Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5686) > Сторінка 95 з 95

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 91 92 93 94 95
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BT258S-800R,118 BT258S-800R,118 WeEn Semiconductors BT258S-800R.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 50uA; DPAK; SMD; reel,tape; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 50µA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.24 грн
10+49.02 грн
25+41.76 грн
100+33.41 грн
500+26.48 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT258-500R,127 BT258-500R,127 WeEn Semiconductors bt258-500r.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 200uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 0.2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.06 грн
10+47.44 грн
100+35.16 грн
500+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-800E.127 BT138-800E.127 WeEn Semiconductors BT138-800E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR08BT1,115 MCR08BT1,115 WeEn Semiconductors MCR08BT1.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.48 грн
17+24.80 грн
100+15.28 грн
500+10.52 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ WNS20H100CBJ WeEn Semiconductors WNS20H100CB.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.15 грн
10+47.27 грн
100+31.99 грн
500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-400D,115 BT1308W-400D,115 WeEn Semiconductors bt1308w-400d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Technology: 4Q
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.28 грн
18+23.64 грн
100+14.70 грн
250+12.11 грн
500+10.44 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-600D,115 BT1308W-600D,115 WeEn Semiconductors BT1308W-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 4Q
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.48 грн
19+22.55 грн
22+19.29 грн
100+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800CT,127 BTA312-800CT,127 WeEn Semiconductors bta312-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.66 грн
10+45.68 грн
11+40.17 грн
30+36.08 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800ET,118 BTA312B-800ET,118 WeEn Semiconductors BTA312B-800ET.PDF Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.66 грн
10+42.76 грн
25+38.33 грн
100+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800CTQ BTA312X-800CTQ WeEn Semiconductors BTA312X-800CT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.76 грн
11+40.76 грн
25+35.91 грн
100+32.24 грн
250+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800B,118 BTA312B-800B,118 WeEn Semiconductors bta312b-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.16 грн
9+51.11 грн
25+45.18 грн
100+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-600C,127 BTA312Y-600C,127 WeEn Semiconductors bta312y-600c.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.32 грн
10+73.91 грн
50+57.96 грн
100+52.28 грн
250+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800B,127 BTA312-800B,127 WeEn Semiconductors bta312-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.27 грн
10+43.60 грн
25+39.17 грн
100+34.58 грн
500+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600CT,127 BTA312-600CT,127 WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.36 грн
10+52.70 грн
100+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600D,127 BTA312X-600D,127 WeEn Semiconductors bta312x-600d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.56 грн
10+43.26 грн
100+35.41 грн
500+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600D,118 BTA312B-600D,118 WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.83 грн
10+70.32 грн
100+56.71 грн
500+47.77 грн
800+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800C,118 BTA312B-800C,118 WeEn Semiconductors bta312b-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.63 грн
10+62.72 грн
100+46.52 грн
500+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 BTA312B-600CT,118 WeEn Semiconductors BTA312B-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.72 грн
10+70.49 грн
100+47.94 грн
250+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800E,118 BTA312B-800E,118 WeEn Semiconductors bta312b-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.95 грн
10+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B,127 BTA312X-800B,127 WeEn Semiconductors bta312x-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800C,127 BTA312X-800C,127 WeEn Semiconductors bta312x-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800E,127 BTA312-800E,127 WeEn Semiconductors BTA312-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800ET,127 BTA312-800ET,127 WeEn Semiconductors bta312-800et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600C,118 BTA312B-600C,118 WeEn Semiconductors bta312b-600c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600C,127 BTA312-600C,127 WeEn Semiconductors PHGLS30272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bta312-600c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600D,127 BTA312-600D,127 WeEn Semiconductors BTA312-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600E,118 BTA312B-600E,118 WeEn Semiconductors bta312b-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; I2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: I2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800E,127 BTA312X-800E,127 WeEn Semiconductors bta312x-800e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600E,127 BTA312-600E,127 WeEn Semiconductors BTA312-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800C,127 BTA312-800C,127 WeEn Semiconductors bta312-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600C,127 BTA312X-600C,127 WeEn Semiconductors BTA312X-600C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600E,127 BTA312X-600E,127 WeEn Semiconductors BTA312X-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B/DGQ BTA312X-800B/DGQ WeEn Semiconductors BTA312X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-800C,127 BTA312Y-800C,127 WeEn Semiconductors bta312y-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6Q WeEn Semiconductors WNSC2M20120R.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC58X-600,127 BYC58X-600,127 WeEn Semiconductors byc58x-600.pdf BYC58X-600.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 120A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.4V
Reverse recovery time: 21ns
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.54 грн
6+73.50 грн
25+63.47 грн
100+55.12 грн
500+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-800E.127 BT136-800E.127 WeEn Semiconductors BT136-800E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103A,127 BUJ103A,127 WeEn Semiconductors Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AD,118 WeEn Semiconductors BUJ103AD.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AX,127 BUJ103AX,127 WeEn Semiconductors BUJ103AX.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 26W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ33AJ WeEn Semiconductors SMDJ Series.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Manufacturer series: SMDJ
Peak pulse power dissipation: 3kW
Case: SMC
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B1P6T WeEn Semiconductors WMSC008H12B1P6T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 244W
Drain current: 153A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600E BT136-600E WeEn Semiconductors BT136-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 25A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200TJ WeEn Semiconductors BT153B-1200T.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200T-AJ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf BT153B-1200T-A.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT258S-800R,118 BT258S-800R.pdf _ween_psg2020.pdf
BT258S-800R,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 50uA; DPAK; SMD; reel,tape; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 50µA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.24 грн
10+49.02 грн
25+41.76 грн
100+33.41 грн
500+26.48 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT258-500R,127 bt258-500r.pdf
BT258-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 200uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 0.2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+62.06 грн
10+47.44 грн
100+35.16 грн
500+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-800E.127 BT138-800E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT138-800E.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR08BT1,115 MCR08BT1.pdf _ween_psg2020.pdf
MCR08BT1,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.48 грн
17+24.80 грн
100+15.28 грн
500+10.52 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ WNS20H100CB.pdf
WNS20H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.15 грн
10+47.27 грн
100+31.99 грн
500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-400D,115 bt1308w-400d.pdf
BT1308W-400D,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Technology: 4Q
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.28 грн
18+23.64 грн
100+14.70 грн
250+12.11 грн
500+10.44 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-600D,115 BT1308W-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT1308W-600D,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 4Q
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.48 грн
19+22.55 грн
22+19.29 грн
100+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800CT,127 bta312-800ct.pdf
BTA312-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.66 грн
10+45.68 грн
11+40.17 грн
30+36.08 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800ET,118 BTA312B-800ET.PDF
BTA312B-800ET,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.66 грн
10+42.76 грн
25+38.33 грн
100+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800CTQ BTA312X-800CT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312X-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.76 грн
11+40.76 грн
25+35.91 грн
100+32.24 грн
250+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800B,118 bta312b-800b.pdf
BTA312B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.16 грн
9+51.11 грн
25+45.18 грн
100+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-600C,127 bta312y-600c.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312Y-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.32 грн
10+73.91 грн
50+57.96 грн
100+52.28 грн
250+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800B,127 bta312-800b.pdf
BTA312-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.27 грн
10+43.60 грн
25+39.17 грн
100+34.58 грн
500+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600CT,127 _ween_psg2020.pdf
BTA312-600CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.36 грн
10+52.70 грн
100+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600D,127 bta312x-600d.pdf
BTA312X-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.56 грн
10+43.26 грн
100+35.41 грн
500+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600D,118 _ween_psg2020.pdf
BTA312B-600D,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+108.83 грн
10+70.32 грн
100+56.71 грн
500+47.77 грн
800+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800C,118 bta312b-800c.pdf
BTA312B-800C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.63 грн
10+62.72 грн
100+46.52 грн
500+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 BTA312B-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312B-600CT,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.72 грн
10+70.49 грн
100+47.94 грн
250+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800E,118 bta312b-600e.pdf
BTA312B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.95 грн
10+56.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B,127 bta312x-800b.pdf
BTA312X-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800C,127 bta312x-800c.pdf
BTA312X-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800E,127 BTA312-600E.pdf
BTA312-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800ET,127 bta312-800et.pdf
BTA312-800ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600C,118 bta312b-600c.pdf
BTA312B-600C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600C,127 PHGLS30272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bta312-600c.pdf
BTA312-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600D,127 BTA312-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600E,118 bta312b-600e.pdf
BTA312B-600E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312G-600CTQ _ween_psg2020.pdf
BTA312G-600CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; I2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: I2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800E,127 bta312x-800e.pdf
BTA312X-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600E,127 BTA312-600E.pdf
BTA312-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800C,127 bta312-800c.pdf
BTA312-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600C,127 BTA312X-600C.pdf
BTA312X-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600E,127 BTA312X-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312X-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B/DGQ BTA312X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312X-800B/DGQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-800C,127 bta312y-800c.pdf
BTA312Y-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6Q WNSC2M20120R.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC58X-600,127 byc58x-600.pdf BYC58X-600.pdf
BYC58X-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 120A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.4V
Reverse recovery time: 21ns
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.54 грн
6+73.50 грн
25+63.47 грн
100+55.12 грн
500+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-800E.127 BT136-800E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT136-800E.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103A,127
BUJ103A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AD,118 BUJ103AD.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AX,127 BUJ103AX.pdf
BUJ103AX,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 26W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ33AJ SMDJ Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Manufacturer series: SMDJ
Peak pulse power dissipation: 3kW
Case: SMC
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B1P6T WMSC008H12B1P6T.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Technology: SiC
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 244W
Drain current: 153A
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 300A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-600E BT136-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT136-600E
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 25A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200TJ BT153B-1200T.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200T-AJ _ween_psg2020.pdf BT153B-1200T-A.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 91 92 93 94 95