Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1029) > Сторінка 14 з 18

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WMM14N65C4 WMM14N65C4 WAYON WMx14N65C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 13nC
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM15N60C4 WMM15N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+73.97 грн
10+62.20 грн
25+56.31 грн
100+52.11 грн
250+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM15N65C4 WMM15N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Gate charge: 14.6nC
Drain current: 7.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM161N15T2 WMM161N15T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 161A; Idm: 540A; 365W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 161A
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 365W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+219.96 грн
5+192.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM16N60FD WMM16N60FD WAYON WMx16N60FD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+74.81 грн
25+67.24 грн
100+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM17N25JN WAYON WMx17N25JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 6.5A; Idm: 33A; 36W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 36W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM180N03TS WMM180N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; Idm: 720A; 181W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 181W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.55 грн
14+32.28 грн
25+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM18N20JN WAYON WMx18N20JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7A; Idm: 39A; 36W; TO263; 80ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 80ns
On-state resistance: 135mΩ
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Pulsed drain current: 39A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM18N65EM WMM18N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM190N03TS WMM190N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 190A; Idm: 760A; 192W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 192W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.22 грн
13+32.78 грн
25+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM20N20JN WMM20N20JN WAYON WMx20N20JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; Idm: 60A; 59W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 59W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.1nC
Reverse recovery time: 110ns
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.41 грн
13+33.28 грн
100+30.09 грн
200+26.48 грн
400+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM20N60C2 WMM20N60C2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 15A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM240P10HG4 WMM240P10HG4 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -38A; Idm: -240A; 192.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -38A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 192.3W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM25N80M3 WMM25N80M3 WAYON WMx25N80M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.13 грн
10+158.86 грн
100+142.89 грн
250+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM26N60C4 WMM26N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.88 грн
10+103.38 грн
25+92.46 грн
100+85.73 грн
250+81.53 грн
500+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM26N60F2 WMM26N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.99 грн
10+97.50 грн
25+87.41 грн
100+82.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM26N60FD WMM26N60FD WAYON WMx26N60FD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 20A; 147W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM26N65FD WMM26N65FD WAYON WMx26N65FD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM28N60C4 WMM28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.10 грн
5+103.38 грн
10+95.82 грн
25+90.78 грн
100+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM340N20HG2 WMM340N20HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 148A; 173.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 173.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.98 грн
25+84.05 грн
100+75.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM36N60C4 WMM36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM36N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM36N65C4 WMM36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM36N65F2 WMM36N65F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM38N60C2 WMM38N60C2 WAYON WMx38N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.27 грн
10+145.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM38N65FD WMM38N65FD WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM40N20JN WMM40N20JN WAYON WMx40N20JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM4N90D1 WMM4N90D1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Gate charge: 26nC
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM4N90D1B WMM4N90D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Gate charge: 34nC
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM50N20JN WMM50N20JN WAYON WMx50N20JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 90W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 138ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM53N60C4 WMM53N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM53N60F2 WMM53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM6N90D1 WMM6N90D1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM6N90D1B WMM6N90D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM80R260S WMM80R260S WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263
On-state resistance: 255mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM85N20JN WMM85N20JN WAYON WMx85N20JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMMB015N08HGS WMMB015N08HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 358A; Idm: 1432A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 358A
Pulsed drain current: 1432A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.47 грн
5+164.74 грн
25+143.73 грн
100+130.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMMB020N10HG4 WMMB020N10HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 238A; Idm: 952A; 277.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 238A
Pulsed drain current: 952A
Power dissipation: 277.8W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 123.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.46 грн
5+147.09 грн
25+129.44 грн
100+115.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN07N60C2 WMN07N60C2 WAYON WMK07N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN07N65C2 WMN07N65C2 WAYON WMK07N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN07N80M3 WMN07N80M3 WAYON WMx07N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN09N60C2 WMN09N60C2 WAYON WMK09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.11 грн
21+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN10N60C2 WMN10N60C2 WAYON WMx10N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN10N65C2 WMN10N65C2 WAYON WMx10N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN10N70C2 WMN10N70C2 WAYON WMx10N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 920mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN10N80M3 WMN10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN11N60C2 WMN11N60C2 WAYON WMx11N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN11N65C2 WMN11N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.11 грн
15+29.75 грн
25+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN12N80M3 WMN12N80M3 WAYON WMx12N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ M3
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN14N60C2 WMN14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN14N65C2 WMN14N65C2 WAYON WMx14N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 85W
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N60C2 WMN16N60C2 WAYON WMx16N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N60FD WMN16N60FD WAYON WMx16N60FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N65C2 WMN16N65C2 WAYON WMx16N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.97 грн
11+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N65FD WMN16N65FD WAYON WMx16N65FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN20N60C2 WMN20N60C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 15A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN20N65C2 WMN20N65C2 WAYON WMx20N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 15A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN26N60C2 WMN26N60C2 WAYON WMx26N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 20A; 147W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN26N60C4 WMN26N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.34 грн
10+131.96 грн
25+117.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN26N60FD WMN26N60FD WAYON WMx26N60FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 20A; 147W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM14N65C4 WMx14N65C4.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 13nC
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM15N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+73.97 грн
10+62.20 грн
25+56.31 грн
100+52.11 грн
250+49.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM15N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Gate charge: 14.6nC
Drain current: 7.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM161N15T2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 161A; Idm: 540A; 365W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 161A
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 365W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+219.96 грн
5+192.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM16N60FD WMx16N60FD.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+74.81 грн
25+67.24 грн
100+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM17N25JN WMx17N25JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 6.5A; Idm: 33A; 36W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 36W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM180N03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; Idm: 720A; 181W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 181W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.55 грн
14+32.28 грн
25+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM18N20JN WMx18N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7A; Idm: 39A; 36W; TO263; 80ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 80ns
On-state resistance: 135mΩ
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Pulsed drain current: 39A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM18N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM190N03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 190A; Idm: 760A; 192W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 190A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 192W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.22 грн
13+32.78 грн
25+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM20N20JN WMx20N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; Idm: 60A; 59W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 59W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.1nC
Reverse recovery time: 110ns
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.41 грн
13+33.28 грн
100+30.09 грн
200+26.48 грн
400+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM20N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 15A; 86W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM240P10HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -38A; Idm: -240A; 192.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -38A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 192.3W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM25N80M3 WMx25N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.13 грн
10+158.86 грн
100+142.89 грн
250+135.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM26N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.88 грн
10+103.38 грн
25+92.46 грн
100+85.73 грн
250+81.53 грн
500+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM26N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.99 грн
10+97.50 грн
25+87.41 грн
100+82.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM26N60FD WMx26N60FD.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 20A; 147W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM26N65FD WMx26N65FD.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM28N60C4 WMx28N60C4.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.10 грн
5+103.38 грн
10+95.82 грн
25+90.78 грн
100+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM340N20HG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 148A; 173.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 173.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+94.98 грн
25+84.05 грн
100+75.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM36N60C4 WMx36N60C4.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM36N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM36N65F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM38N60C2 WMx38N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.27 грн
10+145.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMM38N65FD
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM40N20JN WMx40N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 89W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 141ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM4N90D1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 65W
Gate charge: 26nC
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM4N90D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.85Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 63W
Gate charge: 34nC
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM50N20JN WMx50N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 90W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 138ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM53N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM6N90D1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM6N90D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM80R260S
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263
On-state resistance: 255mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMM85N20JN WMx85N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMMB015N08HGS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 358A; Idm: 1432A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 358A
Pulsed drain current: 1432A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+186.47 грн
5+164.74 грн
25+143.73 грн
100+130.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMMB020N10HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 238A; Idm: 952A; 277.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 238A
Pulsed drain current: 952A
Power dissipation: 277.8W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 123.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.46 грн
5+147.09 грн
25+129.44 грн
100+115.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN07N60C2 WMK07N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN07N65C2 WMK07N65C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN07N80M3 WMx07N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN09N60C2 WMK09N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.11 грн
21+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN10N60C2 WMx10N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN10N65C2 WMx10N65C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN10N70C2 WMx10N70C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 920mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN10N80M3 WMx10N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN11N60C2 WMx11N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN11N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 63W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.11 грн
15+29.75 грн
25+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN12N80M3 WMx12N80M3.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 12A; 86W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ M3
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 620mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN14N60C2 WMx14N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN14N65C2 WMx14N65C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 85W
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N60C2 WMx16N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N60FD WMx16N60FD.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N65C2 WMx16N65C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+47.97 грн
11+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN16N65FD WMx16N65FD.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN20N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 15A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN20N65C2 WMx20N65C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 15A; 86W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN26N60C2 WMx26N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 20A; 147W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMN26N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.34 грн
10+131.96 грн
25+117.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMN26N60FD WMx26N60FD.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 20A; 147W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  Наступна Сторінка >> ]