| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WM06N03LE | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 1.36A Power dissipation: 0.3W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.06nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM06N03ME | WAYON | WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N30M | WAYON | WM06N30M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06N30MS | WAYON | WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM06P17MR | WAYON | WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM10N02G | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC Pulsed drain current: 0.5A |
на замовлення 2944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N02G | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC Pulsed drain current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2944 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N02M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC Pulsed drain current: 0.8A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N02M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC Pulsed drain current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N20M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 5.3nC Pulsed drain current: 8A |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N20M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 5.3nC Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N33M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4nC Pulsed drain current: 13.2A |
на замовлення 2708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N33M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.3A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 4nC Pulsed drain current: 13.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2708 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N35M2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1.65W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Pulsed drain current: 14A |
на замовлення 2681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N35M2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 1.65W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Pulsed drain current: 14A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2681 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N35M3 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Pulsed drain current: 14A |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM10N35M3 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.5A Power dissipation: 2W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Pulsed drain current: 14A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM10P20M2 | WAYON | WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2743 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM12N35M2 | WAYON | WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2952 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM15P10M2 | WAYON | WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM4C62160A | WAYON | WM4C62160A-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM6C61042A | WAYON | WM6C61042A-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMAA4N65D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 14.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMAA4N80D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 156W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: THT Gate charge: 24.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMAA4N80D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 96W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMAA6N80D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMB007N03LG4 | WAYON | WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB009N03LG4 | WAYON | WMB009N03LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB010N04LG4 | WAYON | WMB010N04LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 313 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB014N04LG4 | WAYON | WMB014N04LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB014N06LG4 | WAYON | WMB014N06LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 144 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB017N03LG2 | WAYON | WMB017N03LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB020N03LG4 | WAYON | WMB020N03LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB020N06HG4 | WAYON | WMB020N06HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 58 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB023N03LG2 | WAYON | WMB023N03LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB025N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB025N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 140A Pulsed drain current: 560A Power dissipation: 92.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB027N08HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 195A Pulsed drain current: 780A Power dissipation: 192.3W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 77.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMB02DN10T1 | WAYON | WMB02DN10T1-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 475 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB034N06HG4 | WAYON | WMB034N06HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB034N06LG4 | WAYON | WMB034N06LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB03DN06T1 | WAYON | WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB040N03LG2 | WAYON | WMB040N03LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 478 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB040N08HGS | WAYON | WMB040N08HGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB042DN03LG2 | WAYON | WMB042DN03LG2-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 99 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB043N10HGS | WAYON | WMB043N10HGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 85 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB043N10LGS | WAYON | WMB043N10LGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB048NV6HG4 | WAYON | WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 86 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB048NV6LG4 | WAYON | WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB049N12HG2 | WAYON | WMB049N12HG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 62 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB050N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 31.25W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB050N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 31.25W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 242 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB060N08LG2 | WAYON | WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 87 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB060N10HGS | WAYON | WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 97 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB060N10LGS | WAYON | WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB072N12HG2 | WAYON | WMB072N12HG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB072N12LG2-S | WAYON | WMB072N12LG2-S-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB080N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 30.4W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WM06N03LE |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 24+ | 12.83 грн |
| 53+ | 5.62 грн |
| 127+ | 2.35 грн |
| 500+ | 2.12 грн |
| 3000+ | 1.68 грн |
| 6000+ | 1.67 грн |
| WM06N03ME |
Виробник: WAYON
WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors
WM06N03ME-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.46 грн |
| 991+ | 1.19 грн |
| 2726+ | 1.12 грн |
| WM06N30M |
Виробник: WAYON
WM06N30M-CYG SMD N channel transistors
WM06N30M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.16 грн |
| 463+ | 2.53 грн |
| 1271+ | 2.39 грн |
| WM06N30MS |
Виробник: WAYON
WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors
WM06N30MS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.66 грн |
| 404+ | 2.90 грн |
| 1111+ | 2.74 грн |
| WM06P17MR |
Виробник: WAYON
WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors
WM06P17MR-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.66 грн |
| 399+ | 2.94 грн |
| 1096+ | 2.78 грн |
| WM10N02G |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.5A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.5A
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 23.07 грн |
| 44+ | 9.56 грн |
| 94+ | 4.38 грн |
| 225+ | 1.84 грн |
| 500+ | 1.65 грн |
| WM10N02G |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.69 грн |
| 26+ | 11.91 грн |
| 57+ | 5.26 грн |
| 135+ | 2.20 грн |
| 500+ | 1.98 грн |
| 3000+ | 1.82 грн |
| WM10N02M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.8A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 29.28 грн |
| 42+ | 9.97 грн |
| 124+ | 3.33 грн |
| 295+ | 1.40 грн |
| 500+ | 1.26 грн |
| 3000+ | 1.00 грн |
| WM10N02M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.14 грн |
| 25+ | 12.42 грн |
| 75+ | 3.99 грн |
| 177+ | 1.68 грн |
| 500+ | 1.51 грн |
| 3000+ | 1.20 грн |
| WM10N20M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 26.62 грн |
| 48+ | 8.73 грн |
| 111+ | 3.72 грн |
| 160+ | 2.58 грн |
| 500+ | 2.33 грн |
| WM10N20M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.94 грн |
| 29+ | 10.88 грн |
| 67+ | 4.47 грн |
| 100+ | 3.09 грн |
| 500+ | 2.80 грн |
| 3000+ | 2.22 грн |
| 6000+ | 2.16 грн |
| WM10N33M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4nC
Pulsed drain current: 13.2A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4nC
Pulsed drain current: 13.2A
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 25.73 грн |
| 52+ | 7.99 грн |
| 124+ | 3.33 грн |
| 138+ | 2.99 грн |
| 500+ | 2.63 грн |
| WM10N33M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4nC
Pulsed drain current: 13.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4nC
Pulsed drain current: 13.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.88 грн |
| 31+ | 9.96 грн |
| 75+ | 3.99 грн |
| 100+ | 3.59 грн |
| 500+ | 3.15 грн |
| 3000+ | 2.85 грн |
| 6000+ | 2.75 грн |
| WM10N35M2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.49 грн |
| 37+ | 11.37 грн |
| 61+ | 6.86 грн |
| 100+ | 6.12 грн |
| 500+ | 5.47 грн |
| WM10N35M2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 1.65W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.59 грн |
| 22+ | 14.17 грн |
| 37+ | 8.23 грн |
| 100+ | 7.35 грн |
| 500+ | 6.57 грн |
| 3000+ | 5.88 грн |
| 6000+ | 5.65 грн |
| WM10N35M3 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 36.38 грн |
| 35+ | 11.87 грн |
| 58+ | 7.17 грн |
| 100+ | 6.43 грн |
| 500+ | 5.69 грн |
| WM10N35M3 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.66 грн |
| 21+ | 14.79 грн |
| 35+ | 8.60 грн |
| 100+ | 7.71 грн |
| 500+ | 6.82 грн |
| 3000+ | 6.13 грн |
| 6000+ | 5.93 грн |
| WM10P20M2 |
Виробник: WAYON
WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
WM10P20M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.11 грн |
| 143+ | 8.21 грн |
| 391+ | 7.81 грн |
| WM12N35M2 |
Виробник: WAYON
WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
WM12N35M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.15 грн |
| 180+ | 6.53 грн |
| 493+ | 6.23 грн |
| WM15P10M2 |
Виробник: WAYON
WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
WM15P10M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.25 грн |
| 86+ | 13.64 грн |
| 236+ | 12.95 грн |
| WM4C62160A |
Виробник: WAYON
WM4C62160A-CYG Multi channel transistors
WM4C62160A-CYG Multi channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.62 грн |
| 92+ | 12.85 грн |
| 251+ | 12.16 грн |
| WM6C61042A |
Виробник: WAYON
WM6C61042A-CYG Multi channel transistors
WM6C61042A-CYG Multi channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.53 грн |
| 69+ | 17.20 грн |
| 188+ | 16.22 грн |
| WMAA4N65D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA4N80D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA4N80D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMAA6N80D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB007N03LG4 |
Виробник: WAYON
WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB007N03LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.48 грн |
| 18+ | 69.21 грн |
| 47+ | 65.26 грн |
| WMB009N03LG4 |
Виробник: WAYON
WMB009N03LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB009N03LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.11 грн |
| 20+ | 59.62 грн |
| 54+ | 56.36 грн |
| WMB010N04LG4 |
Виробник: WAYON
WMB010N04LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB010N04LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.61 грн |
| 22+ | 55.47 грн |
| 59+ | 52.50 грн |
| WMB014N04LG4 |
Виробник: WAYON
WMB014N04LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB014N04LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.76 грн |
| 24+ | 50.72 грн |
| 64+ | 47.96 грн |
| WMB014N06LG4 |
Виробник: WAYON
WMB014N06LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB014N06LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.11 грн |
| 20+ | 59.62 грн |
| 54+ | 56.36 грн |
| WMB017N03LG2 |
Виробник: WAYON
WMB017N03LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB017N03LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.48 грн |
| 26+ | 46.47 грн |
| 70+ | 43.90 грн |
| 12000+ | 43.84 грн |
| WMB020N03LG4 |
Виробник: WAYON
WMB020N03LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB020N03LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.56 грн |
| 39+ | 30.16 грн |
| 107+ | 28.48 грн |
| WMB020N06HG4 |
Виробник: WAYON
WMB020N06HG4-CYG SMD N channel transistors
WMB020N06HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.43 грн |
| 19+ | 62.98 грн |
| 52+ | 59.52 грн |
| WMB023N03LG2 |
Виробник: WAYON
WMB023N03LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB023N03LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.34 грн |
| 38+ | 30.95 грн |
| 105+ | 29.27 грн |
| WMB025N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.78 грн |
| 10+ | 57.10 грн |
| 25+ | 50.67 грн |
| WMB025N06HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.73 грн |
| 10+ | 71.16 грн |
| 25+ | 60.81 грн |
| 100+ | 56.36 грн |
| 500+ | 54.48 грн |
| 3000+ | 52.70 грн |
| WMB025N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 64.78 грн |
| 10+ | 57.10 грн |
| 25+ | 50.67 грн |
| WMB025N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.73 грн |
| 10+ | 71.16 грн |
| 25+ | 60.81 грн |
| 100+ | 56.36 грн |
| 500+ | 54.48 грн |
| 3000+ | 52.70 грн |
| WMB027N08HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB02DN10T1 |
Виробник: WAYON
WMB02DN10T1-CYG Multi channel transistors
WMB02DN10T1-CYG Multi channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.06 грн |
| 75+ | 15.62 грн |
| 206+ | 14.83 грн |
| WMB034N06HG4 |
Виробник: WAYON
WMB034N06HG4-CYG SMD N channel transistors
WMB034N06HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.02 грн |
| 23+ | 52.40 грн |
| 62+ | 49.54 грн |
| WMB034N06LG4 |
Виробник: WAYON
WMB034N06LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB034N06LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.23 грн |
| 23+ | 52.50 грн |
| 62+ | 49.64 грн |
| WMB03DN06T1 |
Виробник: WAYON
WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.06 грн |
| 75+ | 15.62 грн |
| 206+ | 14.83 грн |
| WMB040N03LG2 |
Виробник: WAYON
WMB040N03LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB040N03LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.81 грн |
| 66+ | 17.80 грн |
| 182+ | 16.81 грн |
| WMB040N08HGS |
Виробник: WAYON
WMB040N08HGS-CYG SMD N channel transistors
WMB040N08HGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.61 грн |
| 17+ | 70.20 грн |
| 47+ | 66.25 грн |
| WMB042DN03LG2 |
Виробник: WAYON
WMB042DN03LG2-CYG Multi channel transistors
WMB042DN03LG2-CYG Multi channel transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.15 грн |
| 25+ | 47.76 грн |
| 68+ | 45.19 грн |
| WMB043N10HGS |
Виробник: WAYON
WMB043N10HGS-CYG SMD N channel transistors
WMB043N10HGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.77 грн |
| 20+ | 61.30 грн |
| 53+ | 58.04 грн |
| WMB043N10LGS |
Виробник: WAYON
WMB043N10LGS-CYG SMD N channel transistors
WMB043N10LGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.77 грн |
| 20+ | 61.30 грн |
| 53+ | 58.04 грн |
| WMB048NV6HG4 |
Виробник: WAYON
WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.34 грн |
| 37+ | 31.84 грн |
| 102+ | 30.16 грн |
| WMB048NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.70 грн |
| 41+ | 28.97 грн |
| 112+ | 27.39 грн |
| WMB049N12HG2 |
Виробник: WAYON
WMB049N12HG2-CYG SMD N channel transistors
WMB049N12HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.79 грн |
| 12+ | 104.81 грн |
| 31+ | 98.88 грн |
| WMB050N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.61 грн |
| 26+ | 16.31 грн |
| 31+ | 13.51 грн |
| 100+ | 11.87 грн |
| WMB050N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.53 грн |
| 16+ | 20.33 грн |
| 25+ | 16.22 грн |
| 100+ | 14.24 грн |
| 500+ | 13.15 грн |
| 3000+ | 12.36 грн |
| WMB060N08LG2 |
Виробник: WAYON
WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.11 грн |
| 26+ | 45.78 грн |
| 71+ | 43.21 грн |
| WMB060N10HGS |
Виробник: WAYON
WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors
WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.08 грн |
| 23+ | 53.00 грн |
| 61+ | 50.13 грн |
| WMB060N10LGS |
Виробник: WAYON
WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors
WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.23 грн |
| 23+ | 53.00 грн |
| 61+ | 50.13 грн |
| WMB072N12HG2 |
Виробник: WAYON
WMB072N12HG2-CYG SMD N channel transistors
WMB072N12HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.33 грн |
| 15+ | 79.10 грн |
| 42+ | 74.16 грн |
| WMB072N12LG2-S |
Виробник: WAYON
WMB072N12LG2-S-CYG SMD N channel transistors
WMB072N12LG2-S-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.16 грн |
| 18+ | 65.26 грн |
| 50+ | 62.29 грн |
| WMB080N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 33.72 грн |
| 28+ | 14.83 грн |
| 34+ | 12.44 грн |
| 100+ | 11.70 грн |
| 500+ | 10.38 грн |





