| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WMB150N03TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 96W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB150N03TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 96W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMB175DN10LG4 | WAYON | WMB175DN10LG4-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB175N10HG4 | WAYON | WMB175N10HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB175N10LG4 | WAYON | WMB175N10LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
WMB240P10HG4 | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -33A Pulsed drain current: -212A Power dissipation: 147W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB240P10HG4 | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -33A Pulsed drain current: -212A Power dissipation: 147W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 64.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMB26DN06TS | WAYON | WMB26DN06TS-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB26N06TS | WAYON | WMB26N06TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
WMB31430DN | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 56/130A Power dissipation: 24/37.8W Case: PDFN5060D-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5/1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31.1/90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB31430DN | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 56/130A Power dissipation: 24/37.8W Case: PDFN5060D-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5/1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31.1/90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB340N20HG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 108.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB340N20HG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 108.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMB35P04T1 | WAYON | WMB35P04T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 398 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB35P06TS | WAYON | WMB35P06TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
WMB40N04TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 33W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB40N04TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 33W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMB40N20JN | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; 141ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 21A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 89W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 46mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 141ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
WMB46N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 41.7W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB46N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 41.7W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMB50N20JN | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; 138ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 24A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 90W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 138ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| WMB50N25JN | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 16A; Idm: 90A; 89W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 16A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 89W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 182ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
WMB50P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 39W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB50P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -50A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 39W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB50P04TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 55W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB50P04TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Pulsed drain current: -200A Power dissipation: 55W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMB510N15HG2 | WAYON | WMB510N15HG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB52N03T2 | WAYON | WMB52N03T2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB56N04T1 | WAYON | WMB56N04T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB58N03T1 | WAYON | WMB58N03T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB60P02TS | WAYON | WMB60P02TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB60P03TA | WAYON | WMB60P03TA-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 466 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB690N15HG2 | WAYON | WMB690N15HG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB70P02TS | WAYON | WMB70P02TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
WMB80N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 95W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 95W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB80N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 95W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 95W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 85nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMB81N03T1 | WAYON | WMB81N03T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| WMB90N02TS | WAYON | WMB90N02TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 380 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
WMB90P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -90A Pulsed drain current: -360A Power dissipation: 60W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 146nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMB90P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -90A Pulsed drain current: -360A Power dissipation: 60W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 146nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 307 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMB95P06TS | WAYON | WMB95P06TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
WMF04N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 4.6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 4.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WMF04N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 4.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 |
на замовлення 2149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMF04N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 4.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMF05N65MM | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.8A; 5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ MM Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| WMF06N90C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Case: SOT223 On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| WMF07N60C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 2.8A; Idm: 9A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 42W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
WMF07N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SJMOS™ C4 |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMF07N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SJMOS™ C4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMF07N70C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Power dissipation: 5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMF07N70C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Power dissipation: 5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMF08N20JN | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| WMF08N60C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 45W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 780mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| WMF08N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 45W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 780mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
WMF09N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 980mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WMF09N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 980mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WMF09N70C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 5.3A; 6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5.3A Power dissipation: 6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.28Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
WMF10N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 720mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
WMF10N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 720mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 419 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| WMF10N60C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.8A Power dissipation: 57W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 9.6nC Pulsed drain current: 19A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| WMB150N03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 45.94 грн |
| 17+ | 25.11 грн |
| 25+ | 22.54 грн |
| WMB150N03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.13 грн |
| 10+ | 31.29 грн |
| 25+ | 27.04 грн |
| 100+ | 23.95 грн |
| 500+ | 22.21 грн |
| 3000+ | 20.77 грн |
| WMB175DN10LG4 |
Виробник: WAYON
WMB175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
WMB175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.31 грн |
| 23+ | 49.84 грн |
| 63+ | 47.13 грн |
| WMB175N10HG4 |
Виробник: WAYON
WMB175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
WMB175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.32 грн |
| 57+ | 20.19 грн |
| 156+ | 19.12 грн |
| WMB175N10LG4 |
Виробник: WAYON
WMB175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.89 грн |
| 54+ | 21.44 грн |
| 147+ | 20.28 грн |
| 12000+ | 20.26 грн |
| WMB240P10HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -212A
Power dissipation: 147W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -212A
Power dissipation: 147W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 72.81 грн |
| 10+ | 65.19 грн |
| 25+ | 57.14 грн |
| WMB240P10HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -212A
Power dissipation: 147W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -33A; Idm: -212A; 147W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -33A
Pulsed drain current: -212A
Power dissipation: 147W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.37 грн |
| 10+ | 81.24 грн |
| 25+ | 68.57 грн |
| 100+ | 64.71 грн |
| 500+ | 60.85 грн |
| 3000+ | 59.88 грн |
| WMB26DN06TS |
Виробник: WAYON
WMB26DN06TS-CYG Multi channel transistors
WMB26DN06TS-CYG Multi channel transistors
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.21 грн |
| 59+ | 19.41 грн |
| 162+ | 18.25 грн |
| WMB26N06TS |
Виробник: WAYON
WMB26N06TS-CYG SMD N channel transistors
WMB26N06TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.56 грн |
| 106+ | 10.82 грн |
| 289+ | 10.24 грн |
| WMB31430DN |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 79.74 грн |
| 10+ | 70.02 грн |
| 25+ | 61.97 грн |
| 100+ | 57.95 грн |
| WMB31430DN |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 56/130A; 24/37.8W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 56/130A
Power dissipation: 24/37.8W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5/1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31.1/90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.69 грн |
| 10+ | 87.26 грн |
| 25+ | 74.37 грн |
| 100+ | 69.54 грн |
| 500+ | 67.61 грн |
| 3000+ | 65.68 грн |
| WMB340N20HG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 135.22 грн |
| 10+ | 118.31 грн |
| 25+ | 104.63 грн |
| WMB340N20HG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.26 грн |
| 10+ | 147.44 грн |
| 25+ | 125.56 грн |
| 100+ | 116.86 грн |
| 500+ | 113.00 грн |
| 3000+ | 109.14 грн |
| WMB35P04T1 |
Виробник: WAYON
WMB35P04T1-CYG SMD P channel transistors
WMB35P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.68 грн |
| 71+ | 16.13 грн |
| 194+ | 15.26 грн |
| WMB35P06TS |
Виробник: WAYON
WMB35P06TS-CYG SMD P channel transistors
WMB35P06TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.45 грн |
| 49+ | 23.47 грн |
| 134+ | 22.21 грн |
| WMB40N04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.07 грн |
| 29+ | 14.25 грн |
| 34+ | 11.91 грн |
| 100+ | 11.27 грн |
| WMB40N04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 33W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 33W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.48 грн |
| 17+ | 17.75 грн |
| 25+ | 14.29 грн |
| 100+ | 13.52 грн |
| 500+ | 11.88 грн |
| 3000+ | 10.82 грн |
| 6000+ | 10.53 грн |
| WMB40N20JN |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; 141ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; 141ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB46N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 41.7W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 41.7W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.07 грн |
| 29+ | 14.25 грн |
| 34+ | 11.91 грн |
| 100+ | 11.27 грн |
| 500+ | 9.90 грн |
| WMB46N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 41.7W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 180A; 41.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 41.7W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.48 грн |
| 17+ | 17.75 грн |
| 25+ | 14.29 грн |
| 100+ | 13.52 грн |
| 500+ | 11.88 грн |
| 3000+ | 10.82 грн |
| 6000+ | 10.43 грн |
| WMB50N20JN |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; 138ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 90W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 138ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; 138ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 90W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 138ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB50N25JN |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 16A; Idm: 90A; 89W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 182ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 16A; Idm: 90A; 89W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 89W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 182ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB50P03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.67 грн |
| 22+ | 18.67 грн |
| 27+ | 15.37 грн |
| 100+ | 13.60 грн |
| WMB50P03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 39W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 39W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.60 грн |
| 13+ | 23.27 грн |
| 25+ | 18.45 грн |
| 100+ | 16.32 грн |
| 500+ | 15.16 грн |
| 3000+ | 14.20 грн |
| WMB50P04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 55W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 55W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 39.87 грн |
| 19+ | 22.05 грн |
| 25+ | 19.96 грн |
| 100+ | 17.55 грн |
| WMB50P04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 55W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -200A; 55W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 55W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.85 грн |
| 11+ | 27.48 грн |
| 25+ | 23.95 грн |
| 100+ | 21.05 грн |
| 500+ | 19.51 грн |
| 3000+ | 18.25 грн |
| WMB510N15HG2 |
Виробник: WAYON
WMB510N15HG2-CYG SMD N channel transistors
WMB510N15HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.55 грн |
| 28+ | 41.63 грн |
| 76+ | 39.31 грн |
| WMB52N03T2 |
Виробник: WAYON
WMB52N03T2-CYG SMD N channel transistors
WMB52N03T2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.89 грн |
| 70+ | 16.42 грн |
| 192+ | 15.45 грн |
| WMB56N04T1 |
Виробник: WAYON
WMB56N04T1-CYG SMD N channel transistors
WMB56N04T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.14 грн |
| 78+ | 14.68 грн |
| 214+ | 13.91 грн |
| WMB58N03T1 |
Виробник: WAYON
WMB58N03T1-CYG SMD N channel transistors
WMB58N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.56 грн |
| 104+ | 10.91 грн |
| 286+ | 10.33 грн |
| WMB60P02TS |
Виробник: WAYON
WMB60P02TS-CYG SMD P channel transistors
WMB60P02TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.20 грн |
| 70+ | 16.42 грн |
| 192+ | 15.45 грн |
| WMB60P03TA |
Виробник: WAYON
WMB60P03TA-CYG SMD P channel transistors
WMB60P03TA-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.07 грн |
| 49+ | 23.66 грн |
| 133+ | 22.41 грн |
| WMB690N15HG2 |
Виробник: WAYON
WMB690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
WMB690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.81 грн |
| 34+ | 33.80 грн |
| 93+ | 31.97 грн |
| WMB70P02TS |
Виробник: WAYON
WMB70P02TS-CYG SMD P channel transistors
WMB70P02TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.07 грн |
| 49+ | 23.66 грн |
| 133+ | 22.41 грн |
| WMB80N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 95W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 95W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 95W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 95W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 62.41 грн |
| 12+ | 34.93 грн |
| 25+ | 31.55 грн |
| WMB80N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 95W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 95W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 95W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 95W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.89 грн |
| 10+ | 43.53 грн |
| 25+ | 37.86 грн |
| 100+ | 33.32 грн |
| 500+ | 30.91 грн |
| 3000+ | 29.07 грн |
| WMB81N03T1 |
Виробник: WAYON
WMB81N03T1-CYG SMD N channel transistors
WMB81N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.08 грн |
| 67+ | 17.10 грн |
| 183+ | 16.23 грн |
| WMB90N02TS |
Виробник: WAYON
WMB90N02TS-CYG SMD N channel transistors
WMB90N02TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.96 грн |
| 72+ | 15.94 грн |
| 197+ | 15.07 грн |
| WMB90P03TS |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 60W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 146nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 60W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 146nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 45.94 грн |
| 16+ | 25.35 грн |
| 25+ | 22.78 грн |
| 100+ | 20.20 грн |
| WMB90P03TS |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 60W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 146nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -90A; Idm: -360A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 60W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 146nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.13 грн |
| 10+ | 31.59 грн |
| 25+ | 27.33 грн |
| 100+ | 24.24 грн |
| 500+ | 22.50 грн |
| 3000+ | 20.96 грн |
| WMB95P06TS |
Виробник: WAYON
WMB95P06TS-CYG SMD P channel transistors
WMB95P06TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.95 грн |
| 24+ | 47.62 грн |
| 66+ | 45.01 грн |
| WMF04N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF04N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 28.60 грн |
| 17+ | 23.90 грн |
| 20+ | 20.12 грн |
| 25+ | 17.63 грн |
| 100+ | 16.34 грн |
| 250+ | 15.78 грн |
| 500+ | 14.97 грн |
| WMF04N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.32 грн |
| 11+ | 29.79 грн |
| 12+ | 24.15 грн |
| 25+ | 21.15 грн |
| 100+ | 19.61 грн |
| 250+ | 18.93 грн |
| 500+ | 17.96 грн |
| WMF05N65MM |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.8A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.8A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF06N90C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF07N60C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF07N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 42.47 грн |
| 12+ | 35.98 грн |
| 14+ | 30.26 грн |
| 25+ | 26.56 грн |
| 100+ | 24.55 грн |
| 250+ | 23.66 грн |
| 500+ | 22.13 грн |
| WMF07N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.83 грн |
| 10+ | 36.31 грн |
| 25+ | 31.87 грн |
| 100+ | 29.46 грн |
| 250+ | 28.40 грн |
| 500+ | 26.56 грн |
| WMF07N70C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.27 грн |
| 13+ | 32.19 грн |
| 16+ | 26.32 грн |
| 25+ | 23.66 грн |
| 100+ | 21.49 грн |
| 250+ | 20.93 грн |
| 500+ | 19.48 грн |
| 1000+ | 18.03 грн |
| WMF07N70C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.73 грн |
| 8+ | 40.12 грн |
| 10+ | 31.58 грн |
| 25+ | 28.40 грн |
| 100+ | 25.79 грн |
| 250+ | 25.11 грн |
| 500+ | 23.37 грн |
| WMF08N20JN |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF08N60C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF08N65C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF09N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF09N65C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF09N70C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 5.3A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 5.3A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMF10N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 39.87 грн |
| 12+ | 33.56 грн |
| 15+ | 27.93 грн |
| 25+ | 24.63 грн |
| 100+ | 23.02 грн |
| 250+ | 21.89 грн |
| WMF10N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.85 грн |
| 8+ | 41.82 грн |
| 10+ | 33.51 грн |
| 25+ | 29.55 грн |
| 100+ | 27.62 грн |
| 250+ | 26.27 грн |
| 500+ | 26.08 грн |
| WMF10N60C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.6nC
Pulsed drain current: 19A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.6nC
Pulsed drain current: 19A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





