Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5984) > Сторінка 80 з 100

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 90 100  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CW.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.8V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
WNSC2D301200CWQ WNSC2D301200CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D301200CW.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 102A
Load current: 15A x2
кількість в упаковці: 600 шт
товар відсутній
WNSC2D401200CWQ WNSC2D401200CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D401200CW.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 125A
Load current: 20A x2
кількість в упаковці: 600 шт
товар відсутній
WNSC2D401200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D401200W6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 80A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 350A
Load current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC2D501200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D501200W6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 100A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 420A
Load current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC2M1K0170WQ WeEn Semiconductors WNSC2M1K0170WQ.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
WNSC2M20120R6Q WeEn Semiconductors WNSC2M20120R.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC2M40120R6Q WeEn Semiconductors WNSC2M40120R.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC401200CWQ WNSC401200CWQ WeEn Semiconductors WNSC401200CW.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
WNSC5D046506Q WeEn Semiconductors WNSC5D046506Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 28A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC5D04650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D04650D6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 26A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC5D06650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D06650T6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.2V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC5D20650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650X6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D01650MBJ WeEn Semiconductors WNSC6D01650MBJ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D046506Q WeEn Semiconductors WNSC6D046506Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 36A
Max. forward voltage: 1.55V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
WNSC6D04650Q WNSC6D04650Q WeEn Semiconductors Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC6D06650Q WNSC6D06650Q WeEn Semiconductors Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 46A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC6D06650T6J WeEn Semiconductors WNSC6D06650T6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.55V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 45A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC6D08650Q WeEn Semiconductors WNSC6D08650Q THT Schottky diodes
товар відсутній
WNSC6D10650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D10650B6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.65V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D10650Q WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors WNSC6D10650.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC6D16650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC6D16650CW6Q.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 16A
Max. forward impulse current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D20650B6J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650W.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
кількість в упаковці: 1200 шт
товар відсутній
WNSCM80120R6Q WeEn Semiconductors WNSCM80120R6Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 32A; Idm: 81A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Z0103MA,116 Z0103MA,116 WeEn Semiconductors Z0103MA.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.4 грн
28+ 9.62 грн
100+ 8.26 грн
126+ 7.68 грн
346+ 7.26 грн
2500+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0103MA,126 Z0103MA,126 WeEn Semiconductors Z0103MA.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+26.96 грн
25+ 10.4 грн
100+ 8.26 грн
128+ 7.51 грн
353+ 7.09 грн
2500+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
Z0103MA,412 Z0103MA,412 WeEn Semiconductors Z0103MA.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.04 грн
28+ 9.36 грн
100+ 7.93 грн
128+ 7.51 грн
353+ 7.09 грн
5000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0103MA0,116 WeEn Semiconductors Z0103MA0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0103MN,135 Z0103MN,135 WeEn Semiconductors z0103mn.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.56 грн
25+ 12.48 грн
100+ 10.6 грн
110+ 9.18 грн
290+ 8.68 грн
2000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
Z0103MN0,135 Z0103MN0,135 WeEn Semiconductors Z0103MN0.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.67 грн
25+ 12.48 грн
100+ 10.85 грн
106+ 9.18 грн
289+ 8.68 грн
4000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0103NA,412 WeEn Semiconductors z0103na.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0103NA0,412 WeEn Semiconductors z0103na0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0103NA0QP WeEn Semiconductors z0103na0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0103NN,135 Z0103NN,135 WeEn Semiconductors Z0103NN.PDF Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.4 грн
25+ 12.05 грн
100+ 10.35 грн
114+ 8.43 грн
314+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0103NN0,135 Z0103NN0,135 WeEn Semiconductors Z0103NN0.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+53.02 грн
12+ 22.19 грн
25+ 12.85 грн
100+ 11.6 грн
110+ 8.85 грн
301+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
Z0107MA,116 Z0107MA,116 WeEn Semiconductors z0107ma.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+42.24 грн
14+ 19.07 грн
25+ 11.02 грн
100+ 9.93 грн
120+ 8.09 грн
330+ 7.59 грн
10000+ 7.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
Z0107MA,412 WeEn Semiconductors z0107ma.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0107MN,135 Z0107MN,135 WeEn Semiconductors Z0107MN.pdf description Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.53 грн
100+ 9.85 грн
105+ 9.35 грн
285+ 8.85 грн
500+ 8.76 грн
4000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
Z0107MN0,135 Z0107MN0,135 WeEn Semiconductors Z0107MN0.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.4 грн
28+ 9.53 грн
100+ 8.09 грн
129+ 7.51 грн
355+ 7.09 грн
4000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0107NA,116 WeEn Semiconductors z0107na.pdf WEEN-S-A0001703492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0107NA,126 WeEn Semiconductors z0107na.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0107NA,412 WeEn Semiconductors z0107na.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0107NA0,412 WeEn Semiconductors z0107na0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0107NA0QP WeEn Semiconductors Z0107NA0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0107NN,135 WeEn Semiconductors z0107nn.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0107NN0,135 Z0107NN0,135 WeEn Semiconductors Z0107NN0.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.4 грн
28+ 9.53 грн
100+ 8.09 грн
138+ 7.01 грн
380+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0109MA,412 WeEn Semiconductors DS_568_Z0109MA.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0109MA0,412 WeEn Semiconductors z0109ma0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0109MN,135 Z0109MN,135 WeEn Semiconductors Z0109MN.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.53 грн
100+ 9.85 грн
105+ 9.26 грн
290+ 8.76 грн
4000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
Z0109MN0,135 Z0109MN0,135 WeEn Semiconductors Z0109MN0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+21.3 грн
25+ 13.09 грн
100+ 11.35 грн
102+ 9.47 грн
281+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
Z0109NA,116 WeEn Semiconductors z0109na.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0109NA,126 WeEn Semiconductors z0109na.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0109NA,412 WeEn Semiconductors z0109na.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0109NA0,412 WeEn Semiconductors z0109na0.pdf WEEN-S-A0001810751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0109NN,135 Z0109NN,135 WeEn Semiconductors Z0109NN.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.4 грн
26+ 10.05 грн
100+ 8.93 грн
136+ 7.09 грн
374+ 6.68 грн
2000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0109NN0,135 Z0109NN0,135 WeEn Semiconductors z0109nn0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+20.94 грн
25+ 10.4 грн
100+ 9.01 грн
131+ 7.38 грн
359+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
BT136-600E,127 BT136-600E,127 WEEN SEMICONDUCTORS 2724528.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.65 грн
17+ 44.86 грн
100+ 27.79 грн
500+ 21.63 грн
1000+ 15.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
BT136X-600E,127 BT136X-600E,127 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001703693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.65 грн
18+ 42.39 грн
100+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
BT169D-L,116 BT169D-L,116 WEEN SEMICONDUCTORS 2724491.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D-L,116 - Thyristor, 400 V, 50 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 50µA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.98 грн
34+ 22.54 грн
100+ 9.36 грн
500+ 7.09 грн
1000+ 5.07 грн
5000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CW.pdf
WNSC2D20650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 1.8V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
WNSC2D301200CWQ WNSC2D301200CW.pdf
WNSC2D301200CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 30A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 102A
Load current: 15A x2
кількість в упаковці: 600 шт
товар відсутній
WNSC2D401200CWQ WNSC2D401200CW.pdf
WNSC2D401200CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 40A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 125A
Load current: 20A x2
кількість в упаковці: 600 шт
товар відсутній
WNSC2D401200W6Q WNSC2D401200W6Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 80A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 350A
Load current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC2D501200W6Q WNSC2D501200W6Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Case: TO247-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 100A
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 420A
Load current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC2M1K0170WQ WNSC2M1K0170WQ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 20A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 79W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
WNSC2M20120R6Q WNSC2M20120R.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC2M40120R6Q WNSC2M40120R.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 100A; 405W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC401200CWQ WNSC401200CW.pdf
WNSC401200CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
WNSC5D046506Q WNSC5D046506Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 28A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC5D04650D6J WNSC5D04650D6J.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 26A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC5D06650T6J WNSC5D06650T6J.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.2V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC5D20650X6Q WNSC5D20650X6Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 2.2V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D01650MBJ WNSC6D01650MBJ.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 1A; SMB; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Max. load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Case: SMB
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D046506Q WNSC6D046506Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 36A
Max. forward voltage: 1.55V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
WNSC6D04650Q
WNSC6D04650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC6D06650Q
WNSC6D06650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 46A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC6D06650T6J WNSC6D06650T6J.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DFN8x8N; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.55V
Case: DFN8x8N
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 45A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC6D08650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
WNSC6D08650Q THT Schottky diodes
товар відсутній
WNSC6D10650B6J WNSC6D10650B6J.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.65V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D10650Q WNSC6D10650.pdf
WNSC6D10650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
WNSC6D16650CW6Q WNSC6D16650CW6Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO247-3; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 32A
Max. forward voltage: 1.65V
Load current: 16A
Max. forward impulse current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B6J.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650W.pdf
WNSC6D20650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 155A
кількість в упаковці: 1200 шт
товар відсутній
WNSCM80120R6Q WNSCM80120R6Q.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 32A; Idm: 81A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 81A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Z0103MA,116 Z0103MA.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0103MA,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.4 грн
28+ 9.62 грн
100+ 8.26 грн
126+ 7.68 грн
346+ 7.26 грн
2500+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0103MA,126 Z0103MA.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0103MA,126
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+26.96 грн
25+ 10.4 грн
100+ 8.26 грн
128+ 7.51 грн
353+ 7.09 грн
2500+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
Z0103MA,412 Z0103MA.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0103MA,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.04 грн
28+ 9.36 грн
100+ 7.93 грн
128+ 7.51 грн
353+ 7.09 грн
5000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0103MA0,116 Z0103MA0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0103MN,135 z0103mn.pdf
Z0103MN,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.56 грн
25+ 12.48 грн
100+ 10.6 грн
110+ 9.18 грн
290+ 8.68 грн
2000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
Z0103MN0,135 Z0103MN0.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0103MN0,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.67 грн
25+ 12.48 грн
100+ 10.85 грн
106+ 9.18 грн
289+ 8.68 грн
4000+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0103NA,412 z0103na.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0103NA0,412 z0103na0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0103NA0QP z0103na0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 5mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0103NN,135 Z0103NN.PDF
Z0103NN,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.4 грн
25+ 12.05 грн
100+ 10.35 грн
114+ 8.43 грн
314+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0103NN0,135 Z0103NN0.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0103NN0,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.02 грн
12+ 22.19 грн
25+ 12.85 грн
100+ 11.6 грн
110+ 8.85 грн
301+ 8.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
Z0107MA,116 z0107ma.pdf
Z0107MA,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.24 грн
14+ 19.07 грн
25+ 11.02 грн
100+ 9.93 грн
120+ 8.09 грн
330+ 7.59 грн
10000+ 7.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
Z0107MA,412 z0107ma.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0107MN,135 description Z0107MN.pdf
Z0107MN,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.53 грн
100+ 9.85 грн
105+ 9.35 грн
285+ 8.85 грн
500+ 8.76 грн
4000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
Z0107MN0,135 Z0107MN0.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0107MN0,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.4 грн
28+ 9.53 грн
100+ 8.09 грн
129+ 7.51 грн
355+ 7.09 грн
4000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0107NA,116 z0107na.pdf WEEN-S-A0001703492-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0107NA,126 z0107na.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0107NA,412 z0107na.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0107NA0,412 z0107na0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0107NA0QP Z0107NA0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 7mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0107NN,135 z0107nn.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 7mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0107NN0,135 Z0107NN0.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0107NN0,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.4 грн
28+ 9.53 грн
100+ 8.09 грн
138+ 7.01 грн
380+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0109MA,412 DS_568_Z0109MA.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0109MA0,412 z0109ma0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0109MN,135 Z0109MN.pdf
Z0109MN,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.53 грн
100+ 9.85 грн
105+ 9.26 грн
290+ 8.76 грн
4000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
Z0109MN0,135 Z0109MN0.pdf
Z0109MN0,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+21.3 грн
25+ 13.09 грн
100+ 11.35 грн
102+ 9.47 грн
281+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
Z0109NA,116 z0109na.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0109NA,126 z0109na.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
Z0109NA,412 z0109na.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0109NA0,412 z0109na0.pdf WEEN-S-A0001810751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; TO92; Igt: 10mA; Ifsm: 13.8A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 13.8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: logic level; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
Z0109NN,135 Z0109NN.pdf _ween_psg2020.pdf
Z0109NN,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.4 грн
26+ 10.05 грн
100+ 8.93 грн
136+ 7.09 грн
374+ 6.68 грн
2000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
Z0109NN0,135 z0109nn0.pdf
Z0109NN0,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+20.94 грн
25+ 10.4 грн
100+ 9.01 грн
131+ 7.38 грн
359+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
BT136-600E,127 2724528.pdf
BT136-600E,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.65 грн
17+ 44.86 грн
100+ 27.79 грн
500+ 21.63 грн
1000+ 15.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
BT136X-600E,127 WEEN-S-A0001703693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BT136X-600E,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.65 грн
18+ 42.39 грн
100+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
BT169D-L,116 2724491.pdf
BT169D-L,116
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D-L,116 - Thyristor, 400 V, 50 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 50µA
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+31.98 грн
34+ 22.54 грн
100+ 9.36 грн
500+ 7.09 грн
1000+ 5.07 грн
5000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 90 100  Наступна Сторінка >> ]