Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (966) > Сторінка 16 з 17

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WMQ080N03LG2 WMQ080N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 21.5W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.76 грн
27+15.72 грн
32+13.07 грн
100+12.41 грн
500+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ090NV6LG4 WMQ090NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 44A; Idm: 176A; 29W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 29W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.44 грн
20+21.59 грн
25+17.70 грн
100+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ10N10TS WMQ10N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 40A; 20W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.76 грн
27+15.88 грн
32+13.24 грн
100+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ119N10LG2 WMQ119N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 151A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 151A
Power dissipation: 42W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.71 грн
12+37.56 грн
25+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ12P10TS WMQ12P10TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.11 грн
16+26.64 грн
25+23.91 грн
100+21.26 грн
500+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ15DN04TS WMQ15DN04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 15A; Idm: 60A; 11.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 11.36W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.76 грн
27+15.55 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ175N10LG4 WMQ175N10LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 65.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.85 грн
23+18.78 грн
25+16.88 грн
100+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ20N06TS WMQ20N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.64 грн
31+13.65 грн
37+11.33 грн
100+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ26P02TS WMQ26P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -26A
Pulsed drain current: -104A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.18 грн
35+11.83 грн
43+9.84 грн
100+9.35 грн
500+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ28N03T1 WMQ28N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.64 грн
36+11.75 грн
45+9.35 грн
100+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30N02T1 WMQ30N02T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 75A; Idm: 300A; 37.8W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 75A
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 37.8W
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43.8nC
Kind of channel: enhancement
Case: PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.64 грн
29+14.73 грн
34+12.24 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30P03T1 WMQ30P03T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 29.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 29.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+40.98 грн
28+14.89 грн
34+12.49 грн
100+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30P04T1 WMQ30P04T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 21W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.64 грн
22+19.11 грн
27+15.55 грн
100+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ35P02TS WMQ35P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -140A; 24W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.40 грн
38+11.00 грн
46+9.18 грн
100+8.69 грн
500+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40DN03T1 WMQ40DN03T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 28.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 28.4W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40N03T1 WMQ40N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.75 грн
30+13.82 грн
36+11.50 грн
100+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ46N03T1 WMQ46N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.53 грн
30+13.82 грн
36+11.50 грн
100+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ50N04T1 WMQ50N04T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 22.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.55 грн
21+19.77 грн
25+16.63 грн
100+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ80N03T1 WMQ80N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.07 грн
24+17.29 грн
30+14.23 грн
100+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR050N03LG4 WMR050N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 68A; 2.4W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 5.4mΩ
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.64 грн
29+14.73 грн
34+12.24 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N03T1 WMR07N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 35A; 1.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.18 грн
37+11.25 грн
53+7.86 грн
100+7.11 грн
500+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N06TS WMR07N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+24.95 грн
37+11.25 грн
47+8.93 грн
100+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07P03TS WMR07P03TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.53 грн
35+12.16 грн
43+9.76 грн
100+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR10N03T1 WMR10N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 26.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 26.6W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.64 грн
32+13.24 грн
38+11.09 грн
100+10.51 грн
500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR12P02T1 WMR12P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.5A; Idm: -46A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.5A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 3.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.27 грн
35+11.91 грн
50+8.27 грн
100+7.45 грн
500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR13N03T1 WMR13N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 50A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.87 грн
27+15.47 грн
33+12.91 грн
100+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR15N03TS WMR15N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 58A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.40 грн
43+9.76 грн
54+7.78 грн
100+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS048NV6LG4 WMS048NV6LG4 WAYON WMS048NV6LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 18.5A; Idm: 74A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 18.5A
Pulsed drain current: 74A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.91 грн
13+32.26 грн
25+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10T1 WMS04N10T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.40 грн
31+13.65 грн
38+10.92 грн
100+10.34 грн
500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10TS WMS04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.85 грн
35+11.83 грн
51+8.19 грн
100+7.36 грн
500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS WMS04P06TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.53 грн
33+12.74 грн
47+8.93 грн
100+8.02 грн
500+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS06N10TS WMS06N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.8A; Idm: 23A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.85 грн
26+16.13 грн
32+13.32 грн
100+11.66 грн
500+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2 WMS080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.45 грн
13+32.68 грн
25+29.37 грн
100+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DH04T1 WMS08DH04T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 7.5/-5.5A; 2.2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.2W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.5/-5.5A
On-state resistance: 24/47mΩ
Gate charge: 26/20nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.75 грн
27+15.47 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08N06TS WMS08N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.20 грн
32+13.07 грн
40+10.51 грн
100+9.93 грн
500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS090NV6LG4 WMS090NV6LG4 WAYON WMS090NV6LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 14.5A; Idm: 58A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.85 грн
26+16.05 грн
32+13.24 грн
100+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS09P02TS WMS09P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.53 грн
34+12.41 грн
42+9.93 грн
100+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS WMS10DH04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 10/-8A
On-state resistance: 16/33mΩ
Gate charge: 26/30nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.75 грн
27+15.47 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DN04TS WMS10DN04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.42 грн
25+16.71 грн
30+13.98 грн
100+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1 WMS15N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.85 грн
24+17.95 грн
29+14.73 грн
100+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1 WMS15P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.64 грн
28+14.81 грн
34+12.41 грн
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.75 грн
23+18.37 грн
28+15.06 грн
100+13.32 грн
500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.29 грн
35+12.00 грн
44+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.60 грн
10+54.43 грн
50+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+86.86 грн
30+78.59 грн
120+69.49 грн
300+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1 WMX4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.11 грн
6+81.07 грн
30+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ C4
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 97mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Leakage current: 0.8µA
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.09 грн
10+74.45 грн
50+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.98 грн
10+115.82 грн
50+102.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.20 грн
10+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF WSRSIC008065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC WSRSIC015065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.11 грн
10+122.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL WSRSIC020065NPL WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 130A
Leakage current: 3µA
Kind of package: tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+267.27 грн
10+224.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS WSRSIC030065NPS WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+485.55 грн
10+407.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ080N03LG2
WMQ080N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 21.5W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.76 грн
27+15.72 грн
32+13.07 грн
100+12.41 грн
500+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ090NV6LG4
WMQ090NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 44A; Idm: 176A; 29W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 29W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.44 грн
20+21.59 грн
25+17.70 грн
100+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ10N10TS
WMQ10N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 40A; 20W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.76 грн
27+15.88 грн
32+13.24 грн
100+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ119N10LG2
WMQ119N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 151A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 151A
Power dissipation: 42W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.71 грн
12+37.56 грн
25+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ12P10TS
WMQ12P10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -12A; Idm: -48A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.11 грн
16+26.64 грн
25+23.91 грн
100+21.26 грн
500+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ15DN04TS
WMQ15DN04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 15A; Idm: 60A; 11.36W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 11.36W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.76 грн
27+15.55 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ175N10LG4
WMQ175N10LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 65.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.85 грн
23+18.78 грн
25+16.88 грн
100+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ20N06TS
WMQ20N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.64 грн
31+13.65 грн
37+11.33 грн
100+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ26P02TS
WMQ26P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -26A
Pulsed drain current: -104A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.18 грн
35+11.83 грн
43+9.84 грн
100+9.35 грн
500+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ28N03T1
WMQ28N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.64 грн
36+11.75 грн
45+9.35 грн
100+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30N02T1
WMQ30N02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 75A; Idm: 300A; 37.8W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 75A
On-state resistance: 4mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 37.8W
Gate-source voltage: ±10V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43.8nC
Kind of channel: enhancement
Case: PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.64 грн
29+14.73 грн
34+12.24 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30P03T1
WMQ30P03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -120A; 29.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 29.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+40.98 грн
28+14.89 грн
34+12.49 грн
100+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ30P04T1
WMQ30P04T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 21W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.64 грн
22+19.11 грн
27+15.55 грн
100+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ35P02TS
WMQ35P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -140A; 24W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.40 грн
38+11.00 грн
46+9.18 грн
100+8.69 грн
500+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40DN03T1
WMQ40DN03T1
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 28.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 28.4W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ40N03T1
WMQ40N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.75 грн
30+13.82 грн
36+11.50 грн
100+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ46N03T1
WMQ46N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.53 грн
30+13.82 грн
36+11.50 грн
100+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ50N04T1
WMQ50N04T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 22.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.55 грн
21+19.77 грн
25+16.63 грн
100+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMQ80N03T1
WMQ80N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.07 грн
24+17.29 грн
30+14.23 грн
100+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR050N03LG4
WMR050N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17A; Idm: 68A; 2.4W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 5.4mΩ
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.64 грн
29+14.73 грн
34+12.24 грн
100+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N03T1
WMR07N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 35A; 1.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.18 грн
37+11.25 грн
53+7.86 грн
100+7.11 грн
500+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07N06TS
WMR07N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: DFN2020-6
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+24.95 грн
37+11.25 грн
47+8.93 грн
100+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR07P03TS
WMR07P03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.53 грн
35+12.16 грн
43+9.76 грн
100+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR10N03T1
WMR10N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 26.6W; DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 26.6W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.64 грн
32+13.24 грн
38+11.09 грн
100+10.51 грн
500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR12P02T1
WMR12P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.5A; Idm: -46A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.5A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 3.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.27 грн
35+11.91 грн
50+8.27 грн
100+7.45 грн
500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR13N03T1
WMR13N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; Idm: 50A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.87 грн
27+15.47 грн
33+12.91 грн
100+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMR15N03TS
WMR15N03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 58A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 2.2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.40 грн
43+9.76 грн
54+7.78 грн
100+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS048NV6LG4 WMS048NV6LG4.pdf
WMS048NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 18.5A; Idm: 74A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 18.5A
Pulsed drain current: 74A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.91 грн
13+32.26 грн
25+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10T1
WMS04N10T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.40 грн
31+13.65 грн
38+10.92 грн
100+10.34 грн
500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04N10TS
WMS04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.85 грн
35+11.83 грн
51+8.19 грн
100+7.36 грн
500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS
WMS04P06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.53 грн
33+12.74 грн
47+8.93 грн
100+8.02 грн
500+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS06N10TS
WMS06N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.8A; Idm: 23A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.85 грн
26+16.13 грн
32+13.32 грн
100+11.66 грн
500+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2
WMS080N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.45 грн
13+32.68 грн
25+29.37 грн
100+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08DH04T1
WMS08DH04T1
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 7.5/-5.5A; 2.2W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.2W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7.5/-5.5A
On-state resistance: 24/47mΩ
Gate charge: 26/20nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.75 грн
27+15.47 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS08N06TS
WMS08N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.20 грн
32+13.07 грн
40+10.51 грн
100+9.93 грн
500+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS090NV6LG4 WMS090NV6LG4.pdf
WMS090NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 14.5A; Idm: 58A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.85 грн
26+16.05 грн
32+13.24 грн
100+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS09P02TS
WMS09P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.53 грн
34+12.41 грн
42+9.93 грн
100+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS
WMS10DH04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 10/-8A
On-state resistance: 16/33mΩ
Gate charge: 26/30nC
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.75 грн
27+15.47 грн
32+12.99 грн
100+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DN04TS
WMS10DN04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+37.42 грн
25+16.71 грн
30+13.98 грн
100+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1
WMS15N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; Idm: 60A; 3W; SOP8
Mounting: SMD
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.85 грн
24+17.95 грн
29+14.73 грн
100+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1
WMS15P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -60A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.64 грн
28+14.81 грн
34+12.41 грн
100+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.75 грн
23+18.37 грн
28+15.06 грн
100+13.32 грн
500+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.29 грн
35+12.00 грн
44+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B
WMT4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.60 грн
10+54.43 грн
50+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+86.86 грн
30+78.59 грн
120+69.49 грн
300+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1
WMX4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+97.11 грн
6+81.07 грн
30+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Gate charge: 16nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ C4
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN8x8
On-state resistance: 97mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Leakage current: 0.8µA
Max. forward voltage: 1.38V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+89.09 грн
10+74.45 грн
50+65.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.98 грн
10+115.82 грн
50+102.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.20 грн
10+73.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF
WSRSIC008065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC
WSRSIC015065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+146.11 грн
10+122.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL
WSRSIC020065NPL
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO3PF; Ufmax: 1.32V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO3PF
Max. forward voltage: 1.32V
Max. forward impulse current: 130A
Leakage current: 3µA
Kind of package: tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.27 грн
10+224.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS
WSRSIC030065NPS
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-3; Ir: 2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 220A
Leakage current: 2µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.55 грн
10+407.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17  [ Наступна Сторінка >> ]