Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (4507) > Сторінка 22 з 76
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AOD536 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD536 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
AOD536 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOD536 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD538 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
AOD538 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD558 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD558 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
AOD558 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
AOD5B60D | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD5B60D | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD5B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21.7W; TO252; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 5A Power dissipation: 21.7W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 9.4nC Kind of package: reel; tape Turn-off switching energy: 0.04mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.55V Turn-on time: 27ns Turn-off time: 124ns Turn-on switching energy: 0.14mJ |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD5B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21.7W; TO252; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 5A Power dissipation: 21.7W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Gate charge: 9.4nC Kind of package: reel; tape Turn-off switching energy: 0.04mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.55V Turn-on time: 27ns Turn-off time: 124ns Turn-on switching energy: 0.14mJ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD5B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD5B65M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 28W; TO252; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.08mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 5A Power dissipation: 28W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 15A Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Turn-off switching energy: 0.07mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.57V Turn-on time: 21ns Turn-off time: 157ns Turn-on switching energy: 0.08mJ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD5B65M1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 28W; TO252; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.08mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 5A Power dissipation: 28W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 15A Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Turn-off switching energy: 0.07mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.57V Turn-on time: 21ns Turn-off time: 157ns Turn-on switching energy: 0.08mJ кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD5B65MQ1E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 5A Power dissipation: 21W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 15A Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD5B65MQ1E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 5A Power dissipation: 21W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 15A Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD5B65N1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 5A Power dissipation: 21W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 15A Mounting: SMD Gate charge: 9.2nC Kind of package: reel; tape Turn-off switching energy: 0.049mJ Collector-emitter saturation voltage: 2.5V Turn-on time: 23ns Turn-off time: 114ns Turn-on switching energy: 0.081mJ |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD5B65N1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 5A Power dissipation: 21W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 15A Mounting: SMD Gate charge: 9.2nC Kind of package: reel; tape Turn-off switching energy: 0.049mJ Collector-emitter saturation voltage: 2.5V Turn-on time: 23ns Turn-off time: 114ns Turn-on switching energy: 0.081mJ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD5N40 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
AOD5N40 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD5N40 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
AOD5N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD5N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.1A Power dissipation: 104W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD5N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD5N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.1A Power dissipation: 104W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 304 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
AOD600A60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 96W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD600A60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 96W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 11.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD600A70 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
AOD600A70R | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
AOD600A70R | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 700V Drain current: 8.5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 34A Case: TO252 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD600A70R | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 700V Drain current: 8.5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 34A Case: TO252 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
AOD603A | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
AOD603A | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD603A | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
AOD603A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 9.5/-9.5A Power dissipation: 13.5/21.5W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60/115mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.8/7.4nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD603A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 9.5/-9.5A Power dissipation: 13.5/21.5W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60/115mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.8/7.4nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD607 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD607 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
AOD607A | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD607A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
AOD608 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD609 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD609 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 12/-12A Power dissipation: 14/15W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30/45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3/16.2nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain |
на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD609 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
AOD609 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD609 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 12/-12A Power dissipation: 14/15W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30/45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3/16.2nC Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1738 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
AOD609G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 12/-12A Power dissipation: 14/15W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30/45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10/15.5nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
AOD609G | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
AOD609G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 12/-12A Power dissipation: 14/15W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30/45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10/15.5nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD661 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
AOD66406 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AOD66406 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
AOD66406 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 467 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AOD66616 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 42.5nC Technology: AlphaSGT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 280A Mounting: SMD Case: TO252 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD66616 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 42.5nC Technology: AlphaSGT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 280A Mounting: SMD Case: TO252 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD66620 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOD66620 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD66620 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD66620 | Alpha & Omega Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
AOD66919 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 62W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 220A Kind of package: reel; tape Technology: AlphaSGT™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
AOD536 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AOD536 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 46A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD536 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD536 SMD N channel transistors
AOD536 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD538 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD538 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD558 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
30V N-Channel MOSFET
30V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD558 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
30V N-Channel MOSFET
30V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD558 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD558 SMD N channel transistors
AOD558 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5B60D |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 54.4W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 54.4W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5B60D |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 54400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 54400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5B60D |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21.7W; TO252; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21.7W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.04mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.55V
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 124ns
Turn-on switching energy: 0.14mJ
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21.7W; TO252; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21.7W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.04mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.55V
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 124ns
Turn-on switching energy: 0.14mJ
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 42.76 грн |
22+ | 42.53 грн |
25+ | 41.31 грн |
59+ | 40.16 грн |
100+ | 39.77 грн |
500+ | 38.62 грн |
AOD5B60D |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21.7W; TO252; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21.7W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.04mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.55V
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 124ns
Turn-on switching energy: 0.14mJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 5A; 21.7W; TO252; Eoff: 0.04mJ; Eon: 0.14mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21.7W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.04mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.55V
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 124ns
Turn-on switching energy: 0.14mJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 53.29 грн |
22+ | 51.04 грн |
25+ | 49.57 грн |
59+ | 48.19 грн |
100+ | 47.73 грн |
500+ | 46.35 грн |
AOD5B65M1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 69000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 650V 10A 69000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5B65M1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 28W; TO252; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.08mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 157ns
Turn-on switching energy: 0.08mJ
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 28W; TO252; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.08mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 157ns
Turn-on switching energy: 0.08mJ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5B65M1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 28W; TO252; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.08mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 157ns
Turn-on switching energy: 0.08mJ
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 28W; TO252; Eoff: 0.07mJ; Eon: 0.08mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.07mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 157ns
Turn-on switching energy: 0.08mJ
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5B65MQ1E |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 54.47 грн |
13+ | 29.73 грн |
25+ | 22.53 грн |
54+ | 16.94 грн |
148+ | 16.02 грн |
AOD5B65MQ1E |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.36 грн |
8+ | 37.05 грн |
25+ | 27.04 грн |
54+ | 20.32 грн |
148+ | 19.22 грн |
2500+ | 18.67 грн |
AOD5B65N1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.049mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 114ns
Turn-on switching energy: 0.081mJ
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.049mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 114ns
Turn-on switching energy: 0.081mJ
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 69.32 грн |
9+ | 43.22 грн |
25+ | 38.47 грн |
28+ | 33.11 грн |
76+ | 31.27 грн |
AOD5B65N1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.049mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 114ns
Turn-on switching energy: 0.081mJ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 5A; 21W; TO252; Eoff: 0.049mJ; Eon: 0.081mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 5A
Power dissipation: 21W
Case: TO252
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 15A
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off switching energy: 0.049mJ
Collector-emitter saturation voltage: 2.5V
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 114ns
Turn-on switching energy: 0.081mJ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.19 грн |
6+ | 53.86 грн |
25+ | 46.16 грн |
28+ | 39.73 грн |
76+ | 37.52 грн |
AOD5N40 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5N40 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 400V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5N40 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD5N40 SMD N channel transistors
AOD5N40 SMD N channel transistors
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.32 грн |
51+ | 21.43 грн |
138+ | 20.32 грн |
AOD5N50 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5N50 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 99.03 грн |
11+ | 38.01 грн |
25+ | 30.65 грн |
34+ | 26.52 грн |
94+ | 25.06 грн |
AOD5N50 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD5N50 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.84 грн |
7+ | 47.37 грн |
25+ | 36.78 грн |
34+ | 31.82 грн |
94+ | 30.07 грн |
AOD600A60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD600A60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 96W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 96W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD600A70 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Power Transistor
N Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD600A70R |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD600A70R |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Case: TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD600A70R |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Case: TO252
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; Idm: 34A; 104W; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Case: TO252
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD603A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD603A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD603A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD603A |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 9.5/-9.5A
Power dissipation: 13.5/21.5W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60/115mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8/7.4nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 9.5/-9.5A
Power dissipation: 13.5/21.5W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60/115mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8/7.4nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 66.85 грн |
10+ | 41.69 грн |
25+ | 36.71 грн |
29+ | 31.88 грн |
78+ | 30.12 грн |
AOD603A |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 9.5/-9.5A
Power dissipation: 13.5/21.5W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60/115mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8/7.4nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 9.5/-9.5A
Power dissipation: 13.5/21.5W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60/115mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8/7.4nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.22 грн |
6+ | 51.95 грн |
25+ | 44.05 грн |
29+ | 38.26 грн |
78+ | 36.14 грн |
AOD607 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK
Trans MOSFET N/P-CH 30V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD607 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK
Trans MOSFET N/P-CH 30V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD607A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
30V Complementary MOSFET
30V Complementary MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD607A |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD607A Multi channel transistors
AOD607A Multi channel transistors
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.32 грн |
55+ | 19.68 грн |
151+ | 18.67 грн |
AOD608 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A 5-Pin(4+Tab) DPAK
Trans MOSFET N/P-CH 40V 10A 5-Pin(4+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD609 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD609 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 54.47 грн |
16+ | 25.44 грн |
25+ | 20.38 грн |
50+ | 18.32 грн |
136+ | 17.32 грн |
AOD609 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD609 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 25.64 грн |
25+ | 25.24 грн |
100+ | 23.95 грн |
250+ | 21.82 грн |
500+ | 20.61 грн |
1000+ | 20.26 грн |
AOD609 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.36 грн |
10+ | 31.71 грн |
25+ | 24.46 грн |
50+ | 21.98 грн |
136+ | 20.78 грн |
AOD609G |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD609G |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD609G |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD661 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
30V Dual Complementary MOSFET
30V Dual Complementary MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD66406 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 11.41 грн |
AOD66406 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD66406 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD66406 SMD N channel transistors
AOD66406 SMD N channel transistors
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.63 грн |
65+ | 16.83 грн |
177+ | 15.91 грн |
AOD66616 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42.5nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 280A
Mounting: SMD
Case: TO252
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42.5nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 280A
Mounting: SMD
Case: TO252
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD66616 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42.5nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 280A
Mounting: SMD
Case: TO252
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 70A; Idm: 280A; 45W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42.5nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 280A
Mounting: SMD
Case: TO252
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD66620 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
AOD66620 SMD N channel transistors
AOD66620 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD66620 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Trench Power MOSFET
N Channel Trench Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD66620 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Trench Power MOSFET
N Channel Trench Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AOD66919 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 62W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Power dissipation: 62W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 220A
Kind of package: reel; tape
Technology: AlphaSGT™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.