Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73694) > Сторінка 1224 з 1229

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 610 732 854 976 1098 1219 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.07 грн
84+4.92 грн
124+3.31 грн
148+2.77 грн
500+1.90 грн
1500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+29.14 грн
19+21.98 грн
22+18.70 грн
100+10.33 грн
500+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.84W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DIODES INCORPORATED DMN65D8LFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.84W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C12Q-13-F DIODES INCORPORATED ds18004.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 12V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTA ZXMP10A13FQTA DIODES INCORPORATED ZXMP10A13FQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+29.14 грн
50+23.54 грн
100+22.14 грн
250+20.34 грн
500+19.03 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTC ZXMP10A13FTC DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7 DMN601DMK-7 DIODES INCORPORATED ds30657.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 470mA; Idm: 0.85A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 470mA
Pulsed drain current: 0.85A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 304pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D58V0M4U8MR-13 DIODES INCORPORATED D58V0M4U8MR.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 24A; 2.7kW; unidirectional; SO8; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 58V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SO8
Max. forward impulse current: 24A
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 55pF
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 4
Peak pulse power dissipation: 2.7kW
Application: Ethernet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CA-13-F SMBJ40CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.60 грн
49+8.53 грн
54+7.63 грн
61+6.72 грн
100+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CAQ-13-F DIODES INCORPORATED ds40740.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 16.7÷18.5V; 61.5A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 61.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13 DMP3004SSS-13 DIODES INCORPORATED DMP3004SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18.7A; Idm: -110A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -110A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.7A
Gate charge: 156nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19100CFFTA ZXTN19100CFFTA DIODES INCORPORATED ZXTN19100CFF.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 840mW; SOT23F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 0.84W
Case: SOT23F
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.95 грн
8+58.39 грн
10+50.93 грн
50+34.85 грн
100+29.77 грн
500+21.98 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFHTA DIODES INCORPORATED ZXTN25100DFH.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2.5A; 1.81W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 1.81W
Case: SOT23
Current gain: 20...900
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.05 грн
11+39.69 грн
25+31.33 грн
50+26.00 грн
100+21.81 грн
250+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54V-7 BAT54V-7 DIODES INCORPORATED ds30560.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT563; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.18 грн
80+5.17 грн
100+4.26 грн
500+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7 DMG1023UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1023UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.44 грн
17+24.77 грн
20+21.24 грн
100+12.14 грн
500+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.44 грн
19+21.65 грн
50+15.25 грн
100+13.04 грн
500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AP61100Z6-7 AP61100Z6-7 DIODES INCORPORATED AP61100-AP61102.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.3÷5.5VDC; Uout: 0.6÷3.6VDC; 1A; SMD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...3.6V DC
Output current: 1A
Input voltage: 2.3...5.5V DC
Efficiency: 89%
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.96 грн
30+14.10 грн
34+12.38 грн
100+11.15 грн
250+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AP61100QZ6-7 AP61100QZ6-7 DIODES INCORPORATED AP61100Q_AP61102Q.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.3÷5.5VDC; Uout: 0.6÷3.6VDC; 1A; SMD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...3.6V DC
Output current: 1A
Input voltage: 2.3...5.5V DC
Efficiency: 89%
Frequency: 2.2MHz
Application: automotive industry
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.91 грн
21+19.85 грн
25+17.88 грн
50+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AFGE-7 AP2301AFGE-7 DIODES INCORPORATED AP23x1A.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of output: P-Channel
Output current: 2A
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Active logical level: low
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.79 грн
21+20.42 грн
25+18.21 грн
100+15.75 грн
250+14.68 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT6753TA DIODES INCORPORATED ZDT6753.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 100V; 2A; SM8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT6753TC DIODES INCORPORATED ZDT6753.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 100V; 2A; SM8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX415STZ DIODES INCORPORATED ZTX415.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 0.5A; 680mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.68W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G04QSE-7 DIODES INCORPORATED 74LVC1G04Q.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.87 грн
12+35.59 грн
50+24.44 грн
100+20.83 грн
500+15.09 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F MMDT5451-7-F DIODES INCORPORATED ds30171.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 160/150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.55 грн
29+14.60 грн
33+12.46 грн
53+7.82 грн
100+6.36 грн
500+4.31 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA DIODES INCORPORATED ZXTD4591E6.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1A; 1.1W
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.00 грн
10+43.96 грн
30+32.23 грн
50+27.72 грн
100+23.13 грн
150+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD-13 DIODES INCORPORATED DMP3056LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.1A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.05 грн
11+40.26 грн
100+27.39 грн
500+20.67 грн
650+19.68 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BCX38C BCX38C DIODES INCORPORATED BCX38A.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.8A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 5000...10000
Mounting: THT
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: bulk
Pulsed collector current: 2A
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+72.42 грн
10+43.46 грн
25+36.90 грн
100+29.11 грн
200+25.91 грн
500+22.22 грн
1000+19.76 грн
2000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX614 ZTX614 DIODES INCORPORATED ZTX614.pdf Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.8A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 5000...10000
Mounting: THT
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: bulk
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.72 грн
10+46.17 грн
100+29.69 грн
250+25.50 грн
500+22.96 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ26A-13-F SMBJ26A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷33.2V; 14.2A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...33.2V
Max. forward impulse current: 14.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.43 грн
28+14.93 грн
33+12.55 грн
45+9.27 грн
100+5.74 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ26AQ-13-F DIODES INCORPORATED ds40740.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷33.2V; 14.2A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...33.2V
Max. forward impulse current: 14.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF08M
+1
 		DF08M DIODES INCORPORATED DF005_10M.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 50A; DFM
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DFM
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G32QSE-7 DIODES INCORPORATED 74AHCT1G32Q.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT353; 4.5÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G32SE-7 DIODES INCORPORATED 74AHCT1G32.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SOT353; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: totem pole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G32W5-7 74AHCT1G32W5-7 DIODES INCORPORATED 74AHCT1G32.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SOT25; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: totem pole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G32QW5-7 DIODES INCORPORATED 74AHCT1G32Q.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; IN: 2; SMD; SOT25; -40÷125°C; 1uA; AHCT; OUT: 1
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SOT25
Operating temperature: -40...125°C
Quiescent current: 1µA
Family: AHCT
Number of outputs: 1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT164T14-13 DIODES INCORPORATED 74HCT164.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift register,serial input,parallel out
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Kind of output: push-pull
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP14
Kind of input: with Schmitt trigger
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Technology: CMOS; TTL
Number of channels: 8
Family: HCT
Kind of integrated circuit: 8bit; parallel out; serial input; shift register
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ33AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 36.7÷40.6V; 28.1A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 28.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT410-13 DIODES INCORPORATED TT410.pdf Category: Bridge rectifiers - Unclassified
Description: TT410-13
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
US1DWFQ-7 DIODES INCORPORATED US1DWFQ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD DIODES INCORPORATED FMMT413A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 0.1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD DIODES INCORPORATED FMMT415.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 500mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT416TD DIODES INCORPORATED FMMT416.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 500mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT411TA DIODES INCORPORATED FMMT411.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.9A; 800mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.9A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT417TD DIODES INCORPORATED FMMT415.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 500mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V0-7-F BZT52C3V0-7-F DIODES INCORPORATED BZT52Cxx_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 3V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.07 грн
80+5.17 грн
97+4.23 грн
135+3.05 грн
500+2.14 грн
1000+1.88 грн
3000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT2907A-7 DMMT2907A-7 DIODES INCORPORATED DMMT2907A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.6A; 1.28W; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SOT26
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 307MHz
Pulsed collector current: 1A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2103MS8-13 DGD2103MS8-13 DIODES INCORPORATED DGD2103M.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G57W6-7 DIODES INCORPORATED 74LVC1G57.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; buffer,inverter; Ch: 1; IN: 3; CMOS; SMD; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; inverter
Kind of gate: AND; configurable; multiple-function; NAND; NOR; OR; XNOR
Number of channels: 1
Number of inputs: 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: push-pull
Family: LVC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56Q-7-F DIODES INCORPORATED MMBTA55Q_MMBTA56Q.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAZ15-13-F SMAZ15-13-F DIODES INCORPORATED SMAZx-13-F.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 15V; 67mA; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 15V
Zener current: 67mA
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.66 грн
38+11.07 грн
54+7.71 грн
100+6.72 грн
250+5.82 грн
500+5.25 грн
1000+4.92 грн
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FES1DEQ-7 DIODES INCORPORATED FES1DEQ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ28CA-13-F SMAJ28CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 31.1÷34.4V; 8.8A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.78 грн
39+10.58 грн
100+5.49 грн
500+5.25 грн
1000+5.00 грн
5000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ28CAQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 31.1÷34.4V; 8.8A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7 DMN65D8L.pdf
DMN65D8L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.07 грн
84+4.92 грн
124+3.31 грн
148+2.77 грн
500+1.90 грн
1500+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW.pdf
DMN65D8LW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.14 грн
19+21.98 грн
22+18.70 грн
100+10.33 грн
500+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW.pdf
DMN65D8LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7 DMN65D8LFB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.84W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ.pdf
DMN65D8LDWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.84W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ.pdf
DMN65D8LQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ.pdf
DMN65D8LQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C12Q-13-F ds18004.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 12V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTA ZXMP10A13FQ.pdf
ZXMP10A13FQTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.14 грн
50+23.54 грн
100+22.14 грн
250+20.34 грн
500+19.03 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTC
ZXMP10A13FTC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7 ds30657.pdf
DMN601DMK-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 470mA; Idm: 0.85A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 470mA
Pulsed drain current: 0.85A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 304pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D58V0M4U8MR-13 D58V0M4U8MR.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 24A; 2.7kW; unidirectional; SO8; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 58V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SO8
Max. forward impulse current: 24A
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 55pF
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 4
Peak pulse power dissipation: 2.7kW
Application: Ethernet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ40CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
49+8.53 грн
54+7.63 грн
61+6.72 грн
100+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CAQ-13-F ds40740.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15AQ-13-F SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 16.7÷18.5V; 61.5A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 61.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13 DMP3004SSS.pdf
DMP3004SSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18.7A; Idm: -110A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -110A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.7A
Gate charge: 156nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19100CFFTA ZXTN19100CFF.pdf
ZXTN19100CFFTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 840mW; SOT23F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 0.84W
Case: SOT23F
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.95 грн
8+58.39 грн
10+50.93 грн
50+34.85 грн
100+29.77 грн
500+21.98 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFH.pdf
ZXTN25100DFHTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2.5A; 1.81W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 1.81W
Case: SOT23
Current gain: 20...900
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.05 грн
11+39.69 грн
25+31.33 грн
50+26.00 грн
100+21.81 грн
250+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54V-7 ds30560.pdf
BAT54V-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT563; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.18 грн
80+5.17 грн
100+4.26 грн
500+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7 DMG1023UV.pdf
DMG1023UV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.44 грн
17+24.77 грн
20+21.24 грн
100+12.14 грн
500+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV.pdf
DMG1026UV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.44 грн
19+21.65 грн
50+15.25 грн
100+13.04 грн
500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AP61100Z6-7 AP61100-AP61102.pdf
AP61100Z6-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.3÷5.5VDC; Uout: 0.6÷3.6VDC; 1A; SMD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...3.6V DC
Output current: 1A
Input voltage: 2.3...5.5V DC
Efficiency: 89%
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.96 грн
30+14.10 грн
34+12.38 грн
100+11.15 грн
250+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AP61100QZ6-7 AP61100Q_AP61102Q.pdf
AP61100QZ6-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.3÷5.5VDC; Uout: 0.6÷3.6VDC; 1A; SMD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...3.6V DC
Output current: 1A
Input voltage: 2.3...5.5V DC
Efficiency: 89%
Frequency: 2.2MHz
Application: automotive industry
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.91 грн
21+19.85 грн
25+17.88 грн
50+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AFGE-7 AP23x1A.pdf
AP2301AFGE-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of output: P-Channel
Output current: 2A
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Active logical level: low
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.79 грн
21+20.42 грн
25+18.21 грн
100+15.75 грн
250+14.68 грн
500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT6753TA ZDT6753.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 100V; 2A; SM8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT6753TC ZDT6753.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 100V; 2A; SM8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX415STZ ZTX415.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 0.5A; 680mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.68W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G04QSE-7 74LVC1G04Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD.pdf
DMG4800LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.87 грн
12+35.59 грн
50+24.44 грн
100+20.83 грн
500+15.09 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5451-7-F ds30171.pdf
MMDT5451-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 160/150V
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 160/150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.55 грн
29+14.60 грн
33+12.46 грн
53+7.82 грн
100+6.36 грн
500+4.31 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6.pdf
ZXTD4591E6TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1A; 1.1W
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT26
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.00 грн
10+43.96 грн
30+32.23 грн
50+27.72 грн
100+23.13 грн
150+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3056LSD-13 DMP3056LSD.pdf
DMP3056LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.1A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.1A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.05 грн
11+40.26 грн
100+27.39 грн
500+20.67 грн
650+19.68 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BCX38C BCX38A.pdf
BCX38C
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.8A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 5000...10000
Mounting: THT
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: bulk
Pulsed collector current: 2A
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+72.42 грн
10+43.46 грн
25+36.90 грн
100+29.11 грн
200+25.91 грн
500+22.22 грн
1000+19.76 грн
2000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX614 ZTX614.pdf
ZTX614
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.8A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 5000...10000
Mounting: THT
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: bulk
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.72 грн
10+46.17 грн
100+29.69 грн
250+25.50 грн
500+22.96 грн
1000+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ26A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ26A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷33.2V; 14.2A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...33.2V
Max. forward impulse current: 14.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.43 грн
28+14.93 грн
33+12.55 грн
45+9.27 грн
100+5.74 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ26AQ-13-F ds40740.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 28.9÷33.2V; 14.2A; unidirectional; SMB
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 28.9...33.2V
Max. forward impulse current: 14.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF08M DF005_10M.pdf
DF08M
+1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 50A; DFM
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DFM
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G32QSE-7 74AHCT1G32Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SOT353; 4.5÷5.5VDC; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: push-pull
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G32SE-7 74AHCT1G32.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SOT353; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOT353
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: totem pole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G32W5-7 74AHCT1G32.pdf
74AHCT1G32W5-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 1; IN: 2; CMOS,TTL; SMD; SOT25; 4.5÷5.5VDC; AHCT
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of channels: 1
Number of inputs: 2
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: SOT25
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: AHCT
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of output: totem pole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G32QW5-7 74AHCT1G32Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; IN: 2; SMD; SOT25; -40÷125°C; 1uA; AHCT; OUT: 1
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: OR
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SOT25
Operating temperature: -40...125°C
Quiescent current: 1µA
Family: AHCT
Number of outputs: 1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT164T14-13 74HCT164.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift register,serial input,parallel out
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMD
Kind of output: push-pull
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP14
Kind of input: with Schmitt trigger
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Technology: CMOS; TTL
Number of channels: 8
Family: HCT
Kind of integrated circuit: 8bit; parallel out; serial input; shift register
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ33AQ-13-F SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 36.7÷40.6V; 28.1A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 33V
Breakdown voltage: 36.7...40.6V
Max. forward impulse current: 28.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT410-13 TT410.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bridge rectifiers - Unclassified
Description: TT410-13
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
US1DWFQ-7 US1DWFQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT413TD FMMT413A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 0.1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT415TD FMMT415.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 500mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT416TD FMMT416.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 500mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT411TA FMMT411.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.9A; 800mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.9A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT417TD FMMT415.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 500mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 500pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C3V0-7-F BZT52Cxx_ser.pdf
BZT52C3V0-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 3V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.07 грн
80+5.17 грн
97+4.23 грн
135+3.05 грн
500+2.14 грн
1000+1.88 грн
3000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT2907A-7 DMMT2907A.pdf
DMMT2907A-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.6A; 1.28W; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SOT26
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 307MHz
Pulsed collector current: 1A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DGD2103MS8-13 DGD2103M.pdf
DGD2103MS8-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G57W6-7 74LVC1G57.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; buffer,inverter; Ch: 1; IN: 3; CMOS; SMD; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; inverter
Kind of gate: AND; configurable; multiple-function; NAND; NOR; OR; XNOR
Number of channels: 1
Number of inputs: 3
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: push-pull
Family: LVC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA56Q-7-F MMBTA55Q_MMBTA56Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 310mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAZ15-13-F SMAZx-13-F.pdf
SMAZ15-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 15V; 67mA; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 15V
Zener current: 67mA
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.66 грн
38+11.07 грн
54+7.71 грн
100+6.72 грн
250+5.82 грн
500+5.25 грн
1000+4.92 грн
3000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FES1DEQ-7 FES1DEQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ28CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ28CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 31.1÷34.4V; 8.8A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.78 грн
39+10.58 грн
100+5.49 грн
500+5.25 грн
1000+5.00 грн
5000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ28CAQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 31.1÷34.4V; 8.8A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 610 732 854 976 1098 1219 1220 1221 1222 1223 1224 1225 1226 1227 1228 1229  [ Наступна Сторінка >> ]