Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5813) > Сторінка 82 з 97
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYV30X-600PQ | WeEn Semiconductors |
BYV30X-600PQ THT universal diodes |
на замовлення 967 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BYV32E-100,127 | WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 137A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns Heatsink thickness: 1.25...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1186 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV32E-150,127 | WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 150V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 137A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.85V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns Heatsink thickness: 1.25...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV32E-200,127 | WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 137A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.72V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns Heatsink thickness: 1.25...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4957 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV32EB-200,118 | WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 137A Case: D2PAK; SOT404 Max. forward voltage: 0.72V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 25ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 332 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BYV34-400,127 | WeEn Semiconductors |
BYV34-400.127 THT universal diodes |
на замовлення 1377 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV34-500,127 | WeEn Semiconductors |
BYV34-500.127 THT universal diodes |
на замовлення 350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV410X-600,127 | WeEn Semiconductors |
BYV410X-600.127 THT universal diodes |
на замовлення 956 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV410X-600PQ | WeEn Semiconductors |
BYV410X-600PQ THT universal diodes |
на замовлення 768 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BYV42E-150,127 | WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 150V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 150V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 150A Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 0.78V Max. load current: 30A Heatsink thickness: max. 1.3mm Reverse recovery time: 28ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 341 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BYV42E-200,127 | WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 15A x2 Reverse recovery time: 28ns Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOT78; TO220AB Max. forward voltage: 1V Max. load current: 30A Max. forward impulse current: 150A Kind of package: tube Heatsink thickness: max. 1.3mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BYV44-500,127 | WeEn Semiconductors |
BYV44-500.127 THT universal diodes |
на замовлення 806 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV60W-600PQ | WeEn Semiconductors |
BYV60W-600PQ THT universal diodes |
на замовлення 574 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV72EW-200,127 | WeEn Semiconductors |
BYV72EW-200.127 THT universal diodes |
на замовлення 1497 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYV74W-400,127 | WeEn Semiconductors |
BYV74W-400.127 THT universal diodes |
на замовлення 144 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BYV79E-200,127 | WeEn Semiconductors |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 200V; 14A; tube; Ifsm: 160A; SOD59,TO220AC Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 14A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 160A Case: SOD59; TO220AC Max. forward voltage: 0.83V Heatsink thickness: max. 1.3mm Reverse recovery time: 30ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BYW29E-100,127 | WeEn Semiconductors |
BYW29E-100.127 THT universal diodes |
на замовлення 527 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29E-150,127 | WeEn Semiconductors |
BYW29E-150.127 THT universal diodes |
на замовлення 581 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29E-200,127 | WeEn Semiconductors |
BYW29E-200.127 THT universal diodes |
на замовлення 945 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29ED-200,118 | WeEn Semiconductors |
BYW29ED-200.118 SMD universal diodes |
на замовлення 789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BYW29EX-200,127 | WeEn Semiconductors |
BYW29EX-200.127 THT universal diodes |
на замовлення 358 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EC103D1,412 | WeEn Semiconductors |
EC103D1.412 SMD/THT thyristors |
на замовлення 1304 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EC103D1WX | WeEn Semiconductors |
EC103D1WX SMD/THT thyristors |
на замовлення 64 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MAC223A6,127 | WeEn Semiconductors |
MAC223A6.127 Triacs |
на замовлення 774 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MAC223A8X,127 | WeEn Semiconductors |
MAC223A8X.127 Triacs |
на замовлення 283 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MAC97A6,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1599 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MAC97A8,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MAC97A8,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MCR08BT1,115 | WeEn Semiconductors |
Category: SMD/THT thyristorsDescription: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape Kind of package: reel; tape Case: SOT223 Mounting: SMD Turn-on time: 2µs Gate current: 50µA Max. load current: 0.8A Load current: 0.5A Max. forward impulse current: 8A Max. off-state voltage: 200V Type of thyristor: thyristor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1721 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUR560J | WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Reverse recovery time: 45ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MURS360BJ | WeEn Semiconductors |
MURS360BJ SMD universal diodes |
на замовлення 2679 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NXPSC04650B | WeEn Semiconductors | NXPSC04650B SMD Schottky diodes |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NXPSC04650Q | WeEn Semiconductors |
NXPSC04650Q THT Schottky diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
OT412,115 | WeEn Semiconductors |
Category: Triacs Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. load current: 1A Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 776 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PHE13005,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Mounting: THT Case: TO220AB Power dissipation: 75W Collector current: 4A Current gain: 10...40 Collector-emitter voltage: 400V Kind of package: tube Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 770 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PHE13007,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 8...40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 798 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO220AB Current gain: 8...40 Collector current: 12A Power dissipation: 80W Collector-emitter voltage: 400V Polarisation: bipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
SMBJ20AJ | WeEn Semiconductors |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 22.41...24.28V Max. forward impulse current: 18.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SMB Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Manufacturer series: SMBJ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TOPT16-800C0,127 | WeEn Semiconductors |
TOPT16-800C0.127 Triacs |
на замовлення 639 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| TYN16X-600CT,127 | WeEn Semiconductors |
TYN16X-600CT.127 SMD/THT thyristors |
на замовлення 177 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| TYN80W-1600TQ | WeEn Semiconductors |
TYN80W-1600TQ SMD/THT thyristors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WG40N65DFWQ | WeEn Semiconductors |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 173nC Kind of package: tube Turn-on time: 95ns Turn-off time: 378ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 338 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WND08P16DJ | WeEn Semiconductors |
WND08P16DJ SMD universal diodes |
на замовлення 954 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WND45P16WQ | WeEn Semiconductors |
WND45P16WQ THT universal diodes |
на замовлення 578 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WNS20H100CBJ | WeEn Semiconductors |
WNS20H100CBJ SMD Schottky diodes |
на замовлення 479 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WNS20H100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS20H100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WNS20S100CBJ | WeEn Semiconductors |
WNS20S100CBJ SMD Schottky diodes |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WNS20S100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS20S100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 213 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WNS30H100CBJ | WeEn Semiconductors |
WNS30H100CBJ SMD Schottky diodes |
на замовлення 168 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WNS40100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS40100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 719 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WNS40H100CBJ | WeEn Semiconductors |
WNS40H100CBJ SMD Schottky diodes |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WNS40H100CQ | WeEn Semiconductors |
WNS40H100CQ THT Schottky diodes |
на замовлення 733 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WNSC5D20650X6Q | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward voltage: 2.2V Max. load current: 40A Max. forward impulse current: 80A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 846 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MA,116 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/5mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 101 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MA,126 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/5mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 212 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MA,412 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: TO92 Gate current: 3/5mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Max. forward impulse current: 8A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103MN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Max. forward impulse current: 12.5A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 504 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103NN,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Max. forward impulse current: 8A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
Z0103NN0,135 | WeEn Semiconductors |
Category: TriacsDescription: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.8kV Max. load current: 1A Case: SOT223 Gate current: 3/5mA Max. forward impulse current: 12.5A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 373 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| BYV30X-600PQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV30X-600PQ THT universal diodes
BYV30X-600PQ THT universal diodes
на замовлення 967 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.32 грн |
| 14+ | 87.77 грн |
| 37+ | 82.84 грн |
| BYV32E-100,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 137A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 137A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 51.41 грн |
| 25+ | 43.59 грн |
| 100+ | 39.45 грн |
| 250+ | 38.26 грн |
| BYV32E-150,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 137A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 137A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 51.41 грн |
| 25+ | 43.59 грн |
| 100+ | 39.45 грн |
| 250+ | 38.26 грн |
| BYV32E-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 137A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; tube; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 137A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.89 грн |
| 5+ | 83.98 грн |
| 10+ | 67.06 грн |
| 50+ | 56.21 грн |
| 100+ | 54.24 грн |
| 500+ | 51.28 грн |
| BYV32EB-200,118 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 137A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 10Ax2; 25ns; D2PAK,SOT404; Ifsm: 137A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 137A
Case: D2PAK; SOT404
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 25ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.06 грн |
| 10+ | 85.82 грн |
| 25+ | 73.97 грн |
| 50+ | 67.56 грн |
| 60+ | 65.88 грн |
| 100+ | 61.24 грн |
| 250+ | 53.06 грн |
| BYV34-400,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV34-400.127 THT universal diodes
BYV34-400.127 THT universal diodes
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.06 грн |
| 21+ | 57.69 грн |
| 56+ | 54.54 грн |
| BYV34-500,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV34-500.127 THT universal diodes
BYV34-500.127 THT universal diodes
на замовлення 350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.26 грн |
| 21+ | 57.20 грн |
| 57+ | 53.26 грн |
| BYV410X-600,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV410X-600.127 THT universal diodes
BYV410X-600.127 THT universal diodes
на замовлення 956 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.52 грн |
| 18+ | 68.05 грн |
| 48+ | 64.10 грн |
| BYV410X-600PQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV410X-600PQ THT universal diodes
BYV410X-600PQ THT universal diodes
на замовлення 768 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.86 грн |
| 22+ | 53.26 грн |
| 61+ | 50.30 грн |
| BYV42E-150,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.78V
Max. load current: 30A
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 28ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 150V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 150A
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 0.78V
Max. load current: 30A
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 28ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 341 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.52 грн |
| 10+ | 84.18 грн |
| 25+ | 73.18 грн |
| 50+ | 67.56 грн |
| 100+ | 62.23 грн |
| 250+ | 55.72 грн |
| BYV42E-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Reverse recovery time: 28ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 15Ax2; tube; Ifsm: 150A; SOT78,TO220AB
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 15A x2
Reverse recovery time: 28ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT78; TO220AB
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: max. 1.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.52 грн |
| 5+ | 69.64 грн |
| 50+ | 57.20 грн |
| BYV44-500,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV44-500.127 THT universal diodes
BYV44-500.127 THT universal diodes
на замовлення 806 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.51 грн |
| 19+ | 62.13 грн |
| 52+ | 58.19 грн |
| BYV60W-600PQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV60W-600PQ THT universal diodes
BYV60W-600PQ THT universal diodes
на замовлення 574 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.86 грн |
| 9+ | 138.07 грн |
| 24+ | 130.18 грн |
| BYV72EW-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV72EW-200.127 THT universal diodes
BYV72EW-200.127 THT universal diodes
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.99 грн |
| 16+ | 74.95 грн |
| 44+ | 71.01 грн |
| BYV74W-400,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYV74W-400.127 THT universal diodes
BYV74W-400.127 THT universal diodes
на замовлення 144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.32 грн |
| 16+ | 75.94 грн |
| 43+ | 71.99 грн |
| BYV79E-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 14A; tube; Ifsm: 160A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 14A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.83V
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 30ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 14A; tube; Ifsm: 160A; SOD59,TO220AC
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 14A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Case: SOD59; TO220AC
Max. forward voltage: 0.83V
Heatsink thickness: max. 1.3mm
Reverse recovery time: 30ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.15 грн |
| 5+ | 63.91 грн |
| 10+ | 51.38 грн |
| 25+ | 41.52 грн |
| 50+ | 37.18 грн |
| BYW29E-100,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29E-100.127 THT universal diodes
BYW29E-100.127 THT universal diodes
на замовлення 527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.24 грн |
| 36+ | 32.45 грн |
| 100+ | 30.67 грн |
| BYW29E-150,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29E-150.127 THT universal diodes
BYW29E-150.127 THT universal diodes
на замовлення 581 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.72 грн |
| 39+ | 30.18 грн |
| 100+ | 28.47 грн |
| BYW29E-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29E-200.127 THT universal diodes
BYW29E-200.127 THT universal diodes
на замовлення 945 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.54 грн |
| 38+ | 30.97 грн |
| 104+ | 29.29 грн |
| BYW29ED-200,118 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29ED-200.118 SMD universal diodes
BYW29ED-200.118 SMD universal diodes
на замовлення 789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.42 грн |
| 46+ | 25.84 грн |
| 125+ | 24.46 грн |
| BYW29EX-200,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
BYW29EX-200.127 THT universal diodes
BYW29EX-200.127 THT universal diodes
на замовлення 358 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.60 грн |
| 47+ | 25.35 грн |
| 127+ | 23.96 грн |
| EC103D1,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
EC103D1.412 SMD/THT thyristors
EC103D1.412 SMD/THT thyristors
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.89 грн |
| 184+ | 6.41 грн |
| 504+ | 6.02 грн |
| EC103D1WX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
EC103D1WX SMD/THT thyristors
EC103D1WX SMD/THT thyristors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.58 грн |
| 124+ | 9.47 грн |
| 340+ | 8.97 грн |
| MAC223A6,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MAC223A6.127 Triacs
MAC223A6.127 Triacs
на замовлення 774 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.04 грн |
| 22+ | 53.26 грн |
| 61+ | 50.30 грн |
| MAC223A8X,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MAC223A8X.127 Triacs
MAC223A8X.127 Triacs
на замовлення 283 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.07 грн |
| 21+ | 56.21 грн |
| 57+ | 53.26 грн |
| MAC97A6,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.86 грн |
| 18+ | 17.41 грн |
| 25+ | 14.40 грн |
| 100+ | 11.24 грн |
| 500+ | 8.48 грн |
| 1000+ | 7.69 грн |
| 5000+ | 6.71 грн |
| MAC97A8,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MAC97A8,412 | ![]() |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.61 грн |
| 10+ | 33.80 грн |
| 11+ | 27.81 грн |
| 100+ | 16.17 грн |
| 500+ | 11.74 грн |
| 1000+ | 10.45 грн |
| 5000+ | 8.58 грн |
| MCR08BT1,115 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Type of thyristor: thyristor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Turn-on time: 2µs
Gate current: 50µA
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 200V
Type of thyristor: thyristor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.86 грн |
| 12+ | 26.22 грн |
| 100+ | 16.37 грн |
| 500+ | 11.83 грн |
| 1000+ | 10.55 грн |
| MUR560J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.98 грн |
| 11+ | 30.62 грн |
| 100+ | 19.13 грн |
| 500+ | 14.79 грн |
| 1000+ | 13.31 грн |
| 3000+ | 11.54 грн |
| MURS360BJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MURS360BJ SMD universal diodes
MURS360BJ SMD universal diodes
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.32 грн |
| 111+ | 10.55 грн |
| 304+ | 10.06 грн |
| NXPSC04650B |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC04650B SMD Schottky diodes
NXPSC04650B SMD Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.35 грн |
| 32+ | 37.48 грн |
| 87+ | 35.50 грн |
| NXPSC04650Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC04650Q THT Schottky diodes
NXPSC04650Q THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.59 грн |
| 15+ | 78.90 грн |
| 25+ | 77.83 грн |
| 41+ | 74.95 грн |
| OT412,115 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 1A; SOT223; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.50 грн |
| 25+ | 16.18 грн |
| 100+ | 13.71 грн |
| 250+ | 13.22 грн |
| PHE13005,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 75W
Collector current: 4A
Current gain: 10...40
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.48 грн |
| 7+ | 44.65 грн |
| 10+ | 37.28 грн |
| 50+ | 27.02 грн |
| 100+ | 23.77 грн |
| 500+ | 18.15 грн |
| 1000+ | 17.26 грн |
| PHE13007,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 798 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.34 грн |
| 25+ | 59.09 грн |
| 50+ | 45.17 грн |
| 100+ | 35.50 грн |
| 250+ | 29.39 грн |
| PHE13009,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Collector-emitter voltage: 400V
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SMBJ20AJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 22.41÷24.28V; 18.6A; unidirectional; SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.41...24.28V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: SMBJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.74 грн |
| 42+ | 7.37 грн |
| 100+ | 6.31 грн |
| 500+ | 6.21 грн |
| TOPT16-800C0,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
TOPT16-800C0.127 Triacs
TOPT16-800C0.127 Triacs
на замовлення 639 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.01 грн |
| 13+ | 90.73 грн |
| 36+ | 85.80 грн |
| TYN16X-600CT,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
TYN16X-600CT.127 SMD/THT thyristors
TYN16X-600CT.127 SMD/THT thyristors
на замовлення 177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.80 грн |
| 62+ | 18.94 грн |
| 170+ | 17.85 грн |
| 2000+ | 17.82 грн |
| TYN80W-1600TQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
TYN80W-1600TQ SMD/THT thyristors
TYN80W-1600TQ SMD/THT thyristors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 634.06 грн |
| 4+ | 340.24 грн |
| 10+ | 321.50 грн |
| WG40N65DFWQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 338 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.73 грн |
| 3+ | 174.10 грн |
| 10+ | 147.93 грн |
| 30+ | 133.14 грн |
| WND08P16DJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WND08P16DJ SMD universal diodes
WND08P16DJ SMD universal diodes
на замовлення 954 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.20 грн |
| 29+ | 40.63 грн |
| 80+ | 38.36 грн |
| WND45P16WQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WND45P16WQ THT universal diodes
WND45P16WQ THT universal diodes
на замовлення 578 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 397.21 грн |
| 5+ | 250.50 грн |
| 13+ | 236.69 грн |
| WNS20H100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS20H100CBJ SMD Schottky diodes
WNS20H100CBJ SMD Schottky diodes
на замовлення 479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.82 грн |
| 40+ | 29.68 грн |
| 109+ | 28.01 грн |
| WNS20H100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS20H100CQ THT Schottky diodes
WNS20H100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.48 грн |
| 43+ | 27.12 грн |
| 119+ | 25.64 грн |
| 1000+ | 25.60 грн |
| WNS20S100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS20S100CBJ SMD Schottky diodes
WNS20S100CBJ SMD Schottky diodes
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.92 грн |
| 40+ | 29.78 грн |
| 108+ | 28.21 грн |
| 4800+ | 28.16 грн |
| WNS20S100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS20S100CQ THT Schottky diodes
WNS20S100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.57 грн |
| 42+ | 28.01 грн |
| 115+ | 26.53 грн |
| 2000+ | 26.42 грн |
| WNS30H100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS30H100CBJ SMD Schottky diodes
WNS30H100CBJ SMD Schottky diodes
на замовлення 168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.27 грн |
| 27+ | 44.87 грн |
| 72+ | 42.41 грн |
| WNS40100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS40100CQ THT Schottky diodes
WNS40100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 719 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.20 грн |
| 26+ | 46.45 грн |
| 70+ | 43.98 грн |
| WNS40H100CBJ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS40H100CBJ SMD Schottky diodes
WNS40H100CBJ SMD Schottky diodes
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.71 грн |
| 23+ | 51.48 грн |
| 63+ | 48.62 грн |
| WNS40H100CQ |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
WNS40H100CQ THT Schottky diodes
WNS40H100CQ THT Schottky diodes
на замовлення 733 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.78 грн |
| 21+ | 56.21 грн |
| 58+ | 53.26 грн |
| WNSC5D20650X6Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 2.2V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 846 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.67 грн |
| 5+ | 172.06 грн |
| 25+ | 146.94 грн |
| 100+ | 132.15 грн |
| Z0103MA,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.55 грн |
| 15+ | 21.10 грн |
| 100+ | 14.10 грн |
| 500+ | 10.95 грн |
| 1000+ | 9.86 грн |
| 2000+ | 8.97 грн |
| 10000+ | 8.38 грн |
| Z0103MA,126 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.99 грн |
| 14+ | 22.12 грн |
| 100+ | 11.54 грн |
| 500+ | 8.48 грн |
| 1000+ | 7.89 грн |
| Z0103MA,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; TO92; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: TO92
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4162 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.48 грн |
| 10+ | 32.36 грн |
| 12+ | 26.63 грн |
| 100+ | 15.09 грн |
| 500+ | 10.95 грн |
| 1000+ | 9.86 грн |
| 2000+ | 8.97 грн |
| Z0103MN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.79 грн |
| 11+ | 28.98 грн |
| 100+ | 17.85 грн |
| 500+ | 13.41 грн |
| 1000+ | 11.93 грн |
| 2000+ | 10.65 грн |
| 4000+ | 9.86 грн |
| Z0103MN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 504 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.30 грн |
| 13+ | 25.40 грн |
| 15+ | 20.51 грн |
| 100+ | 12.13 грн |
| 500+ | 9.57 грн |
| Z0103NN,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 8A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.11 грн |
| 13+ | 24.58 грн |
| 100+ | 12.62 грн |
| 500+ | 9.07 грн |
| 1000+ | 8.88 грн |
| Z0103NN0,135 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 800V; 1A; SOT223; Igt: 3/5mA; Ifsm: 12.5A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 1A
Case: SOT223
Gate current: 3/5mA
Max. forward impulse current: 12.5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.67 грн |
| 11+ | 29.39 грн |
| 100+ | 16.08 грн |
| 500+ | 11.54 грн |
| 1000+ | 10.26 грн |
| 2000+ | 9.37 грн |
| 4000+ | 8.48 грн |















