Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74598) > Сторінка 1165 з 1244
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFLT15A-7 | DIODES INCORPORATED |
DFLT15A-7 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DFLT27A-7 | DIODES INCORPORATED |
DFLT27A-7 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DFLT30A-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 225W; 33.3÷36.8V; 4.65A; unidirectional; PowerDI®123 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: TVS Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 1µA Max. forward impulse current: 4.65A Max. off-state voltage: 30V Breakdown voltage: 33.3...36.8V Peak pulse power dissipation: 225W Case: PowerDI®123 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DFLU1200-7 | DIODES INCORPORATED |
DFLU1200-7 SMD universal diodes |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DFLU1400-7 | DIODES INCORPORATED |
DFLU1400-7 SMD universal diodes |
на замовлення 965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DFLZ16-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 1W; 16V; SMD; reel,tape; PowerDI®123; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 1W Zener voltage: 16V Kind of package: reel; tape Case: PowerDI®123 Mounting: SMD Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DFLZ24-7 | DIODES INCORPORATED |
DFLZ24-7 SMD Zener diodes |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DFLZ5V1-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 1W; 5.1V; SMD; reel,tape; PowerDI®123; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 1W Zener voltage: 5.1V Kind of package: reel; tape Case: PowerDI®123 Mounting: SMD Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 313 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DFLZ6V2-7 | DIODES INCORPORATED |
DFLZ6V2-7 SMD Zener diodes |
на замовлення 2924 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DGD2104MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver Case: SO8 Output current: -600...290mA Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 10...20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DGTD65T15H2TF | DIODES INCORPORATED |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 15A Power dissipation: 24W Case: ITO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Turn-on time: 46ns Turn-off time: 280ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DLD101Q-7 | DIODES INCORPORATED | DLD101Q-7 LED drivers |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DLP05LC-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 300W; 6V; 17A; unidirectional; SOT23; reel,tape; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.3kW Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 17A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Leakage current: 20µA Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC2004DWK-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Kind of transistor: complementary pair Case: SOT363 Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Drain current: 0.43/-0.54A On-state resistance: 0.55/0.9Ω Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMC2020USD-13 | DIODES INCORPORATED |
DMC2020USD-13 Multi channel transistors |
на замовлення 436 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMC2038LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Power dissipation: 1.1W Case: TSOT26 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.1/-4.5A On-state resistance: 0.035/0.074Ω Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC2038LVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3/-2.1A Power dissipation: 0.5W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.056/0.168Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC2400UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Power dissipation: 0.45W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.8/-0.55A On-state resistance: 0.5/1Ω Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC2450UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1.3/-0.7A Power dissipation: 1W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1/0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC2700UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1.14/-1.34A Power dissipation: 1.12W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2058 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMC3016LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
DMC3016LSD-13 Multi channel transistors |
на замовлення 567 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMC3021LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.5A On-state resistance: 0.021/0.039Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2506 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC3025LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 5.5/-8.5A On-state resistance: 0.02/0.045Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC3028LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7.4/-7.1A On-state resistance: 0.028/0.025Ω Power dissipation: 2.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMC3032LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
DMC3032LSD-13 Multi channel transistors |
на замовлення 2201 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | DIODES INCORPORATED |
DMC3400SDW-7 Multi channel transistors |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMC4015SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 9.5/-12.2A Power dissipation: 1.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.015/0.029Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Kind of transistor: complementary pair Case: TO252-4 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.032/0.055Ω Power dissipation: 1.6W Drain current: 6.7/-4.9A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40/-40V Kind of package: 13 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMC4040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.04/0.045Ω Power dissipation: 1.8W Drain current: 7.3/-7.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40/-40V Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 609 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC4050SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 45/45mΩ Power dissipation: 1.8W Drain current: 5.8/-5.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40/-40V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMC6040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 5.1/-3.9A Power dissipation: 1.56W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40/110mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012T-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.28W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 701 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1012TQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.28W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4494 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG1012UW-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG1012UW-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 3013 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG1012UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG1012UWQ-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG1013T-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD Version: ESD Drain current: -0.33A Power dissipation: 0.27W On-state resistance: 0.7Ω Kind of package: 7 inch reel; tape Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT523 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1013UW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Version: ESD Drain current: -540mA Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Kind of package: 7 inch reel; tape Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9732 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1013UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Version: ESD Drain current: -540mA Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Kind of package: 7 inch reel; tape Gate-source voltage: ±6V Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1016UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.45/0.75Ω Power dissipation: 0.53W Drain current: 0.85/-1.07A Gate-source voltage: ±6V Case: SOT363 Drain-source voltage: 20/-20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1033 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1023UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.68A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1024UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.89A On-state resistance: 0.45Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1026UV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.58W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 823 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG1029SV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A Power dissipation: 0.66W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7/4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
DMG2302UK-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 0.66W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG2307L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 0.134Ω Power dissipation: 0.76W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DMG2307LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23 Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -3.6A Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 0.134Ω Power dissipation: 1.9W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMG301NU-13 | DIODES INCORPORATED |
DMG301NU-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMG301NU-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG301NU-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG3402L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 344 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG3404L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.8A On-state resistance: 35mΩ Power dissipation: 1.33W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 313 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG3406L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2876 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG3414U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG3415UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A On-state resistance: 71mΩ Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 711 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG3420UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMG4511SK4-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 35/-35V Drain current: 7.8/-8.6A Power dissipation: 1.54W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.035/0.045Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG4800LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.4A On-state resistance: 22mΩ Gate-source voltage: ±25V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG6402LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: TSOT26 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 42mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG6601LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Power dissipation: 0.54W Case: TSOT26 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2A On-state resistance: 0.065/0.142Ω Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 638 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG6602SVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.8/-3.4A Power dissipation: 1.112W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.06/0.095Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 983 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| DFLT15A-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DFLT15A-7 Unidirectional TVS SMD diodes
DFLT15A-7 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.56 грн |
| 112+ | 10.29 грн |
| 307+ | 9.70 грн |
| DFLT27A-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DFLT27A-7 Unidirectional TVS SMD diodes
DFLT27A-7 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.10 грн |
| 110+ | 10.48 грн |
| 301+ | 9.90 грн |
| 6000+ | 9.88 грн |
| DFLT30A-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 225W; 33.3÷36.8V; 4.65A; unidirectional; PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 4.65A
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Peak pulse power dissipation: 225W
Case: PowerDI®123
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 225W; 33.3÷36.8V; 4.65A; unidirectional; PowerDI®123
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 4.65A
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...36.8V
Peak pulse power dissipation: 225W
Case: PowerDI®123
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.61 грн |
| 15+ | 20.86 грн |
| 100+ | 13.39 грн |
| 500+ | 9.70 грн |
| 900+ | 9.51 грн |
| DFLU1200-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DFLU1200-7 SMD universal diodes
DFLU1200-7 SMD universal diodes
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.89 грн |
| 117+ | 9.80 грн |
| 320+ | 9.32 грн |
| 3000+ | 9.27 грн |
| DFLU1400-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DFLU1400-7 SMD universal diodes
DFLU1400-7 SMD universal diodes
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.77 грн |
| 97+ | 11.84 грн |
| 266+ | 11.26 грн |
| DFLZ16-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 16V; SMD; reel,tape; PowerDI®123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 16V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 16V; SMD; reel,tape; PowerDI®123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 16V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.86 грн |
| 23+ | 13.40 грн |
| 100+ | 9.41 грн |
| 500+ | 8.25 грн |
| 1000+ | 7.96 грн |
| DFLZ24-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DFLZ24-7 SMD Zener diodes
DFLZ24-7 SMD Zener diodes
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.86 грн |
| 134+ | 8.54 грн |
| 368+ | 8.15 грн |
| DFLZ5V1-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 5.1V; SMD; reel,tape; PowerDI®123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 5.1V; SMD; reel,tape; PowerDI®123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®123
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.63 грн |
| 29+ | 10.58 грн |
| 100+ | 9.32 грн |
| 500+ | 8.73 грн |
| 3000+ | 8.05 грн |
| 9000+ | 7.76 грн |
| DFLZ6V2-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DFLZ6V2-7 SMD Zener diodes
DFLZ6V2-7 SMD Zener diodes
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.80 грн |
| 121+ | 9.51 грн |
| 333+ | 8.93 грн |
| DGD2104MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.35 грн |
| 10+ | 79.61 грн |
| 50+ | 65.02 грн |
| DGTD65T15H2TF |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 24W
Case: ITO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 280ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 24W
Case: ITO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 46ns
Turn-off time: 280ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.73 грн |
| 10+ | 136.04 грн |
| 25+ | 112.57 грн |
| 100+ | 90.25 грн |
| 250+ | 79.57 грн |
| DLD101Q-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DLD101Q-7 LED drivers
DLD101Q-7 LED drivers
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.05 грн |
| 49+ | 23.43 грн |
| 135+ | 22.15 грн |
| DLP05LC-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 6V; 17A; unidirectional; SOT23; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 17A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20µA
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 6V; 17A; unidirectional; SOT23; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 17A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20µA
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.31 грн |
| 13+ | 23.58 грн |
| 15+ | 19.60 грн |
| 50+ | 13.78 грн |
| 100+ | 12.03 грн |
| 121+ | 9.51 грн |
| 331+ | 8.93 грн |
| DMC2004DWK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Drain current: 0.43/-0.54A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Drain current: 0.43/-0.54A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.80 грн |
| 11+ | 28.72 грн |
| 25+ | 21.74 грн |
| 80+ | 14.46 грн |
| 218+ | 13.68 грн |
| 500+ | 13.20 грн |
| DMC2020USD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2020USD-13 Multi channel transistors
DMC2020USD-13 Multi channel transistors
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.31 грн |
| 42+ | 27.46 грн |
| 115+ | 26.01 грн |
| DMC2038LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-4.5A
On-state resistance: 0.035/0.074Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-4.5A
On-state resistance: 0.035/0.074Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 18+ | 16.93 грн |
| 19+ | 15.33 грн |
| 50+ | 11.16 грн |
| 100+ | 9.41 грн |
| 500+ | 6.79 грн |
| 1000+ | 6.70 грн |
| DMC2038LVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.056/0.168Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.056/0.168Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.94 грн |
| 9+ | 35.67 грн |
| 10+ | 29.99 грн |
| 100+ | 16.98 грн |
| 500+ | 11.94 грн |
| 1000+ | 10.97 грн |
| DMC2400UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.8/-0.55A
On-state resistance: 0.5/1Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.8/-0.55A
On-state resistance: 0.5/1Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.90 грн |
| 17+ | 18.34 грн |
| 18+ | 16.21 грн |
| 100+ | 10.03 грн |
| 500+ | 6.88 грн |
| 1000+ | 5.95 грн |
| 3000+ | 4.88 грн |
| DMC2450UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.3/-0.7A
Power dissipation: 1W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1/0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.3/-0.7A
Power dissipation: 1W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1/0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.49 грн |
| 12+ | 26.60 грн |
| 14+ | 22.13 грн |
| 100+ | 13.20 грн |
| 500+ | 9.41 грн |
| 1000+ | 8.25 грн |
| 3000+ | 6.89 грн |
| DMC2700UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.14/-1.34A
Power dissipation: 1.12W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.14/-1.34A
Power dissipation: 1.12W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 35+ | 8.67 грн |
| 38+ | 7.76 грн |
| 100+ | 6.40 грн |
| 500+ | 5.43 грн |
| 1000+ | 5.24 грн |
| DMC3016LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3016LSD-13 Multi channel transistors
DMC3016LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.48 грн |
| 66+ | 17.37 грн |
| 182+ | 16.40 грн |
| DMC3021LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.70 грн |
| 10+ | 44.14 грн |
| 25+ | 34.74 грн |
| 50+ | 29.50 грн |
| 100+ | 25.33 грн |
| 500+ | 18.15 грн |
| 1000+ | 16.40 грн |
| DMC3025LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.39 грн |
| 10+ | 38.09 грн |
| 100+ | 21.15 грн |
| 500+ | 15.14 грн |
| 1000+ | 13.39 грн |
| 2500+ | 12.71 грн |
| DMC3028LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.4/-7.1A
On-state resistance: 0.028/0.025Ω
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.4/-7.1A
On-state resistance: 0.028/0.025Ω
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.43 грн |
| 10+ | 38.60 грн |
| 100+ | 24.07 грн |
| 500+ | 18.24 грн |
| 1000+ | 17.08 грн |
| DMC3032LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3032LSD-13 Multi channel transistors
DMC3032LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.70 грн |
| 76+ | 15.24 грн |
| 208+ | 14.36 грн |
| DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3400SDW-7 Multi channel transistors
DMC3400SDW-7 Multi channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.20 грн |
| 207+ | 5.56 грн |
| 567+ | 5.25 грн |
| 9000+ | 5.24 грн |
| DMC4015SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 9.5/-12.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.015/0.029Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 9.5/-12.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.015/0.029Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.19 грн |
| 10+ | 47.67 грн |
| 100+ | 38.23 грн |
| DMC4029SK4-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Case: TO252-4
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.032/0.055Ω
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.7/-4.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Case: TO252-4
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.032/0.055Ω
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.7/-4.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.43 грн |
| 10+ | 43.94 грн |
| 50+ | 32.41 грн |
| 100+ | 28.82 грн |
| 500+ | 22.32 грн |
| 1000+ | 20.28 грн |
| DMC4040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.04/0.045Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 7.3/-7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.04/0.045Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 7.3/-7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.24 грн |
| 10+ | 55.02 грн |
| 100+ | 29.40 грн |
| DMC4050SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45/45mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 5.8/-5.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45/45mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 5.8/-5.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.38 грн |
| 10+ | 47.06 грн |
| 100+ | 25.72 грн |
| 250+ | 24.26 грн |
| DMC6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/110mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40/110mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.88 грн |
| 10+ | 44.94 грн |
| 50+ | 33.58 грн |
| 100+ | 29.99 грн |
| 500+ | 22.61 грн |
| 1000+ | 21.35 грн |
| DMG1012T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 701 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.59 грн |
| 26+ | 11.89 грн |
| 28+ | 10.67 грн |
| 100+ | 7.82 грн |
| 500+ | 6.09 грн |
| 1000+ | 5.47 грн |
| 3000+ | 4.62 грн |
| DMG1012TQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.36 грн |
| 45+ | 6.85 грн |
| 56+ | 5.24 грн |
| 100+ | 4.65 грн |
| 500+ | 3.56 грн |
| 1500+ | 3.10 грн |
| 3000+ | 3.05 грн |
| DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1012UW-7 SMD N channel transistors
DMG1012UW-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.09 грн |
| 358+ | 3.20 грн |
| 983+ | 3.03 грн |
| DMG1012UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1012UWQ-7 SMD N channel transistors
DMG1012UWQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.78 грн |
| 241+ | 4.76 грн |
| 661+ | 4.50 грн |
| DMG1013T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Version: ESD
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Version: ESD
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.68 грн |
| 33+ | 9.27 грн |
| 43+ | 6.79 грн |
| 73+ | 4.04 грн |
| 100+ | 3.53 грн |
| 3000+ | 2.95 грн |
| DMG1013UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 26+ | 11.69 грн |
| 50+ | 7.71 грн |
| 100+ | 6.58 грн |
| 500+ | 4.74 грн |
| 1000+ | 4.18 грн |
| 3000+ | 3.51 грн |
| DMG1013UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±6V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.81 грн |
| 22+ | 13.81 грн |
| 50+ | 9.49 грн |
| 100+ | 8.15 грн |
| 500+ | 5.89 грн |
| 1000+ | 5.21 грн |
| 1500+ | 4.87 грн |
| DMG1016UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Power dissipation: 0.53W
Drain current: 0.85/-1.07A
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Power dissipation: 0.53W
Drain current: 0.85/-1.07A
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.22 грн |
| 17+ | 18.64 грн |
| 50+ | 12.89 грн |
| 100+ | 11.06 грн |
| 500+ | 7.57 грн |
| 1000+ | 6.33 грн |
| 1500+ | 5.67 грн |
| DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.53 грн |
| 14+ | 22.88 грн |
| 50+ | 13.68 грн |
| 100+ | 11.26 грн |
| 500+ | 7.67 грн |
| 1000+ | 7.18 грн |
| DMG1023UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.76 грн |
| 10+ | 30.43 грн |
| 12+ | 25.13 грн |
| 100+ | 14.36 грн |
| 500+ | 10.09 грн |
| 1000+ | 8.93 грн |
| 3000+ | 7.47 грн |
| DMG1024UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.53 грн |
| 13+ | 24.69 грн |
| 50+ | 14.07 грн |
| 100+ | 11.35 грн |
| 500+ | 8.25 грн |
| DMG1026UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.76 грн |
| 12+ | 26.60 грн |
| 50+ | 18.05 грн |
| 100+ | 15.43 грн |
| 500+ | 11.16 грн |
| 1000+ | 9.80 грн |
| 3000+ | 8.15 грн |
| DMG1029SV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 17+ | 18.34 грн |
| 50+ | 13.49 грн |
| 100+ | 12.03 грн |
| 500+ | 9.51 грн |
| 1000+ | 9.12 грн |
| DMG2302UK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.72 грн |
| 28+ | 10.98 грн |
| 50+ | 7.34 грн |
| 100+ | 6.29 грн |
| 500+ | 4.66 грн |
| 1000+ | 4.25 грн |
| DMG2307L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMG2307LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMG301NU-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.75 грн |
| 108+ | 10.58 грн |
| 297+ | 10.00 грн |
| DMG301NU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.64 грн |
| 146+ | 7.86 грн |
| 400+ | 7.47 грн |
| DMG3402L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 18+ | 16.93 грн |
| 20+ | 14.56 грн |
| 50+ | 10.77 грн |
| 100+ | 9.61 грн |
| 500+ | 7.76 грн |
| 1000+ | 7.57 грн |
| DMG3404L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.49 грн |
| 14+ | 22.27 грн |
| 25+ | 17.37 грн |
| 100+ | 12.52 грн |
| 500+ | 8.93 грн |
| 1000+ | 7.96 грн |
| 3000+ | 7.08 грн |
| DMG3406L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.17 грн |
| 18+ | 17.13 грн |
| 50+ | 10.56 грн |
| 100+ | 8.79 грн |
| 500+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 5.52 грн |
| 1500+ | 5.21 грн |
| DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.80 грн |
| 11+ | 28.92 грн |
| 25+ | 21.64 грн |
| 100+ | 14.85 грн |
| 150+ | 13.68 грн |
| 500+ | 11.35 грн |
| 750+ | 10.97 грн |
| DMG3415UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 71mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 71mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.94 грн |
| 9+ | 35.67 грн |
| 10+ | 30.28 грн |
| 100+ | 18.92 грн |
| 500+ | 13.88 грн |
| 1000+ | 12.23 грн |
| 3000+ | 10.29 грн |
| DMG3420UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.81 грн |
| 159+ | 7.18 грн |
| 437+ | 6.79 грн |
| DMG4511SK4-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.10 грн |
| 10+ | 57.44 грн |
| 37+ | 31.05 грн |
| 102+ | 29.31 грн |
| 500+ | 28.53 грн |
| 1000+ | 28.24 грн |
| DMG4800LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.75 грн |
| 10+ | 43.74 грн |
| 50+ | 28.92 грн |
| 100+ | 24.65 грн |
| 500+ | 17.86 грн |
| 1000+ | 15.91 грн |
| 2500+ | 13.97 грн |
| DMG6402LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 12+ | 25.39 грн |
| 14+ | 20.86 грн |
| 25+ | 15.53 грн |
| 100+ | 9.51 грн |
| 500+ | 6.21 грн |
| DMG6601LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 13+ | 24.79 грн |
| 15+ | 20.67 грн |
| 50+ | 13.49 грн |
| 100+ | 11.26 грн |
| 500+ | 7.76 грн |
| 1000+ | 6.79 грн |
| DMG6602SVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.31 грн |
| 15+ | 20.56 грн |
| 50+ | 12.71 грн |
| 100+ | 10.48 грн |
| 500+ | 7.08 грн |
| 1000+ | 6.40 грн |














