Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5620) > Сторінка 84 з 94

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 94  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WNSC10650WQ WNSC10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC10650W_0.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.08 грн
10+174.47 грн
100+140.23 грн
500+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204980.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.15 грн
500+112.04 грн
1000+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T6J WEEN SEMICONDUCTORS 3204980.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.16 грн
10+172.03 грн
100+136.15 грн
500+112.04 грн
1000+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32EB-200,118 BYV32EB-200,118 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0009379936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-404
Durchlassstoßstrom: 137A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.25 грн
250+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CWQ WEEN SEMICONDUCTORS 3266684.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.24 грн
10+150.01 грн
100+137.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D04650Q WNSC6D04650Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.20 грн
10+95.39 грн
100+65.88 грн
500+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT151S-650L,118 BT151S-650L,118 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001703672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT151S-650L,118 - Thyristor, 650 V, 5 mA, 7.5 A, 12 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 20mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 120A
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 7.5A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 12A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT151S
Zündstrom, max.: 5mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.16 грн
500+24.68 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 BTA312B-600CT,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta312b-600ct.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600CT,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.98 грн
500+38.84 грн
1000+30.40 грн
5000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600B,118 BTA312B-600B,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta312b-600b.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600B,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-800E,118 BTA204S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS BTA204S-800E.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.03 грн
18+45.66 грн
100+29.84 грн
500+19.68 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.16 грн
16+51.53 грн
100+33.67 грн
500+24.23 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ WNC3060D45160WQ WEEN SEMICONDUCTORS 3204975.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNC3060D45160WQ - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: -
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.57 грн
10+184.26 грн
100+141.05 грн
500+128.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ WNSC2D10650BJ WEEN SEMICONDUCTORS 3672592.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.94 грн
500+77.98 грн
1000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA440Z-1200ATQ BTA440Z-1200ATQ WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.42 грн
10+187.52 грн
100+155.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 BTA410Y-800CT,127 WEEN SEMICONDUCTORS 4553165.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.97 грн
10+86.42 грн
100+65.14 грн
500+50.34 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q WNSC5D20650W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.82 грн
10+167.14 грн
100+128.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506Q WNSC5D206506Q WEEN SEMICONDUCTORS 3928021.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.24 грн
10+144.31 грн
100+108.43 грн
500+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6T WMSC006H12B2P6T WEEN SEMICONDUCTORS 4553146.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7879.00 грн
5+7274.05 грн
10+6547.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.16 грн
16+51.53 грн
100+33.67 грн
500+24.23 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 BT136S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS 2623891.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.67 грн
500+24.23 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6Q WNSC2D501200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+966.12 грн
5+731.32 грн
10+576.41 грн
50+497.39 грн
100+449.34 грн
250+438.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6Q WNSC2D201200W-B6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.51 грн
10+224.21 грн
100+175.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D10650W.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.63 грн
10+110.06 грн
100+87.24 грн
500+74.65 грн
1000+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R135W1Q WG30R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553155.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.51 грн
10+146.75 грн
100+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG25R135W1Q WG25R135W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553158.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.03 грн
10+154.91 грн
100+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30N65HAW1Q WG30N65HAW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.28 грн
10+127.19 грн
100+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120MFW1Q WG40N120MFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+390.53 грн
10+259.26 грн
100+206.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120HFW1Q WG40N120HFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.66 грн
10+264.16 грн
100+218.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R140W1Q WG30R140W1Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553156.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.40 грн
10+149.20 грн
100+123.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120UFW1Q WG40N120UFW1Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.37 грн
10+289.43 грн
100+229.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2S6T WMSC006H12B2S6T WEEN SEMICONDUCTORS 4553147.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7624.63 грн
5+7066.97 грн
10+6416.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650Q WNSC2D04650Q WEEN SEMICONDUCTORS 3672593.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.74 грн
11+79.74 грн
100+52.83 грн
500+38.16 грн
1000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D021200D.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.12 грн
26+31.63 грн
100+30.57 грн
500+27.41 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D021200D.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.57 грн
500+27.41 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6Q WNSC2D301200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS WNSC2D301200W.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.98 грн
10+297.58 грн
100+246.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6Q WNSC2D601200W6Q WEEN SEMICONDUCTORS Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+598.43 грн
5+510.37 грн
10+422.32 грн
50+359.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q BYC30MW-650PT2Q WEEN SEMICONDUCTORS 4553162.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.21 грн
10+109.25 грн
100+75.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta208-800e.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.74 грн
50+70.60 грн
100+57.64 грн
500+52.46 грн
1000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta208-800e.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.64 грн
500+52.46 грн
1000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 BTA208S-800E,118 WEEN SEMICONDUCTORS bta208-800e.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BT137S-600D,118 BT137S-600D,118 WEEN SEMICONDUCTORS WEEN-S-A0001703628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.08 грн
500+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ WNSC2D04650DJ WEEN SEMICONDUCTORS 3204981.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.59 грн
12+74.11 грн
100+49.08 грн
500+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6Q WNSC6D16650CW6Q WEEN SEMICONDUCTORS WNSC6D16650CW%20Product%20Rev.02.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.89 грн
10+164.69 грн
100+142.68 грн
500+112.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600E,135 ACT108W-600E,135 WEEN SEMICONDUCTORS 2623886.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.33 грн
250+21.12 грн
1000+11.81 грн
2000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MUR860J MUR860J WEEN SEMICONDUCTORS 3204969.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.45 грн
9000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC6D16650B.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.96 грн
10+248.66 грн
100+200.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B6J WEEN SEMICONDUCTORS WNSC6D16650B.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+200.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ BTA16-600BQ WeEn Semiconductors BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Technology: 4Q
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.68 грн
10+73.77 грн
50+63.34 грн
100+58.71 грн
500+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ BTA16-800BQ WeEn Semiconductors BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 160A
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.78 грн
10+58.55 грн
100+45.51 грн
500+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ WeEn Semiconductors bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 BT152-800R,127 WeEn Semiconductors BT152-800R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.29 грн
10+74.78 грн
50+59.30 грн
100+53.92 грн
250+47.78 грн
500+43.57 грн
1000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 BT169D,112 WeEn Semiconductors BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Type of thyristor: thyristor
Quantity in set/package: 1000pcs.
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.27 грн
23+18.67 грн
25+17.24 грн
50+14.38 грн
100+13.29 грн
500+10.77 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 PHE13009,127 WeEn Semiconductors PHE13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.88 грн
10+49.29 грн
50+40.21 грн
100+35.50 грн
250+29.78 грн
500+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors PHE13009.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,116 MAC97A6,116 WeEn Semiconductors MAC97A6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,412 MAC97A6,412 WeEn Semiconductors MAC97A6.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.99 грн
28+15.48 грн
32+13.29 грн
100+10.35 грн
500+7.91 грн
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-800B,127 BTA204-800B,127 WeEn Semiconductors BTA204-800B.pdf BTA204-800B__127.pdf Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.27 грн
20+22.04 грн
22+19.85 грн
30+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500R,127 BT151-500R,127 WeEn Semiconductors BT151-500R.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.94 грн
15+28.68 грн
25+24.48 грн
50+22.04 грн
100+20.19 грн
200+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500RT,127 BT151-500RT,127 WeEn Semiconductors BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.73 грн
14+30.79 грн
25+24.73 грн
100+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQ WNSC10650W_0.pdf
WNSC10650WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.08 грн
10+174.47 грн
100+140.23 грн
500+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J 3204980.pdf
WNSC12650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.15 грн
500+112.04 грн
1000+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J 3204980.pdf
WNSC12650T6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC12650T6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 16 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+211.16 грн
10+172.03 грн
100+136.15 грн
500+112.04 грн
1000+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYV32EB-200,118 WEEN-S-A0009379936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BYV32EB-200,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV32EB-200,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.15 V, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-404
Durchlassstoßstrom: 137A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BYV32
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.25 грн
250+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ 3266684.pdf
WNSC2D16650CWQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.24 грн
10+150.01 грн
100+137.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D04650Q
WNSC6D04650Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.20 грн
10+95.39 грн
100+65.88 грн
500+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT151S-650L,118 WEEN-S-A0001703672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BT151S-650L,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT151S-650L,118 - Thyristor, 650 V, 5 mA, 7.5 A, 12 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 20mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 120A
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 7.5A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 12A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT151S
Zündstrom, max.: 5mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.16 грн
500+24.68 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600CT,118 bta312b-600ct.pdf
BTA312B-600CT,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600CT,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.98 грн
500+38.84 грн
1000+30.40 грн
5000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA312B-600B,118 bta312b-600b.pdf
BTA312B-600B,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA312B-600B,118 - Triac, 600 V, 12 A, TO-263 (D2PAK), 1 V, 100 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-263 (D2PAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 100A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204S-800E,118 BTA204S-800E.pdf
BTA204S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA204S-800E,118 - Triac, 800 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 25 A, 12 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 12mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.03 грн
18+45.66 грн
100+29.84 грн
500+19.68 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, SOT-428, 1.5 V, 25 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.16 грн
16+51.53 грн
100+33.67 грн
500+24.23 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WNC3060D45160WQ 3204975.pdf
WNC3060D45160WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNC3060D45160WQ - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 30 A, Einfach
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: -
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+275.57 грн
10+184.26 грн
100+141.05 грн
500+128.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJ 3672592.pdf
WNSC2D10650BJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.94 грн
500+77.98 грн
1000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA440Z-1200ATQ
BTA440Z-1200ATQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA440Z-1200ATQ - Triac, 1.2 kV, 40 A, IITO-3P, 1.2 V, 440 A, 80 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: TBA
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 440A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: AT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.42 грн
10+187.52 грн
100+155.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410Y-800CT,127 4553165.pdf
BTA410Y-800CT,127
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA410Y-800CT,127 - Triac, 800 V, 10 A, TO-220, 1 V, 110 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 110A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CT Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+136.97 грн
10+86.42 грн
100+65.14 грн
500+50.34 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D20650W6Q
WNSC5D20650W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+256.82 грн
10+167.14 грн
100+128.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC5D206506Q 3928021.pdf
WNSC5D206506Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC5D206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.24 грн
10+144.31 грн
100+108.43 грн
500+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6T 4553146.pdf
WMSC006H12B2P6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7879.00 грн
5+7274.05 грн
10+6547.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.16 грн
16+51.53 грн
100+33.67 грн
500+24.23 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BT136S-600D,118 2623891.pdf
BT136S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136S-600D,118 - Triac, 600 V, 4 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 27 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 27A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 4A
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT136S
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.67 грн
500+24.23 грн
1000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D501200W6Q
WNSC2D501200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D501200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 125 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 125nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+966.12 грн
5+731.32 грн
10+576.41 грн
50+497.39 грн
100+449.34 грн
250+438.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6Q
WNSC2D201200W-B6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+368.51 грн
10+224.21 грн
100+175.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQ WNSC2D10650W.pdf
WNSC2D10650WQ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.63 грн
10+110.06 грн
100+87.24 грн
500+74.65 грн
1000+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R135W1Q 4553155.pdf
WG30R135W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R135W1Q - IGBT, 60 A, 1.7 V, 428 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.51 грн
10+146.75 грн
100+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG25R135W1Q 4553158.pdf
WG25R135W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG25R135W1Q - IGBT, 50 A, 1.85 V, 300 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+172.03 грн
10+154.91 грн
100+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WG30N65HAW1Q
WG30N65HAW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30N65HAW1Q - IGBT, 60 A, 1.55 V, 312 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.28 грн
10+127.19 грн
100+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120MFW1Q
WG40N120MFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120MFW1Q - IGBT, 80 A, 1.68 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+390.53 грн
10+259.26 грн
100+206.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120HFW1Q
WG40N120HFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120HFW1Q - IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.66 грн
10+264.16 грн
100+218.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG30R140W1Q 4553156.pdf
WG30R140W1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG30R140W1Q - IGBT, 60 A, 1.8 V, 357 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+298.40 грн
10+149.20 грн
100+123.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WG40N120UFW1Q
WG40N120UFW1Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WG40N120UFW1Q - IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+435.37 грн
10+289.43 грн
100+229.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2S6T 4553147.pdf
WMSC006H12B2S6T
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7624.63 грн
5+7066.97 грн
10+6416.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650Q 3672593.pdf
WNSC2D04650Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.74 грн
11+79.74 грн
100+52.83 грн
500+38.16 грн
1000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D.pdf
WNSC2D021200D6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.12 грн
26+31.63 грн
100+30.57 грн
500+27.41 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D021200D6J WNSC2D021200D.pdf
WNSC2D021200D6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D021200D6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 8 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.57 грн
500+27.41 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6Q WNSC2D301200W.pdf
WNSC2D301200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+339.98 грн
10+297.58 грн
100+246.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D601200W6Q
WNSC2D601200W6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D601200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 60 A, 143 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 143nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+598.43 грн
5+510.37 грн
10+422.32 грн
50+359.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30MW-650PT2Q 4553162.pdf
BYC30MW-650PT2Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYC30MW-650PT2Q - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.75 V, 38 ns, 297 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 297A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.75V
Sperrverzögerungszeit: 38ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.21 грн
10+109.25 грн
100+75.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 bta208-800e.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.74 грн
50+70.60 грн
100+57.64 грн
500+52.46 грн
1000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 bta208-800e.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, TO-252 (DPAK), 1 V, 72 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 72A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BTA208
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.64 грн
500+52.46 грн
1000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208S-800E,118 bta208-800e.pdf
BTA208S-800E,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA208S-800E,118 - Triac, 800 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BT137S-600D,118 WEEN-S-A0001703628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BT137S-600D,118
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137S-600D,118 - Triac, 600 V, 8 A, SOT-428, 1.5 V, 65 A, 10 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-428
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 10mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 65A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 8A
Zündspannung, max.: 1.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.08 грн
500+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D04650DJ 3204981.pdf
WNSC2D04650DJ
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 6.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.59 грн
12+74.11 грн
100+49.08 грн
500+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650CW6Q WNSC6D16650CW%20Product%20Rev.02.pdf
WNSC6D16650CW6Q
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650CW6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.89 грн
10+164.69 грн
100+142.68 грн
500+112.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-600E,135 2623886.pdf
ACT108W-600E,135
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - ACT108W-600E,135 - Triac, Schalter, 600 V, 800 mA, SOT-223, 1 V, 8.8 A, 25 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: SOT-223
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 25mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8.8A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.3V
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 37255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.33 грн
250+21.12 грн
1000+11.81 грн
2000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MUR860J 3204969.pdf
MUR860J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - MUR860J - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 93 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 93ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.45 грн
9000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B.pdf
WNSC6D16650B6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+317.96 грн
10+248.66 грн
100+200.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D16650B6J WNSC6D16650B.pdf
WNSC6D16650B6J
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D16650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 36 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+200.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-600BQ BTA16-600B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-600BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Technology: 4Q
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
на замовлення 509 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+89.68 грн
10+73.77 грн
50+63.34 грн
100+58.71 грн
500+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA16-800BQ BTA16-800B.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA16-800BQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 16A; TO220AB; Igt: 50/70mA; Ifsm: 160A; 4Q
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO220AB
Gate current: 50/70mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 160A
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.78 грн
10+58.55 грн
100+45.51 грн
500+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA408X-1000C0TQ bta408x-1000c0t.pdf _ween_psg2020.pdf
BTA408X-1000C0TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1kV; 8A; TO220FP; Igt: 35mA; Ifsm: 90A; 3Q,Hi-Com
Mounting: THT
Gate current: 35mA
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 1kV
Technology: 3Q; Hi-Com
Case: TO220FP
Features of semiconductor devices: high temperature; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT152-800R,127 BT152-800R.pdf
BT152-800R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; 13A; Igt: 3mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Load current: 13A
Gate current: 3mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.29 грн
10+74.78 грн
50+59.30 грн
100+53.92 грн
250+47.78 грн
500+43.57 грн
1000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BT169D,112 BT169D.pdf _ween_psg2020.pdf
BT169D,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50mA; TO92; THT; bulk; 2us
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: bulk
Gate current: 50mA
Load current: 0.5A
Max. load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Type of thyristor: thyristor
Quantity in set/package: 1000pcs.
Turn-on time: 2µs
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.27 грн
23+18.67 грн
25+17.24 грн
50+14.38 грн
100+13.29 грн
500+10.77 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009,127 PHE13009.pdf
PHE13009,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.88 грн
10+49.29 грн
50+40.21 грн
100+35.50 грн
250+29.78 грн
500+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PHE13009/DG,127 PHE13009.pdf
PHE13009/DG,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB; max.1.3mm
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,116 MAC97A6.pdf
MAC97A6,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MAC97A6,412 MAC97A6.pdf
MAC97A6,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.99 грн
28+15.48 грн
32+13.29 грн
100+10.35 грн
500+7.91 грн
1000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204-800B,127 BTA204-800B.pdf BTA204-800B__127.pdf
BTA204-800B,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 4A; TO220AB; Igt: 50mA; Ifsm: 25A; 3Q,Hi-Com
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220AB
Gate current: 50mA
Max. forward impulse current: 25A
Technology: 3Q; Hi-Com
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.27 грн
20+22.04 грн
22+19.85 грн
30+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500R,127 BT151-500R.pdf
BT151-500R,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12A; 7.5A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12A
Load current: 7.5A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.94 грн
15+28.68 грн
25+24.48 грн
50+22.04 грн
100+20.19 грн
200+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-500RT,127 BT151-500RT.pdf _ween_psg2020.pdf
BT151-500RT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 500V; Ifmax: 12.5A; 8A; Igt: 2mA; TO220AB; THT; tube; 2us
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 500V
Max. load current: 12.5A
Load current: 8A
Gate current: 2mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Turn-on time: 2µs
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.73 грн
14+30.79 грн
25+24.73 грн
100+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 94  [ Наступна Сторінка >> ]