Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74621) > Сторінка 1166 з 1244
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG6602SVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: TSOT26 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.06/0.095Ω Power dissipation: 0.84W Drain current: 2.7/-2.4A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25...-20A Drain-source voltage: 30/-30V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG6968U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG6968U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 5171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG6968UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.85W Case: SOT26 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 24mΩ Drain current: 5.2A Gate-source voltage: ±12V Version: ESD Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG7430LFG-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI®3333-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 0.9W Drain current: 9.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMHC3025LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 11.7/11.4nC On-state resistance: 25/50mΩ Power dissipation: 1.5W Drain current: 6/-4.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30/-30V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Case: SO8 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMMT3904W-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMMT5401-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT26 Type of transistor: PNP x2 Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Quantity in set/package: 3000pcs. Current gain: 30...250 Collector-emitter voltage: 150V Frequency: 100...300MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMMT5551-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.2A Case: SOT26 Current gain: 50...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz Power dissipation: 0.3W Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN1004UFV-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 816 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN1025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Gate charge: 23.1nC On-state resistance: 38mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 5.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Pulsed drain current: 35A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN10H220L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN10H220LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 7.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1216 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN10H220LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN2004K-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN2005LPK-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2020LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2028USS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2040LTS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2046U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2046U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN2056U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Power dissipation: 0.94W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN2058U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2058U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 319 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN2230U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 0.23Ω Power dissipation: 0.6W Drain current: 2A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN2230UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 0.6W Drain current: 2A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN2400UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.84A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN26D0UT-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN3009SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 3.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3018SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.2A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3024LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3024SFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Gate charge: 10.5nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: PowerDI3333-8 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2038 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3032LE-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN3032LE-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN3033LDM-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Power dissipation: 2W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3033LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.4W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3042L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 0.72W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3053L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3053L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN3065LW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323 Polarisation: unipolar Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 85mΩ Power dissipation: 0.77W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 451 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3067LW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3150L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3150L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN3190LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 0.32W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 413 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3200U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3200U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.28W Case: SOT353 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common source Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3404L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3404L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 8049 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN3730U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3730U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN53D0L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A On-state resistance: 2.5Ω Version: ESD Power dissipation: 0.37W Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 394 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN53D0LDW-7 Multi channel transistors |
на замовлення 895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN53D0LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A On-state resistance: 2.5Ω Version: ESD Power dissipation: 0.37W Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN601K-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 405 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN6040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SO8 On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 0.8W Drain current: 4.1A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 933 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN6040SSS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN6040SVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26 Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 30A Drain current: 5A Gate charge: 22.4nC On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6068SE-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2553 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6070SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SO8 On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 1.2W Drain current: 3.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6075S-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 1.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6140L-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6140L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6140LQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3 Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23-3 Gate charge: 8.6nC On-state resistance: 0.17Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5635 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
DMN6140LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.7W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 599 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| DMG6602SVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 0.84W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 0.84W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.53 грн |
| 14+ | 22.37 грн |
| 50+ | 15.33 грн |
| 100+ | 13.29 грн |
| 500+ | 9.61 грн |
| 1000+ | 8.44 грн |
| 1500+ | 7.86 грн |
| DMG6968U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.71 грн |
| 166+ | 6.89 грн |
| 455+ | 6.50 грн |
| DMG6968UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.80 грн |
| 9+ | 34.67 грн |
| 10+ | 30.28 грн |
| 100+ | 20.18 грн |
| 500+ | 15.24 грн |
| 1000+ | 13.59 грн |
| 3000+ | 13.39 грн |
| DMG7430LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.04 грн |
| 16+ | 18.95 грн |
| 19+ | 16.01 грн |
| 25+ | 13.10 грн |
| 100+ | 11.16 грн |
| DMHC3025LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
On-state resistance: 25/50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 6/-4.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
On-state resistance: 25/50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 6/-4.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.88 грн |
| 10+ | 62.98 грн |
| 50+ | 45.03 грн |
| 100+ | 39.50 грн |
| 250+ | 33.19 грн |
| 500+ | 31.54 грн |
| DMMT3904W-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 16+ | 19.55 грн |
| 50+ | 13.00 грн |
| 100+ | 10.97 грн |
| 500+ | 7.67 грн |
| 1000+ | 6.79 грн |
| DMMT5401-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 30...250
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 100...300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Type of transistor: PNP x2
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 30...250
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 100...300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.44 грн |
| 15+ | 21.36 грн |
| 50+ | 14.46 грн |
| 100+ | 12.42 грн |
| 500+ | 8.73 грн |
| 1000+ | 7.67 грн |
| DMMT5551-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Power dissipation: 0.3W
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.49 грн |
| 13+ | 23.58 грн |
| 50+ | 15.62 грн |
| 100+ | 13.20 грн |
| 500+ | 9.32 грн |
| 1000+ | 8.15 грн |
| 1500+ | 7.67 грн |
| DMN1004UFV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.90 грн |
| 57+ | 20.18 грн |
| 157+ | 19.02 грн |
| DMN1025UFDB-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.90 грн |
| 19+ | 16.33 грн |
| 50+ | 13.00 грн |
| 100+ | 11.74 грн |
| 500+ | 8.83 грн |
| 1000+ | 8.54 грн |
| DMN10H220L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.13 грн |
| 15+ | 20.86 грн |
| 50+ | 17.27 грн |
| 100+ | 16.01 грн |
| 500+ | 13.20 грн |
| 1000+ | 12.03 грн |
| 1500+ | 11.26 грн |
| DMN10H220LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.30 грн |
| 10+ | 36.78 грн |
| 100+ | 20.18 грн |
| 500+ | 14.36 грн |
| 1000+ | 12.91 грн |
| DMN10H220LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 14+ | 22.98 грн |
| 16+ | 19.02 грн |
| 100+ | 10.19 грн |
| 500+ | 6.99 грн |
| 1000+ | 6.60 грн |
| DMN2004K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 13+ | 23.58 грн |
| 20+ | 14.56 грн |
| 50+ | 11.61 грн |
| 100+ | 7.67 грн |
| 3000+ | 6.49 грн |
| 6000+ | 5.77 грн |
| DMN2005LPK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 8.78 грн |
| 218+ | 5.24 грн |
| 600+ | 4.95 грн |
| DMN2020LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.97 грн |
| 130+ | 8.83 грн |
| 358+ | 8.35 грн |
| DMN2028USS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.67 грн |
| 60+ | 19.31 грн |
| 164+ | 18.24 грн |
| DMN2040LTS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.02 грн |
| 76+ | 15.14 грн |
| 208+ | 14.27 грн |
| DMN2046U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2046U-7 SMD N channel transistors
DMN2046U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.79 грн |
| 249+ | 4.61 грн |
| 684+ | 4.36 грн |
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.94W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.11 грн |
| 50+ | 5.82 грн |
| 100+ | 4.08 грн |
| 500+ | 3.58 грн |
| DMN2058U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2058U-7 SMD N channel transistors
DMN2058U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.74 грн |
| 162+ | 7.08 грн |
| 444+ | 6.70 грн |
| DMN2230U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 15.05 грн |
| 30+ | 11.69 грн |
| 100+ | 10.00 грн |
| 500+ | 9.41 грн |
| DMN2230UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.80 грн |
| 11+ | 29.33 грн |
| 50+ | 19.70 грн |
| 100+ | 16.79 грн |
| 500+ | 11.84 грн |
| 1000+ | 10.38 грн |
| 3000+ | 9.12 грн |
| DMN2400UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.53 грн |
| 13+ | 23.48 грн |
| 50+ | 15.62 грн |
| 100+ | 13.29 грн |
| 500+ | 9.51 грн |
| 1000+ | 8.25 грн |
| 3000+ | 6.89 грн |
| DMN24H11DS-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.88 грн |
| 94+ | 12.13 грн |
| 259+ | 11.55 грн |
| DMN26D0UT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.07 грн |
| 343+ | 3.34 грн |
| 944+ | 3.15 грн |
| DMN3009SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.75 грн |
| 10+ | 38.60 грн |
| 100+ | 25.42 грн |
| 500+ | 19.89 грн |
| 1000+ | 19.70 грн |
| DMN3018SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.16 грн |
| 10+ | 35.67 грн |
| 100+ | 22.71 грн |
| 500+ | 17.47 грн |
| 1000+ | 16.59 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.76 грн |
| 11+ | 28.02 грн |
| 14+ | 21.74 грн |
| 50+ | 13.59 грн |
| 100+ | 11.45 грн |
| 130+ | 8.83 грн |
| 358+ | 8.35 грн |
| DMN3024LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.06 грн |
| 10+ | 42.73 грн |
| 100+ | 23.00 грн |
| 250+ | 19.41 грн |
| DMN3024SFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.49 грн |
| 11+ | 29.12 грн |
| 100+ | 21.74 грн |
| 500+ | 17.95 грн |
| 1000+ | 16.79 грн |
| 3000+ | 15.24 грн |
| 15000+ | 15.04 грн |
| DMN3032LE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3032LE-13 SMD N channel transistors
DMN3032LE-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.20 грн |
| 71+ | 16.30 грн |
| 194+ | 15.43 грн |
| 17500+ | 15.42 грн |
| DMN3033LDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.98 грн |
| 10+ | 35.07 грн |
| 100+ | 21.45 грн |
| 500+ | 15.91 грн |
| 1000+ | 14.27 грн |
| 3000+ | 12.32 грн |
| 6000+ | 11.35 грн |
| DMN3033LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.94 грн |
| 9+ | 34.67 грн |
| 11+ | 28.92 грн |
| 100+ | 17.37 грн |
| 500+ | 12.81 грн |
| 1000+ | 12.03 грн |
| DMN3042L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 0.72W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 26+ | 11.89 грн |
| 30+ | 9.70 грн |
| 50+ | 6.50 грн |
| 100+ | 5.92 грн |
| DMN3053L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3053L-7 SMD N channel transistors
DMN3053L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.46 грн |
| 111+ | 10.38 грн |
| 304+ | 9.80 грн |
| 9000+ | 9.78 грн |
| DMN3065LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 0.77W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 0.77W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.49 грн |
| 14+ | 22.07 грн |
| 50+ | 14.85 грн |
| 100+ | 12.71 грн |
| 500+ | 9.12 грн |
| 1000+ | 8.05 грн |
| 1500+ | 7.47 грн |
| DMN3067LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 17+ | 18.84 грн |
| 50+ | 12.91 грн |
| 100+ | 11.16 грн |
| 500+ | 8.15 грн |
| 1000+ | 7.28 грн |
| 1500+ | 6.79 грн |
| DMN3150L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3150L-7 SMD N channel transistors
DMN3150L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.70 грн |
| 162+ | 7.08 грн |
| 444+ | 6.70 грн |
| DMN3190LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.63 грн |
| 28+ | 11.09 грн |
| 31+ | 9.41 грн |
| 50+ | 6.75 грн |
| 100+ | 5.99 грн |
| 500+ | 5.53 грн |
| DMN3200U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3200U-7 SMD N channel transistors
DMN3200U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.05 грн |
| 109+ | 10.58 грн |
| 299+ | 10.00 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.31 грн |
| 15+ | 21.36 грн |
| 50+ | 14.01 грн |
| 100+ | 11.79 грн |
| 500+ | 8.15 грн |
| 1000+ | 7.08 грн |
| 3000+ | 5.85 грн |
| DMN3404L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3404L-7 SMD N channel transistors
DMN3404L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 8049 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.06 грн |
| 253+ | 4.53 грн |
| 695+ | 4.29 грн |
| DMN3730U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3730U-7 SMD N channel transistors
DMN3730U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.55 грн |
| 141+ | 8.15 грн |
| 386+ | 7.67 грн |
| 6000+ | 7.66 грн |
| DMN53D0L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.72 грн |
| 23+ | 13.50 грн |
| 26+ | 11.35 грн |
| 33+ | 8.89 грн |
| 100+ | 5.87 грн |
| 500+ | 3.94 грн |
| 1000+ | 3.83 грн |
| DMN53D0LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN53D0LDW-7 Multi channel transistors
DMN53D0LDW-7 Multi channel transistors
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.88 грн |
| 250+ | 4.58 грн |
| 687+ | 4.34 грн |
| 3000+ | 4.32 грн |
| DMN53D0LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 21+ | 14.51 грн |
| 50+ | 10.00 грн |
| 100+ | 8.63 грн |
| 500+ | 6.04 грн |
| 1000+ | 5.16 грн |
| 1500+ | 4.71 грн |
| DMN601K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.32 грн |
| 84+ | 3.63 грн |
| 110+ | 2.67 грн |
| 500+ | 2.45 грн |
| 3000+ | 2.34 грн |
| DMN6040SFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors
DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.91 грн |
| 64+ | 17.86 грн |
| 176+ | 16.98 грн |
| DMN6040SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors
DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.18 грн |
| 58+ | 19.89 грн |
| 159+ | 18.83 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.12 грн |
| 8+ | 39.10 грн |
| 10+ | 32.80 грн |
| 50+ | 22.61 грн |
| 100+ | 19.70 грн |
| 500+ | 16.89 грн |
| DMN6040SSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.48 грн |
| 75+ | 15.24 грн |
| 207+ | 14.46 грн |
| 500+ | 14.41 грн |
| DMN6040SVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 5A
Gate charge: 22.4nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 5A
Gate charge: 22.4nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.21 грн |
| 10+ | 40.31 грн |
| 30+ | 31.25 грн |
| 100+ | 23.68 грн |
| 250+ | 19.51 грн |
| 500+ | 17.08 грн |
| 1000+ | 15.24 грн |
| DMN6068SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.25 грн |
| 10+ | 36.68 грн |
| 50+ | 27.17 грн |
| 100+ | 24.36 грн |
| 250+ | 21.06 грн |
| 500+ | 18.92 грн |
| 1000+ | 17.18 грн |
| DMN6070SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.12 грн |
| 8+ | 40.51 грн |
| 10+ | 35.13 грн |
| 100+ | 22.61 грн |
| 500+ | 16.69 грн |
| 1000+ | 15.82 грн |
| DMN6075S-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 22+ | 13.91 грн |
| 26+ | 11.45 грн |
| 50+ | 7.76 грн |
| 100+ | 6.70 грн |
| 500+ | 6.02 грн |
| DMN6140L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 28+ | 10.88 грн |
| 50+ | 7.61 грн |
| 100+ | 6.66 грн |
| 500+ | 5.22 грн |
| DMN6140L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.72 грн |
| 31+ | 9.78 грн |
| 50+ | 7.86 грн |
| 100+ | 7.38 грн |
| 250+ | 6.70 грн |
| 500+ | 6.11 грн |
| 1000+ | 5.73 грн |
| DMN6140LQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.26 грн |
| 14+ | 22.88 грн |
| 100+ | 14.17 грн |
| 500+ | 10.38 грн |
| 1000+ | 9.22 грн |
| 2000+ | 8.15 грн |
| 2500+ | 7.96 грн |
| DMN6140LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.44 грн |
| 12+ | 26.60 грн |
| 14+ | 22.03 грн |
| 50+ | 13.78 грн |
| 100+ | 11.26 грн |
| 500+ | 8.15 грн |
| 1000+ | 7.57 грн |


















