Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73659) > Сторінка 1166 з 1228
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG1023UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.68A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1024UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD Version: ESD Drain current: 0.89A Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT563 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.45Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1026UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.58W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 823 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1029SV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A Power dissipation: 0.66W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7/4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG2302UK-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG2302UK-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2719 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG2305UX-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.3A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2493 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG2307L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 0.134Ω Power dissipation: 0.76W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMG2307LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23 Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -3.6A Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 0.134Ω Power dissipation: 1.9W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMG301NU-13 | DIODES INCORPORATED |
DMG301NU-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG301NU-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG301NU-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG3402L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 344 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG3404L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG3404L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 296 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG3406L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG3406L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 326 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG3414U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG3415UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A On-state resistance: 71mΩ Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG3420UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG4511SK4-13 | DIODES INCORPORATED |
DMG4511SK4-13 Multi channel transistors |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG4800LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.4A On-state resistance: 22mΩ Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG6402LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: TSOT26 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 42mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG6601LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2A Power dissipation: 0.54W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.065/0.142Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 638 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG6602SVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.8/-3.4A Power dissipation: 1.112W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.06/0.095Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 923 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG6602SVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: TSOT26 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.06/0.095Ω Power dissipation: 0.84W Drain current: 2.7/-2.4A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25...-20A Drain-source voltage: 30/-30V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG6968U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG6968U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG6968UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG6968UDM-7 Multi channel transistors |
на замовлення 2221 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG7430LFG-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: PowerDI®3333-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 15mΩ Power dissipation: 0.9W Drain current: 9.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG9933USD-13 | DIODES INCORPORATED |
DMG9933USD-13 SMD P channel transistors |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMHC3025LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
DMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMMT3904W-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363 Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Type of transistor: NPN x2 Case: SOT363 Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMMT5401-7-F | DIODES INCORPORATED |
DMMT5401-7-F PNP SMD transistors |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMMT5551-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT26 Current gain: 50...250 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN1004UFV-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 816 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN1025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Gate charge: 23.1nC On-state resistance: 38mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 5.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Pulsed drain current: 35A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN10H120SE-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN10H220L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN10H220LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 7.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1216 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN10H220LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN2004K-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN2005LPK-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2020LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2028USS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2040LTS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2044UCB4-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W Mounting: SMD Case: U-WLB1010-4 Gate charge: 47nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.18W Drain current: 3.6A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 16A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DMN2046U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2046U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2056U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2056U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1927 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN2058U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN2058U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 319 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN2230U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 0.23Ω Power dissipation: 0.6W Drain current: 2A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN2230UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 0.11Ω Power dissipation: 0.6W Drain current: 2A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN2400UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.84A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN24H11DS-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN3009SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 3.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3016LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 80A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25.1nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3018SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.2A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3023L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3023L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 3417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN3024LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN3024LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3024SFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Gate charge: 10.5nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: PowerDI3333-8 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2038 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3032LE-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 921 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3033LDM-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3033LDM-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN3033LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN3042L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3042L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 3868 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| DMG1023UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 10+ | 30.86 грн |
| 12+ | 25.49 грн |
| 100+ | 14.56 грн |
| 500+ | 10.23 грн |
| 1000+ | 9.05 грн |
| 3000+ | 7.58 грн |
| DMG1024UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.03 грн |
| 13+ | 25.04 грн |
| 50+ | 14.27 грн |
| 100+ | 11.51 грн |
| 500+ | 8.36 грн |
| DMG1026UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 12+ | 26.98 грн |
| 50+ | 18.30 грн |
| 100+ | 15.65 грн |
| 500+ | 11.32 грн |
| 1000+ | 9.94 грн |
| 3000+ | 8.27 грн |
| DMG1029SV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.55 грн |
| 17+ | 18.60 грн |
| 50+ | 13.68 грн |
| 100+ | 12.20 грн |
| 500+ | 9.64 грн |
| 1000+ | 9.25 грн |
| DMG2302UK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UK-7 SMD N channel transistors
DMG2302UK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.64 грн |
| 247+ | 4.73 грн |
| 679+ | 4.48 грн |
| DMG2305UX-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.60 грн |
| 38+ | 8.07 грн |
| 50+ | 6.28 грн |
| 100+ | 5.68 грн |
| 500+ | 4.57 грн |
| 1000+ | 4.17 грн |
| 2500+ | 4.06 грн |
| DMG2307L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMG2307LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMG301NU-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.93 грн |
| 108+ | 10.82 грн |
| 297+ | 10.23 грн |
| DMG301NU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.14 грн |
| 147+ | 7.97 грн |
| 402+ | 7.58 грн |
| DMG3402L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.26 грн |
| 18+ | 17.17 грн |
| 20+ | 14.76 грн |
| 50+ | 10.92 грн |
| 100+ | 9.74 грн |
| 500+ | 7.87 грн |
| 1000+ | 7.68 грн |
| DMG3404L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3404L-7 SMD N channel transistors
DMG3404L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.42 грн |
| 149+ | 7.87 грн |
| 411+ | 7.38 грн |
| DMG3406L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3406L-7 SMD N channel transistors
DMG3406L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.54 грн |
| 222+ | 5.27 грн |
| 609+ | 4.99 грн |
| DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 11+ | 29.33 грн |
| 25+ | 21.94 грн |
| 100+ | 15.06 грн |
| 150+ | 13.88 грн |
| 500+ | 11.51 грн |
| 750+ | 11.12 грн |
| DMG3415UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 71mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 71mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.57 грн |
| 9+ | 36.18 грн |
| 10+ | 30.70 грн |
| 100+ | 19.19 грн |
| 500+ | 14.07 грн |
| 1000+ | 12.40 грн |
| 3000+ | 10.43 грн |
| DMG3420UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.28 грн |
| 161+ | 7.28 грн |
| 441+ | 6.89 грн |
| DMG4511SK4-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4511SK4-13 Multi channel transistors
DMG4511SK4-13 Multi channel transistors
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.74 грн |
| 37+ | 31.69 грн |
| 102+ | 29.92 грн |
| DMG4800LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.65 грн |
| 10+ | 44.35 грн |
| 50+ | 29.33 грн |
| 100+ | 25.00 грн |
| 500+ | 18.11 грн |
| 1000+ | 16.14 грн |
| 2500+ | 14.17 грн |
| DMG6402LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 12+ | 25.75 грн |
| 14+ | 21.16 грн |
| 25+ | 15.75 грн |
| 100+ | 9.64 грн |
| 500+ | 6.30 грн |
| DMG6601LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 13+ | 25.14 грн |
| 15+ | 20.96 грн |
| 50+ | 13.68 грн |
| 100+ | 11.42 грн |
| 500+ | 7.87 грн |
| 1000+ | 6.89 грн |
| DMG6602SVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 15+ | 20.85 грн |
| 50+ | 12.89 грн |
| 100+ | 10.63 грн |
| 500+ | 7.18 грн |
| 1000+ | 6.49 грн |
| DMG6602SVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 0.84W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Power dissipation: 0.84W
Drain current: 2.7/-2.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25...-20A
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.03 грн |
| 14+ | 22.69 грн |
| 50+ | 15.55 грн |
| 100+ | 13.48 грн |
| 500+ | 9.74 грн |
| 1000+ | 8.56 грн |
| 1500+ | 7.97 грн |
| DMG6968U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.27 грн |
| 167+ | 6.99 грн |
| 457+ | 6.69 грн |
| DMG6968UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6968UDM-7 Multi channel transistors
DMG6968UDM-7 Multi channel transistors
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.90 грн |
| 78+ | 15.06 грн |
| 214+ | 14.17 грн |
| DMG7430LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.2A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 9.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.37 грн |
| 16+ | 19.21 грн |
| 19+ | 16.24 грн |
| 25+ | 13.28 грн |
| 100+ | 11.32 грн |
| DMG9933USD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG9933USD-13 SMD P channel transistors
DMG9933USD-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.86 грн |
| 92+ | 12.69 грн |
| 253+ | 12.01 грн |
| DMHC3025LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors
DMHC3025LSD-13 SMD N channel transistors
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.18 грн |
| 34+ | 35.13 грн |
| 92+ | 33.26 грн |
| DMMT3904W-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.55 грн |
| 16+ | 19.83 грн |
| 50+ | 13.19 грн |
| 100+ | 11.12 грн |
| 500+ | 7.77 грн |
| 1000+ | 6.89 грн |
| DMMT5401-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMMT5401-7-F PNP SMD transistors
DMMT5401-7-F PNP SMD transistors
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.26 грн |
| 138+ | 8.46 грн |
| 377+ | 8.07 грн |
| DMMT5551-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 13+ | 23.91 грн |
| 50+ | 15.84 грн |
| 100+ | 13.38 грн |
| 500+ | 9.45 грн |
| 1000+ | 8.27 грн |
| 1500+ | 7.77 грн |
| DMN1004UFV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors
DMN1004UFV-7 SMD N channel transistors
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.91 грн |
| 57+ | 20.57 грн |
| 157+ | 19.39 грн |
| DMN1025UFDB-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.20 грн |
| 19+ | 16.56 грн |
| 50+ | 13.19 грн |
| 100+ | 11.91 грн |
| 500+ | 8.96 грн |
| 1000+ | 8.66 грн |
| DMN10H120SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.22 грн |
| 62+ | 18.89 грн |
| 170+ | 17.91 грн |
| DMN10H220L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.49 грн |
| 15+ | 21.15 грн |
| 50+ | 17.52 грн |
| 100+ | 16.24 грн |
| 500+ | 13.38 грн |
| 1000+ | 12.20 грн |
| 1500+ | 11.42 грн |
| DMN10H220LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.05 грн |
| 10+ | 37.30 грн |
| 100+ | 20.47 грн |
| 500+ | 14.56 грн |
| 1000+ | 13.09 грн |
| DMN10H220LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 14+ | 23.30 грн |
| 16+ | 19.29 грн |
| 100+ | 10.33 грн |
| 500+ | 7.09 грн |
| 1000+ | 6.69 грн |
| DMN2004K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 13+ | 23.91 грн |
| 20+ | 14.76 грн |
| 50+ | 11.77 грн |
| 100+ | 7.77 грн |
| 3000+ | 6.58 грн |
| 6000+ | 5.86 грн |
| DMN2005LPK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 218+ | 5.41 грн |
| 600+ | 5.12 грн |
| DMN2020LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.54 грн |
| 131+ | 8.96 грн |
| 361+ | 8.46 грн |
| DMN2028USS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.21 грн |
| 60+ | 19.68 грн |
| 164+ | 18.60 грн |
| DMN2040LTS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors
DMN2040LTS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.90 грн |
| 76+ | 15.45 грн |
| 208+ | 14.56 грн |
| DMN2044UCB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.18W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 16A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W
Mounting: SMD
Case: U-WLB1010-4
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.18W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 16A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMN2046U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2046U-7 SMD N channel transistors
DMN2046U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.20 грн |
| 249+ | 4.70 грн |
| 684+ | 4.44 грн |
| DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2056U-7 SMD N channel transistors
DMN2056U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.68 грн |
| 268+ | 4.37 грн |
| 735+ | 4.13 грн |
| DMN2058U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2058U-7 SMD N channel transistors
DMN2058U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.24 грн |
| 163+ | 7.18 грн |
| 449+ | 6.79 грн |
| DMN2230U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.23Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 15.26 грн |
| 30+ | 11.85 грн |
| 100+ | 10.14 грн |
| 500+ | 9.55 грн |
| DMN2230UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.6W
Drain current: 2A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 11+ | 29.74 грн |
| 50+ | 19.98 грн |
| 100+ | 17.02 грн |
| 500+ | 12.01 грн |
| 1000+ | 10.53 грн |
| 3000+ | 9.25 грн |
| DMN2400UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.03 грн |
| 13+ | 23.81 грн |
| 50+ | 15.84 грн |
| 100+ | 13.48 грн |
| 500+ | 9.64 грн |
| 1000+ | 8.36 грн |
| 3000+ | 6.99 грн |
| DMN24H11DS-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.32 грн |
| 94+ | 12.40 грн |
| 259+ | 11.71 грн |
| DMN3009SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.65 грн |
| 10+ | 39.14 грн |
| 100+ | 25.78 грн |
| 500+ | 20.17 грн |
| 1000+ | 19.98 грн |
| DMN3016LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.81 грн |
| 10+ | 36.38 грн |
| 100+ | 22.93 грн |
| 250+ | 19.39 грн |
| 500+ | 17.22 грн |
| 1000+ | 15.55 грн |
| DMN3018SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.87 грн |
| 10+ | 36.18 грн |
| 100+ | 23.03 грн |
| 500+ | 17.71 грн |
| 1000+ | 16.83 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3023L-7 SMD N channel transistors
DMN3023L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.66 грн |
| 131+ | 8.96 грн |
| 361+ | 8.46 грн |
| DMN3024LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.46 грн |
| 66+ | 17.71 грн |
| 182+ | 16.73 грн |
| DMN3024LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.06 грн |
| 10+ | 43.33 грн |
| 100+ | 23.32 грн |
| 250+ | 19.68 грн |
| DMN3024SFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 11+ | 29.53 грн |
| 100+ | 22.04 грн |
| 500+ | 18.21 грн |
| 1000+ | 17.02 грн |
| 3000+ | 15.45 грн |
| 15000+ | 15.25 грн |
| DMN3032LE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 921 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.29 грн |
| 10+ | 41.80 грн |
| 100+ | 27.06 грн |
| 250+ | 23.13 грн |
| 500+ | 20.67 грн |
| 600+ | 20.08 грн |
| 1000+ | 18.40 грн |
| DMN3033LDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3033LDM-7 SMD N channel transistors
DMN3033LDM-7 SMD N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.41 грн |
| 109+ | 10.73 грн |
| 300+ | 10.14 грн |
| DMN3033LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors
DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.40 грн |
| 88+ | 13.38 грн |
| 240+ | 12.69 грн |
| DMN3042L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3042L-7 SMD N channel transistors
DMN3042L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.18 грн |
| 169+ | 6.89 грн |
| 466+ | 6.49 грн |













