Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5754) > Сторінка 95 з 96

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 91 92 93 94 95 96  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BT131-600 BT131-600 WeEn Semiconductors BT131-600.pdf _ween_psg2020.pdf description Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/7mA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 12.5A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308Y-800C0TQ BTA308Y-800C0TQ WeEn Semiconductors bta308y-800c0t.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.55 грн
14+31.77 грн
25+27.23 грн
100+24.96 грн
500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800C0,127 WeEn Semiconductors BTA308X-800C0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800B0Q BTA308X-800B0Q WeEn Semiconductors bta308x-800b0.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308Y-800ETQ WeEn Semiconductors Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308S-800ETJ WeEn Semiconductors bta308s-800et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; DPAK; Igt: 10mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: DPAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800ETQ WeEn Semiconductors bta308x-800et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT258S-800LT,118 BT258S-800LT,118 WeEn Semiconductors bt258s-800lt.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 50uA; DPAK; SMD; reel,tape; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 50µA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.62 грн
10+63.38 грн
100+42.87 грн
500+35.22 грн
1000+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT258S-800R,118 BT258S-800R,118 WeEn Semiconductors BT258S-800R.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 50uA; DPAK; SMD; reel,tape; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 50µA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.85 грн
10+57.07 грн
100+37.49 грн
500+29.50 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT258-500R,127 BT258-500R,127 WeEn Semiconductors BT258-500R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 200uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 0.2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.46 грн
10+47.74 грн
100+35.39 грн
500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-800E.127 BT138-800E.127 WeEn Semiconductors BT138-800E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR08BT1,115 MCR08BT1,115 WeEn Semiconductors MCR08BT1.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.68 грн
17+24.96 грн
100+15.38 грн
500+10.59 грн
1000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ WNS20H100CBJ WeEn Semiconductors WNS20H100CB.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.60 грн
10+47.57 грн
100+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-400D,115 BT1308W-400D,115 WeEn Semiconductors bt1308w-400d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Technology: 4Q
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.49 грн
18+23.79 грн
100+14.79 грн
250+12.19 грн
500+10.51 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-600D,115 BT1308W-600D,115 WeEn Semiconductors BT1308W-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 4Q
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.68 грн
19+22.69 грн
22+19.42 грн
100+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800CT,127 BTA312-800CT,127 WeEn Semiconductors bta312-800ct.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.03 грн
10+45.98 грн
11+40.43 грн
30+36.31 грн
100+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800ET,118 BTA312B-800ET,118 WeEn Semiconductors BTA312B-800ET.PDF Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.03 грн
10+43.03 грн
25+38.58 грн
100+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800CTQ BTA312X-800CTQ WeEn Semiconductors BTA312X-800CT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.12 грн
11+41.02 грн
25+36.14 грн
100+32.44 грн
250+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800B,118 BTA312B-800B,118 WeEn Semiconductors bta312b-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.55 грн
9+51.44 грн
25+45.47 грн
100+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-600C,127 BTA312Y-600C,127 WeEn Semiconductors bta312y-600c.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.10 грн
10+74.39 грн
50+58.33 грн
100+52.62 грн
250+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800B,127 BTA312-800B,127 WeEn Semiconductors bta312-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.59 грн
10+43.88 грн
25+39.42 грн
100+34.80 грн
500+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600CT,127 BTA312-600CT,127 WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.79 грн
10+53.04 грн
100+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600D,127 BTA312X-600D,127 WeEn Semiconductors bta312x-600d.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.98 грн
10+43.54 грн
100+35.64 грн
500+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600D,118 BTA312B-600D,118 WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.53 грн
10+70.77 грн
100+57.07 грн
500+48.08 грн
800+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800C,118 BTA312B-800C,118 WeEn Semiconductors bta312b-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.28 грн
10+63.12 грн
100+46.82 грн
500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 BTA312B-600CT,118 WeEn Semiconductors BTA312B-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.48 грн
10+70.94 грн
100+48.25 грн
250+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800E,118 BTA312B-800E,118 WeEn Semiconductors bta312b-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.41 грн
10+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B,127 BTA312X-800B,127 WeEn Semiconductors bta312x-800b.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800C,127 BTA312X-800C,127 WeEn Semiconductors bta312x-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800E,127 BTA312-800E,127 WeEn Semiconductors BTA312-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800ET,127 BTA312-800ET,127 WeEn Semiconductors bta312-800et.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600C,118 BTA312B-600C,118 WeEn Semiconductors bta312b-600c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600C,127 BTA312-600C,127 WeEn Semiconductors PHGLS30272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bta312-600c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600D,127 BTA312-600D,127 WeEn Semiconductors BTA312-600D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600E,118 BTA312B-600E,118 WeEn Semiconductors bta312b-600e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CTQ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; I2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: I2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800E,127 BTA312X-800E,127 WeEn Semiconductors bta312x-800e.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600E,127 BTA312-600E,127 WeEn Semiconductors BTA312-600E.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800C,127 BTA312-800C,127 WeEn Semiconductors bta312-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600C,127 BTA312X-600C,127 WeEn Semiconductors BTA312X-600C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600E,127 BTA312X-600E,127 WeEn Semiconductors BTA312X-600E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B/DGQ BTA312X-800B/DGQ WeEn Semiconductors BTA312X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-800C,127 BTA312Y-800C,127 WeEn Semiconductors bta312y-800c.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6Q WeEn Semiconductors WNSC2M20120R.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC58X-600,127 BYC58X-600,127 WeEn Semiconductors BYC58X-600.pdf BYC58X-600.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 120A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.4V
Reverse recovery time: 21ns
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.14 грн
6+73.97 грн
25+63.88 грн
100+55.47 грн
500+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-800E.127 BT136-800E.127 WeEn Semiconductors BT136-800E.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103A,127 BUJ103A,127 WeEn Semiconductors Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AD,118 WeEn Semiconductors BUJ103AD.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AX,127 BUJ103AX,127 WeEn Semiconductors BUJ103AX.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 26W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ33AJ WeEn Semiconductors SMDJ Series.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Manufacturer series: SMDJ
Peak pulse power dissipation: 3kW
Case: SMC
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B1P6T WeEn Semiconductors WMSC008H12B1P6T.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 153A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 8mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 244W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200TJ WeEn Semiconductors BT153B-1200T.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200T-AJ WeEn Semiconductors _ween_psg2020.pdf BT153B-1200T-A.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200E,127 WeEn Semiconductors byq28e-200e.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 5Ax2; tube; Ifsm: 55A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 55A
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 0.895V
Load current: 5A x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. load current: 10A
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.41 грн
10+43.79 грн
50+33.28 грн
100+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC5D-500,127 BYC5D-500,127 WeEn Semiconductors PHGLS23037-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 5A; tube; Ifsm: 44A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 44A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.45V
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.88 грн
11+38.33 грн
100+30.93 грн
250+28.41 грн
500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151X-500C,127 BT151X-500C,127 WeEn Semiconductors BT151X-500C-127.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV72EW-200,127 BYV72EW-200,127 WeEn Semiconductors byv72ew-200.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 185A; TO247-3; 28ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 185A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.2V
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 28ns
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.82 грн
30+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800C/L03Q WeEn Semiconductors BTA316X-800C.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2X WeEn Semiconductors ESDALD05UE2.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 4A; 60W; unidirectional; ESD; SOT23-3; Ch: 2; LD
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Number of channels: 2
Peak pulse power dissipation: 60W
Manufacturer series: LD
Application: HDMI; USB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X WeEn Semiconductors ESDALD05UG4.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 4A; 60W; unidirectional; ESD; DFN2510; Ch: 4; LD
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2510
Number of channels: 4
Peak pulse power dissipation: 60W
Manufacturer series: LD
Application: HDMI; USB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT131-600 description BT131-600.pdf _ween_psg2020.pdf
BT131-600
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/7mA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 12.5A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308Y-800C0TQ bta308y-800c0t.pdf
BTA308Y-800C0TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+61.55 грн
14+31.77 грн
25+27.23 грн
100+24.96 грн
500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800C0,127 BTA308X-800C0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800B0Q bta308x-800b0.pdf
BTA308X-800B0Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308Y-800ETQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308S-800ETJ bta308s-800et.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; DPAK; Igt: 10mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: DPAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800ETQ bta308x-800et.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 8A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 60A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 60A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT258S-800LT,118 bt258s-800lt.pdf _ween_psg2020.pdf
BT258S-800LT,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 50uA; DPAK; SMD; reel,tape; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 50µA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+108.62 грн
10+63.38 грн
100+42.87 грн
500+35.22 грн
1000+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT258S-800R,118 BT258S-800R.pdf _ween_psg2020.pdf
BT258S-800R,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 50uA; DPAK; SMD; reel,tape; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 50µA
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+96.85 грн
10+57.07 грн
100+37.49 грн
500+29.50 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT258-500R,127 BT258-500R.pdf
BT258-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 8A; 5A; Igt: 200uA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 8A
Load current: 5A
Gate current: 0.2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 75A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+62.46 грн
10+47.74 грн
100+35.39 грн
500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT138-800E.127 BT138-800E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT138-800E.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 95A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 95A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR08BT1,115 MCR08BT1.pdf _ween_psg2020.pdf
MCR08BT1,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Type of thyristor: thyristor
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+31.68 грн
17+24.96 грн
100+15.38 грн
500+10.59 грн
1000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ WNS20H100CB.pdf
WNS20H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+70.60 грн
10+47.57 грн
100+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-400D,115 bt1308w-400d.pdf
BT1308W-400D,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Technology: 4Q
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+33.49 грн
18+23.79 грн
100+14.79 грн
250+12.19 грн
500+10.51 грн
1000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT1308W-600D,115 BT1308W-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT1308W-600D,115
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.8A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 9A; 4Q; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Type of thyristor: triac
Gate current: 5/7mA
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 9A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Technology: 4Q
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+31.68 грн
19+22.69 грн
22+19.42 грн
100+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800CT,127 bta312-800ct.pdf
BTA312-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+57.03 грн
10+45.98 грн
11+40.43 грн
30+36.31 грн
100+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800ET,118 BTA312B-800ET.PDF
BTA312B-800ET,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+57.03 грн
10+43.03 грн
25+38.58 грн
100+34.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800CTQ BTA312X-800CT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312X-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+56.12 грн
11+41.02 грн
25+36.14 грн
100+32.44 грн
250+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800B,118 bta312b-800b.pdf
BTA312B-800B,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+61.55 грн
9+51.44 грн
25+45.47 грн
100+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-600C,127 bta312y-600c.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312Y-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+123.10 грн
10+74.39 грн
50+58.33 грн
100+52.62 грн
250+45.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800B,127 bta312-800b.pdf
BTA312-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+51.59 грн
10+43.88 грн
25+39.42 грн
100+34.80 грн
500+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600CT,127 _ween_psg2020.pdf
BTA312-600CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+68.79 грн
10+53.04 грн
100+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600D,127 bta312x-600d.pdf
BTA312X-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+66.98 грн
10+43.54 грн
100+35.64 грн
500+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600D,118 _ween_psg2020.pdf
BTA312B-600D,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+109.53 грн
10+70.77 грн
100+57.07 грн
500+48.08 грн
800+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800C,118 bta312b-800c.pdf
BTA312B-800C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+102.28 грн
10+63.12 грн
100+46.82 грн
500+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 BTA312B-600CT.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312B-600CT,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+119.48 грн
10+70.94 грн
100+48.25 грн
250+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-800E,118 bta312b-600e.pdf
BTA312B-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+72.41 грн
10+56.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B,127 bta312x-800b.pdf
BTA312X-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800C,127 bta312x-800c.pdf
BTA312X-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800E,127 BTA312-600E.pdf
BTA312-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800ET,127 bta312-800et.pdf
BTA312-800ET,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600C,118 bta312b-600c.pdf
BTA312B-600C,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600C,127 PHGLS30272-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw bta312-600c.pdf
BTA312-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600D,127 BTA312-600D.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312-600D,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 5mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 5mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600E,118 bta312b-600e.pdf
BTA312B-600E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; D2PAK; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: D2PAK
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312G-600CTQ _ween_psg2020.pdf
BTA312G-600CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; I2PAK; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: I2PAK
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800E,127 bta312x-800e.pdf
BTA312X-800E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-600E,127 BTA312-600E.pdf
BTA312-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220AB; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312-800C,127 bta312-800c.pdf
BTA312-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600C,127 BTA312X-600C.pdf
BTA312X-600C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-600E,127 BTA312X-600E.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312X-600E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 12A; TO220FP; Igt: 10mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 10mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312X-800B/DGQ BTA312X-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA312X-800B/DGQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220FP; Igt: 50mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220FP
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312Y-800C,127 bta312y-800c.pdf
BTA312Y-800C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 12A; TO220AB; Igt: 35mA; Ifsm: 100A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 12A
Case: TO220AB
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 100A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2M20120R6Q WNSC2M20120R.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 94A; Idm: 200A; 750W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 94A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -12...22V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC58X-600,127 BYC58X-600.pdf BYC58X-600.pdf
BYC58X-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 8A; tube; Ifsm: 120A; SOD113,TO220FP-2
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: SOD113; TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.4V
Reverse recovery time: 21ns
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+94.14 грн
6+73.97 грн
25+63.88 грн
100+55.47 грн
500+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT136-800E.127 BT136-800E.pdf _ween_psg2020.pdf
BT136-800E.127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 10/25mA; Ifsm: 25A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 10/25mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 4Q
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103A,127
BUJ103A,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Case: TO220AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AD,118 BUJ103AD.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 80W; DPAK
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUJ103AX,127 BUJ103AX.pdf
BUJ103AX,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 26W; TO220FP
Polarisation: bipolar
Case: TO220FP
Type of transistor: NPN
Kind of package: tube
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 12...32
Power dissipation: 26W
Collector-emitter voltage: 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMDJ33AJ SMDJ Series.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 36.98÷40.3V; 56.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.98...40.3V
Max. forward impulse current: 56.3A
Manufacturer series: SMDJ
Peak pulse power dissipation: 3kW
Case: SMC
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B1P6T WMSC008H12B1P6T.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 153A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 8mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 244W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200TJ BT153B-1200T.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200T-AJ _ween_psg2020.pdf BT153B-1200T-A.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 47A; 30A; Igt: 50mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 47A
Load current: 30A
Gate current: 50mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 350A
Turn-on time: 2µs
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYQ28E-200E,127 byq28e-200e.pdf
BYQ28E-200E,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 5Ax2; tube; Ifsm: 55A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 55A
Semiconductor structure: common cathode; double
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
Max. forward voltage: 0.895V
Load current: 5A x2
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. load current: 10A
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+72.41 грн
10+43.79 грн
50+33.28 грн
100+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC5D-500,127 PHGLS23037-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BYC5D-500,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 5A; tube; Ifsm: 44A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 44A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 1.45V
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+48.88 грн
11+38.33 грн
100+30.93 грн
250+28.41 грн
500+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT151X-500C,127 BT151X-500C-127.pdf
BT151X-500C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220FP; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
Turn-on time: 2µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV72EW-200,127 byv72ew-200.pdf
BYV72EW-200,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 185A; TO247-3; 28ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 185A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.2V
Max. load current: 30A
Reverse recovery time: 28ns
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+125.82 грн
30+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA316X-800C/L03Q BTA316X-800C.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 150A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 150A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2.pdf
ESDALD05UE2X
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 4A; 60W; unidirectional; ESD; SOT23-3; Ch: 2; LD
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Number of channels: 2
Peak pulse power dissipation: 60W
Manufacturer series: LD
Application: HDMI; USB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; 4A; 60W; unidirectional; ESD; DFN2510; Ch: 4; LD
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2510
Number of channels: 4
Peak pulse power dissipation: 60W
Manufacturer series: LD
Application: HDMI; USB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 91 92 93 94 95 96  [ Наступна Сторінка >> ]