Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (11045) > Сторінка 172 з 185
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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D3V3S1U2LP1610-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D3V3S1U2LP1610-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 11.5 V, UDFN1610, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: UDFN1610 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 3.8V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: - usEccn: EAR99 Sperrspannung: 3.3V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: - TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 11.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D3V3S1U2LP1610-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D3V3S1U2LP1610-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 11.5 V, UDFN1610, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: UDFN1610 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 3.8V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: - usEccn: EAR99 Sperrspannung: 3.3V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: - TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 11.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D3V3S1B2LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D3V3S1B2LP-7B - TVS-Diode, Bidirektional, 3.3 V, 9.5 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 3.8V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 6.5V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 3.3V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 410W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 9.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3028LFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3028LFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3028LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.02 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3028LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.02 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3028LFDE-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3028LFDE-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3085LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3085LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C16 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C16 - Zener-Diode, 16 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 16V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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74AHC1G125W5-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 74AHC1G125W5-7 - Puffer, 74AHC1G125, 2V bis 5.5V, SOT-25-5tariffCode: 85423990 Logik-IC-Sockelnummer: 741G125 rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: 74AHC Anzahl der Elemente: 1 Elemente Bauform - Logikbaustein: SOT-25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHC1G125 euEccn: NLR Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend Anzahl der Pins: 5Pin(s) Anzahl der Eingänge / Bits: 2 Eingänge Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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B160-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - B160-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 700 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 700mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: B160 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 105359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH6009LK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH6009LK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SBR545D1-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBR545D1-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 490 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 90A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 490mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SBR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP6050SPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMDT2227-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mWtariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Dauerkollektorstrom: 600mA Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, PNP: 200mW DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOT-363 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW rohsCompliant: YES Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Verlustleistung, NPN: 200mW Qualifikation: - Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V Transistormontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSTA55-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSTA55-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZVP4525ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 205mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZVP4525ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 205mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS70-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAS70-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 100mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS70-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAS70-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 100mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS70 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMC2710UDWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SMB5929B-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1SMB5929B-13 - Zener-Diode, 15 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe 1SMB59xxB productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5252B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSZ5252B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 24 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 24V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ5238B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 8.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ5238B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 8.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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US1K-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - US1K-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: US1K productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FMMT591A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FMMT591A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG4413LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG4413LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D3V3P4U10LP26-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 10Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: UDFN2626 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Betriebsspannung: 3.3V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 500mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D3V3P4U10LP26-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: UDFN2626 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FZT705 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT705 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 120 V, 2 W, 2 A, SOT-223, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 3000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Bauform - HF-Transistor: SOT-223 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4011SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4011SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4011SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH3010LK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH3010LK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4011SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH6050SSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4025SFVWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH6023SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH6023SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4015SSSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4013SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4015SSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4013SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH6050SSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4013SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMPH4013SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP61300Z6-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP61300Z6-7 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.4-5.5Vin, 0.6-5.5Vout, 3Aout, SOT563-6tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar Ausgangsspannung, min.: 600mV IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 3A Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-563 usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 2.4V Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: - productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 3A Wirkungsgrad: 84% Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| D3V3S1U2LP1610-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3S1U2LP1610-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 11.5 V, UDFN1610, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: UDFN1610
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 3.8V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 11.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D3V3S1U2LP1610-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 11.5 V, UDFN1610, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: UDFN1610
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 3.8V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 11.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.84 грн |
| 1000+ | 4.13 грн |
| 5000+ | 4.06 грн |
| D3V3S1U2LP1610-7 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3S1U2LP1610-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 11.5 V, UDFN1610, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: UDFN1610
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 3.8V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 11.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D3V3S1U2LP1610-7 - TVS-Diode, Unidirektional, 3.3 V, 11.5 V, UDFN1610, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: UDFN1610
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 3.8V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 11.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 18.66 грн |
| 65+ | 12.71 грн |
| 148+ | 5.52 грн |
| 500+ | 4.84 грн |
| 1000+ | 4.13 грн |
| 5000+ | 4.06 грн |
| D3V3S1B2LP-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3S1B2LP-7B - TVS-Diode, Bidirektional, 3.3 V, 9.5 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 3.8V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 6.5V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 410W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - D3V3S1B2LP-7B - TVS-Diode, Bidirektional, 3.3 V, 9.5 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 3.8V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 6.5V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 3.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 410W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.18 грн |
| 134+ | 6.12 грн |
| 500+ | 5.17 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| DMP3028LFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.59 грн |
| 500+ | 15.28 грн |
| 1000+ | 11.59 грн |
| DMP3028LFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 37.31 грн |
| 28+ | 29.90 грн |
| 100+ | 21.59 грн |
| 500+ | 15.28 грн |
| 1000+ | 11.59 грн |
| DMP3028LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 45.87 грн |
| 22+ | 38.37 грн |
| 100+ | 26.39 грн |
| 500+ | 19.37 грн |
| 1000+ | 16.34 грн |
| DMP3028LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP3028LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.39 грн |
| 500+ | 19.37 грн |
| 1000+ | 16.34 грн |
| DMP3028LFDE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.59 грн |
| 500+ | 15.28 грн |
| 1000+ | 11.10 грн |
| DMP3028LFDE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMP3028LFDE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.02 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 47.41 грн |
| 26+ | 32.18 грн |
| 100+ | 21.59 грн |
| 500+ | 15.28 грн |
| 1000+ | 11.10 грн |
| DMP3085LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 33.40 грн |
| 40+ | 20.53 грн |
| 100+ | 9.61 грн |
| 500+ | 8.17 грн |
| 1000+ | 6.80 грн |
| DMP3085LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.61 грн |
| 500+ | 8.17 грн |
| 1000+ | 6.80 грн |
| BZT52C16 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C16 - Zener-Diode, 16 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BZT52C16 - Zener-Diode, 16 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.83 грн |
| 110+ | 7.43 грн |
| 137+ | 5.96 грн |
| 500+ | 4.39 грн |
| 74AHC1G125W5-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 74AHC1G125W5-7 - Puffer, 74AHC1G125, 2V bis 5.5V, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 741G125
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHC
Anzahl der Elemente: 1 Elemente
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHC1G125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Anzahl der Eingänge / Bits: 2 Eingänge
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - 74AHC1G125W5-7 - Puffer, 74AHC1G125, 2V bis 5.5V, SOT-25-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: 741G125
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 74AHC
Anzahl der Elemente: 1 Elemente
Bauform - Logikbaustein: SOT-25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: 74AHC1G125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Anzahl der Eingänge / Bits: 2 Eingänge
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.09 грн |
| 1000+ | 2.72 грн |
| B160-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B160-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B160
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - B160-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B160
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 105359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.22 грн |
| 101+ | 8.12 грн |
| 250+ | 7.89 грн |
| 1000+ | 4.46 грн |
| 3000+ | 4.03 грн |
| DMTH6009LK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 95.31 грн |
| 11+ | 76.17 грн |
| 100+ | 53.52 грн |
| 500+ | 47.73 грн |
| 1000+ | 42.25 грн |
| DMTH6009LK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 53.52 грн |
| 500+ | 47.73 грн |
| 1000+ | 42.25 грн |
| SBR545D1-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR545D1-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 90A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 490mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SBR545D1-13 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 90A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 490mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 44.40 грн |
| 28+ | 29.16 грн |
| 100+ | 23.79 грн |
| 500+ | 15.51 грн |
| 1000+ | 12.92 грн |
| DMP6050SPS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 74.95 грн |
| 16+ | 52.71 грн |
| 100+ | 31.36 грн |
| 500+ | 23.07 грн |
| MMDT2227-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Dauerkollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 200mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
rohsCompliant: YES
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Verlustleistung, NPN: 200mW
Qualifikation: -
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
Transistormontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMDT2227-7-F - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 40 V, 60 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Dauerkollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: 200mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOT-363
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
rohsCompliant: YES
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Verlustleistung, NPN: 200mW
Qualifikation: -
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
Transistormontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.26 грн |
| 500+ | 7.04 грн |
| MMSTA55-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.18 грн |
| 1000+ | 5.03 грн |
| MMSTA55-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSTA55-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 22.81 грн |
| 58+ | 14.09 грн |
| 100+ | 8.96 грн |
| 500+ | 6.18 грн |
| 1000+ | 5.03 грн |
| ZVP4525ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 87.98 грн |
| 14+ | 62.57 грн |
| 100+ | 42.12 грн |
| 500+ | 30.56 грн |
| 1000+ | 25.63 грн |
| ZVP4525ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - ZVP4525ZTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 205 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 42.12 грн |
| 500+ | 30.56 грн |
| 1000+ | 25.63 грн |
| BAS70-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS70-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BAS70-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 64+ | 12.87 грн |
| 97+ | 8.47 грн |
| 107+ | 7.65 грн |
| 500+ | 5.06 грн |
| 1500+ | 4.13 грн |
| BAS70-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS70-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BAS70-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 36827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.47 грн |
| 107+ | 7.65 грн |
| 500+ | 5.06 грн |
| 1500+ | 4.13 грн |
| DMC2710UDWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.99 грн |
| 1000+ | 5.45 грн |
| 5000+ | 4.19 грн |
| 1SMB5929B-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1SMB5929B-13 - Zener-Diode, 15 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe 1SMB59xxB
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - 1SMB5929B-13 - Zener-Diode, 15 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe 1SMB59xxB
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.91 грн |
| 500+ | 10.74 грн |
| 1000+ | 8.73 грн |
| MMSZ5252B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5252B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 24 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSZ5252B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 24 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 24V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.05 грн |
| 1000+ | 2.28 грн |
| MMBZ5238B-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.71 грн |
| 1000+ | 2.46 грн |
| MMBZ5238B-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMBZ5238B-7-F - Zener-Diode, 8.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 87+ | 9.37 грн |
| 131+ | 6.22 грн |
| 276+ | 2.96 грн |
| 500+ | 2.71 грн |
| 1000+ | 2.46 грн |
| US1K-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - US1K-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: US1K
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - US1K-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: US1K
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.78 грн |
| 500+ | 8.55 грн |
| 1000+ | 7.47 грн |
| FMMT591A |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT591A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - FMMT591A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.57 грн |
| 500+ | 15.58 грн |
| 1500+ | 12.50 грн |
| DMG4413LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.66 грн |
| 500+ | 34.65 грн |
| 1000+ | 29.12 грн |
| DMG4413LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.24 грн |
| 12+ | 71.61 грн |
| 100+ | 47.66 грн |
| 500+ | 34.65 грн |
| 1000+ | 29.12 грн |
| D3V3P4U10LP26-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: UDFN2626
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: UDFN2626
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 500mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 26.39 грн |
| 42+ | 19.71 грн |
| 100+ | 13.44 грн |
| 500+ | 9.68 грн |
| 1000+ | 7.89 грн |
| D3V3P4U10LP26-7 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: UDFN2626
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D3V3P4U10LP26-7 - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN2626, 10 Pin(s), 3.3 V, 500 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: UDFN2626
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.44 грн |
| 500+ | 9.68 грн |
| 1000+ | 7.89 грн |
| FZT705 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT705 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 120 V, 2 W, 2 A, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 3000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - FZT705 - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 120 V, 2 W, 2 A, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 3000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Bauform - HF-Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.01 грн |
| 200+ | 36.23 грн |
| 500+ | 23.74 грн |
| DMPH4011SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 141.75 грн |
| 50+ | 104.28 грн |
| DMPH4011SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 91.24 грн |
| 500+ | 71.03 грн |
| 1000+ | 52.93 грн |
| DMPH4011SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 6500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 151.53 грн |
| 10+ | 105.91 грн |
| 100+ | 91.24 грн |
| 500+ | 71.03 грн |
| 1000+ | 52.93 грн |
| DMPH3010LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 114.87 грн |
| 50+ | 72.26 грн |
| 100+ | 47.98 грн |
| 500+ | 35.02 грн |
| 1000+ | 30.31 грн |
| DMPH3010LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.98 грн |
| 500+ | 35.02 грн |
| 1000+ | 30.31 грн |
| DMPH4011SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4011SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 79 A, 0.0065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DMPH4015SSSQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 100.20 грн |
| 13+ | 65.09 грн |
| 100+ | 45.70 грн |
| 500+ | 33.81 грн |
| 1000+ | 29.82 грн |
| DMPH4025SFVWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.76 грн |
| 14+ | 61.75 грн |
| 100+ | 40.65 грн |
| 500+ | 29.50 грн |
| 1000+ | 25.70 грн |
| DMPH4015SSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.38 грн |
| 500+ | 36.76 грн |
| 1000+ | 32.47 грн |
| DMPH6050SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.24 грн |
| 500+ | 29.43 грн |
| 1000+ | 26.88 грн |
| DMPH4029LFGQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 54.34 грн |
| 20+ | 41.79 грн |
| 100+ | 31.20 грн |
| DMPH4025SFVWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.65 грн |
| 500+ | 29.50 грн |
| 1000+ | 25.70 грн |
| DMPH6023SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 106.72 грн |
| 13+ | 67.45 грн |
| 100+ | 44.72 грн |
| 500+ | 32.45 грн |
| 1000+ | 27.30 грн |
| DMPH6023SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 44.72 грн |
| 500+ | 32.45 грн |
| 1000+ | 27.30 грн |
| DMPH4015SSSQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 45.70 грн |
| 500+ | 33.81 грн |
| 1000+ | 29.82 грн |
| DMPH4013SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 77.56 грн |
| 13+ | 63.46 грн |
| 100+ | 44.72 грн |
| 500+ | 30.86 грн |
| 1000+ | 27.58 грн |
| DMPH4015SSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH4015SSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11.4 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 127.90 грн |
| 12+ | 72.91 грн |
| 100+ | 52.38 грн |
| 500+ | 36.76 грн |
| 1000+ | 32.47 грн |
| DMPH4013SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.17 грн |
| 500+ | 39.64 грн |
| 1000+ | 33.45 грн |
| DMPH6050SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 84.72 грн |
| 14+ | 60.85 грн |
| 100+ | 40.24 грн |
| 500+ | 29.43 грн |
| 1000+ | 26.88 грн |
| DMPH4013SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 44.72 грн |
| 500+ | 30.86 грн |
| 1000+ | 27.58 грн |
| DMPH4029LFGQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.20 грн |
| DMPH4013SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMPH4013SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 113.24 грн |
| 11+ | 76.50 грн |
| 100+ | 54.17 грн |
| 500+ | 39.64 грн |
| 1000+ | 33.45 грн |
| AP61300Z6-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP61300Z6-7 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.4-5.5Vin, 0.6-5.5Vout, 3Aout, SOT563-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-563
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.4V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: 84%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - AP61300Z6-7 - Synchroner DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.4-5.5Vin, 0.6-5.5Vout, 3Aout, SOT563-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-563
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.4V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: 84%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.30 грн |
| 500+ | 11.12 грн |
| 1000+ | 10.06 грн |






















