Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1650) > Сторінка 12 з 28

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ25N50D1B WMJ25N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+103.91 грн
6+77.35 грн
10+58.21 грн
30+51.83 грн
120+47.84 грн
300+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1B WMJ25N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.69 грн
4+96.39 грн
10+69.85 грн
30+62.20 грн
120+57.41 грн
300+54.54 грн
900+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3 WMJ25N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD93584FEBFC0C4&compId=WMx25N80M3.pdf?ci_sign=d6e04e8f21a66e4cb48f0f793bc683e492dcc6a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.96 грн
3+329.32 грн
10+246.39 грн
30+222.47 грн
120+205.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3 WMJ25N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD93584FEBFC0C4&compId=WMx25N80M3.pdf?ci_sign=d6e04e8f21a66e4cb48f0f793bc683e492dcc6a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+532.75 грн
3+410.38 грн
10+295.67 грн
30+266.96 грн
120+246.87 грн
300+235.39 грн
900+211.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FD WMJ26N65FD WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD95C76B3D6C0C4&compId=WMx26N65FD.pdf?ci_sign=0701854ad1ff916f82eddd8d840516d4ff9f951e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMJ28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.34 грн
3+196.95 грн
10+148.31 грн
30+133.16 грн
120+123.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMJ28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.41 грн
3+245.43 грн
10+177.98 грн
30+159.80 грн
120+148.31 грн
300+140.66 грн
900+127.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.76 грн
3+248.78 грн
10+187.39 грн
30+168.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+402.91 грн
3+310.02 грн
10+224.86 грн
30+201.90 грн
120+186.59 грн
300+177.98 грн
900+171.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ30N65EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+457.70 грн
3+340.48 грн
10+255.16 грн
30+229.65 грн
120+212.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+549.24 грн
3+424.29 грн
10+306.20 грн
30+275.58 грн
120+255.48 грн
300+243.04 грн
900+219.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+412.19 грн
3+306.99 грн
10+229.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+494.62 грн
3+382.56 грн
10+275.58 грн
30+247.83 грн
120+230.60 грн
300+219.12 грн
900+215.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FD WMJ38N60FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB26D3FAE73C0C4&compId=WMx38N65C2.pdf?ci_sign=e673a9db466554b7f807d4621d8ef54817bd5ed8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65FD WMJ38N65FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1 WAYON WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.14 грн
20+57.41 грн
54+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.15 грн
4+116.42 грн
10+87.71 грн
30+78.14 грн
120+73.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.58 грн
3+145.07 грн
10+105.25 грн
30+93.77 грн
120+88.03 грн
300+83.25 грн
900+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+355.51 грн
3+264.73 грн
10+198.55 грн
30+178.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+426.61 грн
3+329.90 грн
10+238.26 грн
30+214.34 грн
120+198.07 грн
300+189.46 грн
900+180.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1 WAYON WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.34 грн
13+88.99 грн
35+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4 WMJ53N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.69 грн
3+393.91 грн
10+295.03 грн
30+265.53 грн
120+246.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4 WMJ53N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+636.83 грн
3+490.87 грн
10+354.04 грн
30+318.63 грн
120+295.67 грн
300+282.27 грн
900+253.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2 WMJ53N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.07 грн
3+234.43 грн
10+232.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2 WMJ53N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+327.69 грн
3+292.14 грн
10+278.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4 WMJ53N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.09 грн
3+442.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4 WMJ53N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+714.11 грн
3+551.48 грн
10+398.05 грн
30+357.87 грн
120+332.03 грн
300+316.72 грн
900+284.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2 WMJ53N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.64 грн
3+429.79 грн
10+322.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2 WMJ53N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+695.56 грн
3+535.58 грн
10+387.53 грн
30+348.30 грн
120+322.46 грн
300+308.11 грн
900+276.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1197.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1436.47 грн
3+1106.94 грн
10+804.72 грн
30+720.52 грн
120+667.89 грн
300+636.31 грн
900+604.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMH WMJ69N30DMH WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMH WMJ69N30DMH WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+434.86 грн
3+397.47 грн
10+337.77 грн
30+302.37 грн
90+294.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EEF1F39AF1E80C4&compId=WMJ80N60C4.pdf?ci_sign=7ead3b04bb3dfa6f94eae41389d42abca306e18c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+759.11 грн
3+565.35 грн
10+424.21 грн
30+381.15 грн
120+353.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EEF1F39AF1E80C4&compId=WMJ80N60C4.pdf?ci_sign=7ead3b04bb3dfa6f94eae41389d42abca306e18c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+910.93 грн
3+704.51 грн
10+509.05 грн
30+457.38 грн
120+423.89 грн
300+403.80 грн
900+363.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1466.70 грн
3+1096.40 грн
10+813.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1760.03 грн
3+1366.29 грн
10+976.00 грн
30+882.23 грн
120+817.16 грн
300+780.80 грн
900+745.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.43 грн
3+747.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1214.92 грн
3+931.06 грн
10+673.63 грн
30+606.65 грн
120+561.68 грн
300+535.84 грн
900+512.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+960.05 грн
3+716.05 грн
10+536.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1152.06 грн
3+892.31 грн
10+643.97 грн
30+579.86 грн
120+536.80 грн
300+511.92 грн
900+460.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA087BFC5F071C0D3&compId=WMJ80N65F2.pdf?ci_sign=f874d423275e6f0a6769a5792cab93bd755bbb1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.63 грн
3+543.82 грн
10+407.46 грн
30+366.80 грн
120+339.69 грн
300+323.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA087BFC5F071C0D3&compId=WMJ80N65F2.pdf?ci_sign=f874d423275e6f0a6769a5792cab93bd755bbb1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+877.96 грн
3+677.68 грн
10+488.96 грн
30+440.16 грн
120+407.62 грн
300+388.49 грн
900+373.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R350S WAYON WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+499.78 грн
6+215.29 грн
15+203.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ83N25JN WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EC592A295D40DF&compId=WMx83N25JN.pdf?ci_sign=b15966b75598e13bd3061fc8270e665c05fbf019 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 31A; Idm: 145A; 92W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 92W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ85N20JN WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EBCA25C8D0E0DF&compId=WMx85N20JN.pdf?ci_sign=8a36d449d26d3e5a72bcbacd22517098dc69a3d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4 WAYON WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1382.88 грн
2+566.46 грн
6+535.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1086.28 грн
3+802.17 грн
10+603.62 грн
30+543.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1303.54 грн
3+999.62 грн
10+724.34 грн
30+652.58 грн
120+603.78 грн
300+576.03 грн
900+544.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1236.56 грн
3+916.99 грн
10+686.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1483.87 грн
3+1142.71 грн
10+823.86 грн
30+743.48 грн
120+687.03 грн
300+656.41 грн
900+589.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1301.82 грн
3+965.63 грн
10+723.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1562.19 грн
3+1203.33 грн
10+867.87 грн
30+779.84 грн
120+723.39 грн
300+689.90 грн
900+620.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.86 грн
3+470.46 грн
10+449.72 грн
30+404.27 грн
120+383.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1B
WMJ25N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+103.91 грн
6+77.35 грн
10+58.21 грн
30+51.83 грн
120+47.84 грн
300+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1B
WMJ25N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.69 грн
4+96.39 грн
10+69.85 грн
30+62.20 грн
120+57.41 грн
300+54.54 грн
900+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD93584FEBFC0C4&compId=WMx25N80M3.pdf?ci_sign=d6e04e8f21a66e4cb48f0f793bc683e492dcc6a6
WMJ25N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.96 грн
3+329.32 грн
10+246.39 грн
30+222.47 грн
120+205.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD93584FEBFC0C4&compId=WMx25N80M3.pdf?ci_sign=d6e04e8f21a66e4cb48f0f793bc683e492dcc6a6
WMJ25N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.75 грн
3+410.38 грн
10+295.67 грн
30+266.96 грн
120+246.87 грн
300+235.39 грн
900+211.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD95C76B3D6C0C4&compId=WMx26N65FD.pdf?ci_sign=0701854ad1ff916f82eddd8d840516d4ff9f951e
WMJ26N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMJ28N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.34 грн
3+196.95 грн
10+148.31 грн
30+133.16 грн
120+123.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMJ28N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.41 грн
3+245.43 грн
10+177.98 грн
30+159.80 грн
120+148.31 грн
300+140.66 грн
900+127.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2
WMJ28N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.76 грн
3+248.78 грн
10+187.39 грн
30+168.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2
WMJ28N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.91 грн
3+310.02 грн
10+224.86 грн
30+201.90 грн
120+186.59 грн
300+177.98 грн
900+171.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ30N65EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMJ36N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.70 грн
3+340.48 грн
10+255.16 грн
30+229.65 грн
120+212.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMJ36N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+549.24 грн
3+424.29 грн
10+306.20 грн
30+275.58 грн
120+255.48 грн
300+243.04 грн
900+219.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+412.19 грн
3+306.99 грн
10+229.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.62 грн
3+382.56 грн
10+275.58 грн
30+247.83 грн
120+230.60 грн
300+219.12 грн
900+215.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FD
WMJ38N60FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB26D3FAE73C0C4&compId=WMx38N65C2.pdf?ci_sign=e673a9db466554b7f807d4621d8ef54817bd5ed8
WMJ38N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65FD
WMJ38N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1
Виробник: WAYON
WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.14 грн
20+57.41 грн
54+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.15 грн
4+116.42 грн
10+87.71 грн
30+78.14 грн
120+73.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.58 грн
3+145.07 грн
10+105.25 грн
30+93.77 грн
120+88.03 грн
300+83.25 грн
900+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+355.51 грн
3+264.73 грн
10+198.55 грн
30+178.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.61 грн
3+329.90 грн
10+238.26 грн
30+214.34 грн
120+198.07 грн
300+189.46 грн
900+180.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1
Виробник: WAYON
WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.34 грн
13+88.99 грн
35+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4
WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.69 грн
3+393.91 грн
10+295.03 грн
30+265.53 грн
120+246.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4
WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.83 грн
3+490.87 грн
10+354.04 грн
30+318.63 грн
120+295.67 грн
300+282.27 грн
900+253.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2
WMJ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.07 грн
3+234.43 грн
10+232.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2
WMJ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.69 грн
3+292.14 грн
10+278.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4
WMJ53N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+595.09 грн
3+442.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4
WMJ53N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+714.11 грн
3+551.48 грн
10+398.05 грн
30+357.87 грн
120+332.03 грн
300+316.72 грн
900+284.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2
WMJ53N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.64 грн
3+429.79 грн
10+322.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2
WMJ53N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.56 грн
3+535.58 грн
10+387.53 грн
30+348.30 грн
120+322.46 грн
300+308.11 грн
900+276.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1197.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1436.47 грн
3+1106.94 грн
10+804.72 грн
30+720.52 грн
120+667.89 грн
300+636.31 грн
900+604.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMH
WMJ69N30DMH
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMH
WMJ69N30DMH
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.86 грн
3+397.47 грн
10+337.77 грн
30+302.37 грн
90+294.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EEF1F39AF1E80C4&compId=WMJ80N60C4.pdf?ci_sign=7ead3b04bb3dfa6f94eae41389d42abca306e18c
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+759.11 грн
3+565.35 грн
10+424.21 грн
30+381.15 грн
120+353.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EEF1F39AF1E80C4&compId=WMJ80N60C4.pdf?ci_sign=7ead3b04bb3dfa6f94eae41389d42abca306e18c
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+910.93 грн
3+704.51 грн
10+509.05 грн
30+457.38 грн
120+423.89 грн
300+403.80 грн
900+363.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1466.70 грн
3+1096.40 грн
10+813.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1760.03 грн
3+1366.29 грн
10+976.00 грн
30+882.23 грн
120+817.16 грн
300+780.80 грн
900+745.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1012.43 грн
3+747.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1214.92 грн
3+931.06 грн
10+673.63 грн
30+606.65 грн
120+561.68 грн
300+535.84 грн
900+512.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+960.05 грн
3+716.05 грн
10+536.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1152.06 грн
3+892.31 грн
10+643.97 грн
30+579.86 грн
120+536.80 грн
300+511.92 грн
900+460.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA087BFC5F071C0D3&compId=WMJ80N65F2.pdf?ci_sign=f874d423275e6f0a6769a5792cab93bd755bbb1b
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.63 грн
3+543.82 грн
10+407.46 грн
30+366.80 грн
120+339.69 грн
300+323.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA087BFC5F071C0D3&compId=WMJ80N65F2.pdf?ci_sign=f874d423275e6f0a6769a5792cab93bd755bbb1b
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.96 грн
3+677.68 грн
10+488.96 грн
30+440.16 грн
120+407.62 грн
300+388.49 грн
900+373.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R350S
Виробник: WAYON
WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.78 грн
6+215.29 грн
15+203.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ83N25JN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EC592A295D40DF&compId=WMx83N25JN.pdf?ci_sign=b15966b75598e13bd3061fc8270e665c05fbf019
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 31A; Idm: 145A; 92W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 92W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ85N20JN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091EBCA25C8D0E0DF&compId=WMx85N20JN.pdf?ci_sign=8a36d449d26d3e5a72bcbacd22517098dc69a3d2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4
Виробник: WAYON
WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1382.88 грн
2+566.46 грн
6+535.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.28 грн
3+802.17 грн
10+603.62 грн
30+543.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1303.54 грн
3+999.62 грн
10+724.34 грн
30+652.58 грн
120+603.78 грн
300+576.03 грн
900+544.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1236.56 грн
3+916.99 грн
10+686.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1483.87 грн
3+1142.71 грн
10+823.86 грн
30+743.48 грн
120+687.03 грн
300+656.41 грн
900+589.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1301.82 грн
3+965.63 грн
10+723.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1562.19 грн
3+1203.33 грн
10+867.87 грн
30+779.84 грн
120+723.39 грн
300+689.90 грн
900+620.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.86 грн
3+470.46 грн
10+449.72 грн
30+404.27 грн
120+383.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]