Продукція > YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD > Всі товари виробника YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD (1715) > Сторінка 27 з 29

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
YBSM6008 YBSM6008 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf Description: RECT BRIDGE 800V 6A YBS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS3
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YBSM6010 YBSM6010 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A YBS3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS3
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YBSM6010 YBSM6010 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A YBS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS3
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YBSM6010-F1-0000HF YBSM6010-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A YBS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YBSM6010-F1-0000HF YBSM6010-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf Description: RECT BRIDGE 1000V 6A YBS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJB200G06B YJB200G06B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJB200G06B.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 200A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJB200G06B YJB200G06B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJB200G06B.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 200A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A YJD20N06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD20N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A YJD20N06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD20N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A-F1-0000HF YJD20N06A-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD20N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A-F1-0000HF YJD20N06A-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD20N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD45G10A-F1-0000HF YJD45G10A-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD45G10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD45G10A-F1-0000HF YJD45G10A-F1-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD45G10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD80G06A-F1-0000 YJD80G06A-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD80G06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD80G06A-F1-0000 YJD80G06A-F1-0000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJD80G06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG15N15B-F1-0100HF YJG15N15B-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG15N15B_DS.pdf Description: N-CH MOSFET 150V 15A PDFN5060-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG15N15B-F1-0100HF YJG15N15B-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG15N15B_DS.pdf Description: N-CH MOSFET 150V 15A PDFN5060-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG30N06A YJG30N06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG30N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2027 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG30N06A YJG30N06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG30N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2027 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG30N06A-F1-0100HF YJG30N06A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG30N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG30N06A-F1-0100HF YJG30N06A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG30N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03A YJG50N03A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG50N03A.pdf Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03A YJG50N03A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG50N03A.pdf Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03A-F1-0100HF YJG50N03A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG50N03A.pdf Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03A-F1-0100HF YJG50N03A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG50N03A.pdf Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG53G06A-F1-0100HF YJG53G06A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG53G06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 53A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG53G06A-F1-0100HF YJG53G06A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG53G06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 53A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG60G10A-F1-0100HF YJG60G10A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG60G10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG60G10A-F1-0100HF YJG60G10A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG60G10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG95G06A-F1-0100HF YJG95G06A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG95G06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 95A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG95G06A-F1-0100HF YJG95G06A-F1-0100HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJG95G06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 95A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJJ09N03A.pdf Description: N-CH MOSFET 30V 9A SOT-23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJJ09N03A.pdf Description: N-CH MOSFET 30V 9A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJJ09N03A.pdf Description: N-CH MOSFET 30V 9A SOT-23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJJ09N03A.pdf Description: N-CH MOSFET 30V 9A SOT-23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A YJL02N10A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL02N10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A YJL02N10A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL02N10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HF YJL02N10A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL02N10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HF YJL02N10A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL02N10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HF YJL03G10A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03G10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HF YJL03G10A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03G10A.pdf Description: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A YJL03N06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A YJL03N06A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.01 грн
18+17.11 грн
100+9.06 грн
500+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06A.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.95 грн
12+26.88 грн
100+15.23 грн
500+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06B.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06B.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06B.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL03N06B.pdf Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HF YJL05N04A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL05N04A%20Rev%203.0.pdf Description: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HF YJL05N04A-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL05N04A%20Rev%203.0.pdf Description: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W YJL2101W Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2101W.pdf Description: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W YJL2101W Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2101W.pdf Description: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HF YJL2101W-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2101W.pdf Description: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HF YJL2101W-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2101W.pdf Description: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W YJL2102W Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2102W.pdf Description: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W YJL2102W Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2102W.pdf Description: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HF YJL2102W-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2102W.pdf Description: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HF YJL2102W-F2-0000HF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2102W.pdf Description: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C YJL2301C Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJL2301C%20Rev%203.0.pdf Description: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.01 грн
18+17.11 грн
100+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YBSM6008 YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf
YBSM6008
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 800V 6A YBS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS3
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YBSM6010 YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf
YBSM6010
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A YBS3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS3
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YBSM6010 YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf
YBSM6010
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A YBS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: YBS3
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YBSM6010-F1-0000HF YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf
YBSM6010-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A YBS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YBSM6010-F1-0000HF YBSM60005%20THRU%20YBSM6010.pdf
YBSM6010-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: RECT BRIDGE 1000V 6A YBS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJB200G06B YJB200G06B.pdf
YJB200G06B
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 200A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJB200G06B YJB200G06B.pdf
YJB200G06B
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 200A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A YJD20N06A.pdf
YJD20N06A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A YJD20N06A.pdf
YJD20N06A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A-F1-0000HF YJD20N06A.pdf
YJD20N06A-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD20N06A-F1-0000HF YJD20N06A.pdf
YJD20N06A-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD45G10A-F1-0000HF YJD45G10A.pdf
YJD45G10A-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD45G10A-F1-0000HF YJD45G10A.pdf
YJD45G10A-F1-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD80G06A-F1-0000 YJD80G06A.pdf
YJD80G06A-F1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJD80G06A-F1-0000 YJD80G06A.pdf
YJD80G06A-F1-0000
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG15N15B-F1-0100HF YJG15N15B_DS.pdf
YJG15N15B-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 150V 15A PDFN5060-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG15N15B-F1-0100HF YJG15N15B_DS.pdf
YJG15N15B-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 150V 15A PDFN5060-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG30N06A YJG30N06A.pdf
YJG30N06A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2027 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG30N06A YJG30N06A.pdf
YJG30N06A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2027 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG30N06A-F1-0100HF YJG30N06A.pdf
YJG30N06A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG30N06A-F1-0100HF YJG30N06A.pdf
YJG30N06A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03A YJG50N03A.pdf
YJG50N03A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03A YJG50N03A.pdf
YJG50N03A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03A-F1-0100HF YJG50N03A.pdf
YJG50N03A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG50N03A-F1-0100HF YJG50N03A.pdf
YJG50N03A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG53G06A-F1-0100HF YJG53G06A.pdf
YJG53G06A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 53A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG53G06A-F1-0100HF YJG53G06A.pdf
YJG53G06A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 53A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG60G10A-F1-0100HF YJG60G10A.pdf
YJG60G10A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG60G10A-F1-0100HF YJG60G10A.pdf
YJG60G10A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG95G06A-F1-0100HF YJG95G06A.pdf
YJG95G06A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 95A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJG95G06A-F1-0100HF YJG95G06A.pdf
YJG95G06A-F1-0100HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 95A PDFN5060-8L-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A.pdf
YJJ09N03A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 30V 9A SOT-23-6L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A YJJ09N03A.pdf
YJJ09N03A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 30V 9A SOT-23-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A-F2-0000HF YJJ09N03A.pdf
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 30V 9A SOT-23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJJ09N03A-F2-0000HF YJJ09N03A.pdf
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 30V 9A SOT-23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A YJL02N10A.pdf
YJL02N10A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A YJL02N10A.pdf
YJL02N10A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HF YJL02N10A.pdf
YJL02N10A-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL02N10A-F2-0000HF YJL02N10A.pdf
YJL02N10A-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HF YJL03G10A.pdf
YJL03G10A-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03G10A-F2-0000HF YJL03G10A.pdf
YJL03G10A-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A YJL03N06A.pdf
YJL03N06A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A YJL03N06A.pdf
YJL03N06A
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.01 грн
18+17.11 грн
100+9.06 грн
500+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HF YJL03N06A.pdf
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06A-F2-0000HF YJL03N06A.pdf
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.95 грн
12+26.88 грн
100+15.23 грн
500+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B.pdf
YJL03N06B
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B YJL03N06B.pdf
YJL03N06B
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HF YJL03N06B.pdf
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL03N06B-F2-0000HF YJL03N06B.pdf
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HF YJL05N04A%20Rev%203.0.pdf
YJL05N04A-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL05N04A-F2-0000HF YJL05N04A%20Rev%203.0.pdf
YJL05N04A-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W YJL2101W.pdf
YJL2101W
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W YJL2101W.pdf
YJL2101W
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HF YJL2101W.pdf
YJL2101W-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2101W-F2-0000HF YJL2101W.pdf
YJL2101W-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W YJL2102W.pdf
YJL2102W
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W YJL2102W.pdf
YJL2102W
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HF YJL2102W.pdf
YJL2102W-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2102W-F2-0000HF YJL2102W.pdf
YJL2102W-F2-0000HF
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
YJL2301C YJL2301C%20Rev%203.0.pdf
YJL2301C
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.01 грн
18+17.11 грн
100+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28 29  Наступна Сторінка >> ]