Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78521) > Сторінка 1261 з 1309

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 130 260 390 520 650 780 910 1040 1170 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1300 1309  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6007LFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMT6007LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6008LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6008LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6008LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ30A-13-F SMBJ30A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33.3÷38.3V; 12.4A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.98 грн
23+16.30 грн
100+8.90 грн
164+5.31 грн
450+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AP2112K-1.2TRG1 AP2112K-1.2TRG1 DIODES INCORPORATED AP2112.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.2V; 0.6A; SOT23-5; SMD
Voltage drop: 1.3V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: SOT23-5
Input voltage: 2.5...6V
Integrated circuit features: shutdown mode control input
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Number of channels: 1
Tolerance: ±1.5%
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 1.2V
Output current: 0.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2112K-2.5TRG1 AP2112K-2.5TRG1 DIODES INCORPORATED AP2112.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 0.6A; SOT23-5; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOT23-5
Tolerance: ±1.5%
Output voltage: 2.5V
Output current: 0.6A
Voltage drop: 0.4V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Input voltage: 2.5...6V
Integrated circuit features: shutdown mode control input
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.42 грн
17+23.17 грн
20+18.76 грн
100+9.57 грн
151+5.83 грн
415+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ16A-13-F SMBJ16A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 17.8÷20.5V; 23.1A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...20.5V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.96 грн
22+17.57 грн
28+13.60 грн
100+8.97 грн
143+6.13 грн
391+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ58A-13-F SMAJ58A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 64.4÷71.2V; 4.3A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.93 грн
31+12.11 грн
50+8.01 грн
100+6.75 грн
214+4.07 грн
588+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.25 грн
14+27.43 грн
64+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ6.5A-13-F SMAJ6.5A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 7.22÷7.98V; 35.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 6.5V
Breakdown voltage: 7.22...7.98V
Max. forward impulse current: 35.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+18.52 грн
31+12.41 грн
39+9.64 грн
100+4.96 грн
224+3.90 грн
500+3.65 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127S-7 BSS127S-7 DIODES INCORPORATED BSS127.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70mA
On-state resistance: 160Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.59 грн
20+19.14 грн
25+15.02 грн
100+7.03 грн
191+4.62 грн
525+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ58A-13-F SMBJ58A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 64.4÷74.6V; 6.4A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...74.6V
Max. forward impulse current: 6.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.49 грн
50+8.07 грн
100+7.10 грн
145+6.20 грн
390+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ26A-13-F SMBJ26A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.9÷33.2V; 14.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...33.2V
Max. forward impulse current: 14.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.12 грн
27+14.28 грн
35+10.91 грн
100+6.80 грн
171+5.23 грн
470+4.93 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114ECA-7-F
+1
 		DDTC114ECA-7-F DIODES INCORPORATED ds30329.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.05 грн
69+5.46 грн
139+2.70 грн
250+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT125S14-13 74HCT125S14-13 DIODES INCORPORATED 74HCT125.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; SO14; HCT; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Manufacturer series: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+12.72 грн
47+8.07 грн
100+7.10 грн
148+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ASA-7 TL431ASA-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799C1EC6641A70749&compId=TL431_432.pdf?ci_sign=3f0dda2ef89169274a30817f84e82be5183f4121 Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.59 грн
19+20.48 грн
23+16.82 грн
29+12.93 грн
100+8.90 грн
210+4.19 грн
576+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8902HKER DIODES INCORPORATED PAM8902H.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Ch: 1; Amp.class: D; QFN16; 2.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Voltage supply range: 2.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: QFN16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EGPR DIODES INCORPORATED PAM8904E.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; WQFN12; 1.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: WQFN12
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EJER DIODES INCORPORATED PAM8904E.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; 1.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN16
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EJPR DIODES INCORPORATED PAM8904E.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN12; 1.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904JER DIODES INCORPORATED PAM8904.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; 2.3÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 2.3...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904JPR DIODES INCORPORATED PAM8904.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN12; 1.8÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN12
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904QJER DIODES INCORPORATED PAM8904Q.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; 2.3÷5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 2.3...5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN16
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8907SB10-7 DIODES INCORPORATED PAM8907.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN10; 1.8÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN10
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8908JER DIODES INCORPORATED PAM8908.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 25mW; headphone driver,stereo; Ch: 2
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: headphone driver; stereo
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: AB
Voltage supply range: 2.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 2
Output power: 25mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HD06-T HD06-T DIODES INCORPORATED HD01.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 0.8A; Ifsm: 30A; MiniDIP
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MiniDIP
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.64 грн
17+22.28 грн
100+14.73 грн
114+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AP63300WU-7 AP63300WU-7 DIODES INCORPORATED AP63300-AP63301.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 3.8÷32VDC; Uout: 0.8÷31VDC; 3A; TSOT26
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 3.8...32V DC
Output voltage: 0.8...31V DC
Output current: 3A
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Frequency: 0.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 96%
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.18 грн
10+47.39 грн
31+28.85 грн
84+27.28 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G125SE-7 74LVC1G125SE-7 DIODES INCORPORATED 74LVC1G125.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SOT353; LVC; 200uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Quiescent current: 200µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: LVC
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+17.71 грн
41+9.19 грн
52+7.27 грн
62+6.05 грн
100+5.00 грн
363+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G125W5-7 74LVC1G125W5-7 DIODES INCORPORATED 74LVC1G125.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SOT25; LVC; -40÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 200µA
Manufacturer series: LVC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75NTA BSP75NTA DIODES INCORPORATED BSP75N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.55Ω
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 60V DC
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOT223
Supply voltage: 0...5.5V DC
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.60 грн
10+58.75 грн
23+39.09 грн
50+39.02 грн
62+36.93 грн
250+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL431BFTA ZTL431BFTA DIODES INCORPORATED ZTL431,432.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±0.5%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±0.5%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 11963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+25.76 грн
25+20.86 грн
86+10.32 грн
235+9.79 грн
800+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-06-7-F BAS40-06-7-F DIODES INCORPORATED BAS40_-04_-05_-06.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 5pF
Reverse recovery time: 5ns
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.30 грн
68+5.53 грн
101+3.72 грн
500+2.96 грн
515+1.71 грн
1417+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28A-13-F DIODES INCORPORATED ds19002.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.1÷35.8V; 13.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...35.8V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CA-13-F SMBJ28CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.1÷35.8V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...35.8V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7 DMP2104LP-7 DIODES INCORPORATED DMP2104LP-7.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: DFN1411-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.20 грн
18+20.93 грн
23+16.30 грн
91+9.72 грн
100+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7 DMP2120U-7 DIODES INCORPORATED DMP2120U.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 0.8W; SOT23
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.10 грн
39+9.64 грн
56+6.77 грн
75+6.17 грн
100+5.77 грн
232+3.80 грн
638+3.60 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2130L-7 DMP2130L-7 DIODES INCORPORATED DMP2130L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.20 грн
20+19.14 грн
100+11.89 грн
180+4.86 грн
495+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2130LDM-7 DMP2130LDM-7 DIODES INCORPORATED DMP2130LDM.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Case: SOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54TA BCX54TA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD11709F2591BF&compId=BCX54x-DTE.pdf?ci_sign=a6de10d206e214dd6aa6c975b3b2ed6b35926cdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 150MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.37 грн
24+15.77 грн
50+11.21 грн
100+9.49 грн
195+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT625TA FMMT625TA DIODES INCORPORATED FMMT625.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 625mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 135MHz
Current gain: 15...400
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.64 грн
14+27.28 грн
72+12.33 грн
197+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD914-7-F MMBD914-7-F DIODES INCORPORATED BAS16-7-DTE.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Max. off-state voltage: 75V
Max. load current: 0.3A
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: small signal
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
59+6.92 грн
114+3.29 грн
211+1.77 грн
500+1.28 грн
806+1.08 грн
2211+1.03 грн
3000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5310TA BCX5310TA DIODES INCORPORATED BCX51_52_53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Power dissipation: 1W
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+25.76 грн
25+15.40 грн
100+7.10 грн
183+4.86 грн
502+4.56 грн
2000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5316TA BCX5316TA DIODES INCORPORATED BCX51_52_53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Power dissipation: 1W
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+22.54 грн
27+14.05 грн
100+10.94 грн
216+4.09 грн
593+3.86 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53TA BCX53TA DIODES INCORPORATED BCX51_52_53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Power dissipation: 1W
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.18 грн
23+16.59 грн
28+13.60 грн
100+9.64 грн
183+4.86 грн
502+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53TC BCX53TC DIODES INCORPORATED Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8016AKR DIODES INCORPORATED PAM8016.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; haptic motor controller; PWM; U-FLGA1515-9
Operating temperature: -25...85°C
Integrated circuit features: Eccentric Rotating Mass (ERM); Linear Resonance Acutator (LRA)
Kind of integrated circuit: haptic motor controller
Topology: H-bridge
Mounting: SMD
Case: U-FLGA1515-9
Operating voltage: 2.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Interface: PWM
Application: haptic motors; linear actuator; servos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8302AADCR PAM8302AADCR DIODES INCORPORATED PAM8302A.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 2.5W; low noise,thermal protection
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Voltage supply range: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
Output power: 2.5W
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+41.86 грн
12+31.47 грн
54+16.52 грн
146+15.70 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8302AASCR DIODES INCORPORATED PAM8302A.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 2.5W; low noise,thermal protection
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...85°C
Voltage supply range: 2...5.5V DC
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Number of channels: 1
Output power: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8302AAYCR DIODES INCORPORATED PAM8302A.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 2.5W; low noise,thermal protection
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Operating temperature: -40...85°C
Voltage supply range: 2...5.5V DC
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Number of channels: 1
Output power: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8303CBSC DIODES INCORPORATED PAM8303C.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 3W; low noise,thermal protection; Ch: 1
Type of integrated circuit: audio amplifier
Output power: 3W
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 2.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8303CBYC DIODES INCORPORATED PAM8303C.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 3W; low noise,thermal protection; Ch: 1
Type of integrated circuit: audio amplifier
Output power: 3W
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: U-DFN3030-8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 2.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F BSS123-7-F DIODES INCORPORATED BSS123-7-F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 32560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.49 грн
38+10.02 грн
45+8.45 грн
71+5.28 грн
100+4.28 грн
672+1.32 грн
1847+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123Q-13 BSS123Q-13 DIODES INCORPORATED BSS123Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123Q-7 BSS123Q-7 DIODES INCORPORATED BSS123Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.84 грн
130+2.89 грн
150+2.59 грн
450+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123TA BSS123TA DIODES INCORPORATED BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.12 грн
40+9.34 грн
100+6.20 грн
253+3.50 грн
695+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W-7-F BSS123W-7-F DIODES INCORPORATED BSS123W.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+22.54 грн
36+10.39 грн
50+7.79 грн
100+6.77 грн
287+3.09 грн
500+3.08 грн
788+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F DIODES INCORPORATED BSS123WQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+19.32 грн
26+14.50 грн
31+12.41 грн
50+7.92 грн
100+6.59 грн
265+3.34 грн
728+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2225LQ-7 DMP2225LQ-7 DIODES INCORPORATED DMP2225L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8304ASR DIODES INCORPORATED PAM8304.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 3W; low noise,thermal protection; Ch: 1
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Voltage supply range: 2.8...6V DC
Mounting: SMD
Case: MSOP8
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
Output power: 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8304AYR DIODES INCORPORATED PAM8304.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 3W; low noise,thermal protection; Ch: 1
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Voltage supply range: 2.8...6V DC
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
Output power: 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 41.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6008LFG-13 DMT6008LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6008LFG-7 DMT6008LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 50.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 80A
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ30A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ30A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33.3÷38.3V; 12.4A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+28.98 грн
23+16.30 грн
100+8.90 грн
164+5.31 грн
450+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AP2112K-1.2TRG1 AP2112.pdf
AP2112K-1.2TRG1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.2V; 0.6A; SOT23-5; SMD
Voltage drop: 1.3V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Case: SOT23-5
Input voltage: 2.5...6V
Integrated circuit features: shutdown mode control input
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Number of channels: 1
Tolerance: ±1.5%
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 1.2V
Output current: 0.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2112K-2.5TRG1 AP2112.pdf
AP2112K-2.5TRG1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 2.5V; 0.6A; SOT23-5; SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOT23-5
Tolerance: ±1.5%
Output voltage: 2.5V
Output current: 0.6A
Voltage drop: 0.4V
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Input voltage: 2.5...6V
Integrated circuit features: shutdown mode control input
Kind of package: reel; tape
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Mounting: SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.42 грн
17+23.17 грн
20+18.76 грн
100+9.57 грн
151+5.83 грн
415+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ16A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ16A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 17.8÷20.5V; 23.1A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...20.5V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+24.96 грн
22+17.57 грн
28+13.60 грн
100+8.97 грн
143+6.13 грн
391+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ58A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ58A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 64.4÷71.2V; 4.3A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.93 грн
31+12.11 грн
50+8.01 грн
100+6.75 грн
214+4.07 грн
588+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13.pdf
DMC3021LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+40.25 грн
14+27.43 грн
64+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ6.5A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ6.5A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 7.22÷7.98V; 35.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 6.5V
Breakdown voltage: 7.22...7.98V
Max. forward impulse current: 35.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+18.52 грн
31+12.41 грн
39+9.64 грн
100+4.96 грн
224+3.90 грн
500+3.65 грн
1000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127S-7 BSS127.pdf
BSS127S-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70mA
On-state resistance: 160Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.59 грн
20+19.14 грн
25+15.02 грн
100+7.03 грн
191+4.62 грн
525+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ58A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ58A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 64.4÷74.6V; 6.4A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...74.6V
Max. forward impulse current: 6.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.49 грн
50+8.07 грн
100+7.10 грн
145+6.20 грн
390+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ26A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ26A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.9÷33.2V; 14.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...33.2V
Max. forward impulse current: 14.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.12 грн
27+14.28 грн
35+10.91 грн
100+6.80 грн
171+5.23 грн
470+4.93 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114ECA-7-F ds30329.pdf
DDTC114ECA-7-F
+1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.05 грн
69+5.46 грн
139+2.70 грн
250+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT125S14-13 74HCT125.pdf
74HCT125S14-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 4; SMD; SO14; HCT; 4.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SO14
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 40µA
Manufacturer series: HCT
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+12.72 грн
47+8.07 грн
100+7.10 грн
148+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TL431ASA-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE799C1EC6641A70749&compId=TL431_432.pdf?ci_sign=3f0dda2ef89169274a30817f84e82be5183f4121
TL431ASA-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.59 грн
19+20.48 грн
23+16.82 грн
29+12.93 грн
100+8.90 грн
210+4.19 грн
576+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8902HKER PAM8902H.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Ch: 1; Amp.class: D; QFN16; 2.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Voltage supply range: 2.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: QFN16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EGPR PAM8904E.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; WQFN12; 1.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: WQFN12
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EJER PAM8904E.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; 1.5÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN16
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904EJPR PAM8904E.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN12; 1.5÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 1.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904JER PAM8904.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; 2.3÷5.5VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Case: UQFN16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 2.3...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904JPR PAM8904.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN12; 1.8÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN12
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8904QJER PAM8904Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN16; 2.3÷5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 2.3...5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN16
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8907SB10-7 PAM8907.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver; piezo sounder; UQFN10; 1.8÷5.5VDC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: piezo sounder
Voltage supply range: 1.8...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN10
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8908JER PAM8908.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 25mW; headphone driver,stereo; Ch: 2
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: headphone driver; stereo
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: AB
Voltage supply range: 2.5...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: UQFN16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 2
Output power: 25mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HD06-T HD01.pdf
HD06-T
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 0.8A; Ifsm: 30A; MiniDIP
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MiniDIP
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.64 грн
17+22.28 грн
100+14.73 грн
114+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AP63300WU-7 AP63300-AP63301.pdf
AP63300WU-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 3.8÷32VDC; Uout: 0.8÷31VDC; 3A; TSOT26
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 3.8...32V DC
Output voltage: 0.8...31V DC
Output current: 3A
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Frequency: 0.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 96%
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.18 грн
10+47.39 грн
31+28.85 грн
84+27.28 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G125SE-7 74LVC1G125.pdf
74LVC1G125SE-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SOT353; LVC; 200uA
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Quiescent current: 200µA
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: LVC
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+17.71 грн
41+9.19 грн
52+7.27 грн
62+6.05 грн
100+5.00 грн
363+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G125W5-7 74LVC1G125.pdf
74LVC1G125W5-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SOT25; LVC; -40÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 200µA
Manufacturer series: LVC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75NTA BSP75N.pdf
BSP75NTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.55Ω
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Kind of package: reel; tape
Control voltage: 60V DC
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SOT223
Supply voltage: 0...5.5V DC
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.60 грн
10+58.75 грн
23+39.09 грн
50+39.02 грн
62+36.93 грн
250+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL431BFTA ZTL431,432.pdf
ZTL431BFTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±0.5%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±0.5%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 11963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+25.76 грн
25+20.86 грн
86+10.32 грн
235+9.79 грн
800+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-06-7-F BAS40_-04_-05_-06.pdf
BAS40-06-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 5pF
Reverse recovery time: 5ns
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.30 грн
68+5.53 грн
101+3.72 грн
500+2.96 грн
515+1.71 грн
1417+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28A-13-F ds19002.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.1÷35.8V; 13.2A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...35.8V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ28CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ28CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 31.1÷35.8V; 13.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...35.8V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7 DMP2104LP-7.pdf
DMP2104LP-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: DFN1411-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.20 грн
18+20.93 грн
23+16.30 грн
91+9.72 грн
100+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2120U-7 DMP2120U.pdf
DMP2120U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 0.8W; SOT23
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
On-state resistance: 62mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.10 грн
39+9.64 грн
56+6.77 грн
75+6.17 грн
100+5.77 грн
232+3.80 грн
638+3.60 грн
1000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2130L-7 DMP2130L.pdf
DMP2130L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.20 грн
20+19.14 грн
100+11.89 грн
180+4.86 грн
495+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2130LDM-7 DMP2130LDM.pdf
DMP2130LDM-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; 1.25W; SOT26
Mounting: SMD
Case: SOT26
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54TA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BD11709F2591BF&compId=BCX54x-DTE.pdf?ci_sign=a6de10d206e214dd6aa6c975b3b2ed6b35926cdf
BCX54TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 150MHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.37 грн
24+15.77 грн
50+11.21 грн
100+9.49 грн
195+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT625TA FMMT625.pdf
FMMT625TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 625mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 135MHz
Current gain: 15...400
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.64 грн
14+27.28 грн
72+12.33 грн
197+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD914-7-F BAS16-7-DTE.pdf
MMBD914-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Max. off-state voltage: 75V
Max. load current: 0.3A
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: small signal
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
на замовлення 4498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
59+6.92 грн
114+3.29 грн
211+1.77 грн
500+1.28 грн
806+1.08 грн
2211+1.03 грн
3000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5310TA BCX51_52_53.pdf
BCX5310TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Power dissipation: 1W
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+25.76 грн
25+15.40 грн
100+7.10 грн
183+4.86 грн
502+4.56 грн
2000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5316TA BCX51_52_53.pdf
BCX5316TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Power dissipation: 1W
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+22.54 грн
27+14.05 грн
100+10.94 грн
216+4.09 грн
593+3.86 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53TA BCX51_52_53.pdf
BCX53TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Power dissipation: 1W
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.18 грн
23+16.59 грн
28+13.60 грн
100+9.64 грн
183+4.86 грн
502+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53TC
BCX53TC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Case: SOT89
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8016AKR PAM8016.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; H-bridge; haptic motor controller; PWM; U-FLGA1515-9
Operating temperature: -25...85°C
Integrated circuit features: Eccentric Rotating Mass (ERM); Linear Resonance Acutator (LRA)
Kind of integrated circuit: haptic motor controller
Topology: H-bridge
Mounting: SMD
Case: U-FLGA1515-9
Operating voltage: 2.8...5.5V DC
Type of integrated circuit: driver
Interface: PWM
Application: haptic motors; linear actuator; servos
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8302AADCR PAM8302A.pdf
PAM8302AADCR
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 2.5W; low noise,thermal protection
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Voltage supply range: 2...5.5V DC
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
Output power: 2.5W
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.86 грн
12+31.47 грн
54+16.52 грн
146+15.70 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8302AASCR PAM8302A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 2.5W; low noise,thermal protection
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...85°C
Voltage supply range: 2...5.5V DC
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Number of channels: 1
Output power: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8302AAYCR PAM8302A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 2.5W; low noise,thermal protection
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Operating temperature: -40...85°C
Voltage supply range: 2...5.5V DC
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Number of channels: 1
Output power: 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8303CBSC PAM8303C.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 3W; low noise,thermal protection; Ch: 1
Type of integrated circuit: audio amplifier
Output power: 3W
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 2.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8303CBYC PAM8303C.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 3W; low noise,thermal protection; Ch: 1
Type of integrated circuit: audio amplifier
Output power: 3W
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: U-DFN3030-8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Voltage supply range: 2.8...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123-7-F BSS123-7-F.pdf
BSS123-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 32560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.49 грн
38+10.02 грн
45+8.45 грн
71+5.28 грн
100+4.28 грн
672+1.32 грн
1847+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123Q-13 BSS123Q.pdf
BSS123Q-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123Q-7 BSS123Q.pdf
BSS123Q-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
60+6.84 грн
130+2.89 грн
150+2.59 грн
450+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123TA BSS123.pdf
BSS123TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.12 грн
40+9.34 грн
100+6.20 грн
253+3.50 грн
695+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123W-7-F BSS123W.pdf
BSS123W-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+22.54 грн
36+10.39 грн
50+7.79 грн
100+6.77 грн
287+3.09 грн
500+3.08 грн
788+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123WQ-7-F BSS123WQ.pdf
BSS123WQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+19.32 грн
26+14.50 грн
31+12.41 грн
50+7.92 грн
100+6.59 грн
265+3.34 грн
728+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2225LQ-7 DMP2225L.pdf
DMP2225LQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8304ASR PAM8304.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 3W; low noise,thermal protection; Ch: 1
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Voltage supply range: 2.8...6V DC
Mounting: SMD
Case: MSOP8
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
Output power: 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8304AYR PAM8304.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 3W; low noise,thermal protection; Ch: 1
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise; thermal protection
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Voltage supply range: 2.8...6V DC
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Type of integrated circuit: audio amplifier
Number of channels: 1
Output power: 3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 130 260 390 520 650 780 910 1040 1170 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1300 1309  [ Наступна Сторінка >> ]