Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5982) > Сторінка 81 з 100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MAC223A8X,127 | WeEn Semiconductors |
MAC223A8X.127 Triacs |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MAC97A6,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1952 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MAC97A8,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MAC97A8,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2772 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MCR08BT1,115 | WeEn Semiconductors |
MCR08BT1.115 SMD/THT thyristors |
на замовлення 731 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MUR560J | WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Reverse recovery time: 45ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4673 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MURS360BJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMB Max. forward voltage: 0.88V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NXPSC04650B | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD Max. forward voltage: 1.5V Load current: 4A Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 24A Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NXPSC04650Q | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Mounting: THT Type of diode: Schottky rectifying Load current: 4A Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 24A Technology: SiC Max. off-state voltage: 650V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
OT412,115 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. load current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 776 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PHE13005,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Power dissipation: 75W Collector current: 4A Current gain: 10...40 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: tube Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PHE13007,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 8...40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 873 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 80W Collector-emitter voltage: 400V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMBJ20AJ | WeEn Semiconductors |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 22.41...24.28V Max. forward impulse current: 18.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMBJ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 510 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TOPT16-800C0,127 | WeEn Semiconductors |
TOPT16-800C0.127 Triacs |
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| TYN16X-600CT,127 | WeEn Semiconductors |
TYN16X-600CT.127 SMD/THT thyristors |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| TYN80W-1600TQ | WeEn Semiconductors |
TYN80W-1600TQ SMD/THT thyristors |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WG40N65DFWQ | WeEn Semiconductors |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 173nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 378ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WND08P16DJ | WeEn Semiconductors |
WND08P16DJ SMD universal diodes |
на замовлення 976 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WND45P16WQ | WeEn Semiconductors |
WND45P16WQ THT universal diodes |
на замовлення 578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNS20H100CBJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 0.7V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 180A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WNS20H100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS20H100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNS20S100CBJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 0.8V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 120A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WNS20S100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS20S100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNS30H100CBJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 0.67V Max. load current: 30A Max. forward impulse current: 330A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WNS30H100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS30H100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WNS40100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS40100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 984 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNS40H100CBJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 0.68V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 380A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WNS40H100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS40H100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 733 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNSC5D20650X6Q | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward voltage: 2.2V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Max. load current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 924 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MA,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/5mA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Max. forward impulse current: 8A Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MA,126 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/5mA Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Technology: 4Q Max. forward impulse current: 8A Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 212 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MA,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/5mA Mounting: THT Kind of package: bulk Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Max. forward impulse current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2246 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1593 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103NN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2055 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103NN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1381 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0107MA,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0107MN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 5/7mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1342 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0107MN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 5/7mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0107NN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 5/7mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0109MN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0109MN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0109NN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3694 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0109NN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BT136-600E,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BT136X-600E,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220FP rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 15mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BT169D-L,116 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D-L,116 - Thyristor, 400 V, 50 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 1mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA RMS-Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Zündspannung, max.: 800mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 50µA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BT169B,126 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169B,126 - Thyristor, 200 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 5mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA RMS-Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Zündspannung, max.: 800mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 200µA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BT169D,112 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D,112 - Thyristor, 400 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 5mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 800mA Zündspannung, max.: 500mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 200µA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BT169G,126 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169G,126 - Thyristor, 600 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 5mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A MSL: - usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 800mA Zündspannung, max.: 800mV Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BT169 Zündstrom, max.: 200µA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-92 Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BTA420-800BT,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA420-800BT,127 - Triac, 800 V, 20 A, TO-220AB, 1 V, 200 A, 40 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 40mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 200A Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTA425Y-800BTQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA425Y-800BTQ - Triac, 800 V, 25 A, TO-220AB, 1.3 V, 250 A, 75 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 75mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 25A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTA425Z-800CTQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA425Z-800CTQ - Triac, 800 V, 25 A, IITO-3P, 1.3 V, 250 A, 50 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: IITO-3P rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 25A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTA425Z-800BTQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA425Z-800BTQ - Triac, 800 V, 25 A, IITO-3P, 1.3 V, 250 A, 75 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: IITO-3P rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 75mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 25A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTA412Y-800B,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA412Y-800B,127 - Triac, 800 V, 12 A, TO-220, 1 V, 140 A, 60 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220 rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 140A Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTA416Y-800B,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA416Y-800B,127 - Triac, 800 V, 16 A, TO-220AB, 1 V, 160 A, 60 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 160A Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTA416X-800BTQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA416X-800BTQ - Triac, 800 V, 16 A, TO-220F, 1 V, 160 A, 60 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220F rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 160A Spitzen-Durchlassspannung: 1.45V usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTA416X-800CTQ | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA416X-800CTQ - Triac, 800 V, 16 A, TO-220F, 1 V, 160 A, 35 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220F rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 35mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 160A Spitzen-Durchlassspannung: 1.45V usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BT137-800E,127 | WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137-800E,127 - Triac, 800 V, 8 A, TO-220AB, 1 V, 71 A, 20 mAtariffCode: 85413000 Bauform - Triac: TO-220AB rohsCompliant: Y-EX Haltestrom, max.: 20mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 71A Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 RMS-Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BT137 productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MAC223A8X,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MAC223A8X.127 Triacs
MAC223A8X.127 Triacs
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.64 грн |
| 21+ | 54.41 грн |
| 57+ | 51.55 грн |
| MAC97A6,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.76 грн |
| 15+ | 20.52 грн |
| 25+ | 15.56 грн |
| 100+ | 10.31 грн |
| 500+ | 7.25 грн |
| 1000+ | 6.49 грн |
| MAC97A8,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.04 грн |
| 12+ | 26.67 грн |
| 100+ | 14.22 грн |
| 500+ | 10.02 грн |
| 1000+ | 8.97 грн |
| 2000+ | 8.21 грн |
| 4000+ | 7.54 грн |
| MAC97A8,412 | ![]() |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.18 грн |
| 10+ | 32.71 грн |
| 11+ | 26.92 грн |
| 100+ | 15.66 грн |
| 500+ | 11.46 грн |
| 1000+ | 10.21 грн |
| 2000+ | 9.26 грн |
| MCR08BT1,115 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MCR08BT1.115 SMD/THT thyristors
MCR08BT1.115 SMD/THT thyristors
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.03 грн |
| 101+ | 11.17 грн |
| 277+ | 10.60 грн |
| MUR560J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.37 грн |
| 10+ | 32.61 грн |
| 92+ | 12.31 грн |
| 251+ | 11.65 грн |
| 6000+ | 11.17 грн |
| MURS360BJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.87 грн |
| 14+ | 21.61 грн |
| 100+ | 15.46 грн |
| 500+ | 11.84 грн |
| 1000+ | 10.31 грн |
| 3000+ | 9.36 грн |
| NXPSC04650B |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.51 грн |
| 7+ | 48.57 грн |
| 25+ | 41.05 грн |
| 32+ | 36.27 грн |
| 87+ | 33.41 грн |
| NXPSC04650Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 4A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.52 грн |
| 5+ | 80.30 грн |
| 25+ | 72.55 грн |
| OT412,115 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.84 грн |
| 25+ | 15.66 грн |
| 100+ | 13.27 грн |
| 250+ | 12.79 грн |
| PHE13005,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.57 грн |
| 7+ | 43.22 грн |
| 10+ | 36.08 грн |
| 50+ | 26.16 грн |
| 100+ | 23.01 грн |
| 500+ | 17.56 грн |
| 1000+ | 16.71 грн |
| PHE13007,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.41 грн |
| 25+ | 57.20 грн |
| 50+ | 43.72 грн |
| 100+ | 34.37 грн |
| 250+ | 28.64 грн |
| PHE13009,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.82 грн |
| 10+ | 58.09 грн |
| 50+ | 45.63 грн |
| 100+ | 40.28 грн |
| 250+ | 33.79 грн |
| 500+ | 31.12 грн |
| SMBJ20AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 12.13 грн |
| 45+ | 7.14 грн |
| 100+ | 6.11 грн |
| 500+ | 6.01 грн |
| TOPT16-800C0,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
TOPT16-800C0.127 Triacs
TOPT16-800C0.127 Triacs
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.17 грн |
| 13+ | 87.82 грн |
| 36+ | 83.05 грн |
| 250+ | 82.28 грн |
| TYN16X-600CT,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
TYN16X-600CT.127 SMD/THT thyristors
TYN16X-600CT.127 SMD/THT thyristors
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.15 грн |
| 62+ | 18.23 грн |
| 170+ | 17.18 грн |
| TYN80W-1600TQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
TYN80W-1600TQ SMD/THT thyristors
TYN80W-1600TQ SMD/THT thyristors
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 551.02 грн |
| 4+ | 329.33 грн |
| 10+ | 311.20 грн |
| WG40N65DFWQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.30 грн |
| 3+ | 168.52 грн |
| 10+ | 143.19 грн |
| 30+ | 128.87 грн |
| WND08P16DJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WND08P16DJ SMD universal diodes
WND08P16DJ SMD universal diodes
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.87 грн |
| 29+ | 39.42 грн |
| 79+ | 37.23 грн |
| WND45P16WQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WND45P16WQ THT universal diodes
WND45P16WQ THT universal diodes
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 384.48 грн |
| 5+ | 243.42 грн |
| 13+ | 230.06 грн |
| WNS20H100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.44 грн |
| 10+ | 62.75 грн |
| 40+ | 28.73 грн |
| 108+ | 27.21 грн |
| 1600+ | 26.92 грн |
| 2400+ | 26.16 грн |
| WNS20H100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS20H100CQ THT Schottky diodes
WNS20H100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.22 грн |
| 43+ | 26.16 грн |
| 119+ | 24.72 грн |
| 1000+ | 24.68 грн |
| WNS20S100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.63 грн |
| 10+ | 51.05 грн |
| 25+ | 44.10 грн |
| 40+ | 28.64 грн |
| 108+ | 27.11 грн |
| 500+ | 26.06 грн |
| WNS20S100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS20S100CQ THT Schottky diodes
WNS20S100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.27 грн |
| 42+ | 27.01 грн |
| 115+ | 25.58 грн |
| 2000+ | 25.48 грн |
| WNS30H100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.64 грн |
| 10+ | 81.88 грн |
| 26+ | 43.24 грн |
| 72+ | 40.95 грн |
| 500+ | 40.76 грн |
| 800+ | 39.42 грн |
| WNS30H100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS30H100CQ THT Schottky diodes
WNS30H100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 308.41 грн |
| 29+ | 39.42 грн |
| 79+ | 37.23 грн |
| WNS40100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS40100CQ THT Schottky diodes
WNS40100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.95 грн |
| 25+ | 45.06 грн |
| 69+ | 42.57 грн |
| WNS40H100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 154.20 грн |
| 10+ | 95.76 грн |
| 100+ | 60.33 грн |
| 500+ | 47.83 грн |
| 800+ | 45.34 грн |
| WNS40H100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS40H100CQ THT Schottky diodes
WNS40H100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.16 грн |
| 21+ | 54.41 грн |
| 58+ | 51.55 грн |
| WNSC5D20650X6Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.27 грн |
| 5+ | 166.54 грн |
| 25+ | 142.23 грн |
| 100+ | 127.92 грн |
| Z0103MA,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 25.70 грн |
| 15+ | 20.42 грн |
| 100+ | 13.65 грн |
| 500+ | 10.60 грн |
| 1000+ | 9.55 грн |
| 2000+ | 8.69 грн |
| 10000+ | 8.11 грн |
| Z0103MA,126 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.90 грн |
| 14+ | 21.41 грн |
| 100+ | 11.17 грн |
| 500+ | 8.21 грн |
| 1000+ | 7.64 грн |
| Z0103MA,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.15 грн |
| 10+ | 31.92 грн |
| 11+ | 26.06 грн |
| 100+ | 14.61 грн |
| 500+ | 10.60 грн |
| 1000+ | 9.55 грн |
| 2000+ | 8.78 грн |
| Z0103MN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.26 грн |
| 11+ | 28.05 грн |
| 100+ | 17.28 грн |
| 500+ | 12.98 грн |
| 1000+ | 11.55 грн |
| 2000+ | 10.31 грн |
| 4000+ | 9.55 грн |
| Z0103MN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.04 грн |
| 13+ | 24.58 грн |
| 15+ | 19.86 грн |
| 100+ | 11.74 грн |
| 500+ | 9.26 грн |
| Z0103NN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.95 грн |
| 13+ | 23.79 грн |
| 100+ | 12.22 грн |
| 500+ | 8.78 грн |
| 1000+ | 8.59 грн |
| Z0103NN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.20 грн |
| 11+ | 28.45 грн |
| 100+ | 15.66 грн |
| 500+ | 11.36 грн |
| 1000+ | 10.02 грн |
| 2000+ | 9.16 грн |
| 4000+ | 8.40 грн |
| Z0107MA,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.12 грн |
| 17+ | 18.44 грн |
| 28+ | 10.60 грн |
| 100+ | 9.55 грн |
| 500+ | 8.40 грн |
| 2000+ | 7.92 грн |
| Z0107MN,135 | ![]() |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.26 грн |
| 11+ | 28.95 грн |
| 50+ | 18.23 грн |
| 100+ | 15.27 грн |
| 500+ | 10.69 грн |
| 1000+ | 9.93 грн |
| Z0107MN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.15 грн |
| 10+ | 31.52 грн |
| 11+ | 26.16 грн |
| 100+ | 15.18 грн |
| 500+ | 10.98 грн |
| 1000+ | 9.83 грн |
| 2000+ | 8.88 грн |
| Z0107NN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.90 грн |
| 11+ | 26.25 грн |
| 100+ | 17.37 грн |
| 500+ | 12.79 грн |
| 1000+ | 11.36 грн |
| 2000+ | 10.21 грн |
| Z0109MN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.20 грн |
| 11+ | 29.54 грн |
| 12+ | 24.34 грн |
| 100+ | 15.18 грн |
| 500+ | 11.84 грн |
| 1000+ | 10.79 грн |
| 2000+ | 10.02 грн |
| Z0109MN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.95 грн |
| 14+ | 22.01 грн |
| 100+ | 12.41 грн |
| 500+ | 9.64 грн |
| Z0109NN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.12 грн |
| 12+ | 25.38 грн |
| 100+ | 15.75 грн |
| 500+ | 12.12 грн |
| 1000+ | 10.98 грн |
| 2000+ | 10.02 грн |
| 4000+ | 9.26 грн |
| Z0109NN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.29 грн |
| 10+ | 30.14 грн |
| 100+ | 16.71 грн |
| 500+ | 12.03 грн |
| 1000+ | 10.69 грн |
| 2000+ | 9.64 грн |
| 4000+ | 8.88 грн |
| BT136-600E,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220AB, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 87.38 грн |
| 22+ | 40.44 грн |
| 100+ | 35.64 грн |
| BT136X-600E,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT136X-600E,127 - Triac, 600 V, 4 A, TO-220FP, 1 V, 25 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220FP
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 25A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 88.24 грн |
| 22+ | 40.52 грн |
| 100+ | 35.72 грн |
| 500+ | 25.69 грн |
| 1000+ | 21.44 грн |
| 5000+ | 19.68 грн |
| BT169D-L,116 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D-L,116 - Thyristor, 400 V, 50 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 50µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D-L,116 - Thyristor, 400 V, 50 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 1mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 50µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 35.12 грн |
| 40+ | 21.67 грн |
| 100+ | 13.71 грн |
| 500+ | 9.47 грн |
| BT169B,126 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169B,126 - Thyristor, 200 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169B,126 - Thyristor, 200 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
RMS-Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 29.73 грн |
| 47+ | 18.33 грн |
| 100+ | 11.57 грн |
| 500+ | 7.39 грн |
| 1000+ | 5.40 грн |
| 5000+ | 5.16 грн |
| BT169D,112 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D,112 - Thyristor, 400 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 500mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169D,112 - Thyristor, 400 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 500mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 32.90 грн |
| 43+ | 20.30 грн |
| 100+ | 19.36 грн |
| 500+ | 16.55 грн |
| 1000+ | 14.03 грн |
| 5000+ | 12.70 грн |
| BT169G,126 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169G,126 - Thyristor, 600 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT169
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT169G,126 - Thyristor, 600 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 5mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 9A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 500mA
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 800mA
Zündspannung, max.: 800mV
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT169
Zündstrom, max.: 200µA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BTA420-800BT,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA420-800BT,127 - Triac, 800 V, 20 A, TO-220AB, 1 V, 200 A, 40 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 200A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA420-800BT,127 - Triac, 800 V, 20 A, TO-220AB, 1 V, 200 A, 40 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 200A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 160.20 грн |
| 12+ | 77.02 грн |
| 100+ | 68.88 грн |
| 500+ | 50.75 грн |
| BTA425Y-800BTQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA425Y-800BTQ - Triac, 800 V, 25 A, TO-220AB, 1.3 V, 250 A, 75 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA425Y-800BTQ - Triac, 800 V, 25 A, TO-220AB, 1.3 V, 250 A, 75 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 171.34 грн |
| 11+ | 84.38 грн |
| 100+ | 75.56 грн |
| BTA425Z-800CTQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA425Z-800CTQ - Triac, 800 V, 25 A, IITO-3P, 1.3 V, 250 A, 50 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA425Z-800CTQ - Triac, 800 V, 25 A, IITO-3P, 1.3 V, 250 A, 50 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 260.43 грн |
| 10+ | 174.76 грн |
| 100+ | 127.65 грн |
| BTA425Z-800BTQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA425Z-800BTQ - Triac, 800 V, 25 A, IITO-3P, 1.3 V, 250 A, 75 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA425Z-800BTQ - Triac, 800 V, 25 A, IITO-3P, 1.3 V, 250 A, 75 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: IITO-3P
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 75mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 250A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 269.86 грн |
| 10+ | 170.48 грн |
| 100+ | 128.50 грн |
| BTA412Y-800B,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA412Y-800B,127 - Triac, 800 V, 12 A, TO-220, 1 V, 140 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 140A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA412Y-800B,127 - Triac, 800 V, 12 A, TO-220, 1 V, 140 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 140A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 120.79 грн |
| 14+ | 62.11 грн |
| 100+ | 55.34 грн |
| 500+ | 40.41 грн |
| 1000+ | 33.92 грн |
| BTA416Y-800B,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA416Y-800B,127 - Triac, 800 V, 16 A, TO-220AB, 1 V, 160 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 160A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA416Y-800B,127 - Triac, 800 V, 16 A, TO-220AB, 1 V, 160 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 160A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 144.78 грн |
| 13+ | 70.51 грн |
| 100+ | 61.25 грн |
| 500+ | 46.30 грн |
| 1000+ | 37.67 грн |
| 5000+ | 31.06 грн |
| BTA416X-800BTQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA416X-800BTQ - Triac, 800 V, 16 A, TO-220F, 1 V, 160 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220F
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 160A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA416X-800BTQ - Triac, 800 V, 16 A, TO-220F, 1 V, 160 A, 60 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220F
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 60mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 160A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 112.23 грн |
| 13+ | 70.51 грн |
| 100+ | 51.57 грн |
| 500+ | 33.65 грн |
| 1000+ | 27.98 грн |
| BTA416X-800CTQ |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA416X-800CTQ - Triac, 800 V, 16 A, TO-220F, 1 V, 160 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220F
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 160A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BTA416X-800CTQ - Triac, 800 V, 16 A, TO-220F, 1 V, 160 A, 35 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220F
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 35mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 160A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 125.93 грн |
| 12+ | 73.76 грн |
| 100+ | 56.46 грн |
| 500+ | 41.13 грн |
| BT137-800E,127 |
![]() |
Виробник: WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137-800E,127 - Triac, 800 V, 8 A, TO-220AB, 1 V, 71 A, 20 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 20mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 71A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT137
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BT137-800E,127 - Triac, 800 V, 8 A, TO-220AB, 1 V, 71 A, 20 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-220AB
rohsCompliant: Y-EX
Haltestrom, max.: 20mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 71A
Spitzen-Durchlassspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BT137
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 96.81 грн |
| 19+ | 45.23 грн |
| 100+ | 40.18 грн |
| 500+ | 28.96 грн |

























