06 грн |
| WMB090N04LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32.9W
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 6.5nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32.9W
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 6.5nC
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 42.39 грн |
| 21+ | 19.93 грн |
| 25+ | 16.48 грн |
| 100+ | 14.60 грн |
| WMB090N04LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32.9W
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 6.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 32.9W
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 6.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.87 грн |
| 13+ | 24.83 грн |
| 25+ | 19.78 грн |
| 100+ | 17.52 грн |
| 500+ | 16.14 грн |
| 3000+ | 15.15 грн |
| WMB090NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.10 грн |
| 69+ | 17.12 грн |
| 188+ | 16.14 грн |
| WMB098N03LG2 |
Виробник: WAYON
WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.31 грн |
| 104+ | 11.22 грн |
| 286+ | 10.63 грн |
| WMB099N10HGS |
Виробник: WAYON
WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.11 грн |
| 39+ | 30.31 грн |
| 106+ | 28.64 грн |
| WMB099N10LG2 |
Виробник: WAYON
WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.08 грн |
| 28+ | 41.82 грн |
| 77+ | 39.56 грн |
| WMB099N10LGS |
Виробник: WAYON
WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.11 грн |
| 39+ | 30.31 грн |
| 106+ | 28.64 грн |
| WMB100N04TS |
Виробник: WAYON
WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.31 грн |
| 50+ | 23.52 грн |
| 137+ | 22.24 грн |
| WMB100N07TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB100P03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 88.31 грн |
| WMB100P03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.24 грн |
| 10+ | 43.84 грн |
| 25+ | 37.99 грн |
| 100+ | 33.66 грн |
| 500+ | 31.20 грн |
| 3000+ | 29.13 грн |
| WMB108N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.33 грн |
| 22+ | 19.44 грн |
| 25+ | 17.39 грн |
| 100+ | 15.42 грн |
| WMB108N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 13+ | 24.22 грн |
| 25+ | 20.86 грн |
| 100+ | 18.50 грн |
| 500+ | 17.12 грн |
| 3000+ | 16.14 грн |
| WMB115N15HG4 |
Виробник: WAYON
WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.86 грн |
| 18+ | 67.90 грн |
| 48+ | 64.95 грн |
| WMB119N10LG2 |
Виробник: WAYON
WMB119N10LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB119N10LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.90 грн |
| 41+ | 29.03 грн |
| 111+ | 27.46 грн |
| WMB119N12HG4 |
Виробник: WAYON
WMB119N12HG4-CYG SMD N channel transistors
WMB119N12HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.99 грн |
| 29+ | 41.04 грн |
| 79+ | 38.77 грн |
| WMB119N12LG4 |
Виробник: WAYON
WMB119N12LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB119N12LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.99 грн |
| 29+ | 41.04 грн |
| 79+ | 38.77 грн |
| WMB128N10T2 |
Виробник: WAYON
WMB128N10T2-CYG SMD N channel transistors
WMB128N10T2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.34 грн |
| 16+ | 73.81 грн |
| 44+ | 69.87 грн |
| WMB129N10T2 |
Виробник: WAYON
WMB129N10T2-CYG SMD N channel transistors
WMB129N10T2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.99 грн |
| 20+ | 60.13 грн |
| 54+ | 56.88 грн |
| WMB13N65EM |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB140DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 51.22 грн |
| 15+ | 28.29 грн |
| 25+ | 25.42 грн |
| 100+ | 22.47 грн |
| 500+ | 20.83 грн |

