Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (11045) > Сторінка 176 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7 DMN63D8LW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002428261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7 DMN63D8LW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002428261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ14A-13-F SMCJ14A-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0000285740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SMCJ14A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 14 V, 23.2 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 15.6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 17.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23.2V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ14A-13-F SMCJ14A-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0000285740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - SMCJ14A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 14 V, 23.2 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 15.6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 17.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23.2V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DGD21904MS14-13 DGD21904MS14-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DGD21904MS14-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DGD21904MS14-13 DGD21904MS14-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009691462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DGD21904MS14-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ASA-7 TL431ASA-7 DIODES INC. 2100169.pdf Description: DIODES INC. - TL431ASA-7 - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431, 2.495V bis 36V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TL431
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5246B MMSZ5246B DIODES INC. DIODS12638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMSZ5246B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 16 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 DIODES INC. DMN6040SSS.pdf Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13 DMN6040SSS-13 DIODES INC. DMN6040SSS.pdf Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2176SG-13 AP2176SG-13 DIODES INC. DIODS18015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - AP2176SG-13 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 1.5A, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.1ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00SE-7 74AHC1G00SE-7 DIODES INC. 1321163.pdf Description: DIODES INC. - 74AHC1G00SE-7 - NAND-Gatter, 74AHC1G00, 2 Eingänge, 8mA, 2V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AHC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74AHC1G00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13 DMN2041LSD-13 DIODES INC. DIODS21309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13 DMN2041LSD-13 DIODES INC. DIODS21309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.63A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013315995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013315995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15-7-F BZT52C15-7-F DIODES INC. 2704937.pdf Description: DIODES INC. - BZT52C15-7-F - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2191FMG-7 AP2191FMG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000449846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - AP2191FMG-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 2.1A, 0.09 Ohm, UDFN2018-EP-6
tariffCode: 85411000
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.1A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AP2191FMG-7 AP2191FMG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0000449846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - AP2191FMG-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 2.1A, 0.09 Ohm, UDFN2018-EP-6
tariffCode: 85411000
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.1A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340LA-13-F B340LA-13-F DIODES INC. DIOD-S-A0002227821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - B340LA-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B340L Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1D-13-F S1D-13-F DIODES INC. ds16003.pdf Description: DIODES INC. - S1D-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1D-1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248B MMSZ5248B DIODES INC. mmsz5221b.pdf 5399_MMSZ5248B%20SOD-123.PDF MMSZ52xxB.pdf MMSZ5248BS00J3.pdf Description: DIODES INC. - MMSZ5248B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248B MMSZ5248B DIODES INC. DIODS18356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMSZ5248B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 DIODES INC. DMN12M7UCA10.pdf Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10-7 DIODES INC. DMN12M7UCA10.pdf Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DMN2009USS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DMN2009USS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7 DMN2028UFDF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009691475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE-7 DIODES INC. DMN2015UFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3099L-7 DMP3099L-7 DIODES INC. DMP3099L.pdf Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 DMN3150L-7 DIODES INC. ds31126.pdf Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LSS-13 DMT67M8LSS-13 DIODES INC. 3168550.pdf Description: DIODES INC. - DMT67M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 5100 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 DIODES INC. ds31788.pdf Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 DIODES INC. ds31788.pdf Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2G-13-F ES2G-13-F DIODES INC. ds30212.pdf Description: DIODES INC. - ES2G-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 2 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT05U20LPS-7B SBRT05U20LPS-7B DIODES INC. SBRT05U20LPS.pdf Description: DIODES INC. - SBRT05U20LPS-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 390 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 390mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT05U20LPS-7B SBRT05U20LPS-7B DIODES INC. SBRT05U20LPS.pdf Description: DIODES INC. - SBRT05U20LPS-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 390 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 390mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PI4MSD5V9540BUEX PI4MSD5V9540BUEX DIODES INC. DIOD-S-A0003132559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - PI4MSD5V9540BUEX - Multiplexer, 2 Kanäle, 1:2, 1.65V bis 5.5V, MSOP-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: MSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logiktyp: Multiplexer
Leitungskonfiguration: 1:2
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 DIODES INC. DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-7 DMT8012LFG-7 DIODES INC. DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D3Z11BF-7 D3Z11BF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001417009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D3Z11BF-7 - Zener-Diode, 11 V, 400 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe D3Z
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D3Z11BF-7 D3Z11BF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0001417009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D3Z11BF-7 - Zener-Diode, 11 V, 400 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe D3Z
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7 DMT3006LDK-7 DIODES INC. DMT3006LDK.pdf Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7 DMT3006LDK-7 DIODES INC. DMT3006LDK.pdf Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B39-7-F BZX84B39-7-F DIODES INC. BZX84Bxx(x).pdf Description: DIODES INC. - BZX84B39-7-F - Zener-Diode, 39 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZX84B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 39V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LFV-7 DMT69M8LFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005038932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7 DMP2010UFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7 DMP2010UFV-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA DIODES INC. ZXTN5551G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19100CGTA ZXTN19100CGTA DIODES INC. DIOD-S-A0013030151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTA ZXTN4006ZTA DIODES INC. DIODS14634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN4006ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ-13 DIODES INC. DMTH43M8LFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DIOD-S-A0001248750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7 DIOD-S-A0002428261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DIOD-S-A0001248750-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8LW-7 DIOD-S-A0002428261-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ14A-13-F DIOD-S-A0000285740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMCJ14A-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ14A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 14 V, 23.2 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 15.6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 17.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23.2V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ14A-13-F DIOD-S-A0000285740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMCJ14A-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ14A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 14 V, 23.2 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 15.6V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 17.2V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 14V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 23.2V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DGD21904MS14-13 DIOD-S-A0009691462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DGD21904MS14-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD21904MS14-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DGD21904MS14-13 DIOD-S-A0009691462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DGD21904MS14-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD21904MS14-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 14 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ASA-7 2100169.pdf
TL431ASA-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - TL431ASA-7 - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Shunt, einstellbar, Baureihe TL431, 2.495V bis 36V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TL431
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Referenzspannung: 2.495V bis 36V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5246B DIODS12638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ5246B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5246B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 16 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13 DMN6040SSS.pdf
DMN6040SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6040SSS-13 DMN6040SSS.pdf
DMN6040SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2176SG-13 DIODS18015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AP2176SG-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP2176SG-13 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 1.5A, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.1ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1.5A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G00SE-7 1321163.pdf
74AHC1G00SE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AHC1G00SE-7 - NAND-Gatter, 74AHC1G00, 2 Eingänge, 8mA, 2V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74AHC
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 74AHC1G00
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13 DIODS21309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2041LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2041LSD-13 DIODS21309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2041LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2041LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.63 A, 7.63 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.63A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.63A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DIOD-S-A0013315995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN65D8LW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DIOD-S-A0013315995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN65D8LW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15-7-F 2704937.pdf
BZT52C15-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C15-7-F - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2191FMG-7 DIOD-S-A0000449846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AP2191FMG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP2191FMG-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 2.1A, 0.09 Ohm, UDFN2018-EP-6
tariffCode: 85411000
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.1A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AP2191FMG-7 DIOD-S-A0000449846-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AP2191FMG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP2191FMG-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 2.1A, 0.09 Ohm, UDFN2018-EP-6
tariffCode: 85411000
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 2.1A
IC-Gehäuse / Bauform: UDFN2018-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B340LA-13-F DIOD-S-A0002227821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
B340LA-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B340LA-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B340L Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1D-13-F ds16003.pdf
S1D-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S1D-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1D-1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248B mmsz5221b.pdf 5399_MMSZ5248B%20SOD-123.PDF MMSZ52xxB.pdf MMSZ5248BS00J3.pdf
MMSZ5248B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5248B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5248B DIODS18356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMSZ5248B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5248B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 18 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
DMN12M7UCA10-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
DMN12M7UCA10-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN12M7UCA10-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 20.2 A, 20.2 A
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.73W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X4-DSN3015
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.73W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS3540M-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS3540M-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2009USS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DIOD-S-A0007740067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2009USS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2009USS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 12.1 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7 DIOD-S-A0009691475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2028UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2028UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE.pdf
DMN2015UFDE-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2015UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 10.5 A, 9300 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3099L-7 DMP3099L.pdf
DMP3099L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 ds31126.pdf
DMN3150L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3150L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 920mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2028UFU-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DIOD-S-A0001248765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2028UFU-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2028UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.0153 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0153ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0153ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LSS-13 3168550.pdf
DMT67M8LSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT67M8LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 5100 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
DMG8601UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
DMG8601UFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES2G-13-F ds30212.pdf
ES2G-13-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ES2G-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 2 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2x
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT05U20LPS-7B SBRT05U20LPS.pdf
SBRT05U20LPS-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT05U20LPS-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 390 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 390mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT05U20LPS-7B SBRT05U20LPS.pdf
SBRT05U20LPS-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBRT05U20LPS-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 20 V, 500 mA, 390 mV, 10 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X2-DFN1006
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 390mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PI4MSD5V9540BUEX DIOD-S-A0003132559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PI4MSD5V9540BUEX
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI4MSD5V9540BUEX - Multiplexer, 2 Kanäle, 1:2, 1.65V bis 5.5V, MSOP-8
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: MSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logiktyp: Multiplexer
Leitungskonfiguration: 1:2
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-7 DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT8012LFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-7 DIODS21582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT8012LFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT8012LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
D3Z11BF-7 DIOD-S-A0001417009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D3Z11BF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3Z11BF-7 - Zener-Diode, 11 V, 400 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe D3Z
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D3Z11BF-7 DIOD-S-A0001417009-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D3Z11BF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3Z11BF-7 - Zener-Diode, 11 V, 400 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe D3Z
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7 DMT3006LDK.pdf
DMT3006LDK-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDK-7 DMT3006LDK.pdf
DMT3006LDK-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LDK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46.2 A, 5500 µohm, VDFN3030, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: VDFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B39-7-F BZX84Bxx(x).pdf
BZX84B39-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZX84B39-7-F - Zener-Diode, 39 V, 300 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZX84B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 39V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M8LFV-7 DIOD-S-A0005038932-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT69M8LFV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT69M8LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2010UFV-7 DIOD-S-A0003383569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2010UFV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2010UFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 7500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551G.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19100CGTA DIOD-S-A0013030151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN19100CGTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN4006ZTA DIODS14634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN4006ZTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN4006ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13 DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LFGQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ.pdf
DMTH43M8LFGQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 185  [ Наступна Сторінка >> ]