Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72697) > Сторінка 1166 з 1212
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMC4050SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Kind of transistor: complementary pair Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 5.8/-5.5A On-state resistance: 45/45mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC6040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 5.1/-3.9A Power dissipation: 1.56W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/110mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012T-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.28W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 696 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012TQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.28W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4314 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012UW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.29W On-state resistance: 0.3Ω Drain current: 1A Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: 20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Gate charge: 1nC Power dissipation: 0.61W On-state resistance: 0.75Ω Drain current: 0.75A Pulsed drain current: 6A Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: 20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2414 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1013T-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT523 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -6A Drain current: -0.33A Power dissipation: 0.27W On-state resistance: 0.7Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2822 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6693 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1013UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2274 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1016UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT363 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.45/0.75Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1173 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT563 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.4/0.7Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1023UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT563 Type of transistor: P-MOSFET x2 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -680mA On-state resistance: 25Ω Power dissipation: 0.53W Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 557 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1026UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 1A Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Power dissipation: 0.58W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 823 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1029SV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT563 Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Power dissipation: 0.66W Kind of transistor: complementary pair Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG2302UK-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG2302UK-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 949 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG2307L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG2307L-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 2604 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG2307LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG2307LQ-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG301NU-13 | DIODES INCORPORATED |
DMG301NU-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG301NU-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG301NU-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG3404L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG3404L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 148 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG3406L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG3406L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1216 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG3414U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG3415UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG3415UQ-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 693 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG3420UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 986 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG4511SK4-13 | DIODES INCORPORATED |
DMG4511SK4-13 Multi channel transistors |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG4800LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
DMG4800LSD-13 Multi channel transistors |
на замовлення 2115 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG6402LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG6402LVT-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 306 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG6601LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2A Power dissipation: 0.54W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.065/0.142Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 638 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG6602SVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.8/-3.4A Power dissipation: 1.112W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.06/0.095Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 923 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG6602SVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG6602SVTQ-7 Multi channel transistors |
на замовлення 774 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG6968U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG6968U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 961 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG6968UDM-7 Multi channel transistors |
на замовлення 221 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG7430LFG-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 298 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG9933USD-13 | DIODES INCORPORATED |
DMG9933USD-13 SMD P channel transistors |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMHC3025LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
DMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 474 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMMT3904W-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363 Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Type of transistor: NPN x2 Case: SOT363 Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMMT5401-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT26 Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Quantity in set/package: 3000pcs. Current gain: 30...250 Collector-emitter voltage: 150V Frequency: 100...300MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMMT5551-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT26 Current gain: 50...250 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1791 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN1004UFV-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 666 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN1025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED | DMN1025UFDB-7 Multi channel transistors |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN10H120SE-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.4A; 1.3W; SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.4A On-state resistance: 0.122Ω Power dissipation: 1.3W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN10H220L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN10H220L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN10H220LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN10H220LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN10H220LQ-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 658 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2004K-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2004K-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2005LPK-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2020LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 606 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2028USS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2040LTS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2044UCB4-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W Mounting: SMD Case: U-WLB1010-4 Gate charge: 47nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.18W Drain current: 3.6A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 16A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2046U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2046U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 894 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2056U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2056U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 5997 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2058U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2058U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 320 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2230U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2230U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 790 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2230UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2230UQ-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 251 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2400UV-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2400UV-7 Multi channel transistors |
на замовлення 963 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 120 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN3009SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN3009SK3-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN3016LFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3016LFDE-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| DMC4050SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.5A
On-state resistance: 45/45mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.5A
On-state resistance: 45/45mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.86 грн |
| 10+ | 47.95 грн |
| 100+ | 26.20 грн |
| 250+ | 24.72 грн |
| DMC6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/110mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/110mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.15 грн |
| 10+ | 45.80 грн |
| 50+ | 34.21 грн |
| 100+ | 30.55 грн |
| 500+ | 23.04 грн |
| 1000+ | 21.75 грн |
| DMG1012T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 696 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.84 грн |
| 26+ | 12.12 грн |
| 28+ | 10.88 грн |
| 100+ | 7.97 грн |
| 500+ | 6.21 грн |
| 1000+ | 5.58 грн |
| 3000+ | 4.71 грн |
| DMG1012TQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.45 грн |
| 46+ | 6.78 грн |
| 57+ | 5.22 грн |
| 100+ | 4.62 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1500+ | 3.08 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.29W
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.29W
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.91 грн |
| 28+ | 11.29 грн |
| 35+ | 8.70 грн |
| 40+ | 7.51 грн |
| 50+ | 5.93 грн |
| 100+ | 4.00 грн |
| 500+ | 2.98 грн |
| DMG1012UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.62 грн |
| 20+ | 15.40 грн |
| 50+ | 10.92 грн |
| 100+ | 9.60 грн |
| 500+ | 7.22 грн |
| 1000+ | 6.41 грн |
| 3000+ | 5.34 грн |
| DMG1013T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.97 грн |
| 33+ | 9.45 грн |
| 43+ | 6.92 грн |
| 73+ | 4.11 грн |
| 100+ | 3.60 грн |
| 3000+ | 3.01 грн |
| DMG1013UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6693 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.17 грн |
| 26+ | 11.91 грн |
| 50+ | 7.85 грн |
| 100+ | 6.70 грн |
| 500+ | 4.83 грн |
| 1000+ | 4.26 грн |
| 3000+ | 3.58 грн |
| DMG1013UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.17 грн |
| 22+ | 14.07 грн |
| 50+ | 9.67 грн |
| 100+ | 8.31 грн |
| 500+ | 6.00 грн |
| 1000+ | 5.31 грн |
| 1500+ | 4.96 грн |
| DMG1016UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.75 грн |
| 17+ | 19.00 грн |
| 50+ | 13.13 грн |
| 100+ | 11.27 грн |
| 500+ | 7.71 грн |
| 1000+ | 6.45 грн |
| 1500+ | 5.77 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.20 грн |
| 14+ | 23.31 грн |
| 50+ | 13.94 грн |
| 100+ | 11.47 грн |
| 500+ | 7.81 грн |
| 1000+ | 7.32 грн |
| DMG1023UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 557 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.53 грн |
| 10+ | 31.01 грн |
| 12+ | 25.61 грн |
| 100+ | 14.63 грн |
| 500+ | 10.28 грн |
| 1000+ | 9.10 грн |
| 3000+ | 7.61 грн |
| DMG1026UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.53 грн |
| 12+ | 27.11 грн |
| 50+ | 18.39 грн |
| 100+ | 15.72 грн |
| 500+ | 11.37 грн |
| 1000+ | 9.99 грн |
| 3000+ | 8.31 грн |
| DMG1029SV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT563
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Power dissipation: 0.66W
Kind of transistor: complementary pair
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT563
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Power dissipation: 0.66W
Kind of transistor: complementary pair
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.69 грн |
| 17+ | 18.69 грн |
| 50+ | 13.74 грн |
| 100+ | 12.26 грн |
| 500+ | 9.69 грн |
| 1000+ | 9.29 грн |
| DMG2302UK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UK-7 SMD N channel transistors
DMG2302UK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 949 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.50 грн |
| 247+ | 4.75 грн |
| 678+ | 4.49 грн |
| DMG2307L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2307L-7 SMD P channel transistors
DMG2307L-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.87 грн |
| 320+ | 3.67 грн |
| 879+ | 3.46 грн |
| DMG2307LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2307LQ-7 SMD P channel transistors
DMG2307LQ-7 SMD P channel transistors
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.44 грн |
| 163+ | 7.22 грн |
| 447+ | 6.82 грн |
| DMG301NU-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.65 грн |
| 108+ | 10.88 грн |
| 297+ | 10.28 грн |
| 5000+ | 10.27 грн |
| DMG301NU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.36 грн |
| 147+ | 8.01 грн |
| 402+ | 7.61 грн |
| DMG3404L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3404L-7 SMD N channel transistors
DMG3404L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.61 грн |
| 149+ | 7.91 грн |
| 411+ | 7.42 грн |
| DMG3406L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3406L-7 SMD N channel transistors
DMG3406L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.53 грн |
| 222+ | 5.30 грн |
| 609+ | 5.00 грн |
| DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.59 грн |
| 11+ | 29.47 грн |
| 25+ | 22.05 грн |
| 100+ | 15.13 грн |
| 150+ | 13.94 грн |
| 500+ | 11.57 грн |
| 750+ | 11.17 грн |
| DMG3415UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3415UQ-7 SMD P channel transistors
DMG3415UQ-7 SMD P channel transistors
на замовлення 693 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.82 грн |
| 109+ | 10.78 грн |
| 298+ | 10.28 грн |
| 6000+ | 10.17 грн |
| DMG3420UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 986 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.44 грн |
| 160+ | 7.32 грн |
| 440+ | 6.92 грн |
| DMG4511SK4-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4511SK4-13 Multi channel transistors
DMG4511SK4-13 Multi channel transistors
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.12 грн |
| 37+ | 31.74 грн |
| 102+ | 30.06 грн |
| DMG4800LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4800LSD-13 Multi channel transistors
DMG4800LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.20 грн |
| 77+ | 15.33 грн |
| 211+ | 14.53 грн |
| DMG6402LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6402LVT-7 SMD N channel transistors
DMG6402LVT-7 SMD N channel transistors
на замовлення 306 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.52 грн |
| 169+ | 6.92 грн |
| 466+ | 6.53 грн |
| DMG6601LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 638 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.94 грн |
| 13+ | 25.26 грн |
| 15+ | 21.06 грн |
| 50+ | 13.74 грн |
| 100+ | 11.47 грн |
| 500+ | 7.91 грн |
| 1000+ | 6.92 грн |
| DMG6602SVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.88 грн |
| 15+ | 20.95 грн |
| 50+ | 12.95 грн |
| 100+ | 10.68 грн |
| 500+ | 7.22 грн |
| 1000+ | 6.53 грн |
| DMG6602SVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6602SVTQ-7 Multi channel transistors
DMG6602SVTQ-7 Multi channel transistors
на замовлення 774 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.19 грн |
| 149+ | 7.91 грн |
| 411+ | 7.42 грн |
| DMG6968U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 961 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.95 грн |
| 167+ | 7.02 грн |
| 457+ | 6.72 грн |
| DMG6968UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6968UDM-7 Multi channel transistors
DMG6968UDM-7 Multi channel transistors
на замовлення 221 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.38 грн |
| 78+ | 15.13 грн |
| 214+ | 14.24 грн |
| DMG7430LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.41 грн |
| 94+ | 12.56 грн |
| 250+ | 12.42 грн |
| 257+ | 11.87 грн |
| DMG9933USD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG9933USD-13 SMD P channel transistors
DMG9933USD-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.67 грн |
| 92+ | 12.76 грн |
| 253+ | 12.06 грн |
| DMHC3025LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors
DMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors
на замовлення 474 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.07 грн |
| 34+ | 35.30 грн |
| 92+ | 33.42 грн |
| DMMT3904W-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.69 грн |
| 16+ | 19.92 грн |
| 50+ | 13.25 грн |
| 100+ | 11.17 грн |
| 500+ | 7.81 грн |
| 1000+ | 6.92 грн |
| DMMT5401-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 30...250
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 100...300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 30...250
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 100...300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.07 грн |
| 15+ | 21.77 грн |
| 50+ | 14.73 грн |
| 100+ | 12.66 грн |
| 500+ | 8.90 грн |
| 1000+ | 7.81 грн |
| DMMT5551-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.14 грн |
| 13+ | 24.03 грн |
| 50+ | 15.92 грн |
| 100+ | 13.45 грн |
| 500+ | 9.49 грн |
| 1000+ | 8.31 грн |
| 1500+ | 7.81 грн |
| DMN1004UFV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors
на замовлення 666 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.15 грн |
| 57+ | 20.57 грн |
| 157+ | 19.48 грн |
| 4000+ | 19.41 грн |
| DMN1025UFDB-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1025UFDB-7 Multi channel transistors
DMN1025UFDB-7 Multi channel transistors
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.40 грн |
| 124+ | 9.49 грн |
| 340+ | 9.00 грн |
| 3000+ | 8.93 грн |
| DMN10H120SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.4A; 1.3W; SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 0.122Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.4A; 1.3W; SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 0.122Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMN10H220L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220L-7 SMD N channel transistors
DMN10H220L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.89 грн |
| 128+ | 9.20 грн |
| 350+ | 8.70 грн |
| DMN10H220LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.80 грн |
| 81+ | 14.53 грн |
| 223+ | 13.74 грн |
| 5000+ | 13.66 грн |
| DMN10H220LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LQ-7 SMD N channel transistors
DMN10H220LQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 658 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.01 грн |
| 159+ | 7.42 грн |
| 435+ | 7.02 грн |
| DMN2004K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004K-7 SMD N channel transistors
DMN2004K-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.67 грн |
| 178+ | 6.62 грн |
| 487+ | 6.23 грн |
| DMN2005LPK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 8.94 грн |
| 218+ | 5.34 грн |
| 600+ | 5.04 грн |
| DMN2020LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
на замовлення 606 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.06 грн |
| 131+ | 8.90 грн |
| 361+ | 8.50 грн |
| DMN2028USS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.39 грн |
| 60+ | 19.78 грн |
| 164+ | 18.69 грн |
| DMN2040LTS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.00 грн |
| 76+ | 15.52 грн |
| 208+ | 14.63 грн |
| 5000+ | 14.58 грн |
| DMN2044UCB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.18W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 16A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.18W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 16A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.63 грн |
| 10+ | 41.48 грн |
| 30+ | 32.93 грн |
| 100+ | 26.60 грн |
| 500+ | 20.17 грн |
| 1000+ | 18.09 грн |
| 3000+ | 16.71 грн |
| DMN2046U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2046U-7 SMD N channel transistors
DMN2046U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 894 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.24 грн |
| 259+ | 4.52 грн |
| 712+ | 4.27 грн |
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2056U-7 SMD N channel transistors
DMN2056U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.41 грн |
| 267+ | 4.39 грн |
| 735+ | 4.14 грн |
| DMN2058U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2058U-7 SMD N channel transistors
DMN2058U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.20 грн |
| 163+ | 7.22 грн |
| 449+ | 6.82 грн |
| DMN2230U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2230U-7 SMD N channel transistors
DMN2230U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 790 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.36 грн |
| 115+ | 10.52 грн |
| 310+ | 9.95 грн |
| DMN2230UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2230UQ-7 SMD N channel transistors
DMN2230UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 251 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.11 грн |
| 115+ | 10.18 грн |
| 317+ | 9.59 грн |
| DMN2400UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2400UV-7 Multi channel transistors
DMN2400UV-7 Multi channel transistors
на замовлення 963 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.10 грн |
| 152+ | 7.71 грн |
| 417+ | 7.32 грн |
| 6000+ | 7.29 грн |
| DMN24H11DS-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.29 грн |
| 94+ | 12.46 грн |
| 259+ | 11.77 грн |
| DMN26D0UT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
на замовлення 120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.91 грн |
| 346+ | 3.39 грн |
| 949+ | 3.20 грн |
| DMN3009SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3009SK3-13 SMD N channel transistors
DMN3009SK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.56 грн |
| 53+ | 22.15 грн |
| 146+ | 20.96 грн |
| 2500+ | 20.95 грн |
| DMN3016LFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDE-7 SMD N channel transistors
DMN3016LFDE-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.62 грн |
| 96+ | 12.16 грн |
| 264+ | 11.57 грн |










