Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (2299) > Сторінка 14 з 39

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
WMJ36N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ38N60C2 WMJ38N60C2 WAYON WMx38N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.16 грн
WMJ38N60FD WMJ38N60FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ38N60FD WMJ38N60FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON WMx38N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON WMx38N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ38N65FD WMJ38N65FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ38N65FD WMJ38N65FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ3N120D1 WMJ3N120D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.03 грн
5+ 84.11 грн
10+ 63.26 грн
20+ 42.41 грн
54+ 40.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ3N120D1 WMJ3N120D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+104.81 грн
10+ 75.91 грн
20+ 50.9 грн
54+ 48.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 5.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.77 грн
10+ 91.3 грн
13+ 66.14 грн
35+ 62.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 5.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+196.02 грн
3+ 150.5 грн
10+ 109.56 грн
13+ 79.36 грн
35+ 75.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+372.38 грн
3+ 276.77 грн
6+ 148.81 грн
16+ 140.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+446.86 грн
3+ 344.9 грн
6+ 178.57 грн
16+ 169.08 грн
WMJ4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.93 грн
10+ 92.02 грн
13+ 66.14 грн
35+ 62.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMJ4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+198.81 грн
3+ 153.19 грн
10+ 110.42 грн
13+ 79.36 грн
35+ 75.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ53N60C4 WMJ53N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.35 грн
3+ 352.97 грн
WMJ53N60C4 WMJ53N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+570.42 грн
3+ 439.86 грн
4+ 280.37 грн
10+ 264.84 грн
300+ 254.49 грн
WMJ53N60F2 WMJ53N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ53N60F2 WMJ53N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ53N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ53N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ53N65F2 WAYON WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+763.66 грн
4+ 294.17 грн
10+ 277.78 грн
WMJ53N65FD WAYON WMJ53N65FD-CYG THT N channel transistors
товар відсутній
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1241.79 грн
2+ 499.63 грн
5+ 472.31 грн
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1490.15 грн
2+ 622.61 грн
5+ 566.77 грн
WMJ69N30DMH WMJ69N30DMH WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of channel: enhanced
Polarisation: unipolar
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.25 грн
3+ 311.28 грн
4+ 240.83 грн
10+ 227.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ69N30DMH WMJ69N30DMH WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of channel: enhanced
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+422.7 грн
3+ 387.9 грн
4+ 288.99 грн
10+ 272.6 грн
300+ 266.56 грн
900+ 263.97 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+791.22 грн
3+ 327.81 грн
7+ 309.84 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+949.46 грн
3+ 408.5 грн
7+ 371.81 грн
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1529.01 грн
2+ 611.05 грн
3+ 610.33 грн
4+ 577.27 грн
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1834.82 грн
2+ 761.47 грн
3+ 732.4 грн
4+ 692.72 грн
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1055.21 грн
2+ 419.83 грн
6+ 396.82 грн
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1266.26 грн
2+ 523.17 грн
6+ 476.19 грн
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+997.15 грн
3+ 398.26 грн
6+ 376.7 грн
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1196.58 грн
3+ 496.3 грн
6+ 452.04 грн
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+841.54 грн
3+ 335.72 грн
7+ 317.03 грн
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1009.85 грн
3+ 418.36 грн
7+ 380.43 грн
WMJ80R160S WAYON WMJ80R160S-CYG THT N channel transistors
товар відсутній
WMJ80R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 255mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: WMOS™ S
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247-3
товар відсутній
WMJ80R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 255mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: WMOS™ S
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ80R350S WAYON WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+485.88 грн
6+ 191.51 грн
15+ 181.16 грн
WMJ90N60C4 WAYON WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1068.38 грн
3+ 406.31 грн
7+ 383.89 грн
WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ90N65C4 WAYON WMJ90N65C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1628.58 грн
2+ 628.02 грн
5+ 593.51 грн
WMJ90N65F2 WAYON WMJ90N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1714.97 грн
2+ 648.72 грн
5+ 613.35 грн
WMJ90N65SR WAYON WMJ90N65SR-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1241.17 грн
3+ 469.29 грн
6+ 443.41 грн
WMJ90R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39.5nC
Technology: WMOS™ S
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247-3
товар відсутній
WMJ90R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39.5nC
Technology: WMOS™ S
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ90R360S WAYON WMJ90R360S-CYG THT N channel transistors
товар відсутній
WMJ90R500S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; Idm: 40A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ90R500S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; Idm: 40A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1421.4 грн
2+ 569.36 грн
3+ 568.64 грн
5+ 537.73 грн
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1705.68 грн
2+ 709.51 грн
3+ 682.37 грн
5+ 645.27 грн
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1570.05 грн
2+ 628.31 грн
3+ 627.59 грн
4+ 593.8 грн
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1884.06 грн
2+ 782.97 грн
3+ 753.1 грн
4+ 712.56 грн
WMJ9N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
WMJ9N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+360 грн
3+ 268.14 грн
6+ 154.56 грн
15+ 145.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ36N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ38N60C2 WMx38N60C2.pdf
WMJ38N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+493.16 грн
WMJ38N60FD
WMJ38N60FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ38N60FD
WMJ38N60FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ38N65C2 WMx38N65C2.pdf
WMJ38N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ38N65C2 WMx38N65C2.pdf
WMJ38N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ38N65FD
WMJ38N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ38N65FD
WMJ38N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ3N120D1
WMJ3N120D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+113.03 грн
5+ 84.11 грн
10+ 63.26 грн
20+ 42.41 грн
54+ 40.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMJ3N120D1
WMJ3N120D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.81 грн
10+ 75.91 грн
20+ 50.9 грн
54+ 48.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 5.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.77 грн
10+ 91.3 грн
13+ 66.14 грн
35+ 62.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
On-state resistance: 5.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.02 грн
3+ 150.5 грн
10+ 109.56 грн
13+ 79.36 грн
35+ 75.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+372.38 грн
3+ 276.77 грн
6+ 148.81 грн
16+ 140.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.86 грн
3+ 344.9 грн
6+ 178.57 грн
16+ 169.08 грн
WMJ4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.93 грн
10+ 92.02 грн
13+ 66.14 грн
35+ 62.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
WMJ4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.81 грн
3+ 153.19 грн
10+ 110.42 грн
13+ 79.36 грн
35+ 75.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ53N60C4
WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.35 грн
3+ 352.97 грн
WMJ53N60C4
WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+570.42 грн
3+ 439.86 грн
4+ 280.37 грн
10+ 264.84 грн
300+ 254.49 грн
WMJ53N60F2
WMJ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ53N60F2
WMJ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ53N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ53N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ53N65F2
Виробник: WAYON
WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+763.66 грн
4+ 294.17 грн
10+ 277.78 грн
WMJ53N65FD
Виробник: WAYON
WMJ53N65FD-CYG THT N channel transistors
товар відсутній
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1241.79 грн
2+ 499.63 грн
5+ 472.31 грн
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1490.15 грн
2+ 622.61 грн
5+ 566.77 грн
WMJ69N30DMH
WMJ69N30DMH
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of channel: enhanced
Polarisation: unipolar
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+352.25 грн
3+ 311.28 грн
4+ 240.83 грн
10+ 227.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ69N30DMH
WMJ69N30DMH
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of channel: enhanced
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.7 грн
3+ 387.9 грн
4+ 288.99 грн
10+ 272.6 грн
300+ 266.56 грн
900+ 263.97 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+791.22 грн
3+ 327.81 грн
7+ 309.84 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+949.46 грн
3+ 408.5 грн
7+ 371.81 грн
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1529.01 грн
2+ 611.05 грн
3+ 610.33 грн
4+ 577.27 грн
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1834.82 грн
2+ 761.47 грн
3+ 732.4 грн
4+ 692.72 грн
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1055.21 грн
2+ 419.83 грн
6+ 396.82 грн
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1266.26 грн
2+ 523.17 грн
6+ 476.19 грн
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+997.15 грн
3+ 398.26 грн
6+ 376.7 грн
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1196.58 грн
3+ 496.3 грн
6+ 452.04 грн
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+841.54 грн
3+ 335.72 грн
7+ 317.03 грн
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1009.85 грн
3+ 418.36 грн
7+ 380.43 грн
WMJ80R160S
Виробник: WAYON
WMJ80R160S-CYG THT N channel transistors
товар відсутній
WMJ80R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 255mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: WMOS™ S
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247-3
товар відсутній
WMJ80R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
On-state resistance: 255mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39nC
Technology: WMOS™ S
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 78A
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ80R350S
Виробник: WAYON
WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+485.88 грн
6+ 191.51 грн
15+ 181.16 грн
WMJ90N60C4
Виробник: WAYON
WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1068.38 грн
3+ 406.31 грн
7+ 383.89 грн
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
WMJ90N65C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1628.58 грн
2+ 628.02 грн
5+ 593.51 грн
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
WMJ90N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1714.97 грн
2+ 648.72 грн
5+ 613.35 грн
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
WMJ90N65SR-CYG THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1241.17 грн
3+ 469.29 грн
6+ 443.41 грн
WMJ90R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39.5nC
Technology: WMOS™ S
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247-3
товар відсутній
WMJ90R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 39.5nC
Technology: WMOS™ S
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ90R360S
Виробник: WAYON
WMJ90R360S-CYG THT N channel transistors
товар відсутній
WMJ90R500S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; Idm: 40A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WMJ90R500S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; Idm: 40A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ S
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1421.4 грн
2+ 569.36 грн
3+ 568.64 грн
5+ 537.73 грн
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1705.68 грн
2+ 709.51 грн
3+ 682.37 грн
5+ 645.27 грн
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1570.05 грн
2+ 628.31 грн
3+ 627.59 грн
4+ 593.8 грн
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1884.06 грн
2+ 782.97 грн
3+ 753.1 грн
4+ 712.56 грн
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+360 грн
3+ 268.14 грн
6+ 154.56 грн
15+ 145.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]