Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6266) > Сторінка 85 з 105
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ESDALD05UE2X | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ESDALD05UG4X | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ESDALD05UJ2X | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ESDALD08BCX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ESDALD12BCX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ESDALD15BCX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ESDALD18BCX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
ESDALD24BCX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS array; 26V; 6A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1; LD; ESD Mounting: SMD Case: SOD323 Max. off-state voltage: 24V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 6A Breakdown voltage: 26V Leakage current: 1µA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Manufacturer series: LD Peak pulse power dissipation: 0.35kW кількість в упаковці: 90000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
ESDALD36BCX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS array; 38V; 3A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1; LD; ESD Mounting: SMD Max. off-state voltage: 36V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 3A Breakdown voltage: 38V Leakage current: 1µA Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Version: ESD Manufacturer series: LD Peak pulse power dissipation: 0.35kW Case: SOD323 кількість в упаковці: 90000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
ESDHD03UFX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: TVS; 4÷8V; 24A; unidirectional; DFN1006-2; reel,tape; Ch: 1 Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 4...8V Max. forward impulse current: 24A Semiconductor structure: unidirectional Case: DFN1006-2 Mounting: SMD Leakage current: 1µA Kind of package: reel; tape Number of channels: 1 Manufacturer series: HD Version: ESD кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ESDHD05UBX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ESDHD05UFX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ESDUD05BFX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MAC223A6,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 400V; 25A; TO220AB; Igt: 50/75mA; Ifsm: 190A; 4Q Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 25A Gate current: 50/75mA Max. forward impulse current: 190A Features of semiconductor devices: sensitive gate Technology: 4Q Type of thyristor: triac кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 817 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MAC223A8X,127 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 600V; 20A; TO220FP; Igt: 50/75mA; Ifsm: 190A; 4Q Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 20A Gate current: 50/75mA Max. forward impulse current: 190A Features of semiconductor devices: sensitive gate Technology: 4Q Type of thyristor: triac кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MAC97A6,116 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MAC97A6,412 | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.4kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2731 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MAC97A8,116 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MAC97A8,412 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() ![]() Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MAC97A8/DG,412 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate Type of thyristor: triac Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.6A Case: TO92 Gate current: 5/7mA Max. forward impulse current: 8A Technology: 4Q Features of semiconductor devices: sensitive gate Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MCR08BT1,115 | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 0.8A Load current: 0.5A Gate current: 50µA Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 8A Turn-on time: 2µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 943 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MCR100W-10MF | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MUR320J | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; SMC; Ifsm: 160A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 160A Case: SMC кількість в упаковці: 12000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MUR440J | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 4A; SMC; Ifsm: 140A; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 140A Case: SMC кількість в упаковці: 12000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
MUR560J | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Reverse recovery time: 45ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMC Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 130A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MUR860J | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; 90ns; SMC; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 180A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 180A Case: SMC Max. forward voltage: 1.25V Reverse recovery time: 90ns кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
MURS160BJ | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMB Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 35A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
MURS360BJ | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A Type of diode: rectifying Case: SMB Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward voltage: 0.88V Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
N0118GA,116 | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N0118GA,412 | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
N0118GAML | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCR100Q-6MX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.51A; Igt: 100uA; SOT89; SMD; Ifsm: 9A Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 0.8A Load current: 0.51A Gate current: 100µA Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 9A Turn-on time: 2µs кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCR100W-10LX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 0.8A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 850V Max. load current: 1.1A Load current: 0.8A Gate current: 50µA Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 11A Turn-on time: 2µs кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCR100W-10MX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 0.8A; Igt: 100uA; SOT223; SMD; Ifsm: 11A Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 850V Max. load current: 1.1A Load current: 0.8A Gate current: 100µA Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 11A Turn-on time: 2µs кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCR100W-12LX | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Thyristor; 1kV; Ifmax: 1.1A; 0.8A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 1kV Max. load current: 1.1A Load current: 0.8A Gate current: 50µA Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 11A Turn-on time: 2µs кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NCR125W-125MX | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPLQSC106506Q | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NXPLQSC20650W6Q | WeEn Semiconductors |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward impulse current: 48A Kind of package: tube Max. load current: 20A кількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NXPLQSC30650W6Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. load current: 30A Max. forward impulse current: 50A Kind of package: tube кількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NXPSC046506Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 24A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NXPSC04650B | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Mounting: SMD Case: D2PAK Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 8A Max. forward voltage: 1.5V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 24A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NXPSC04650B6J | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Max. forward impulse current: 24A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NXPSC04650D6J | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: DPAK Max. forward impulse current: 24A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
NXPSC04650Q | WeEn Semiconductors |
![]() ![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V Mounting: THT Case: TO220AC Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 8A Max. forward voltage: 1.5V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 24A Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NXPSC04650X6Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: TO220FP-2 Max. forward impulse current: 24A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NXPSC066506Q | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC06650B6J | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC06650D6J | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC06650X6Q | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC086506Q | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC08650B6J | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC08650D6J | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC08650X6Q | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC106506Q | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC10650B6J | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC10650D6J | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC10650X6Q | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC126506Q | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NXPSC12650B6J | WeEn Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
NXPSC166506Q | WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward impulse current: 96A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
ESDALD05UE2X |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDALD05UE2X Protection diodes - arrays
ESDALD05UE2X Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDALD05UG4X |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDALD05UG4X Protection diodes - arrays
ESDALD05UG4X Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDALD05UJ2X |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDALD05UJ2X Protection diodes - arrays
ESDALD05UJ2X Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDALD08BCX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDALD08BCX Protection diodes - arrays
ESDALD08BCX Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDALD12BCX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDALD12BCX Protection diodes - arrays
ESDALD12BCX Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDALD15BCX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDALD15BCX Protection diodes - arrays
ESDALD15BCX Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDALD18BCX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDALD18BCX Protection diodes - arrays
ESDALD18BCX Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDALD24BCX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26V; 6A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1; LD; ESD
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 6A
Breakdown voltage: 26V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Manufacturer series: LD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 90000 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26V; 6A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1; LD; ESD
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 6A
Breakdown voltage: 26V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Manufacturer series: LD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
кількість в упаковці: 90000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDALD36BCX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 38V; 3A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1; LD; ESD
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 36V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 3A
Breakdown voltage: 38V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Manufacturer series: LD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Case: SOD323
кількість в упаковці: 90000 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 38V; 3A; 350W; bidirectional; SOD323; Ch: 1; LD; ESD
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 36V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 3A
Breakdown voltage: 38V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Manufacturer series: LD
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Case: SOD323
кількість в упаковці: 90000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDHD03UFX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 4÷8V; 24A; unidirectional; DFN1006-2; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4...8V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Manufacturer series: HD
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 4÷8V; 24A; unidirectional; DFN1006-2; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4...8V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Manufacturer series: HD
Version: ESD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDHD05UBX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDHD05UBX Unidirectional TVS SMD diodes
ESDHD05UBX Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDHD05UFX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDHD05UFX Unidirectional TVS SMD diodes
ESDHD05UFX Unidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ESDUD05BFX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
ESDUD05BFX Bidirectional TVS SMD diodes
ESDUD05BFX Bidirectional TVS SMD diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MAC223A6,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 25A; TO220AB; Igt: 50/75mA; Ifsm: 190A; 4Q
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 25A
Gate current: 50/75mA
Max. forward impulse current: 190A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Type of thyristor: triac
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 25A; TO220AB; Igt: 50/75mA; Ifsm: 190A; 4Q
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 25A
Gate current: 50/75mA
Max. forward impulse current: 190A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Type of thyristor: triac
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.74 грн |
5+ | 71.64 грн |
22+ | 50.09 грн |
61+ | 47.34 грн |
MAC223A8X,127 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 20A; TO220FP; Igt: 50/75mA; Ifsm: 190A; 4Q
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Gate current: 50/75mA
Max. forward impulse current: 190A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Type of thyristor: triac
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 20A; TO220FP; Igt: 50/75mA; Ifsm: 190A; 4Q
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 20A
Gate current: 50/75mA
Max. forward impulse current: 190A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Technology: 4Q
Type of thyristor: triac
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.55 грн |
10+ | 98.60 грн |
21+ | 53.02 грн |
57+ | 50.09 грн |
6000+ | 48.16 грн |
MAC97A6,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MAC97A6,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 400V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2731 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
14+ | 20.77 грн |
25+ | 15.78 грн |
100+ | 10.46 грн |
158+ | 6.79 грн |
434+ | 6.42 грн |
5000+ | 6.24 грн |
MAC97A8,116 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.64 грн |
13+ | 22.29 грн |
100+ | 14.40 грн |
145+ | 7.43 грн |
399+ | 6.97 грн |
MAC97A8,412 | ![]() |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
12+ | 24.39 грн |
15+ | 18.71 грн |
100+ | 9.72 грн |
149+ | 7.16 грн |
409+ | 6.79 грн |
MAC97A8/DG,412 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Triacs
Description: Triac; 600V; 0.6A; TO92; Igt: 5/7mA; Ifsm: 8A; 4Q; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.6A
Case: TO92
Gate current: 5/7mA
Max. forward impulse current: 8A
Technology: 4Q
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MCR08BT1,115 |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 200V; Ifmax: 0.8A; 0.5A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.5A
Gate current: 50µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 8A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.59 грн |
12+ | 25.34 грн |
100+ | 14.86 грн |
101+ | 10.92 грн |
277+ | 10.27 грн |
1000+ | 9.91 грн |
MCR100W-10MF |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
MCR100W-10MF SMD/THT thyristors
MCR100W-10MF SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUR320J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; SMC; Ifsm: 160A; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 160A
Case: SMC
кількість в упаковці: 12000 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; SMC; Ifsm: 160A; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 160A
Case: SMC
кількість в упаковці: 12000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUR440J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 4A; SMC; Ifsm: 140A; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 140A
Case: SMC
кількість в упаковці: 12000 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 4A; SMC; Ifsm: 140A; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 140A
Case: SMC
кількість в упаковці: 12000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MUR560J |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.35V; Ifsm: 130A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 130A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.46 грн |
11+ | 28.10 грн |
91+ | 11.83 грн |
250+ | 11.19 грн |
6000+ | 11.01 грн |
9000+ | 10.73 грн |
MUR860J |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; 90ns; SMC; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 180A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 180A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; 90ns; SMC; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 180A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 180A
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.25V
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MURS160BJ |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 35A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 35A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
MURS360BJ |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.88V
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 50ns; SMB; Ufmax: 0.88V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 0.88V
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.63 грн |
14+ | 20.58 грн |
100+ | 14.95 грн |
111+ | 9.72 грн |
304+ | 9.17 грн |
N0118GA,116 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
N0118GA.116 SMD/THT thyristors
N0118GA.116 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N0118GA,412 |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
N0118GA.412 SMD/THT thyristors
N0118GA.412 SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
N0118GAML |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
N0118GAML SMD/THT thyristors
N0118GAML SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCR100Q-6MX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.51A; Igt: 100uA; SOT89; SMD; Ifsm: 9A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.51A
Gate current: 100µA
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 9A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 0.8A; 0.51A; Igt: 100uA; SOT89; SMD; Ifsm: 9A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 0.8A
Load current: 0.51A
Gate current: 100µA
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 9A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCR100W-10LX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 0.8A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 850V
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 11A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 0.8A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 850V
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 11A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCR100W-10MX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 0.8A; Igt: 100uA; SOT223; SMD; Ifsm: 11A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 850V
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 100µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 11A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 850V; Ifmax: 1.1A; 0.8A; Igt: 100uA; SOT223; SMD; Ifsm: 11A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 850V
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 100µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 11A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCR100W-12LX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1kV; Ifmax: 1.1A; 0.8A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 11A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1kV; Ifmax: 1.1A; 0.8A; Igt: 50uA; SOT223; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1kV
Max. load current: 1.1A
Load current: 0.8A
Gate current: 50µA
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 11A
Turn-on time: 2µs
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NCR125W-125MX |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NCR125W-125MX SMD/THT thyristors
NCR125W-125MX SMD/THT thyristors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPLQSC106506Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPLQSC106506Q THT Schottky diodes
NXPLQSC106506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPLQSC20650W6Q |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 240 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward impulse current: 48A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPLQSC30650W6Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 240 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC046506Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC04650B |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.95 грн |
5+ | 75.26 грн |
19+ | 57.80 грн |
52+ | 54.13 грн |
NXPSC04650B6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC04650D6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC04650Q |
![]() ![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; Ufmax: 1.5V
Mounting: THT
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 8A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.55 грн |
5+ | 111.46 грн |
NXPSC04650X6Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward impulse current: 24A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC066506Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC066506Q THT Schottky diodes
NXPSC066506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC06650B6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC06650B6J SMD Schottky diodes
NXPSC06650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC06650D6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC06650D6J SMD Schottky diodes
NXPSC06650D6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC06650X6Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC06650X6Q THT Schottky diodes
NXPSC06650X6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC086506Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC086506Q THT Schottky diodes
NXPSC086506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC08650B6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC08650B6J SMD Schottky diodes
NXPSC08650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC08650D6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC08650D6J SMD Schottky diodes
NXPSC08650D6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC08650X6Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC08650X6Q THT Schottky diodes
NXPSC08650X6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC106506Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC106506Q THT Schottky diodes
NXPSC106506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC10650B6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC10650B6J SMD Schottky diodes
NXPSC10650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC10650D6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC10650D6J SMD Schottky diodes
NXPSC10650D6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC10650X6Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC10650X6Q THT Schottky diodes
NXPSC10650X6Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC126506Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC126506Q THT Schottky diodes
NXPSC126506Q THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC12650B6J |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
NXPSC12650B6J SMD Schottky diodes
NXPSC12650B6J SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NXPSC166506Q |
![]() |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward impulse current: 96A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.