Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6002) > Сторінка 81 з 101
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Reverse recovery time: 25ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 0.72V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 137A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 624 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV34-400,127 | WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 400V; 10Ax2; tube; Ifsm: 120A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 120A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.87V Max. load current: 20A Heatsink thickness: 1.25...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BYV34-500,127 | WeEn Semiconductors |
BYV34-500.127 THT universal diodes |
на замовлення 363 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV410X-600,127 | WeEn Semiconductors |
BYV410X-600.127 THT universal diodes |
на замовлення 1456 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 150V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 15A x2 Reverse recovery time: 28ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.78V Max. load current: 30A Max. forward impulse current: 150A Kind of package: tube Heatsink thickness: max. 1.3mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV44-500,127 | WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 500V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 500V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 1.15V Max. load current: 30A Heatsink thickness: max. 1.3mm Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BYV60W-600PQ | WeEn Semiconductors |
BYV60W-600PQ THT universal diodes |
на замовлення 576 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV72EW-200,127 | WeEn Semiconductors |
BYV72EW-200.127 THT universal diodes |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV74W-400,127 | WeEn Semiconductors |
BYV74W-400.127 THT universal diodes |
на замовлення 194 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV79E-200,127 | WeEn Semiconductors |
BYV79E-200.127 THT universal diodes |
на замовлення 446 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29E-100,127 | WeEn Semiconductors |
BYW29E-100.127 THT universal diodes |
на замовлення 552 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductors |
BYW29E-150.127 THT universal diodes |
на замовлення 581 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29E-200,127 | WeEn Semiconductors |
BYW29E-200.127 THT universal diodes |
на замовлення 565 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29ED-200,118 | WeEn Semiconductors |
BYW29ED-200.118 SMD universal diodes |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29EX-200,127 | WeEn Semiconductors |
BYW29EX-200.127 THT universal diodes |
на замовлення 527 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EC103D1,412 | WeEn Semiconductors |
Category: SMD/THT thyristorsDescription: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 3uA; TO92; THT; bulk; Ifsm: 8A Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.8A Case: TO92 Gate current: 3µA Mounting: THT Kind of package: bulk Turn-on time: 2µs Load current: 0.5A Max. forward impulse current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EC103D1WX | WeEn Semiconductors |
Category: SMD/THT thyristorsDescription: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 12uA; SOT223; SMD; reel,tape Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.8A Load current: 0.5A Gate current: 12µA Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Turn-on time: 2µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MAC223A6,127 | WeEn Semiconductors |
MAC223A6.127 Triacs |
на замовлення 806 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MAC223A8X,127 | WeEn Semiconductors |
MAC223A8X.127 Triacs |
на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MAC97A6,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MAC97A8,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MAC97A8,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2771 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MCR08BT1,115 | WeEn Semiconductors |
MCR08BT1.115 SMD/THT thyristors |
на замовлення 731 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MUR560J | WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Reverse recovery time: 45ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4673 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MURS360BJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMB Max. forward voltage: 0.88V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NXPSC04650B | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Load current: 4A Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 24A Max. off-state voltage: 650V Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NXPSC04650Q | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Load current: 4A Max. forward voltage: 1.5V Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 24A Max. off-state voltage: 650V Case: TO220AC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
OT412,115 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. load current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 776 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PHE13005,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Power dissipation: 75W Collector current: 4A Current gain: 10...40 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: tube Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PHE13007,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 8...40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 873 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 12A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 8...40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SMBJ20AJ | WeEn Semiconductors |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 22.41...24.28V Max. forward impulse current: 18.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Manufacturer series: SMBJ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 510 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TOPT16-800C0,127 | WeEn Semiconductors |
TOPT16-800C0.127 Triacs |
на замовлення 655 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
TYN16X-600CT,127 | WeEn Semiconductors |
Category: SMD/THT thyristorsDescription: Thyristor; 600V; Ifmax: 16A; 10.2A; Igt: 15mA; TO220FP; THT; tube Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 16A Load current: 10.2A Gate current: 15mA Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 180A Turn-on time: 2µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 177 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TYN80W-1600TQ | WeEn Semiconductors |
TYN80W-1600TQ SMD/THT thyristors |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WG40N65DFWQ | WeEn Semiconductors |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 173nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 378ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WND08P16DJ | WeEn Semiconductors |
WND08P16DJ SMD universal diodes |
на замовлення 976 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WND45P16WQ | WeEn Semiconductors |
WND45P16WQ THT universal diodes |
на замовлення 578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNS20H100CBJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: D2PAK Max. forward voltage: 0.7V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 180A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WNS20H100CQ | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.7V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.7V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 180A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WNS20S100CBJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 0.8V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 120A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WNS20S100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS20S100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNS30H100CBJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 0.67V Max. load current: 30A Max. forward impulse current: 330A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WNS30H100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS30H100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNS40100CQ | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AB Max. forward voltage: 0.64V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 330A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 354 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WNS40H100CBJ | WeEn Semiconductors |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: D2PAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 20A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 0.68V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 380A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WNS40H100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS40H100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 733 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNSC5D20650X6Q | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward voltage: 2.2V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube Max. load current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 924 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MA,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/5mA Mounting: THT Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Max. forward impulse current: 8A Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MA,126 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/5mA Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Technology: 4Q Max. forward impulse current: 8A Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 212 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MA,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/5mA Mounting: THT Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: sensitive gate Technology: 4Q Max. forward impulse current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
Z0103MN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2096 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 568 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103NN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103NN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1248 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0107MA,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3566 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0107MN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 5/7mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1342 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0107MN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 5/7mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3353 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0107NN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 5/7mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 12.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0109MN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8.5A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| BYV32EB-200,118 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Reverse recovery time: 25ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 137A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Reverse recovery time: 25ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 137A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.85 грн |
| 10+ | 86.56 грн |
| 25+ | 72.78 грн |
| 50+ | 65.54 грн |
| 60+ | 63.82 грн |
| 100+ | 58.87 грн |
| 250+ | 50.68 грн |
| BYV34-400,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10Ax2; tube; Ifsm: 120A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.87V
Max. load current: 20A
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 10Ax2; tube; Ifsm: 120A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 120A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.87V
Max. load current: 20A
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.62 грн |
| 10+ | 97.34 грн |
| 21+ | 55.82 грн |
| 56+ | 52.77 грн |
| 5000+ | 50.77 грн |
| BYV34-500,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV34-500.127 THT universal diodes
BYV34-500.127 THT universal diodes
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.47 грн |
| 21+ | 54.30 грн |
| 57+ | 51.44 грн |
| BYV410X-600,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV410X-600.127 THT universal diodes
BYV410X-600.127 THT universal diodes
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.72 грн |
| 18+ | 65.73 грн |
| 48+ | 61.92 грн |
| BYV42E-150,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A x2
Reverse recovery time: 28ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.78V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A x2
Reverse recovery time: 28ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.78V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.72 грн |
| 10+ | 81.31 грн |
| 25+ | 70.68 грн |
| 50+ | 65.25 грн |
| 100+ | 60.11 грн |
| 250+ | 54.11 грн |
| BYV44-500,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 30A
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 500V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 500V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 1.15V
Max. load current: 30A
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.86 грн |
| 10+ | 83.83 грн |
| 19+ | 60.01 грн |
| 52+ | 57.16 грн |
| BYV60W-600PQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV60W-600PQ THT universal diodes
BYV60W-600PQ THT universal diodes
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.94 грн |
| 9+ | 132.41 грн |
| 24+ | 125.74 грн |
| BYV72EW-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV72EW-200.127 THT universal diodes
BYV72EW-200.127 THT universal diodes
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.16 грн |
| 16+ | 71.44 грн |
| 30+ | 69.25 грн |
| 43+ | 67.63 грн |
| BYV74W-400,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV74W-400.127 THT universal diodes
BYV74W-400.127 THT universal diodes
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.05 грн |
| 16+ | 73.35 грн |
| 43+ | 69.54 грн |
| BYV79E-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV79E-200.127 THT universal diodes
BYV79E-200.127 THT universal diodes
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.48 грн |
| 29+ | 39.44 грн |
| 79+ | 37.34 грн |
| BYW29E-100,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29E-100.127 THT universal diodes
BYW29E-100.127 THT universal diodes
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.81 грн |
| 36+ | 31.24 грн |
| 100+ | 29.53 грн |
| BYW29E-150,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29E-150.127 THT universal diodes
BYW29E-150.127 THT universal diodes
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.68 грн |
| 39+ | 28.96 грн |
| 107+ | 27.43 грн |
| 2000+ | 27.40 грн |
| BYW29E-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29E-200.127 THT universal diodes
BYW29E-200.127 THT universal diodes
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.59 грн |
| 38+ | 30.01 грн |
| 104+ | 28.29 грн |
| BYW29ED-200,118 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29ED-200.118 SMD universal diodes
BYW29ED-200.118 SMD universal diodes
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.22 грн |
| 46+ | 24.86 грн |
| 125+ | 23.53 грн |
| BYW29EX-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29EX-200.127 THT universal diodes
BYW29EX-200.127 THT universal diodes
на замовлення 527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.12 грн |
| 46+ | 24.48 грн |
| 126+ | 23.15 грн |
| EC103D1,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 3uA; TO92; THT; bulk; Ifsm: 8A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Case: TO92
Gate current: 3µA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Turn-on time: 2µs
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 3uA; TO92; THT; bulk; Ifsm: 8A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Case: TO92
Gate current: 3µA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Turn-on time: 2µs
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EC103D1WX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 12uA; SOT223; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 12µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 12uA; SOT223; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 12µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.83 грн |
| 11+ | 28.69 грн |
| 12+ | 24.86 грн |
| 100+ | 13.62 грн |
| 123+ | 9.14 грн |
| 338+ | 8.67 грн |
| 2000+ | 8.29 грн |
| MAC223A6,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MAC223A6.127 Triacs
MAC223A6.127 Triacs
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.50 грн |
| 22+ | 51.44 грн |
| 61+ | 48.58 грн |
| MAC223A8X,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MAC223A8X.127 Triacs
MAC223A8X.127 Triacs
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.36 грн |
| 21+ | 54.30 грн |
| 57+ | 51.44 грн |
| MAC97A6,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.70 грн |
| 15+ | 20.48 грн |
| 25+ | 15.53 грн |
| 100+ | 10.29 грн |
| 500+ | 7.24 грн |
| 1000+ | 6.57 грн |
| MAC97A8,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.96 грн |
| 12+ | 26.61 грн |
| 100+ | 14.19 грн |
| 500+ | 10.00 грн |
| 1000+ | 8.95 грн |
| 2000+ | 8.19 грн |
| 4000+ | 7.53 грн |
| MAC97A8,412 | ![]() |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.11 грн |
| 10+ | 32.84 грн |
| 11+ | 27.15 грн |
| 100+ | 15.72 грн |
| 500+ | 11.43 грн |
| 1000+ | 10.19 грн |
| 2000+ | 9.24 грн |
| MCR08BT1,115 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MCR08BT1.115 SMD/THT thyristors
MCR08BT1.115 SMD/THT thyristors
на замовлення 731 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.96 грн |
| 101+ | 11.15 грн |
| 277+ | 10.57 грн |
| MUR560J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.27 грн |
| 10+ | 32.55 грн |
| 92+ | 12.29 грн |
| 251+ | 11.62 грн |
| 6000+ | 11.15 грн |
| MURS360BJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.88V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.80 грн |
| 14+ | 21.57 грн |
| 100+ | 15.43 грн |
| 500+ | 11.81 грн |
| 1000+ | 10.29 грн |
| 3000+ | 9.34 грн |
| NXPSC04650B |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Load current: 4A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Load current: 4A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.42 грн |
| 7+ | 48.47 грн |
| 25+ | 41.91 грн |
| 100+ | 37.15 грн |
| NXPSC04650Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Load current: 4A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220AC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Load current: 4A
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 24A
Max. off-state voltage: 650V
Case: TO220AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.33 грн |
| 5+ | 80.13 грн |
| 25+ | 72.40 грн |
| OT412,115 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.80 грн |
| 25+ | 15.63 грн |
| 100+ | 13.24 грн |
| 250+ | 12.96 грн |
| PHE13005,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.45 грн |
| 7+ | 43.13 грн |
| 10+ | 36.01 грн |
| 50+ | 26.10 грн |
| 100+ | 22.96 грн |
| 500+ | 17.53 грн |
| 1000+ | 16.67 грн |
| PHE13007,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 873 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.22 грн |
| 25+ | 57.08 грн |
| 50+ | 43.63 грн |
| 100+ | 34.29 грн |
| 250+ | 28.58 грн |
| PHE13009,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.68 грн |
| 10+ | 57.97 грн |
| 50+ | 45.53 грн |
| 100+ | 40.20 грн |
| 250+ | 33.72 грн |
| 500+ | 31.24 грн |
| SMBJ20AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 12.11 грн |
| 45+ | 7.12 грн |
| 100+ | 6.10 грн |
| 500+ | 6.00 грн |
| TOPT16-800C0,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
TOPT16-800C0.127 Triacs
TOPT16-800C0.127 Triacs
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.92 грн |
| 13+ | 87.64 грн |
| 36+ | 82.88 грн |
| 250+ | 82.11 грн |
| TYN16X-600CT,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 16A; 10.2A; Igt: 15mA; TO220FP; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Load current: 10.2A
Gate current: 15mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 16A; 10.2A; Igt: 15mA; TO220FP; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 16A
Load current: 10.2A
Gate current: 15mA
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.34 грн |
| 25+ | 35.41 грн |
| 50+ | 26.77 грн |
| 100+ | 20.67 грн |
| 500+ | 16.77 грн |
| 1000+ | 16.67 грн |
| 2000+ | 16.58 грн |
| TYN80W-1600TQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
TYN80W-1600TQ SMD/THT thyristors
TYN80W-1600TQ SMD/THT thyristors
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 549.86 грн |
| 4+ | 328.64 грн |
| 10+ | 310.54 грн |
| WG40N65DFWQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.89 грн |
| 3+ | 168.17 грн |
| 10+ | 142.89 грн |
| 30+ | 128.60 грн |
| WND08P16DJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WND08P16DJ SMD universal diodes
WND08P16DJ SMD universal diodes
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.59 грн |
| 29+ | 39.34 грн |
| 79+ | 37.15 грн |
| WND45P16WQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WND45P16WQ THT universal diodes
WND45P16WQ THT universal diodes
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 383.67 грн |
| 5+ | 242.91 грн |
| 13+ | 229.57 грн |
| WNS20H100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.02 грн |
| 10+ | 55.99 грн |
| 100+ | 36.48 грн |
| 500+ | 28.39 грн |
| 800+ | 26.48 грн |
| 1600+ | 26.10 грн |
| WNS20H100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.7V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 180A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.03 грн |
| 11+ | 29.38 грн |
| 50+ | 24.20 грн |
| 100+ | 23.62 грн |
| WNS20S100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.8V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.50 грн |
| 10+ | 50.95 грн |
| 25+ | 44.01 грн |
| 40+ | 28.58 грн |
| 108+ | 27.05 грн |
| 500+ | 26.01 грн |
| WNS20S100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS20S100CQ THT Schottky diodes
WNS20S100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.12 грн |
| 42+ | 26.96 грн |
| 115+ | 25.53 грн |
| 2000+ | 25.42 грн |
| WNS30H100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 15Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.67V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.00 грн |
| 10+ | 72.61 грн |
| 100+ | 46.58 грн |
| 500+ | 40.01 грн |
| WNS30H100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS30H100CQ THT Schottky diodes
WNS30H100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 307.76 грн |
| 29+ | 39.34 грн |
| 79+ | 37.15 грн |
| WNS40100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 20Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.64V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 330A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.45 грн |
| 10+ | 46.59 грн |
| 50+ | 40.87 грн |
| WNS40H100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 20Ax2; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.68V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 380A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 153.88 грн |
| 10+ | 95.56 грн |
| 100+ | 60.20 грн |
| 500+ | 47.72 грн |
| 800+ | 45.25 грн |
| WNS40H100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS40H100CQ THT Schottky diodes
WNS40H100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.99 грн |
| 21+ | 54.30 грн |
| 58+ | 51.44 грн |
| WNSC5D20650X6Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
Max. load current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.86 грн |
| 5+ | 166.19 грн |
| 25+ | 141.94 грн |
| 100+ | 127.65 грн |
| Z0103MA,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 25.65 грн |
| 15+ | 20.38 грн |
| 100+ | 13.62 грн |
| 500+ | 10.57 грн |
| 1000+ | 9.53 грн |
| 2000+ | 8.67 грн |
| 10000+ | 8.10 грн |
| Z0103MA,126 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.83 грн |
| 14+ | 21.37 грн |
| 100+ | 11.15 грн |
| 500+ | 8.19 грн |
| 1000+ | 7.62 грн |
| Z0103MA,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Max. forward impulse current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Z0103MN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.16 грн |
| 11+ | 28.00 грн |
| 100+ | 17.24 грн |
| 500+ | 12.96 грн |
| 1000+ | 11.53 грн |
| 2000+ | 10.29 грн |
| 4000+ | 9.53 грн |
| Z0103MN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.96 грн |
| 13+ | 24.53 грн |
| 15+ | 19.81 грн |
| 100+ | 11.72 грн |
| 500+ | 9.34 грн |
| Z0103NN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.88 грн |
| 13+ | 23.74 грн |
| 100+ | 12.19 грн |
| 500+ | 8.76 грн |
| 1000+ | 8.57 грн |
| Z0103NN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.14 грн |
| 11+ | 28.69 грн |
| 100+ | 15.72 грн |
| 500+ | 11.34 грн |
| 1000+ | 10.10 грн |
| 2000+ | 9.14 грн |
| 4000+ | 8.38 грн |
| Z0107MA,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.03 грн |
| 17+ | 18.40 грн |
| 28+ | 10.57 грн |
| 100+ | 9.53 грн |
| 500+ | 8.38 грн |
| 2000+ | 7.91 грн |
| Z0107MN,135 | ![]() |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.19 грн |
| 10+ | 30.86 грн |
| 50+ | 20.58 грн |
| 100+ | 17.43 грн |
| 500+ | 11.81 грн |
| 1000+ | 9.91 грн |
| Z0107MN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.14 грн |
| 9+ | 33.63 грн |
| 11+ | 27.72 грн |
| 100+ | 15.81 грн |
| 500+ | 11.34 грн |
| 1000+ | 10.00 грн |
| 2000+ | 9.05 грн |
| Z0107NN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 5/7mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 5/7mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 12.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.83 грн |
| 11+ | 26.20 грн |
| 100+ | 17.34 грн |
| 500+ | 12.76 грн |
| 1000+ | 11.34 грн |
| 2000+ | 10.19 грн |
| Z0109MN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 10mA; Ifsm: 8.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8.5A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.03 грн |
| 10+ | 31.06 грн |
| 12+ | 25.82 грн |
| 100+ | 15.72 грн |
| 500+ | 12.00 грн |
| 1000+ | 10.95 грн |
| 2000+ | 10.10 грн |






















