Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74587) > Сторінка 1161 з 1244
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN3042L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 0.72W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3053L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3065LW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 0.77W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 461 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3067LW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323 Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A On-state resistance: 67mΩ Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3150L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23 Polarisation: unipolar On-state resistance: 54mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 3.1A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 30V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3190LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Power dissipation: 0.32W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 9.6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 513 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3200U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3 Mounting: SMD Pulsed drain current: 9A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23-3 Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 0.65W Drain current: 2.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN32D2LDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.28W Case: SOT353 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Semiconductor structure: common source кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3404L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; 0.72W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3A Power dissipation: 0.72W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8999 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3730U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.45W On-state resistance: 0.46Ω Drain current: 0.75A Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 10A Drain-source voltage: 30V Case: SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN53D0L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1594 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN53D0LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.25A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN53D0LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN601K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN6040SFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN6040SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMN6040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8 Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 0.8W Drain current: 4.1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 933 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN6040SSS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN6040SVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMN6068SE-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2553 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN6070SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN6075S-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 1292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMN6140L-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.7W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN6140L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.7W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN6140LQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3 Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23-3 Gate charge: 8.6nC On-state resistance: 0.17Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5635 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
DMN6140LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.7W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 607 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN61D8LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 0.5A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 740pC On-state resistance: 2.4Ω Power dissipation: 1.09W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: TSOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2823 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN62D0SFD-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN62D0U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMN62D0UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.29A; 0.32W; SOT363; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.29A Power dissipation: 0.32W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN62D0UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN63D8LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LDWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN63D8LV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.45W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN65D8L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1762 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN65D8LW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN67D8L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMN90H8D5HCT | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube On-state resistance: 7Ω Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.5A Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMNH10H028SCT | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMNH45M7SCT | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 155A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 96W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 36.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMNH6008SCT | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP1045UFY4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: X2-DFN2015-3 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -25A Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.1A Gate charge: 23.7nC On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 1.1W Kind of package: 7 inch reel; tape Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMP10H400SE-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP10H400SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMP10H4D2S-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.21A Power dissipation: 0.38W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMP2004K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP2022LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP2035U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP2035UVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 3756 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP2040USS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMP2045U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.1A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2100UFU-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±10V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: U-DFN2030-6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2100UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23; ESD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.4A On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±10V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2104LP-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A Power dissipation: 0.5W Case: DFN1411-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2120U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 62mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2130L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1.4W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.125Ω Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±10V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMP2160UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMP21D6UFD-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMP2240UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.5A; 0.6W; SOT26 Case: SOT26 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A Power dissipation: 0.6W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMP2240UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -5A; 0.25W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -5A Drain current: -1A On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.25W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 437 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
DMN3042L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 23.53 грн |
18+ | 17.17 грн |
21+ | 14.06 грн |
50+ | 9.50 грн |
100+ | 8.17 грн |
167+ | 6.65 грн |
460+ | 6.27 грн |
DMN3053L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
12+ | 25.26 грн |
50+ | 17.96 грн |
100+ | 15.68 грн |
111+ | 10.07 грн |
304+ | 9.50 грн |
2000+ | 9.12 грн |
DMN3065LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.77W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.77W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
13+ | 24.47 грн |
50+ | 16.82 грн |
100+ | 14.44 грн |
155+ | 7.22 грн |
425+ | 6.84 грн |
6000+ | 6.56 грн |
DMN3067LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.74 грн |
15+ | 19.83 грн |
50+ | 13.59 грн |
100+ | 11.78 грн |
171+ | 6.56 грн |
470+ | 6.18 грн |
6000+ | 5.99 грн |
DMN3150L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
13+ | 23.09 грн |
25+ | 18.05 грн |
100+ | 13.21 грн |
161+ | 6.94 грн |
443+ | 6.56 грн |
6000+ | 6.27 грн |
DMN3190LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 9.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.35 грн |
25+ | 11.84 грн |
29+ | 9.88 грн |
50+ | 7.13 грн |
100+ | 6.33 грн |
188+ | 5.95 грн |
500+ | 5.41 грн |
DMN3200U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.65W
Drain current: 2.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 9A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.65W
Drain current: 2.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 33.76 грн |
12+ | 25.26 грн |
50+ | 18.24 грн |
100+ | 15.96 грн |
108+ | 10.36 грн |
297+ | 9.79 грн |
9000+ | 9.41 грн |
DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Semiconductor structure: common source
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Semiconductor structure: common source
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.72 грн |
14+ | 22.59 грн |
50+ | 14.80 грн |
100+ | 12.46 грн |
191+ | 5.85 грн |
525+ | 5.53 грн |
9000+ | 5.32 грн |
DMN3404L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.60 грн |
18+ | 17.27 грн |
50+ | 11.88 грн |
100+ | 10.27 грн |
251+ | 4.45 грн |
690+ | 4.20 грн |
24000+ | 4.14 грн |
DMN3730U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.45W
On-state resistance: 0.46Ω
Drain current: 0.75A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.45W
On-state resistance: 0.46Ω
Drain current: 0.75A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.74 грн |
15+ | 20.03 грн |
50+ | 13.49 грн |
100+ | 11.69 грн |
141+ | 7.98 грн |
386+ | 7.51 грн |
3000+ | 7.22 грн |
DMN53D0L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.42 грн |
23+ | 12.92 грн |
29+ | 10.11 грн |
100+ | 7.13 грн |
273+ | 4.10 грн |
748+ | 3.88 грн |
3000+ | 3.73 грн |
DMN53D0LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 11.25 грн |
36+ | 8.29 грн |
50+ | 6.33 грн |
100+ | 5.75 грн |
250+ | 4.47 грн |
687+ | 4.23 грн |
1000+ | 4.20 грн |
DMN53D0LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.49 грн |
21+ | 14.40 грн |
50+ | 9.90 грн |
100+ | 8.49 грн |
259+ | 4.30 грн |
713+ | 4.07 грн |
3000+ | 3.98 грн |
DMN601K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN601K-7 SMD N channel transistors
DMN601K-7 SMD N channel transistors
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 7.69 грн |
673+ | 1.66 грн |
1852+ | 1.58 грн |
DMN6040SFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors
DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.88 грн |
64+ | 17.48 грн |
176+ | 16.63 грн |
DMN6040SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors
DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.17 грн |
58+ | 19.48 грн |
159+ | 18.43 грн |
DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 60.37 грн |
10+ | 46.07 грн |
50+ | 32.02 грн |
62+ | 18.05 грн |
170+ | 17.10 грн |
2500+ | 16.44 грн |
DMN6040SSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 20.05 грн |
75+ | 14.92 грн |
207+ | 14.16 грн |
500+ | 14.11 грн |
DMN6040SVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SVT-7 SMD N channel transistors
DMN6040SVT-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.89 грн |
103+ | 11.02 грн |
281+ | 10.36 грн |
DMN6068SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.25 грн |
10+ | 38.77 грн |
50+ | 28.69 грн |
71+ | 15.77 грн |
195+ | 14.92 грн |
DMN6070SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.16 грн |
7+ | 42.82 грн |
10+ | 37.05 грн |
66+ | 17.01 грн |
181+ | 16.06 грн |
1000+ | 15.58 грн |
2500+ | 15.49 грн |
DMN6075S-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6075S-7 SMD N channel transistors
DMN6075S-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.57 грн |
187+ | 5.99 грн |
512+ | 5.70 грн |
DMN6140L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 16.37 грн |
26+ | 11.54 грн |
50+ | 8.04 грн |
100+ | 7.04 грн |
199+ | 5.61 грн |
500+ | 5.42 грн |
548+ | 5.31 грн |
DMN6140L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 17.39 грн |
29+ | 10.26 грн |
50+ | 8.27 грн |
100+ | 7.79 грн |
189+ | 5.89 грн |
518+ | 5.61 грн |
DMN6140LQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.69 грн |
13+ | 24.17 грн |
100+ | 15.01 грн |
139+ | 8.08 грн |
382+ | 7.60 грн |
10000+ | 7.41 грн |
DMN6140LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.79 грн |
11+ | 28.02 грн |
13+ | 23.28 грн |
50+ | 14.54 грн |
100+ | 11.88 грн |
139+ | 8.08 грн |
382+ | 7.60 грн |
DMN61D8LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 740pC
On-state resistance: 2.4Ω
Power dissipation: 1.09W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 740pC
On-state resistance: 2.4Ω
Power dissipation: 1.09W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.25 грн |
10+ | 38.97 грн |
30+ | 30.31 грн |
78+ | 14.35 грн |
214+ | 13.59 грн |
3000+ | 13.49 грн |
6000+ | 13.11 грн |
DMN62D0SFD-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN62D0SFD-7 SMD N channel transistors
DMN62D0SFD-7 SMD N channel transistors
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 33.56 грн |
198+ | 5.67 грн |
544+ | 5.36 грн |
DMN62D0U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN62D0U-7 SMD N channel transistors
DMN62D0U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 9.12 грн |
382+ | 2.94 грн |
1049+ | 2.78 грн |
DMN62D0UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.29A; 0.32W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.29A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.29A; 0.32W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.29A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.35 грн |
28+ | 10.75 грн |
100+ | 7.49 грн |
191+ | 5.85 грн |
525+ | 5.54 грн |
1000+ | 5.42 грн |
3000+ | 5.32 грн |
DMN62D0UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UW-7 SMD N channel transistors
DMN62D0UW-7 SMD N channel transistors
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.48 грн |
376+ | 2.98 грн |
1034+ | 2.82 грн |
9000+ | 2.81 грн |
DMN63D8LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN63D8LDW-7 Multi channel transistors
DMN63D8LDW-7 Multi channel transistors
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.47 грн |
283+ | 3.96 грн |
778+ | 3.74 грн |
DMN63D8LDWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 14.32 грн |
30+ | 10.06 грн |
37+ | 7.90 грн |
100+ | 5.64 грн |
282+ | 3.97 грн |
500+ | 3.82 грн |
774+ | 3.75 грн |
DMN63D8LV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.56 грн |
20+ | 15.49 грн |
50+ | 10.43 грн |
100+ | 8.89 грн |
285+ | 3.92 грн |
784+ | 3.71 грн |
6000+ | 3.67 грн |
DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 9.21 грн |
44+ | 6.81 грн |
68+ | 4.24 грн |
100+ | 3.50 грн |
500+ | 2.35 грн |
551+ | 2.02 грн |
1500+ | 1.89 грн |
DMN65D8LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
11+ | 28.61 грн |
13+ | 23.47 грн |
90+ | 12.45 грн |
246+ | 11.78 грн |
500+ | 11.40 грн |
DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN67D8L-7 SMD N channel transistors
DMN67D8L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 13.50 грн |
572+ | 1.96 грн |
1572+ | 1.85 грн |
DMN90H8D5HCT |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.5A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 7Ω
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.48 грн |
6+ | 56.93 грн |
10+ | 47.88 грн |
50+ | 44.46 грн |
DMNH10H028SCT |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SCT THT N channel transistors
DMNH10H028SCT THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.29 грн |
17+ | 67.45 грн |
46+ | 63.65 грн |
DMNH45M7SCT |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 155A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 96W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 155A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 96W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 184.17 грн |
14+ | 84.85 грн |
38+ | 76.95 грн |
500+ | 75.05 грн |
DMNH6008SCT |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 261.92 грн |
10+ | 135.16 грн |
13+ | 89.31 грн |
35+ | 84.56 грн |
1000+ | 80.75 грн |
DMP1045UFY4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: X2-DFN2015-3
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.1A; Idm: -25A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: X2-DFN2015-3
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.1A
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.1W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.00 грн |
10+ | 31.67 грн |
30+ | 24.42 грн |
96+ | 11.69 грн |
263+ | 11.02 грн |
3000+ | 10.55 грн |
DMP10H400SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP10H400SE-13 SMD P channel transistors
DMP10H400SE-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.81 грн |
54+ | 20.90 грн |
148+ | 19.76 грн |
DMP10H400SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP10H400SK3-13 SMD P channel transistors
DMP10H400SK3-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.14 грн |
63+ | 17.96 грн |
172+ | 17.01 грн |
DMP10H4D2S-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.21A
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.21A; 0.38W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.21A
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
14+ | 22.59 грн |
50+ | 13.97 грн |
100+ | 11.59 грн |
197+ | 5.70 грн |
540+ | 5.42 грн |
DMP2004K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2004K-7 SMD P channel transistors
DMP2004K-7 SMD P channel transistors
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.30 грн |
308+ | 3.65 грн |
846+ | 3.45 грн |
DMP2022LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2022LSS-13 SMD P channel transistors
DMP2022LSS-13 SMD P channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.92 грн |
48+ | 23.47 грн |
132+ | 22.23 грн |
DMP2035U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2035U-7 SMD P channel transistors
DMP2035U-7 SMD P channel transistors
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.24 грн |
200+ | 5.61 грн |
549+ | 5.32 грн |
DMP2035UVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2035UVT-7 SMD P channel transistors
DMP2035UVT-7 SMD P channel transistors
на замовлення 3756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.06 грн |
109+ | 10.36 грн |
299+ | 9.79 грн |
DMP2040USS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2040USS-13 SMD P channel transistors
DMP2040USS-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.50 грн |
108+ | 10.45 грн |
295+ | 9.88 грн |
DMP2045U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 17.39 грн |
21+ | 14.11 грн |
50+ | 11.36 грн |
100+ | 10.47 грн |
195+ | 5.75 грн |
535+ | 5.43 грн |
6000+ | 5.33 грн |
DMP2100UFU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2030-6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2030-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.51 грн |
85+ | 13.62 грн |
233+ | 12.45 грн |
3000+ | 11.97 грн |
DMP2100UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23; ESD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23; ESD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.69 грн |
16+ | 18.94 грн |
25+ | 14.54 грн |
100+ | 10.64 грн |
168+ | 6.65 грн |
461+ | 6.27 грн |
6000+ | 6.08 грн |
DMP2104LP-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: DFN1411-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: DFN1411-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.86 грн |
10+ | 29.60 грн |
15+ | 20.33 грн |
91+ | 12.35 грн |
249+ | 11.69 грн |
DMP2120U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.56 грн |
16+ | 19.14 грн |
19+ | 15.49 грн |
50+ | 8.84 грн |
75+ | 7.68 грн |
100+ | 7.00 грн |
200+ | 5.82 грн |
DMP2130L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1.4W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1.4W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.93 грн |
10+ | 31.97 грн |
11+ | 26.51 грн |
100+ | 15.11 грн |
180+ | 6.18 грн |
495+ | 5.89 грн |
DMP2160UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2160UFDB-7 SMD P channel transistors
DMP2160UFDB-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.33 грн |
87+ | 12.92 грн |
239+ | 12.26 грн |
DMP21D6UFD-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP21D6UFD-7 SMD P channel transistors
DMP21D6UFD-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.82 грн |
269+ | 4.18 грн |
738+ | 3.95 грн |
DMP2240UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.5A; 0.6W; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.5A; 0.6W; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.69 грн |
16+ | 19.53 грн |
71+ | 15.87 грн |
100+ | 14.35 грн |
DMP2240UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -5A; 0.25W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -5A; 0.25W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.93 грн |
12+ | 25.85 грн |
50+ | 16.91 грн |
100+ | 14.63 грн |
202+ | 5.51 грн |
556+ | 5.23 грн |