| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WMO090NV6HG4 | WAYON | WMO090NV6HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO090NV6LG4 | WAYON | WMO090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 237 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO099N10HGS | WAYON | WMO099N10HGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO099N10LGS | WAYON | WMO099N10LGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO09N15TS | WAYON | WMO09N15TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO09N20DM | WAYON | WMO09N20DM-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 280 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO09N20DMH | WAYON | WMO09N20DMH-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 275 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO09P10TS | WAYON | WMO09P10TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO100N07T1 | WAYON | WMO100N07T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 487 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO10N50C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 16A; 45W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
WMO10N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO10N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 57W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 690mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMO10N60C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.8A Power dissipation: 57W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 9.6nC Pulsed drain current: 19A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO10N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.8A Power dissipation: 57W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 19A Gate charge: 9.6nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO10N65EM | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 24A; 63W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ EM Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.8A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 24A Gate charge: 13.5nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
WMO10N80M3 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.03Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO10N80M3 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.03Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMO115N15HG4 | WAYON | WMO115N15HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 45 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO119N12LG4 | WAYON | WMO119N12LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 96 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMO11N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO11N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2044 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO11N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.8A Power dissipation: 57W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 19A Gate charge: 2.1nC |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO11N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.8A Power dissipation: 57W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 19A Gate charge: 2.1nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 416 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMO11N65SR | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 19A; 63W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ SR Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Power dissipation: 63W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 19A Gate charge: 13.7nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
WMO11N80M3 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 85W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10.5A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMO120N04TS | WAYON | WMO120N04TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 488 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMO12N80M3 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 620mΩ Drain current: 12A Power dissipation: 86W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ M3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO12N80M3 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 620mΩ Drain current: 12A Power dissipation: 86W Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ M3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMO12P05T1 | WAYON | WMO12P05T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 445 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO12P06TS | WAYON | WMO12P06TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO13N10TS | WAYON | WMO13N10TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 626 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO13N50C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 6A; Idm: 25A; 57W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 57W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO13N65EM | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ EM Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.5A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 390mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO13P06T1 | WAYON | WMO13P06T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO13P10TS | WAYON | WMO13P10TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 465 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMO14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO14N60C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1111 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMO14N60C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 26A Gate charge: 13nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO14N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 85W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
WMO15N10T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 41.7W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 41.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMO15N10T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 41.7W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 41.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 928 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMO15N12TS | WAYON | WMO15N12TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO15N15T1 | WAYON | WMO15N15T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 523 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO15N25T2 | WAYON | WMO15N25T2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO15N60C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO15N65C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.8A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 14.6nC Pulsed drain current: 26A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO15N65F2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.8A Pulsed drain current: 26A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 335mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO15N70C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 7.8A; Idm: 26A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.8A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 14.6nC Pulsed drain current: 26A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
WMO16N60FD | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
WMO16N65FD | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMO16N65SR | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 8.4A; Idm: 35A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ SR Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.4A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 19.5nC Pulsed drain current: 35A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO16N70SR | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 700V; 8.4A; Idm: 35A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ SR Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8.4A Power dissipation: 86W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 19.5nC Pulsed drain current: 35A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO175N10HG4 | WAYON | WMO175N10HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 85 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO175N10LG4 | WAYON | WMO175N10LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 177 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO18N20T2 | WAYON | WMO18N20T2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMO18N50C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 10A; Idm: 50A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 75W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO18N65EM | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ EM Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.6A Pulsed drain current: 43A Power dissipation: 125W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMO18P10TS | WAYON | WMO18P10TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 113 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMO190N03TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 190A; Idm: 760A; 166.7W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 166.7W Drain current: 190A Pulsed drain current: 760A Gate charge: 0.1µC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMO190N15HG4 | WAYON | WMO190N15HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 74 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| WMO090NV6HG4 |
Виробник: WAYON
WMO090NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
WMO090NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.48 грн |
| 83+ | 14.14 грн |
| 228+ | 13.35 грн |
| WMO090NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMO090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMO090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 237 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.23 грн |
| 67+ | 17.60 грн |
| 183+ | 16.61 грн |
| WMO099N10HGS |
Виробник: WAYON
WMO099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
WMO099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.34 грн |
| 37+ | 31.84 грн |
| 102+ | 30.16 грн |
| WMO099N10LGS |
Виробник: WAYON
WMO099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
WMO099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.34 грн |
| 37+ | 31.84 грн |
| 102+ | 30.16 грн |
| WMO09N15TS |
Виробник: WAYON
WMO09N15TS-CYG SMD N channel transistors
WMO09N15TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.39 грн |
| 95+ | 12.36 грн |
| 260+ | 11.67 грн |
| WMO09N20DM |
Виробник: WAYON
WMO09N20DM-CYG SMD N channel transistors
WMO09N20DM-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 280 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.13 грн |
| 75+ | 15.72 грн |
| 206+ | 14.83 грн |
| WMO09N20DMH |
Виробник: WAYON
WMO09N20DMH-CYG SMD N channel transistors
WMO09N20DMH-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.19 грн |
| 74+ | 15.92 грн |
| 202+ | 15.13 грн |
| WMO09P10TS |
Виробник: WAYON
WMO09P10TS-CYG SMD P channel transistors
WMO09P10TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.99 грн |
| 101+ | 11.67 грн |
| 276+ | 11.07 грн |
| WMO100N07T1 |
Виробник: WAYON
WMO100N07T1-CYG SMD N channel transistors
WMO100N07T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.15 грн |
| 35+ | 33.72 грн |
| 96+ | 31.84 грн |
| WMO10N50C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 16A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 16A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 45W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO10N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 31.94 грн |
| 16+ | 26.37 грн |
| 25+ | 23.57 грн |
| 100+ | 22.74 грн |
| WMO10N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.33 грн |
| 10+ | 32.86 грн |
| 25+ | 28.28 грн |
| 100+ | 27.29 грн |
| WMO10N60C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.6nC
Pulsed drain current: 19A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.6nC
Pulsed drain current: 19A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO10N65C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 9.6nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 9.6nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO10N65EM |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 24A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 13.5nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 24A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 24A
Gate charge: 13.5nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO10N80M3 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 50.58 грн |
| 10+ | 43.26 грн |
| 100+ | 41.28 грн |
| 250+ | 37.66 грн |
| 500+ | 35.10 грн |
| 1000+ | 34.03 грн |
| WMO10N80M3 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.69 грн |
| 10+ | 53.91 грн |
| 100+ | 49.54 грн |
| 250+ | 45.19 грн |
| 500+ | 42.12 грн |
| 1000+ | 40.84 грн |
| WMO115N15HG4 |
Виробник: WAYON
WMO115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
WMO115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.96 грн |
| 19+ | 62.29 грн |
| 52+ | 59.33 грн |
| WMO119N12LG4 |
Виробник: WAYON
WMO119N12LG4-CYG SMD N channel transistors
WMO119N12LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.15 грн |
| 37+ | 31.64 грн |
| 102+ | 29.96 грн |
| WMO11N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.83 грн |
| WMO11N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.40 грн |
| WMO11N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 2.1nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 2.1nC
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 58.57 грн |
| 10+ | 41.20 грн |
| 25+ | 35.43 грн |
| 100+ | 32.96 грн |
| WMO11N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 2.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 2.1nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.28 грн |
| 6+ | 51.34 грн |
| 25+ | 42.52 грн |
| 100+ | 39.55 грн |
| 500+ | 38.56 грн |
| WMO11N65SR |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 19A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 13.7nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 19A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 13.7nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO11N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10.5A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO120N04TS |
Виробник: WAYON
WMO120N04TS-CYG SMD N channel transistors
WMO120N04TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.57 грн |
| 47+ | 25.31 грн |
| 128+ | 23.93 грн |
| WMO12N80M3 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 620mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 86W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ M3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 620mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 86W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ M3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 113.71 грн |
| 10+ | 98.88 грн |
| 25+ | 88.16 грн |
| 100+ | 74.16 грн |
| 250+ | 67.57 грн |
| 500+ | 62.62 грн |
| 1000+ | 59.33 грн |
| WMO12N80M3 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 620mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 86W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ M3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 620mΩ
Drain current: 12A
Power dissipation: 86W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ M3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.72 грн |
| 3+ | 141.70 грн |
| 10+ | 118.65 грн |
| 25+ | 105.80 грн |
| 100+ | 88.99 грн |
| 250+ | 81.08 грн |
| 500+ | 75.15 грн |
| WMO12P05T1 |
Виробник: WAYON
WMO12P05T1-CYG SMD P channel transistors
WMO12P05T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 445 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.78 грн |
| 132+ | 8.90 грн |
| 362+ | 8.40 грн |
| WMO12P06TS |
Виробник: WAYON
WMO12P06TS-CYG SMD P channel transistors
WMO12P06TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.75 грн |
| 123+ | 9.49 грн |
| 338+ | 9.00 грн |
| WMO13N10TS |
Виробник: WAYON
WMO13N10TS-CYG SMD N channel transistors
WMO13N10TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.66 грн |
| 111+ | 10.58 грн |
| 306+ | 9.99 грн |
| WMO13N50C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 6A; Idm: 25A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 6A; Idm: 25A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO13N65EM |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO13P06T1 |
Виробник: WAYON
WMO13P06T1-CYG SMD P channel transistors
WMO13P06T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.89 грн |
| 79+ | 15.03 грн |
| 215+ | 14.24 грн |
| 5000+ | 14.17 грн |
| WMO13P10TS |
Виробник: WAYON
WMO13P10TS-CYG SMD P channel transistors
WMO13P10TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 465 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.41 грн |
| 76+ | 15.52 грн |
| 208+ | 14.63 грн |
| 5000+ | 14.58 грн |
| WMO14N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 26.70 грн |
| 25+ | 25.38 грн |
| 100+ | 24.47 грн |
| WMO14N60C2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.27 грн |
| 25+ | 30.45 грн |
| 100+ | 29.37 грн |
| WMO14N60C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 13nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO14N65C4 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO15N10T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 38.16 грн |
| 28+ | 14.83 грн |
| 37+ | 11.21 грн |
| 100+ | 9.97 грн |
| 250+ | 8.90 грн |
| WMO15N10T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 60A; 41.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 928 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.79 грн |
| 17+ | 18.48 грн |
| 25+ | 13.45 грн |
| 100+ | 11.96 грн |
| 250+ | 10.68 грн |
| WMO15N12TS |
Виробник: WAYON
WMO15N12TS-CYG SMD N channel transistors
WMO15N12TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.81 грн |
| 114+ | 10.28 грн |
| 314+ | 9.69 грн |
| WMO15N15T1 |
Виробник: WAYON
WMO15N15T1-CYG SMD N channel transistors
WMO15N15T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 523 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.74 грн |
| 49+ | 23.93 грн |
| 135+ | 22.64 грн |
| WMO15N25T2 |
Виробник: WAYON
WMO15N25T2-CYG SMD N channel transistors
WMO15N25T2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.11 грн |
| 28+ | 42.71 грн |
| 76+ | 40.34 грн |
| WMO15N60C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO15N65C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14.6nC
Pulsed drain current: 26A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14.6nC
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO15N65F2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 335mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 335mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO15N70C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14.6nC
Pulsed drain current: 26A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 700V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14.6nC
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO16N60FD |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO16N65FD |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO16N65SR |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Pulsed drain current: 35A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Pulsed drain current: 35A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO16N70SR |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 700V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Pulsed drain current: 35A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 700V; 8.4A; Idm: 35A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 86W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19.5nC
Pulsed drain current: 35A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO175N10HG4 |
Виробник: WAYON
WMO175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
WMO175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.38 грн |
| 45+ | 26.10 грн |
| 124+ | 24.72 грн |
| WMO175N10LG4 |
Виробник: WAYON
WMO175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
WMO175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.16 грн |
| 58+ | 20.47 грн |
| 158+ | 19.28 грн |
| WMO18N20T2 |
Виробник: WAYON
WMO18N20T2-CYG SMD N channel transistors
WMO18N20T2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.23 грн |
| 27+ | 44.89 грн |
| 72+ | 42.42 грн |
| WMO18N50C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 10A; Idm: 50A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 10A; Idm: 50A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 75W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO18N65EM |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO18P10TS |
Виробник: WAYON
WMO18P10TS-CYG SMD P channel transistors
WMO18P10TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 113 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.21 грн |
| 46+ | 25.81 грн |
| 125+ | 24.32 грн |
| WMO190N03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 190A; Idm: 760A; 166.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166.7W
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Gate charge: 0.1µC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 190A; Idm: 760A; 166.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 166.7W
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Gate charge: 0.1µC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMO190N15HG4 |
Виробник: WAYON
WMO190N15HG4-CYG SMD N channel transistors
WMO190N15HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.76 грн |
| 24+ | 50.72 грн |
| 64+ | 47.96 грн |



