Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (683) > Сторінка 12 з 12

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMR12P02T1 WMR12P02T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.5A; Idm: -46A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.5A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 3.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS032N04LG2 WMS032N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 165A; 22W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 165A
Power dissipation: 22W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.98 грн
12+36.76 грн
25+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS WMS04P06TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.15 грн
33+12.76 грн
48+8.90 грн
100+8.06 грн
500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS05P10TS WMS05P10TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.25 грн
22+19.72 грн
25+17.71 грн
100+15.61 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2 WMS080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.42 грн
13+32.31 грн
25+29.04 грн
100+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS WMS10DH04TS WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 10/-8A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16/33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.35 грн
28+15.11 грн
34+12.67 грн
100+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.35 грн
24+18.13 грн
29+14.94 грн
100+13.18 грн
500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS690N15HG2 WMS690N15HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; Idm: 20A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.46 грн
13+34.07 грн
25+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N06TS WMT07N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.77 грн
27+15.61 грн
36+11.92 грн
100+10.41 грн
250+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.79 грн
10+53.88 грн
50+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+87.28 грн
30+78.05 грн
120+69.66 грн
300+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.67 грн
10+73.86 грн
50+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI WSRSIC005120NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.38 грн
10+114.98 грн
50+101.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.57 грн
10+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF WSRSIC008065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор WMK20N65C2 WAYON Транзистор польовий TO220-3 MOSFET n-ch Vds=650V, Id=15A, Rds=0,300 Ohm, Pd=86W
на замовлення 82 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WMR12P02T1
WMR12P02T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.5A; Idm: -46A; 3.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11.5A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 3.1W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS032N04LG2
WMS032N04LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 165A; 22W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 165A
Power dissipation: 22W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.98 грн
12+36.76 грн
25+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS04P06TS
WMS04P06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.15 грн
33+12.76 грн
48+8.90 грн
100+8.06 грн
500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS05P10TS
WMS05P10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.25 грн
22+19.72 грн
25+17.71 грн
100+15.61 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS080N10LG2
WMS080N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.42 грн
13+32.31 грн
25+29.04 грн
100+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10DH04TS
WMS10DH04TS
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 10/-8A; 3W; SOP8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 10/-8A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16/33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 359 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+34.35 грн
28+15.11 грн
34+12.67 грн
100+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+34.35 грн
24+18.13 грн
29+14.94 грн
100+13.18 грн
500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS690N15HG2
WMS690N15HG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; Idm: 20A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.46 грн
13+34.07 грн
25+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N06TS
WMT07N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+39.77 грн
27+15.61 грн
36+11.92 грн
100+10.41 грн
250+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.79 грн
10+53.88 грн
50+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.28 грн
30+78.05 грн
120+69.66 грн
300+66.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.67 грн
10+73.86 грн
50+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI
WSRSIC005120NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.38 грн
10+114.98 грн
50+101.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.57 грн
10+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF
WSRSIC008065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор WMK20N65C2
Виробник: WAYON
Транзистор польовий TO220-3 MOSFET n-ch Vds=650V, Id=15A, Rds=0,300 Ohm, Pd=86W
на замовлення 82 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12