Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73694) > Сторінка 1167 з 1229
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3053L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3053L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN3065LW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323 Polarisation: unipolar Case: SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 85mΩ Power dissipation: 0.77W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 451 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3067LW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3150L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3150L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2865 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN3190LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 0.32W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 413 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3200U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3200U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN32D2LDF-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.28W Case: SOT353 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common source Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3401LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 4A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3404L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3404L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN3730U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN3730U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN4036LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN4036LK3-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN53D0L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A On-state resistance: 2.5Ω Version: ESD Power dissipation: 0.37W Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 394 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN53D0LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN53D0LDW-7 Multi channel transistors |
на замовлення 645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN53D0LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A On-state resistance: 2.5Ω Version: ESD Power dissipation: 0.37W Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN601K-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 405 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN6040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN6040SSD-13 Multi channel transistors |
на замовлення 931 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN6040SSS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN6040SVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26 Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed drain current: 30A Drain current: 5A Gate charge: 22.4nC On-state resistance: 60mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN6068SE-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN6068SE-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 1522 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN6070SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SO8 On-state resistance: 0.1Ω Power dissipation: 1.2W Drain current: 3.6A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6075S-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 1.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6140L-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN6140L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | DIODES INCORPORATED |
DMN6140LQ-13 SMD N channel transistors |
на замовлення 5612 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN6140LQ-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN61D8LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26 Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: 0.5A Gate charge: 740pC On-state resistance: 2.4Ω Power dissipation: 1.09W Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2823 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN62D0SFD-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN62D0SFD-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D0U-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN62D0U-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 6685 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D0UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN62D0UDW-7 Multi channel transistors |
на замовлення 1446 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN62D0UW-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN62D0UW-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN63D8LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 104 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN63D8LDWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN63D8LV-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.45W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN63D8LW-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN63D8LW-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMN65D8L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN65D8LW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.26A Power dissipation: 0.3W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN67D8L-7 | DIODES INCORPORATED |
DMN67D8L-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMN90H8D5HCT | DIODES INCORPORATED |
DMN90H8D5HCT THT N channel transistors |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMNH10H028SCT | DIODES INCORPORATED |
DMNH10H028SCT THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMNH45M7SCT | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 155A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 96W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 36.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMNH6008SCT | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP1045U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD Version: ESD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -3.1A On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP10H400SE-13 | DIODES INCORPORATED |
DMP10H400SE-13 SMD P channel transistors |
на замовлення 1946 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMP10H400SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -8A Power dissipation: 42W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP10H4D2S-7 | DIODES INCORPORATED |
DMP10H4D2S-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMP2004K-7 | DIODES INCORPORATED |
DMP2004K-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 8687 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMP2022LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMP2022LSS-13 SMD P channel transistors |
на замовлення 583 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMP2035UVT-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: -4.8A On-state resistance: 62mΩ Power dissipation: 1.2W Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3746 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP2040USS-13 | DIODES INCORPORATED |
DMP2040USS-13 SMD P channel transistors |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMP2045U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.1A On-state resistance: 90mΩ Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP2100UFU-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET x2 Case: U-DFN2030-6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A On-state resistance: 75mΩ Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±10V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP2100UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
DMP2100UQ-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DMP2104LP-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3 Case: DFN1411-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A On-state resistance: 0.24Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP2120U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A On-state resistance: 62mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1437 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMP2130L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1.4W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.125Ω Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±10V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMP2160UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
DMP2160UFDB-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMP2165UW-7 | DIODES INCORPORATED |
DMP2165UW-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 2297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DMP21D6UFD-7 | DIODES INCORPORATED |
DMP21D6UFD-7 SMD P channel transistors |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| DMN3053L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3053L-7 SMD N channel transistors
DMN3053L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.89 грн |
| 111+ | 10.53 грн |
| 304+ | 10.04 грн |
| 9000+ | 10.01 грн |
| DMN3065LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 0.77W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 0.77W; SOT323
Polarisation: unipolar
Case: SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 0.77W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 14+ | 22.38 грн |
| 50+ | 15.06 грн |
| 100+ | 12.89 грн |
| 500+ | 9.25 грн |
| 1000+ | 8.17 грн |
| 1500+ | 7.58 грн |
| DMN3067LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 17+ | 19.11 грн |
| 50+ | 13.09 грн |
| 100+ | 11.32 грн |
| 500+ | 8.27 грн |
| 1000+ | 7.38 грн |
| 1500+ | 6.89 грн |
| DMN3150L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3150L-7 SMD N channel transistors
DMN3150L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.75 грн |
| 138+ | 8.46 грн |
| 377+ | 8.07 грн |
| DMN3190LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 28+ | 11.24 грн |
| 31+ | 9.55 грн |
| 50+ | 6.85 грн |
| 100+ | 6.07 грн |
| 500+ | 5.61 грн |
| DMN3200U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3200U-7 SMD N channel transistors
DMN3200U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.56 грн |
| 110+ | 10.73 грн |
| 301+ | 10.14 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT353
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 15+ | 21.66 грн |
| 50+ | 14.21 грн |
| 100+ | 11.96 грн |
| 500+ | 8.27 грн |
| 1000+ | 7.18 грн |
| 3000+ | 5.93 грн |
| DMN3401LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMN3404L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3404L-7 SMD N channel transistors
DMN3404L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.39 грн |
| 254+ | 4.60 грн |
| 699+ | 4.35 грн |
| DMN3730U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3730U-7 SMD N channel transistors
DMN3730U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.07 грн |
| 141+ | 8.36 грн |
| 386+ | 7.87 грн |
| DMN4036LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN4036LK3-13 SMD N channel transistors
DMN4036LK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.40 грн |
| 60+ | 19.78 грн |
| 163+ | 18.70 грн |
| DMN53D0L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.96 грн |
| 23+ | 13.69 грн |
| 26+ | 11.51 грн |
| 33+ | 9.01 грн |
| 100+ | 5.95 грн |
| 500+ | 4.00 грн |
| 1000+ | 3.89 грн |
| DMN53D0LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN53D0LDW-7 Multi channel transistors
DMN53D0LDW-7 Multi channel transistors
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.06 грн |
| 250+ | 4.67 грн |
| 687+ | 4.42 грн |
| 3000+ | 4.41 грн |
| DMN53D0LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 2.5Ω
Version: ESD
Power dissipation: 0.37W
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.26 грн |
| 21+ | 14.72 грн |
| 50+ | 10.14 грн |
| 100+ | 8.75 грн |
| 500+ | 6.12 грн |
| 1000+ | 5.24 грн |
| 1500+ | 4.77 грн |
| DMN601K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.42 грн |
| 84+ | 3.68 грн |
| 110+ | 2.71 грн |
| 500+ | 2.48 грн |
| 3000+ | 2.37 грн |
| DMN6040SFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors
DMN6040SFDE-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.60 грн |
| 64+ | 18.30 грн |
| 176+ | 17.32 грн |
| 3000+ | 17.27 грн |
| DMN6040SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors
DMN6040SK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.86 грн |
| 58+ | 20.17 грн |
| 160+ | 19.09 грн |
| DMN6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SSD-13 Multi channel transistors
DMN6040SSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.27 грн |
| 62+ | 18.99 грн |
| 170+ | 17.91 грн |
| DMN6040SSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors
DMN6040SSS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.77 грн |
| 75+ | 15.55 грн |
| 207+ | 14.76 грн |
| 500+ | 14.72 грн |
| DMN6040SVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 5A
Gate charge: 22.4nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain current: 5A
Gate charge: 22.4nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.93 грн |
| 10+ | 40.88 грн |
| 30+ | 31.69 грн |
| 100+ | 24.01 грн |
| 250+ | 19.78 грн |
| 500+ | 17.32 грн |
| 1000+ | 15.45 грн |
| DMN6068SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6068SE-13 SMD N channel transistors
DMN6068SE-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.50 грн |
| 84+ | 14.07 грн |
| 229+ | 13.28 грн |
| DMN6070SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.81 грн |
| 8+ | 41.08 грн |
| 10+ | 35.62 грн |
| 100+ | 22.93 грн |
| 500+ | 16.93 грн |
| 1000+ | 16.04 грн |
| DMN6075S-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.08 грн |
| 22+ | 14.10 грн |
| 26+ | 11.61 грн |
| 50+ | 7.87 грн |
| 100+ | 6.79 грн |
| 500+ | 6.10 грн |
| DMN6140L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.90 грн |
| 28+ | 11.04 грн |
| 50+ | 7.72 грн |
| 100+ | 6.75 грн |
| 500+ | 5.29 грн |
| DMN6140L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.96 грн |
| 31+ | 9.91 грн |
| 50+ | 7.97 грн |
| 100+ | 7.48 грн |
| 250+ | 6.79 грн |
| 500+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 5.81 грн |
| DMN6140LQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6140LQ-13 SMD N channel transistors
DMN6140LQ-13 SMD N channel transistors
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.23 грн |
| 139+ | 8.36 грн |
| 382+ | 7.97 грн |
| DMN6140LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN6140LQ-7 SMD N channel transistors
DMN6140LQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.73 грн |
| 142+ | 8.27 грн |
| 390+ | 7.77 грн |
| DMN61D8LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.5A
Gate charge: 740pC
On-state resistance: 2.4Ω
Power dissipation: 1.09W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.5A
Gate charge: 740pC
On-state resistance: 2.4Ω
Power dissipation: 1.09W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.93 грн |
| 10+ | 36.48 грн |
| 30+ | 28.54 грн |
| 100+ | 22.63 грн |
| 150+ | 20.86 грн |
| 500+ | 16.53 грн |
| 1000+ | 14.47 грн |
| DMN62D0SFD-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN62D0SFD-7 SMD N channel transistors
DMN62D0SFD-7 SMD N channel transistors
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.88 грн |
| 178+ | 6.57 грн |
| 489+ | 6.22 грн |
| DMN62D0U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN62D0U-7 SMD N channel transistors
DMN62D0U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 6685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.44 грн |
| 384+ | 3.05 грн |
| 1056+ | 2.87 грн |
| DMN62D0UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UDW-7 Multi channel transistors
DMN62D0UDW-7 Multi channel transistors
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.17 грн |
| 191+ | 6.13 грн |
| 525+ | 5.80 грн |
| DMN62D0UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN62D0UW-7 SMD N channel transistors
DMN62D0UW-7 SMD N channel transistors
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.35 грн |
| 376+ | 3.11 грн |
| 1034+ | 2.94 грн |
| DMN63D8LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.08 грн |
| 25+ | 12.67 грн |
| 50+ | 8.36 грн |
| 100+ | 7.10 грн |
| 500+ | 4.94 грн |
| 1000+ | 4.29 грн |
| 1500+ | 3.97 грн |
| DMN63D8LDWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.84 грн |
| 30+ | 10.42 грн |
| 37+ | 8.19 грн |
| 100+ | 5.85 грн |
| 500+ | 3.96 грн |
| 3000+ | 3.74 грн |
| DMN63D8LV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.31 грн |
| 21+ | 14.82 грн |
| 50+ | 10.02 грн |
| 100+ | 8.53 грн |
| 500+ | 5.85 грн |
| 1000+ | 4.95 грн |
| 3000+ | 3.79 грн |
| DMN63D8LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN63D8LW-7 SMD N channel transistors
DMN63D8LW-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.26 грн |
| 481+ | 2.43 грн |
| 1323+ | 2.29 грн |
| DMN65D8L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 50+ | 6.13 грн |
| 75+ | 3.98 грн |
| 100+ | 3.33 грн |
| 500+ | 2.28 грн |
| 1500+ | 1.91 грн |
| DMN65D8LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 12+ | 27.39 грн |
| 14+ | 22.44 грн |
| 100+ | 12.40 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| DMN67D8L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN67D8L-7 SMD N channel transistors
DMN67D8L-7 SMD N channel transistors
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.98 грн |
| 573+ | 2.04 грн |
| 1574+ | 1.93 грн |
| DMN90H8D5HCT |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN90H8D5HCT THT N channel transistors
DMN90H8D5HCT THT N channel transistors
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.78 грн |
| 23+ | 51.27 грн |
| 63+ | 48.42 грн |
| DMNH10H028SCT |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SCT THT N channel transistors
DMNH10H028SCT THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.49 грн |
| 17+ | 69.87 грн |
| 46+ | 66.92 грн |
| 500+ | 66.42 грн |
| DMNH45M7SCT |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 155A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 96W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 155A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 96W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 176.98 грн |
| 50+ | 103.21 грн |
| 100+ | 85.61 грн |
| 500+ | 77.74 грн |
| DMNH6008SCT |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; Idm: 200A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.16 грн |
| 10+ | 129.78 грн |
| 50+ | 96.44 грн |
| 100+ | 89.55 грн |
| 1000+ | 84.63 грн |
| DMP1045U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Version: ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Version: ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.49 грн |
| 18+ | 17.37 грн |
| 50+ | 11.95 грн |
| 100+ | 10.30 грн |
| 500+ | 7.18 грн |
| 1000+ | 6.15 грн |
| 1500+ | 5.63 грн |
| DMP10H400SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP10H400SE-13 SMD P channel transistors
DMP10H400SE-13 SMD P channel transistors
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.20 грн |
| 54+ | 21.65 грн |
| 149+ | 20.47 грн |
| DMP10H400SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 10+ | 37.61 грн |
| 25+ | 32.67 грн |
| 100+ | 23.62 грн |
| 250+ | 18.70 грн |
| 2500+ | 17.02 грн |
| DMP10H4D2S-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP10H4D2S-7 SMD P channel transistors
DMP10H4D2S-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.30 грн |
| 197+ | 5.90 грн |
| 540+ | 5.61 грн |
| DMP2004K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2004K-7 SMD P channel transistors
DMP2004K-7 SMD P channel transistors
на замовлення 8687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.81 грн |
| 290+ | 4.03 грн |
| 797+ | 3.82 грн |
| DMP2022LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2022LSS-13 SMD P channel transistors
DMP2022LSS-13 SMD P channel transistors
на замовлення 583 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.96 грн |
| 48+ | 24.31 грн |
| 132+ | 23.03 грн |
| DMP2035UVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: -4.8A
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 1.2W; TSOT26; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: -4.8A
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 10+ | 32.29 грн |
| 12+ | 26.77 грн |
| 100+ | 15.94 грн |
| 250+ | 13.19 грн |
| 500+ | 11.42 грн |
| 1000+ | 9.94 грн |
| DMP2040USS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2040USS-13 SMD P channel transistors
DMP2040USS-13 SMD P channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.56 грн |
| 108+ | 10.82 грн |
| 297+ | 10.23 грн |
| DMP2045U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; 0.8W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 317.93 грн |
| 10+ | 30.66 грн |
| 50+ | 6.49 грн |
| 100+ | 6.17 грн |
| 500+ | 5.40 грн |
| 1000+ | 5.09 грн |
| 3000+ | 4.55 грн |
| DMP2100UFU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: U-DFN2030-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: U-DFN2030-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 500+ | 19.83 грн |
| 1000+ | 17.02 грн |
| 3000+ | 12.99 грн |
| 6000+ | 12.50 грн |
| DMP2100UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2100UQ-7 SMD P channel transistors
DMP2100UQ-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.49 грн |
| 169+ | 6.89 грн |
| 466+ | 6.49 грн |
| DMP2104LP-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Case: DFN1411-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Case: DFN1411-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.03 грн |
| 11+ | 28.41 грн |
| 16+ | 19.48 грн |
| 100+ | 14.66 грн |
| DMP2120U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
On-state resistance: 62mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.31 грн |
| 17+ | 18.39 грн |
| 20+ | 14.86 грн |
| 50+ | 8.48 грн |
| 75+ | 7.36 грн |
| 100+ | 6.72 грн |
| 200+ | 5.59 грн |
| DMP2130L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1.4W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1.4W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.125Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.21 грн |
| 10+ | 30.66 грн |
| 12+ | 25.49 грн |
| 100+ | 14.47 грн |
| 500+ | 10.82 грн |
| 1000+ | 9.94 грн |
| 3000+ | 9.05 грн |
| DMP2160UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2160UFDB-7 SMD P channel transistors
DMP2160UFDB-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.60 грн |
| 88+ | 13.38 грн |
| 240+ | 12.69 грн |
| DMP2165UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP2165UW-7 SMD P channel transistors
DMP2165UW-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.62 грн |
| 201+ | 5.81 грн |
| 554+ | 5.51 грн |
| DMP21D6UFD-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMP21D6UFD-7 SMD P channel transistors
DMP21D6UFD-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.60 грн |
| 269+ | 4.36 грн |
| 738+ | 4.11 грн |














