Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR (1925) > Сторінка 12 з 33
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOI7N65 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOI8N25 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 5A Case: TO251A Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 6nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOI950A70 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.2A Power dissipation: 56.5W Case: TO251A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOK015V65X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 312W Gate charge: 152nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 67A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube On-state resistance: 23mΩ Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK065A60 | Alpha & Omega Semiconductor |
High Voltage MOSFETs (500V - 1000V) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK065V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 40A; 187.5W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Power dissipation: 187.5W Gate charge: 155nC Polarisation: unipolar Drain current: 40A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 15V Kind of package: tube On-state resistance: 65mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK065V120X2Q | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 187.5W Gate charge: 62.3nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 29.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube On-state resistance: 90mΩ Pulsed drain current: 85A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK125A60 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 357W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 39nC On-state resistance: 0.125Ω Gate-source voltage: ±20V Drain current: 28A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 357W Drain-source voltage: 600V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK15B60D | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 83.3W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 25.4nC Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK160A60 | Alpha & Omega Semiconductor |
N Channel Power Transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOK20B135D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.35kV; 20A; 170W; TO247; 1.05mJ Turn-off switching energy: 1.05mJ Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.35kV Power dissipation: 170W Gate charge: 66nC Pulsed collector current: 80A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247 Turn-off time: 480ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter saturation voltage: 1.57V Collector current: 20A |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AOK20S60L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK29S50L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK30B120D2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ Collector current: 30A Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Turn-off time: 340ns Turn-off switching energy: 1.28mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.77V Power dissipation: 170W Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 67nC |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOK30B135C1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 144W; TO247 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.35kV Power dissipation: 144W Gate charge: 65nC Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 30A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOK30B135W1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK30B135W1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 170W; TO247; 1.47mJ Turn-off switching energy: 1.47mJ Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.35kV Power dissipation: 170W Gate charge: 62nC Pulsed collector current: 120A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247 Turn-off time: 362ns Gate-emitter voltage: ±30V Collector-emitter saturation voltage: 1.8V Collector current: 30A |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AOK30B135W1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK30B60D | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK30B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK40B120H1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ Mounting: THT Turn-on time: 133ns Turn-off time: 375ns Turn-off switching energy: 1.24mJ Turn-on switching energy: 2.45mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.8V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 128nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOK40B120N1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK40B120N1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 0.1µC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK40B120P1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 300W Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Gate charge: 202nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK40B120P1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOK40B60D | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK40B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ Mounting: THT Turn-on time: 53ns Turn-off time: 102ns Turn-off switching energy: 0.3mJ Turn-on switching energy: 1.55mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Power dissipation: 111W Pulsed collector current: 140A Collector-emitter voltage: 600V Type of transistor: IGBT Gate charge: 45nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOK40B65GQ1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 113W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 86nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOK40B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK40B65H1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ Mounting: THT Turn-on time: 82ns Turn-off time: 173ns Turn-off switching energy: 0.46mJ Turn-on switching energy: 1.27mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.9V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 63nC |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AOK40B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 105W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Turn-on time: 64ns Turn-off time: 152ns Collector-emitter saturation voltage: 2.05V Turn-off switching energy: 0.54mJ Turn-on switching energy: 1.17mJ |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AOK40B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOK40B65H2AL_002 | Alpha & Omega Semiconductor | AOK40B65H2AL_002 |
на замовлення 32640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| AOK40B65HQ2 | Alpha & Omega Semiconductor |
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK40B65HQ3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 156W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 74nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOK40B65M3 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ Mounting: THT Turn-on time: 80ns Turn-off time: 175ns Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 1.3mJ Kind of package: tube Case: TO247 Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 40A Power dissipation: 150W Pulsed collector current: 120A Collector-emitter voltage: 650V Type of transistor: IGBT Gate charge: 59nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK40N30L | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247 Mounting: THT Gate charge: 60nC On-state resistance: 85mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Drain current: 25A Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247 Drain-source voltage: 300V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK42S60L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK50B60D1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ Case: TO247 Gate charge: 64nC Turn-on time: 98ns Turn-off time: 104ns Turn-off switching energy: 0.5mJ Turn-on switching energy: 2.37mJ Collector-emitter saturation voltage: 1.85V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Power dissipation: 125W Pulsed collector current: 168A Collector-emitter voltage: 600V Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Mounting: THT |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOK50B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOK50B65H1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK53S60 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
AOK60B60D1 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOK60B65H2AL | Alpha & Omega Semiconductor |
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOK60B65H2AL | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Collector-emitter saturation voltage: 1.95V Turn-off switching energy: 1.17mJ Turn-on switching energy: 2.36mJ Turn-on time: 113ns Turn-off time: 270ns |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOK60N30L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOK9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 368W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOL1240 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOL1404G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 46A Power dissipation: 20W Case: UltraSO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AOL1404G | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOL1454 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOL1454G | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: UltraSO8 Mounting: SMD Gate charge: 20nC On-state resistance: 5.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 20.5W Drain-source voltage: 40V Drain current: 46A Polarisation: unipolar |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AOM015V65X2 | Alpha & Omega Semiconductor |
SiC Silicon Carbide Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOM015V65X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W Mounting: THT Case: TO247-4 Power dissipation: 312W Gate charge: 152nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 67A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube On-state resistance: 23mΩ Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOM015V75X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOM020V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W Mounting: THT Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 348W Gate charge: 166nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 63A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 32mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
AOM020V120X2Q | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOM033V120X2 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W Mounting: THT Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 300W Gate charge: 104nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 45mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
| AOI7N65 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOI8N25 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOI950A70 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 56.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.2A; 56.5W; TO251A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 56.5W
Case: TO251A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK015V65X2 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 312W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Pulsed drain current: 200A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 312W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK065A60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
High Voltage MOSFETs (500V - 1000V)
High Voltage MOSFETs (500V - 1000V)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK065V120X2 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 40A; 187.5W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Power dissipation: 187.5W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 65mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 40A; 187.5W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Power dissipation: 187.5W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 65mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK065V120X2Q |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 187.5W
Gate charge: 62.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 29.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 90mΩ
Pulsed drain current: 85A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29.6A; Idm: 85A; 187.5W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 187.5W
Gate charge: 62.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 29.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 90mΩ
Pulsed drain current: 85A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK125A60 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.125Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 357W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; Idm: 100A; 357W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 0.125Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 357W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK15B60D |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK160A60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
N Channel Power Transistor
N Channel Power Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK20B135D1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 20A; 170W; TO247; 1.05mJ
Turn-off switching energy: 1.05mJ
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 170W
Gate charge: 66nC
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 480ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
Collector current: 20A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 20A; 170W; TO247; 1.05mJ
Turn-off switching energy: 1.05mJ
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 170W
Gate charge: 66nC
Pulsed collector current: 80A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 480ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter saturation voltage: 1.57V
Collector current: 20A
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 324.12 грн |
| 3+ | 271.12 грн |
| 10+ | 239.62 грн |
| 90+ | 214.74 грн |
| AOK20S60L |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK29S50L |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK30B120D2 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ
Collector current: 30A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 340ns
Turn-off switching energy: 1.28mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.77V
Power dissipation: 170W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 170W; TO247; 1.28mJ
Collector current: 30A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 340ns
Turn-off switching energy: 1.28mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.77V
Power dissipation: 170W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 337.52 грн |
| 3+ | 281.90 грн |
| 10+ | 249.56 грн |
| AOK30B135C1 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 144W; TO247
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 144W
Gate charge: 65nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 144W; TO247
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 144W
Gate charge: 65nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 30A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK30B135W1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK30B135W1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 170W; TO247; 1.47mJ
Turn-off switching energy: 1.47mJ
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 170W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Collector current: 30A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 170W; TO247; 1.47mJ
Turn-off switching energy: 1.47mJ
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Power dissipation: 170W
Gate charge: 62nC
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Collector current: 30A
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 279.48 грн |
| 3+ | 228.84 грн |
| 10+ | 205.62 грн |
| 90+ | 193.18 грн |
| AOK30B135W1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 340W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AOK30B60D |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 278W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK30B60D1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120H1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 133ns
Turn-off time: 375ns
Turn-off switching energy: 1.24mJ
Turn-on switching energy: 2.45mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 128nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247; Eoff: 1.24mJ; Eon: 2.45mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 133ns
Turn-off time: 375ns
Turn-off switching energy: 1.24mJ
Turn-on switching energy: 2.45mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.8V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120N1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode
Alpha IGBT With Soft and Fast Recovery Anti Parallel Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120N1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.1µC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 0.1µC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120P1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 202nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 300W
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 202nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B120P1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B60D |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 312.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B60D1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 45nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 111W; TO247; Eoff: 0.3mJ; Eon: 1.55mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 53ns
Turn-off time: 102ns
Turn-off switching energy: 0.3mJ
Turn-on switching energy: 1.55mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Power dissipation: 111W
Pulsed collector current: 140A
Collector-emitter voltage: 600V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65GQ1 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 86nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 113W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 113W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 63nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.46mJ; Eon: 1.27mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 82ns
Turn-off time: 173ns
Turn-off switching energy: 0.46mJ
Turn-on switching energy: 1.27mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.9V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 63nC
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.44 грн |
| 3+ | 223.03 грн |
| 10+ | 200.65 грн |
| 90+ | 187.38 грн |
| AOK40B65H2AL |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 152ns
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 105W; TO247; Eoff: 0.54mJ; Eon: 1.17mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 105W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 152ns
Collector-emitter saturation voltage: 2.05V
Turn-off switching energy: 0.54mJ
Turn-on switching energy: 1.17mJ
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 159.83 грн |
| 5+ | 125.20 грн |
| 10+ | 111.10 грн |
| 30+ | 103.64 грн |
| 60+ | 101.15 грн |
| 90+ | 99.49 грн |
| 150+ | 97.84 грн |
| AOK40B65H2AL |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65H2AL_002 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
AOK40B65H2AL_002
AOK40B65H2AL_002
на замовлення 32640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 175.62 грн |
| 8160+ | 161.25 грн |
| 16320+ | 150.83 грн |
| 24480+ | 137.90 грн |
| AOK40B65HQ2 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
Alpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65HQ3 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 74nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 156W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 156W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 74nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40B65M3 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 59nC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 150W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 1.3mJ
Mounting: THT
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 175ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 1.3mJ
Kind of package: tube
Case: TO247
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Power dissipation: 150W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 59nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK40N30L |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 25A; TO247
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 85mΩ
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK42S60L |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK50B60D1 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Case: TO247
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 98ns
Turn-off time: 104ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 125W
Pulsed collector current: 168A
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 125W; TO247; Eoff: 0.5mJ; Eon: 2.37mJ
Case: TO247
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 98ns
Turn-off time: 104ns
Turn-off switching energy: 0.5mJ
Turn-on switching energy: 2.37mJ
Collector-emitter saturation voltage: 1.85V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 125W
Pulsed collector current: 168A
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 324.12 грн |
| 3+ | 265.32 грн |
| 10+ | 238.79 грн |
| AOK50B60D1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK50B65H1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK53S60 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK60B60D1 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 417mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK60B65H2AL |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
650V, 60A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK60B65H2AL |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1.17mJ; Eon: 2.36mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Collector-emitter saturation voltage: 1.95V
Turn-off switching energy: 1.17mJ
Turn-on switching energy: 2.36mJ
Turn-on time: 113ns
Turn-off time: 270ns
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 169.14 грн |
| 10+ | 149.24 грн |
| 90+ | 135.15 грн |
| AOK60N30L |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOK9N90 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9A; Idm: 34A; 368W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 368W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1240 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 69A 3-Pin Ultra SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1404G |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.70 грн |
| AOL1404G |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 46A; 20W; UltraSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: UltraSO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1404G |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.70 грн |
| AOL1404G |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 46A 3-Pin Ultra SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1454 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 3-Pin Ultra SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOL1454G |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 46A; 20.5W; UltraSO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: UltraSO8
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 5.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 20.5W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 46A
Polarisation: unipolar
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 55.36 грн |
| 20+ | 21.31 грн |
| 22+ | 18.90 грн |
| 100+ | 16.91 грн |
| AOM015V65X2 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
SiC Silicon Carbide Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM015V65X2 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Power dissipation: 312W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Pulsed drain current: 200A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 200A; 312W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Power dissipation: 312W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
On-state resistance: 23mΩ
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM015V75X2Q |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
Silicon Carbide (SiC) MOSFETs Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM020V120X2 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 166nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 32mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 348W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 348W
Gate charge: 166nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 32mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AOM020V120X2Q |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AOM033V120X2 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 120A; 300W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 104nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 45mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.













