Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72159) > Сторінка 1169 з 1203

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 120 240 360 480 600 720 840 960 1080 1164 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1200 1203  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PAM8904JPR DIODES INCORPORATED PAM8904.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN12; Ch: 1; 1.8÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN12
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8906M1018-13 DIODES INCORPORATED PAM8906.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; MSOP10; Ch: 1; 2.1÷5.5VDC
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 2.1...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: MSOP10
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8907SB10-7 DIODES INCORPORATED PAM8907.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN10; Ch: 1; 1.8÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN10
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EGPR DIODES INCORPORATED PAM8904E.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; WQFN12; Ch: 1; 1.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: WQFN12
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EJER DIODES INCORPORATED PAM8904E.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; Ch: 1; 1.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN16
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8906M1010-13 DIODES INCORPORATED PAM8906.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; MSOP10; Ch: 1; 2.1÷5.5VDC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Case: MSOP10
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Voltage supply range: 2.1...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EJPR DIODES INCORPORATED PAM8904E.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN12; Ch: 1; 1.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN12
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904JER DIODES INCORPORATED PAM8904.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; Ch: 1; 2.3÷5.5VDC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 2.3...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN16
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904QJER DIODES INCORPORATED PAM8904Q.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; Ch: 1; 2.3÷5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 2.3...5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN16
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8906M1012-13 DIODES INCORPORATED PAM8906.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; MSOP10; 2.1÷5.5VDC
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Voltage supply range: 2.1...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: MSOP10
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2508-F GBJ2508-F DIODES INCORPORATED GBJ25_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 25A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 350A
Electrical mounting: THT
Version: flat
Leads: flat pin
Case: GBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+145.82 грн
10+114.16 грн
15+104.16 грн
30+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2506-F GBJ2506-F DIODES INCORPORATED GBJ25_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 25A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 350A
Version: flat
Case: GBJ
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.48 грн
10+68.33 грн
15+63.33 грн
45+54.16 грн
75+50.00 грн
105+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2502-F GBJ2502-F DIODES INCORPORATED GBJ25_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 25A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 350A
Electrical mounting: THT
Version: flat
Leads: flat pin
Case: GBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2504-F GBJ2504-F DIODES INCORPORATED GBJ25_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 25A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 350A
Electrical mounting: THT
Version: flat
Leads: flat pin
Case: GBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF08S-T DF08S-T DIODES INCORPORATED DF005_10S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 50A; DFS
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DFS
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: SMT
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.77 грн
12+35.50 грн
16+26.58 грн
25+25.00 грн
100+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FZT855TA FZT855TA DIODES INCORPORATED FZT855.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 5A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.12 грн
10+57.00 грн
50+43.58 грн
100+38.75 грн
200+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ14A-13-F SMBJ14A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 15.6÷17.9V; 25.8A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 15.6...17.9V
Max. forward impulse current: 25.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.74 грн
27+15.50 грн
32+13.33 грн
42+10.08 грн
100+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ14AQ-13-F DIODES INCORPORATED ds40740.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 15.6÷17.9V; 25.8A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 15.6...17.9V
Max. forward impulse current: 25.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMJT9435-13 DIODES INCORPORATED DMJT9435.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 6A
Frequency: 160MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ12A-13-F SMCJ12A-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 13.3÷14.7V; 75.3A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 75.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ12A-13-F SMBJ12A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 13.3÷15.3V; 30.2A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...15.3V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.15 грн
34+12.50 грн
40+10.50 грн
100+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28A-13-F SMCJ28A-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.1÷34.4V; 33A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.07 грн
13+33.50 грн
15+29.25 грн
100+17.67 грн
500+13.42 грн
1000+12.17 грн
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ28A-13 DIODES INCORPORATED 3.0SMCJxx.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 31.1÷34.4V; 66.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 66.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTA123JCA-7-F DDTA123JCA-7-F DIODES INCORPORATED ds30334.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 80
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
на замовлення 669 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.56 грн
54+7.83 грн
100+4.55 грн
500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DDA123JU-7-F DIODES INCORPORATED DDA_XXXX_U.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 80
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDA123JH-7 DIODES INCORPORATED ds30420.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Case: SOT563
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 80
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ54A-13-F SMAJ54A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.05 грн
39+10.92 грн
100+5.35 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51A-13-F SMAJ51A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 56.7÷62.7V; 4.9A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 4.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.95 грн
30+14.00 грн
36+11.67 грн
100+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51CA-13-F SMAJ51CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 56.7÷62.7V; 4.9A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 4.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.74 грн
27+15.50 грн
32+13.33 грн
50+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ54CA-13-F SMAJ54CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C5V6-7-F AZ23C5V6-7-F DIODES INCORPORATED AZ23C_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.6V; SMD; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.6V
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 701 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.18 грн
74+5.67 грн
77+5.42 грн
96+4.38 грн
106+3.96 грн
500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6S-7-F BZT52C5V6S-7-F DIODES INCORPORATED BZT52CxxS_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.18 грн
74+5.67 грн
85+4.92 грн
158+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6-13-F BZT52C5V6-13-F DIODES INCORPORATED BZT52Cxx_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.18 грн
76+5.50 грн
90+4.67 грн
115+3.62 грн
224+1.87 грн
500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6Q-7-F BZT52C5V6Q-7-F DIODES INCORPORATED BZT52Cxx_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.08 грн
68+6.17 грн
77+5.42 грн
133+3.14 грн
500+2.32 грн
1000+2.12 грн
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6T-7 BZT52C5V6T-7 DIODES INCORPORATED BZT52CxxT_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.18 грн
167+2.50 грн
186+2.25 грн
222+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8TC DIODES INCORPORATED ZXMHC10A07N8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.18 грн
10+59.91 грн
50+50.66 грн
100+46.58 грн
500+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMHC4035LSDQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 40/-40V; 3.5/-2.9A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 3.5/-2.9A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5/11.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8TC DIODES INCORPORATED ZXMHC6A07N8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.8/-1.4A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TC DIODES INCORPORATED ZXMHC3A01N8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.1A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 125/210mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9/5.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TC ZXMHC3F381N8TC DIODES INCORPORATED ZXMHC3F381N8.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7 DIODES INCORPORATED Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 500mA; X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 40...200
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3515M-7 DIODES INCORPORATED Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 90...200
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100...340MHz
Polarisation: bipolar
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3515M-7B DIODES INCORPORATED DSS3515M.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 90...200
Quantity in set/package: 10000pcs.
Frequency: 100...340MHz
Polarisation: bipolar
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DIODES INCORPORATED DSS3540M.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 40...200
Quantity in set/package: 10000pcs.
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH49EZ3-G1 DIODES INCORPORATED AH49E.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; TO92S; THT; Temp: -40÷85°C
Type of sensor: Hall
Case: TO92S
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AH1751-PG-B-A DIODES INCORPORATED AH1751.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SIP3; THT; Temp: -40÷125°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SIP3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AH175-WG-7-A DIODES INCORPORATED AH175.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; SMT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SC59
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AH175-PG-A-A DIODES INCORPORATED AH175.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SIP3; THT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SIP3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
AH175-PG-A-B DIODES INCORPORATED AH175.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SIP3; THT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SIP3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
AH175-PG-B-B DIODES INCORPORATED AH175.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SIP3; THT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SIP3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
710+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 710
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853 ZTX853 DIODES INCORPORATED ZTX853.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1.2W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 130MHz
Quantity in set/package: 4000pcs.
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.51 грн
10+57.33 грн
25+48.83 грн
100+39.25 грн
500+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853STZ DIODES INCORPORATED ZTX853.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1.2W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC374AT20-13 DIODES INCORPORATED 74LVC374A.pdf Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 8; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP20; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 8
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...150°C
Family: LVC
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USD-13 DMC2020USD-13 DIODES INCORPORATED DMC2020USD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.02/0.033Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.3/-7.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13 DMC3016LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3016LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.2/-6.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.028/0.016Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.84 грн
14+29.83 грн
100+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3026LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2106MS8-13 DGD2106MS8-13 DIODES INCORPORATED DGD2106M.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 220ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSD-13 DMC3028LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3028LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.4/-7.1A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.028/0.025Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.95 грн
13+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDX-13 DMC3028LSDX-13 DIODES INCORPORATED DMC3028LSDX-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.6/-7.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.027/0.025Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13 DIODES INCORPORATED DMC6040SSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.43 грн
12+37.16 грн
50+28.83 грн
100+25.75 грн
500+19.42 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904JPR PAM8904.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN12; Ch: 1; 1.8÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN12
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8906M1018-13 PAM8906.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; MSOP10; Ch: 1; 2.1÷5.5VDC
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 2.1...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: MSOP10
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8907SB10-7 PAM8907.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN10; Ch: 1; 1.8÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN10
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EGPR PAM8904E.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; WQFN12; Ch: 1; 1.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: WQFN12
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EJER PAM8904E.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; Ch: 1; 1.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN16
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8906M1010-13 PAM8906.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; MSOP10; Ch: 1; 2.1÷5.5VDC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Case: MSOP10
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Voltage supply range: 2.1...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EJPR PAM8904E.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN12; Ch: 1; 1.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN12
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904JER PAM8904.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; Ch: 1; 2.3÷5.5VDC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 2.3...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN16
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904QJER PAM8904Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; Ch: 1; 2.3÷5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage supply range: 2.3...5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN16
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8906M1012-13 PAM8906.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; MSOP10; 2.1÷5.5VDC
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Voltage supply range: 2.1...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: MSOP10
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2508-F GBJ25_ser.pdf
GBJ2508-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 25A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 350A
Electrical mounting: THT
Version: flat
Leads: flat pin
Case: GBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.82 грн
10+114.16 грн
15+104.16 грн
30+87.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2506-F GBJ25_ser.pdf
GBJ2506-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 25A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 350A
Version: flat
Case: GBJ
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+109.48 грн
10+68.33 грн
15+63.33 грн
45+54.16 грн
75+50.00 грн
105+48.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2502-F GBJ25_ser.pdf
GBJ2502-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 25A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 350A
Electrical mounting: THT
Version: flat
Leads: flat pin
Case: GBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2504-F GBJ25_ser.pdf
GBJ2504-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 25A; Ifsm: 350A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 25A
Max. forward impulse current: 350A
Electrical mounting: THT
Version: flat
Leads: flat pin
Case: GBJ
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF08S-T DF005_10S.pdf
DF08S-T
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 50A; DFS
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DFS
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: SMT
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.77 грн
12+35.50 грн
16+26.58 грн
25+25.00 грн
100+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FZT855TA FZT855.pdf
FZT855TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 5A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 90MHz
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.12 грн
10+57.00 грн
50+43.58 грн
100+38.75 грн
200+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ14A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ14A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 15.6÷17.9V; 25.8A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 15.6...17.9V
Max. forward impulse current: 25.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.74 грн
27+15.50 грн
32+13.33 грн
42+10.08 грн
100+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ14AQ-13-F ds40740.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 15.6÷17.9V; 25.8A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 15.6...17.9V
Max. forward impulse current: 25.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMJT9435-13 DMJT9435.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Quantity in set/package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 6A
Frequency: 160MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ12A-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ12A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 13.3÷14.7V; 75.3A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...14.7V
Max. forward impulse current: 75.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ12A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ12A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 13.3÷15.3V; 30.2A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...15.3V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.15 грн
34+12.50 грн
40+10.50 грн
100+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28A-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ28A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.1÷34.4V; 33A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.07 грн
13+33.50 грн
15+29.25 грн
100+17.67 грн
500+13.42 грн
1000+12.17 грн
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ28A-13 3.0SMCJxx.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 31.1÷34.4V; 66.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 66.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTA123JCA-7-F ds30334.pdf
DDTA123JCA-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 80
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
на замовлення 669 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.56 грн
54+7.83 грн
100+4.55 грн
500+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
DDA123JU-7-F DDA_XXXX_U.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 80
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDA123JH-7 ds30420.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Case: SOT563
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Current gain: 80
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 2.2kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ54A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ54A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+17.05 грн
39+10.92 грн
100+5.35 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ51A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 56.7÷62.7V; 4.9A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 4.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.95 грн
30+14.00 грн
36+11.67 грн
100+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ51CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ51CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 56.7÷62.7V; 4.9A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 51V
Breakdown voltage: 56.7...62.7V
Max. forward impulse current: 4.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.74 грн
27+15.50 грн
32+13.33 грн
50+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ54CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ54CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 60÷66.3V; 4.6A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 4.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AZ23C5V6-7-F AZ23C_ser.pdf
AZ23C5V6-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.6V; SMD; SOT23; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.6V
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 701 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.18 грн
74+5.67 грн
77+5.42 грн
96+4.38 грн
106+3.96 грн
500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6S-7-F BZT52CxxS_ser.pdf
BZT52C5V6S-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.18 грн
74+5.67 грн
85+4.92 грн
158+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6-13-F BZT52Cxx_ser.pdf
BZT52C5V6-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 4623 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.18 грн
76+5.50 грн
90+4.67 грн
115+3.62 грн
224+1.87 грн
500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6Q-7-F BZT52Cxx_ser.pdf
BZT52C5V6Q-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+8.08 грн
68+6.17 грн
77+5.42 грн
133+3.14 грн
500+2.32 грн
1000+2.12 грн
3000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6T-7 BZT52CxxT_ser.pdf
BZT52C5V6T-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.18 грн
167+2.50 грн
186+2.25 грн
222+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07N8.pdf
ZXMHC10A07N8TC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 100/-100V; 0.9/-0.7A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 0.9/-0.7A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9/1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.18 грн
10+59.91 грн
50+50.66 грн
100+46.58 грн
500+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMHC4035LSDQ-13 DMHC4035LSDQ.pdf
DMHC4035LSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 40/-40V; 3.5/-2.9A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 3.5/-2.9A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5/11.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TC ZXMHC6A07N8.pdf
ZXMHC6A07N8TC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.8/-1.4A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3A01N8TC ZXMHC3A01N8.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.1A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 125/210mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9/5.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC3F381N8TC ZXMHC3F381N8.pdf
ZXMHC3F381N8TC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; 30/-30V; 3.98/-3.36A; 0.87W
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.98/-3.36A
Power dissipation: 0.87W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
Pulsed drain current: 22.9...-19.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 500mA; X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 40...200
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3515M-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 90...200
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100...340MHz
Polarisation: bipolar
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3515M-7B DSS3515M.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 15V
Current gain: 90...200
Quantity in set/package: 10000pcs.
Frequency: 100...340MHz
Polarisation: bipolar
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 40...200
Quantity in set/package: 10000pcs.
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Case: X1-DFN1006-3
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH49EZ3-G1 AH49E.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; TO92S; THT; Temp: -40÷85°C
Type of sensor: Hall
Case: TO92S
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AH1751-PG-B-A AH1751.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SIP3; THT; Temp: -40÷125°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SIP3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AH175-WG-7-A AH175.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; SMT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SC59
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AH175-PG-A-A AH175.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SIP3; THT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SIP3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
AH175-PG-A-B AH175.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SIP3; THT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SIP3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
AH175-PG-B-B AH175.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SIP3; THT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SIP3
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
710+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 710
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853 ZTX853.pdf
ZTX853
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1.2W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 130MHz
Quantity in set/package: 4000pcs.
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.51 грн
10+57.33 грн
25+48.83 грн
100+39.25 грн
500+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX853STZ ZTX853.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 1.2W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.2W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC374AT20-13 74LVC374A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flip-Flops
Description: IC: digital; D flip-flop; Ch: 8; IN: 1; CMOS; SMD; TSSOP20; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D flip-flop
Number of channels: 8
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...150°C
Family: LVC
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USD-13 DMC2020USD-13.pdf
DMC2020USD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.02/0.033Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.3/-7.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13 DMC3016LSD-13.pdf
DMC3016LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 8.2/-6.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.028/0.016Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.84 грн
14+29.83 грн
100+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3026LSD-13 DMC3026LSD.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 1.2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2106MS8-13 DGD2106M.pdf
DGD2106MS8-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -600÷290mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 220ns
Pulse fall time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Protection: undervoltage UVP
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Supply voltage: 10...20V DC
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSD-13 DMC3028LSD-13.pdf
DMC3028LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.4/-7.1A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.028/0.025Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.95 грн
13+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDX-13 DMC3028LSDX-13.pdf
DMC3028LSDX-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.6/-7.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.027/0.025Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC6040SSD-13 DMC6040SSD-13.pdf
DMC6040SSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.43 грн
12+37.16 грн
50+28.83 грн
100+25.75 грн
500+19.42 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 120 240 360 480 600 720 840 960 1080 1164 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1200 1203  [ Наступна Сторінка >> ]