Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1255) > Сторінка 12 з 21

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 245A
Technology: WMOS™ F2
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1109.79 грн
3+819.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1043.53 грн
3+778.44 грн
10+582.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+795.07 грн
3+590.46 грн
10+443.48 грн
30+399.05 грн
120+369.14 грн
300+352.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 255mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ85N20JN WAYON WMx85N20JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4 WMJ90N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1095.07 грн
3+814.33 грн
10+613.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1165.00 грн
3+860.48 грн
10+646.85 грн
30+582.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 295A
Gate charge: 142nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1346.29 грн
3+998.90 грн
10+747.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1416.23 грн
3+1051.03 грн
10+786.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 183nC
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+620.23 грн
3+534.06 грн
10+509.28 грн
30+458.01 грн
120+433.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 310W
Gate charge: 39.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ98N25JN WAYON WMx98N25JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 72A; Idm: 360A; 290W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 290W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 72A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 10.6mΩ
Reverse recovery time: 198ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1745.67 грн
2+727.17 грн
4+687.87 грн
10+687.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1 WMJ9N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 85.2nC
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+726.98 грн
3+540.04 грн
10+405.03 грн
30+364.01 грн
120+336.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+403.06 грн
3+299.93 грн
6+177.73 грн
15+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK020N06HG4 WMK020N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 258A; Idm: 1032A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 258A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1032A
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS WMK023N08HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 329W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 270A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 329W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.51 грн
10+95.70 грн
50+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N08HGD WMK028N08HGD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 167A; Idm: 668A; 166.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 167A
Pulsed drain current: 668A
Power dissipation: 166.6W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.98 грн
10+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HG2 WMK028N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 245A; Idm: 780A; 278W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 245A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS WMK028N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 134nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.86 грн
10+62.04 грн
20+50.07 грн
54+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06LG4 WMK030N06LG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 740A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS WMK036N12HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 188A; Idm: 752A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 188A
Pulsed drain current: 752A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.91 грн
10+91.43 грн
50+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK040N08HGS WMK040N08HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A; 227.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 227.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 720A
Gate charge: 78.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS WMK043N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.78 грн
10+63.57 грн
20+51.01 грн
53+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10LGS WMK043N10LGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.06 грн
10+70.15 грн
18+56.23 грн
48+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6HG4 WMK048NV6HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 104.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6LG4 WMK048NV6LG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 104.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.26 грн
10+49.22 грн
27+37.51 грн
72+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS WMK053N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 197.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.10 грн
10+48.28 грн
27+36.74 грн
73+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK05N80M3 WMK05N80M3 WAYON WMx05N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.91 грн
6+80.32 грн
10+64.51 грн
50+48.36 грн
100+43.58 грн
250+40.33 грн
500+38.45 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N08HG2 WMK060N08HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; Idm: 278A; 86.2W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 278A
Power dissipation: 86.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N10LGS WMK060N10LGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 116A; Idm: 464A; 162W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 116A
Power dissipation: 162W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 464A
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.35 грн
10+55.29 грн
24+41.10 грн
66+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.94 грн
8+54.09 грн
10+43.49 грн
50+32.73 грн
100+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK071N15HG2 WMK071N15HG2 WAYON WMK071N15HG2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 135A; Idm: 540A; 255W; TO220-3
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: THT
Case: TO220-3
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 255W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 135A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.25 грн
10+190.55 грн
50+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N60C2 WMK07N60C2 WAYON WMK07N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N65C2 WMK07N65C2 WAYON WMK07N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Kind of package: tube
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.50 грн
7+66.91 грн
10+52.81 грн
25+39.65 грн
33+29.48 грн
91+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N70C2 WMK07N70C2 WAYON WMK07N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N80M3 WMK07N80M3 WAYON WMx07N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK080N10LG2 WMK080N10LG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41A; Idm: 328A; 108.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 41A
Power dissipation: 108.7W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 328A
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+57.05 грн
10+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK08N80M3 WMK08N80M3 WAYON WMx08N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.50 грн
7+67.51 грн
10+53.49 грн
50+40.25 грн
100+36.40 грн
250+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK09N60C2 WMK09N60C2 WAYON WMK09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.26 грн
7+68.36 грн
10+54.52 грн
25+41.19 грн
33+30.42 грн
89+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK09N65C2 WMK09N65C2 WAYON WMK09N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK100N07TS WMK100N07TS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 133W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 133W
Gate charge: 92nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 70V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.10 грн
10+45.29 грн
50+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK100N10TS WMK100N10TS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 258.6W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 258.6W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 12mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK10N70C2 WMK10N70C2 WAYON WMx10N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 920mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+146.12 грн
10+117.92 грн
17+59.81 грн
45+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK110N20HG2 WMK110N20HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 125A; Idm: 500A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+379.13 грн
10+332.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK119N12HG4 WMK119N12HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; Idm: 300A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK119N12LG4 WMK119N12LG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; Idm: 300A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.81 грн
10+47.85 грн
26+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK120N04TS WMK120N04TS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Kind of package: tube
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.02 грн
11+41.36 грн
34+28.97 грн
93+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK130N20JN WMK130N20JN WAYON WMx130N20JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 188nC
Reverse recovery time: 196ns
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK13N50D1 WMK13N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.58 грн
7+66.39 грн
10+52.98 грн
35+28.28 грн
94+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK13N80M3 WMK13N80M3 WAYON WMx13N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.54 грн
3+192.26 грн
10+153.81 грн
50+115.36 грн
100+103.39 грн
250+95.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N60C2 WMK14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.48 грн
4+129.88 грн
10+103.39 грн
17+58.11 грн
47+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N65C4 WMK14N65C4 WAYON WMx14N65C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 26A
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK15N50D1B WMK15N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 156W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 370mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK15N80M3 WMK15N80M3 WAYON WMx15N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK161N15T2 WMK161N15T2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 161A; Idm: 540A; 365W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
On-state resistance: 6mΩ
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 365W
Gate charge: 78nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 161A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.09 грн
7+153.81 грн
18+146.12 грн
50+145.26 грн
250+144.41 грн
500+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N10T1 WMK16N10T1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.8A; Idm: 63.2A; 44.6W
Power dissipation: 44.6W
Gate charge: 20.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 63.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 245A
Technology: WMOS™ F2
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1109.79 грн
3+819.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1043.53 грн
3+778.44 грн
10+582.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+795.07 грн
3+590.46 грн
10+443.48 грн
30+399.05 грн
120+369.14 грн
300+352.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 255mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ85N20JN WMx85N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1095.07 грн
3+814.33 грн
10+613.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1165.00 грн
3+860.48 грн
10+646.85 грн
30+582.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 295A
Gate charge: 142nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1346.29 грн
3+998.90 грн
10+747.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1416.23 грн
3+1051.03 грн
10+786.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 183nC
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+620.23 грн
3+534.06 грн
10+509.28 грн
30+458.01 грн
120+433.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 310W
Gate charge: 39.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ98N25JN WMx98N25JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 72A; Idm: 360A; 290W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 290W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 72A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 10.6mΩ
Reverse recovery time: 198ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1745.67 грн
2+727.17 грн
4+687.87 грн
10+687.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 85.2nC
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+726.98 грн
3+540.04 грн
10+405.03 грн
30+364.01 грн
120+336.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+403.06 грн
3+299.93 грн
6+177.73 грн
15+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK020N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 258A; Idm: 1032A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 258A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1032A
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 329W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 270A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 329W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.51 грн
10+95.70 грн
50+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N08HGD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 167A; Idm: 668A; 166.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 167A
Pulsed drain current: 668A
Power dissipation: 166.6W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.98 грн
10+70.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 245A; Idm: 780A; 278W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 245A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 134nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.86 грн
10+62.04 грн
20+50.07 грн
54+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06LG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 740A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 188A; Idm: 752A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 188A
Pulsed drain current: 752A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.91 грн
10+91.43 грн
50+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK040N08HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A; 227.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 227.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 720A
Gate charge: 78.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.78 грн
10+63.57 грн
20+51.01 грн
53+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10LGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.06 грн
10+70.15 грн
18+56.23 грн
48+53.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 104.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 104.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.26 грн
10+49.22 грн
27+37.51 грн
72+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 197.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.10 грн
10+48.28 грн
27+36.74 грн
73+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK05N80M3 WMx05N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.91 грн
6+80.32 грн
10+64.51 грн
50+48.36 грн
100+43.58 грн
250+40.33 грн
500+38.45 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N08HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; Idm: 278A; 86.2W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 278A
Power dissipation: 86.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N10LGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 116A; Idm: 464A; 162W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 116A
Power dissipation: 162W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 464A
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.35 грн
10+55.29 грн
24+41.10 грн
66+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.94 грн
8+54.09 грн
10+43.49 грн
50+32.73 грн
100+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK071N15HG2 WMK071N15HG2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 135A; Idm: 540A; 255W; TO220-3
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: THT
Case: TO220-3
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 255W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 135A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+216.25 грн
10+190.55 грн
50+167.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N60C2 WMK07N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N65C2 WMK07N65C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Kind of package: tube
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.50 грн
7+66.91 грн
10+52.81 грн
25+39.65 грн
33+29.48 грн
91+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N70C2 WMK07N70C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N80M3 WMx07N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK080N10LG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41A; Idm: 328A; 108.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 41A
Power dissipation: 108.7W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 328A
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+57.05 грн
10+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK08N80M3 WMx08N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.50 грн
7+67.51 грн
10+53.49 грн
50+40.25 грн
100+36.40 грн
250+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK09N60C2 WMK09N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.26 грн
7+68.36 грн
10+54.52 грн
25+41.19 грн
33+30.42 грн
89+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK09N65C2 WMK09N65C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK100N07TS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 133W; TO220-3
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 133W
Gate charge: 92nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 70V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.10 грн
10+45.29 грн
50+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK100N10TS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 258.6W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 258.6W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 12mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK10N70C2 WMx10N70C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 920mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK10N80M3 WMx10N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.12 грн
10+117.92 грн
17+59.81 грн
45+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK110N20HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 125A; Idm: 500A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+379.13 грн
10+332.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK119N12HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; Idm: 300A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK119N12LG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; Idm: 300A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.81 грн
10+47.85 грн
26+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK120N04TS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Kind of package: tube
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.02 грн
11+41.36 грн
34+28.97 грн
93+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK130N20JN WMx130N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 188nC
Reverse recovery time: 196ns
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK13N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+85.58 грн
7+66.39 грн
10+52.98 грн
35+28.28 грн
94+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK13N80M3 WMx13N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.54 грн
3+192.26 грн
10+153.81 грн
50+115.36 грн
100+103.39 грн
250+95.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N60C2 WMx14N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.48 грн
4+129.88 грн
10+103.39 грн
17+58.11 грн
47+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N65C4 WMx14N65C4.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 26A
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK15N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 156W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 370mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK15N80M3 WMx15N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK161N15T2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 161A; Idm: 540A; 365W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
On-state resistance: 6mΩ
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 365W
Gate charge: 78nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 161A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+218.09 грн
7+153.81 грн
18+146.12 грн
50+145.26 грн
250+144.41 грн
500+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N10T1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.8A; Idm: 63.2A; 44.6W
Power dissipation: 44.6W
Gate charge: 20.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Pulsed drain current: 63.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.