Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74587) > Сторінка 1160 з 1244
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMG1012UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 6A Drain current: 0.75A Gate charge: 1nC Power dissipation: 0.61W On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT523 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Pulsed drain current: -6A Drain current: -0.33A Power dissipation: 0.27W On-state resistance: 0.7Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1013UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10886 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1013UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA Power dissipation: 0.31W On-state resistance: 1.5Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT363 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.45/0.75Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1193 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SOT563 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.4/0.7Ω Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1023UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: P-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SOT563 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.68A On-state resistance: 25Ω Power dissipation: 0.53W Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 857 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1024UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD Version: ESD Drain current: 0.89A Gate-source voltage: ±6V Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT563 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.53W On-state resistance: 0.45Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 312 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1026UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Case: SOT563 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Power dissipation: 0.58W Pulsed drain current: 1A Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 823 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1029SV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A Power dissipation: 0.66W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7/4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
DMG2302UK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 90mΩ Power dissipation: 0.66W Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG2307L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 0.134Ω Power dissipation: 0.76W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2805 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG2307LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23 Application: automotive industry Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -20A Drain current: -3.6A Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 0.134Ω Power dissipation: 1.9W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG301NU-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG301NU-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMG3402L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG3404L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.8A On-state resistance: 35mΩ Power dissipation: 1.33W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG3406L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4376 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG3414U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 3003 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMG3415UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Power dissipation: 0.9W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1092 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG3420UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMG4511SK4-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 35/-35V Drain current: 7.8/-8.6A Power dissipation: 1.54W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.035/0.045Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG4800LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 1.5W Drain current: 8.4A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 30V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 923 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG6402LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: TSOT26 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 42mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG6601LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2A Power dissipation: 0.54W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.065/0.142Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 754 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.8/-3.4A Power dissipation: 1.112W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.06/0.095Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1248 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2.4A Pulsed drain current: 25...-20A Power dissipation: 0.84W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.06/0.095Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG6968U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 5171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMG6968UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.85W Case: SOT26 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 24mΩ Drain current: 5.2A Gate-source voltage: ±12V Version: ESD Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG7430LFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMHC3025LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-4.2A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25/50mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 11.7/11.4nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMMT3904W-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMMT5401-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT26 Current gain: 30...250 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3085 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMMT5551-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26 Mounting: SMD Type of transistor: NPN x2 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 50...250 Quantity in set/package: 3000pcs. Frequency: 100...300MHz Case: SOT26 Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN1004UFV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD Case: PowerDI®3333-8 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.1mΩ Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Drain current: 55A Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 836 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN1025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Gate charge: 23.1nC On-state resistance: 38mΩ Power dissipation: 1.7W Drain current: 5.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Pulsed drain current: 35A Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN10H220L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 0.22Ω Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.3W Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMN10H220LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 0.25Ω Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.3W Drain current: 1.3A Gate-source voltage: ±16V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1088 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2004K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2005LPK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.44A Power dissipation: 0.45W Case: X1-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2020LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2028USS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.3A Power dissipation: 12.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2040LTS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8 Case: TSSOP8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 5.2nC On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 0.89W Drain current: 4.9A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 30A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2046U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; 0.76W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.7A Power dissipation: 0.76W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2056U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 0.94W Drain current: 3.7A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2058U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.3A Power dissipation: 0.74W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2230U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2230UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 1.5Ω Drain current: 0.84A Gate-source voltage: ±12V Version: ESD Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN24H11DS-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23 Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 3.7nC Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 1.2W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 240V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN26D0UT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT523 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 15Ω Gate-source voltage: ±10V Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3009SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 3.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3018SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.2A Power dissipation: 1.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3023L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3024LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8 Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 36mΩ Power dissipation: 1.3W Drain current: 5.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of package: 13 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3024SFG-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 1.4W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2038 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3032LE-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3033LDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Power dissipation: 2W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMN3033LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.4W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
DMG1012UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 6A
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 6A
Drain current: 0.75A
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.62 грн |
19+ | 15.88 грн |
50+ | 11.32 грн |
100+ | 9.96 грн |
241+ | 4.64 грн |
661+ | 4.38 грн |
15000+ | 4.32 грн |
DMG1013T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.27W
On-state resistance: 0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 16.37 грн |
31+ | 9.67 грн |
40+ | 7.22 грн |
67+ | 4.26 грн |
100+ | 3.73 грн |
362+ | 3.08 грн |
994+ | 2.92 грн |
DMG1013UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10886 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.46 грн |
24+ | 12.33 грн |
50+ | 8.13 грн |
100+ | 6.95 грн |
302+ | 3.69 грн |
830+ | 3.49 грн |
6000+ | 3.37 грн |
DMG1013UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
Power dissipation: 0.31W
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.46 грн |
21+ | 14.60 грн |
50+ | 10.03 грн |
100+ | 8.62 грн |
237+ | 4.70 грн |
651+ | 4.45 грн |
6000+ | 4.28 грн |
DMG1016UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.67 грн |
16+ | 19.63 грн |
50+ | 13.60 грн |
100+ | 11.69 грн |
204+ | 5.48 грн |
559+ | 5.19 грн |
3000+ | 4.99 грн |
DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.86 грн |
13+ | 24.17 грн |
50+ | 14.44 грн |
100+ | 11.88 грн |
147+ | 7.60 грн |
402+ | 7.22 грн |
1500+ | 6.94 грн |
DMG1023UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
On-state resistance: 25Ω
Power dissipation: 0.53W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.83 грн |
10+ | 31.18 грн |
11+ | 26.89 грн |
100+ | 16.06 грн |
150+ | 7.41 грн |
412+ | 7.03 грн |
6000+ | 6.75 грн |
DMG1024UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Version: ESD
Drain current: 0.89A
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT563
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
On-state resistance: 0.45Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.86 грн |
12+ | 26.05 грн |
50+ | 14.92 грн |
100+ | 11.97 грн |
126+ | 8.93 грн |
346+ | 8.46 грн |
600+ | 8.27 грн |
DMG1026UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 0.58W
Pulsed drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.93 грн |
11+ | 27.13 грн |
50+ | 18.34 грн |
100+ | 15.68 грн |
132+ | 8.55 грн |
362+ | 8.08 грн |
6000+ | 7.70 грн |
DMG1029SV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
16+ | 19.44 грн |
50+ | 14.25 грн |
100+ | 12.73 грн |
115+ | 9.79 грн |
315+ | 9.22 грн |
1000+ | 9.12 грн |
DMG2302UK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.66W
Drain current: 2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.66W
Drain current: 2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 17.39 грн |
26+ | 11.64 грн |
50+ | 7.75 грн |
100+ | 6.64 грн |
245+ | 4.57 грн |
672+ | 4.32 грн |
DMG2307L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.74 грн |
15+ | 21.01 грн |
50+ | 12.73 грн |
100+ | 10.54 грн |
252+ | 4.44 грн |
691+ | 4.20 грн |
DMG2307LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
11+ | 28.22 грн |
12+ | 23.94 грн |
100+ | 14.73 грн |
161+ | 6.94 грн |
443+ | 6.56 грн |
DMG301NU-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
DMG301NU-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 12.48 грн |
108+ | 10.36 грн |
297+ | 9.79 грн |
DMG301NU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
DMG301NU-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.89 грн |
146+ | 7.70 грн |
400+ | 7.32 грн |
DMG3402L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.69 грн |
14+ | 22.59 грн |
50+ | 15.11 грн |
100+ | 12.73 грн |
155+ | 7.22 грн |
425+ | 6.84 грн |
3000+ | 6.56 грн |
DMG3404L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Power dissipation: 1.33W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.83 грн |
13+ | 24.17 грн |
25+ | 18.81 грн |
100+ | 13.59 грн |
147+ | 7.60 грн |
404+ | 7.13 грн |
3000+ | 7.03 грн |
DMG3406L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.67 грн |
16+ | 18.84 грн |
50+ | 11.72 грн |
100+ | 9.77 грн |
219+ | 5.09 грн |
602+ | 4.82 грн |
6000+ | 4.68 грн |
DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3414U-7 SMD N channel transistors
DMG3414U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.04 грн |
105+ | 10.74 грн |
288+ | 10.17 грн |
DMG3415UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.00 грн |
9+ | 34.73 грн |
10+ | 29.74 грн |
100+ | 19.76 грн |
109+ | 10.26 грн |
298+ | 9.69 грн |
9000+ | 9.41 грн |
DMG3420UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.13 грн |
159+ | 7.03 грн |
437+ | 6.65 грн |
DMG4511SK4-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.11 грн |
10+ | 56.24 грн |
37+ | 30.40 грн |
102+ | 28.69 грн |
500+ | 27.93 грн |
1000+ | 27.65 грн |
DMG4800LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 50.13 грн |
10+ | 43.61 грн |
50+ | 32.59 грн |
65+ | 17.20 грн |
178+ | 16.34 грн |
2500+ | 15.68 грн |
DMG6402LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.74 грн |
12+ | 26.84 грн |
13+ | 22.04 грн |
25+ | 16.44 грн |
100+ | 9.98 грн |
169+ | 6.56 грн |
466+ | 6.18 грн |
DMG6601LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.74 грн |
12+ | 26.24 грн |
14+ | 21.85 грн |
50+ | 14.25 грн |
100+ | 11.88 грн |
157+ | 7.13 грн |
430+ | 6.75 грн |
DMG6602SVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.8/-3.4A
Power dissipation: 1.112W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.72 грн |
14+ | 21.71 грн |
50+ | 13.49 грн |
100+ | 11.12 грн |
162+ | 6.94 грн |
444+ | 6.56 грн |
1500+ | 6.27 грн |
DMG6602SVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Pulsed drain current: 25...-20A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Pulsed drain current: 25...-20A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.86 грн |
13+ | 23.58 грн |
50+ | 16.25 грн |
100+ | 14.06 грн |
148+ | 7.60 грн |
407+ | 7.13 грн |
6000+ | 6.94 грн |
DMG6968U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
DMG6968U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.88 грн |
166+ | 6.75 грн |
455+ | 6.37 грн |
DMG6968UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.00 грн |
9+ | 36.70 грн |
10+ | 31.92 грн |
78+ | 14.44 грн |
214+ | 13.59 грн |
3000+ | 13.11 грн |
DMG7430LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 25.17 грн |
94+ | 11.97 грн |
250+ | 11.35 грн |
DMHC3025LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25/50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.7/11.4nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25/50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 11.7/11.4nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.85 грн |
10+ | 68.77 грн |
33+ | 33.92 грн |
91+ | 32.11 грн |
500+ | 30.88 грн |
DMMT3904W-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
15+ | 20.72 грн |
50+ | 13.68 грн |
100+ | 11.59 грн |
153+ | 7.32 грн |
421+ | 6.94 грн |
3000+ | 6.65 грн |
DMMT5401-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.67 грн |
15+ | 20.03 грн |
60+ | 13.49 грн |
100+ | 12.07 грн |
136+ | 8.27 грн |
372+ | 7.79 грн |
1500+ | 7.51 грн |
DMMT5551-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100...300MHz
Case: SOT26
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100...300MHz
Case: SOT26
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 153.47 грн |
10+ | 29.60 грн |
50+ | 16.53 грн |
100+ | 13.97 грн |
133+ | 8.46 грн |
364+ | 7.98 грн |
3000+ | 7.70 грн |
DMN1004UFV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.43 грн |
6+ | 50.12 грн |
10+ | 42.75 грн |
50+ | 31.35 грн |
57+ | 19.67 грн |
157+ | 18.53 грн |
1000+ | 17.86 грн |
DMN1025UFDB-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23.1nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 5.5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.46 грн |
19+ | 15.98 грн |
50+ | 12.73 грн |
100+ | 11.50 грн |
124+ | 9.03 грн |
340+ | 8.55 грн |
1000+ | 8.17 грн |
DMN10H220L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 0.22Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 0.22Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.62 грн |
14+ | 22.00 грн |
50+ | 18.24 грн |
100+ | 17.01 грн |
128+ | 8.74 грн |
350+ | 8.27 грн |
DMN10H220LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 59.44 грн |
81+ | 13.87 грн |
223+ | 13.11 грн |
DMN10H220LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 1.3A
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.67 грн |
13+ | 23.48 грн |
15+ | 19.38 грн |
100+ | 10.36 грн |
159+ | 7.03 грн |
435+ | 6.65 грн |
1000+ | 6.46 грн |
DMN2004K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.74 грн |
12+ | 24.66 грн |
19+ | 15.30 грн |
50+ | 12.24 грн |
100+ | 8.08 грн |
198+ | 5.64 грн |
544+ | 5.34 грн |
DMN2005LPK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.44A; 0.45W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.44A
Power dissipation: 0.45W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 8.59 грн |
44+ | 6.81 грн |
100+ | 5.80 грн |
218+ | 5.13 грн |
600+ | 4.85 грн |
DMN2020LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.86 грн |
12+ | 25.26 грн |
50+ | 16.63 грн |
100+ | 14.25 грн |
130+ | 8.65 грн |
358+ | 8.17 грн |
6000+ | 7.89 грн |
DMN2028USS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.3A; 12.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 12.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.09 грн |
10+ | 37.10 грн |
50+ | 28.79 грн |
60+ | 18.81 грн |
164+ | 17.77 грн |
2500+ | 17.10 грн |
DMN2040LTS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.89W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.89W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.16 грн |
10+ | 38.28 грн |
76+ | 14.73 грн |
208+ | 13.97 грн |
2500+ | 13.40 грн |
DMN2046U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; 0.76W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; 0.76W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
14+ | 21.71 грн |
16+ | 17.86 грн |
100+ | 9.62 грн |
249+ | 4.49 грн |
684+ | 4.26 грн |
6000+ | 4.25 грн |
DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 0.94W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.94W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 0.94W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.62 грн |
16+ | 18.55 грн |
50+ | 12.16 грн |
100+ | 10.26 грн |
143+ | 7.79 грн |
393+ | 7.41 грн |
500+ | 7.13 грн |
DMN2058U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; 0.74W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 33.76 грн |
13+ | 24.07 грн |
50+ | 15.77 грн |
100+ | 13.30 грн |
162+ | 6.94 грн |
444+ | 6.56 грн |
3000+ | 6.46 грн |
DMN2230U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.96 грн |
25+ | 12.33 грн |
100+ | 10.55 грн |
115+ | 10.01 грн |
310+ | 9.47 грн |
3000+ | 9.12 грн |
DMN2230UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.86 грн |
11+ | 28.81 грн |
50+ | 20.52 грн |
100+ | 17.86 грн |
114+ | 9.79 грн |
314+ | 9.31 грн |
6000+ | 8.93 грн |
DMN2400UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 0.84A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 0.84A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.86 грн |
12+ | 24.86 грн |
50+ | 16.53 грн |
100+ | 14.06 грн |
152+ | 7.41 грн |
417+ | 7.03 грн |
6000+ | 6.75 грн |
DMN24H11DS-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 1.2W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0.8A; 1.2W; SOT23
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 1.2W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
10+ | 31.18 грн |
11+ | 27.46 грн |
30+ | 23.28 грн |
94+ | 11.97 грн |
257+ | 11.31 грн |
3000+ | 10.93 грн |
DMN26D0UT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 15Ω
Gate-source voltage: ±10V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.42 грн |
25+ | 12.04 грн |
32+ | 9.03 грн |
100+ | 4.34 грн |
342+ | 3.27 грн |
940+ | 3.09 грн |
3000+ | 3.01 грн |
DMN3009SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.53 грн |
10+ | 40.75 грн |
53+ | 21.09 грн |
146+ | 19.95 грн |
1000+ | 19.10 грн |
DMN3018SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 53.20 грн |
10+ | 38.28 грн |
63+ | 17.86 грн |
172+ | 16.91 грн |
2500+ | 16.25 грн |
DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.90 грн |
11+ | 27.43 грн |
14+ | 21.28 грн |
50+ | 13.30 грн |
100+ | 11.21 грн |
130+ | 8.65 грн |
358+ | 8.17 грн |
DMN3024LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 59.34 грн |
10+ | 44.89 грн |
54+ | 20.71 грн |
148+ | 19.57 грн |
1000+ | 19.00 грн |
DMN3024SFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
10+ | 30.78 грн |
70+ | 16.15 грн |
191+ | 15.20 грн |
15000+ | 14.63 грн |
DMN3032LE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.23 грн |
10+ | 40.15 грн |
71+ | 15.87 грн |
194+ | 15.01 грн |
5000+ | 14.35 грн |
DMN3033LDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 2W; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.09 грн |
10+ | 37.00 грн |
100+ | 22.61 грн |
109+ | 10.26 грн |
300+ | 9.69 грн |
DMN3033LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.4W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.4W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.09 грн |
8+ | 37.49 грн |
10+ | 31.35 грн |
87+ | 12.92 грн |
237+ | 12.26 грн |
3000+ | 11.78 грн |