Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74619) > Сторінка 198 з 1244

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 124 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 248 372 496 620 744 868 992 1116 1240 1244  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ATS137-WG-7-A ATS137-WG-7-A Diodes Incorporated ATS137.pdf Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP139-35WG-7 AP139-35WG-7 Diodes Incorporated AP139.pdf Description: IC REG LDO 3.5V 0.3A SOT25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T-7 Diodes Incorporated DMG1012T.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 391885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.69 грн
6000+15.71 грн
9000+15.03 грн
15000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7 DMG1013T-7 Diodes Incorporated ds31784.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
6000+3.12 грн
9000+2.94 грн
15000+2.56 грн
21000+2.45 грн
30000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7 DMP2035U-7 Diodes Incorporated ds31830.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 26830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
6000+6.04 грн
9000+5.73 грн
15000+5.04 грн
21000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated ds31788.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
на замовлення 62902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.55 грн
10+32.35 грн
100+22.06 грн
500+16.31 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD7000HC-7-F MMBD7000HC-7-F Diodes Incorporated MMBD7000HS_HC.pdf Description: DIODE ARR GP 100V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 223109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
71+4.61 грн
100+4.43 грн
500+3.03 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD7000HS-7-F MMBD7000HS-7-F Diodes Incorporated MMBD7000HS_HC.pdf Description: DIODE ARR GP 100V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 296692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.56 грн
96+3.40 грн
108+3.02 грн
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027LK3-13 DMN2027LK3-13 Diodes Incorporated DMN2027LK3-13.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020LK3-13 DMN3020LK3-13 Diodes Incorporated DMN3020LK3-13.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13 DMN4015LK3-13 Diodes Incorporated DMN4015LK3-13.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3025LK3-13 DMP3025LK3-13 Diodes Incorporated DMP3025LK3.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13 DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated DMN3024LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
на замовлення 75846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.67 грн
10+35.58 грн
100+24.71 грн
500+18.10 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13 DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated DMN4030LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020LK3-13 DMN3020LK3-13 Diodes Incorporated DMN3020LK3-13.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated ds31788.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.38 грн
6000+12.83 грн
9000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13 DMN4015LK3-13 Diodes Incorporated DMN4015LK3-13.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4009LK3-13 DMN4009LK3-13 Diodes Incorporated DMN4009LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13 DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated DMN3024LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.56 грн
5000+13.30 грн
12500+12.35 грн
25000+11.33 грн
62500+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4009LK3-13 DMN4009LK3-13 Diodes Incorporated DMN4009LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13 DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated DMN4030LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD7000HC-7-F MMBD7000HC-7-F Diodes Incorporated MMBD7000HS_HC.pdf Description: DIODE ARR GP 100V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.76 грн
6000+1.68 грн
9000+1.65 грн
15000+1.50 грн
21000+1.31 грн
30000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13 DMN4015LK3-13 Diodes Incorporated DMN4015LK3-13.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD7000HS-7-F MMBD7000HS-7-F Diodes Incorporated MMBD7000HS_HC.pdf Description: DIODE ARR GP 100V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 296692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.76 грн
6000+1.68 грн
9000+1.65 грн
15000+1.50 грн
21000+1.31 грн
30000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3025LK3-13 DMP3025LK3-13 Diodes Incorporated DMP3025LK3.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP7215-33YG-13 AP7215-33YG-13 Diodes Incorporated AP7215.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 600MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 600mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-89-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 55dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 100mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 46933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
17+19.08 грн
25+16.98 грн
100+13.77 грн
250+12.74 грн
500+12.12 грн
1000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AH5792-ZG-7 AH5792-ZG-7 Diodes Incorporated AH5792.pdf Description: IC MOTOR DRIVER ON/OFF SOT553
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AP7215-33YG-13 AP7215-33YG-13 Diodes Incorporated AP7215.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 600MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 600mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-89-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 55dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 100mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.25 грн
5000+11.45 грн
7500+11.28 грн
12500+10.40 грн
17500+10.30 грн
25000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SBR60A100CT SBR60A100CT Diodes Incorporated SBR60A100CT.pdf Description: DIODE ARR SBR 100V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.30 грн
50+164.63 грн
100+135.45 грн
500+107.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2A40SA-13 SBR2A40SA-13 Diodes Incorporated SBR2A40SA.pdf Description: DIODE SBR 40V 2A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.59 грн
12+27.90 грн
100+19.36 грн
500+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SBR02U30LP-7 SBR02U30LP-7 Diodes Incorporated Description: DIODE SBR 30V 200MA X1DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR0240LP-7 SBR0240LP-7 Diodes Incorporated SBR0240LP.pdf Description: DIODE SBR 40V 250MA X1DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 1256309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.15 грн
25+13.02 грн
500+9.43 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
AH2984-PG-B AH2984-PG-B Diodes Incorporated AH2984.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 2.5V-15V 4SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side (2)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 15V
Applications: Fan Motor Driver
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Supplier Device Package: 4-SIP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 181000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.23 грн
10+43.18 грн
25+40.53 грн
100+31.05 грн
250+28.84 грн
500+24.54 грн
1000+19.31 грн
2500+17.50 грн
5000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1A40SA-13 SBR1A40SA-13 Diodes Incorporated SBR1A40SA.pdf Description: DIODE SBR 40V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR20U40CT-G SBR20U40CT-G Diodes Incorporated SBR20U40.pdf Description: DIODE ARR SBR 40V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.20 грн
50+80.16 грн
100+72.82 грн
500+56.07 грн
1000+52.07 грн
2000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1A40SA-13 SBR1A40SA-13 Diodes Incorporated SBR1A40SA.pdf Description: DIODE SBR 40V 1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR40U60CTE SBR40U60CTE Diodes Incorporated SBR40U60CTE.pdf Description: DIODE ARR SBR 60V 20A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+152.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AH5771-PG-B AH5771-PG-B Diodes Incorporated AH5771.pdf Description: IC MOTOR DRIVER 2.5V-15V 4SIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH5792-ZG-7 AH5792-ZG-7 Diodes Incorporated AH5792.pdf Description: IC MOTOR DRIVER ON/OFF SOT553
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR0240LP-7 SBR0240LP-7 Diodes Incorporated SBR0240LP.pdf Description: DIODE SBR 40V 250MA X1DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 1254000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.25 грн
6000+5.96 грн
9000+5.74 грн
15000+5.17 грн
21000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AH5792-ZG-7 AH5792-ZG-7 Diodes Incorporated AH5792.pdf Description: IC MOTOR DRIVER ON/OFF SOT553
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated DMN4036LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
на замовлення 46802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.55 грн
11+31.94 грн
100+21.82 грн
500+16.15 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated DMN6068LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 13934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.30 грн
10+36.55 грн
100+23.65 грн
500+16.98 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTC ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated ZXMP6A17K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 12624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.22 грн
10+56.61 грн
100+35.09 грн
500+26.51 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated DMN6068LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
5000+12.77 грн
7500+12.18 грн
12500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 Diodes Incorporated ds31757.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 144335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.75 грн
11+32.02 грн
100+20.57 грн
500+14.70 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated DMN4036LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.55 грн
5000+12.97 грн
7500+12.44 грн
12500+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSD-13 DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated DMC3028LSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.47 грн
5000+12.77 грн
7500+12.18 грн
12500+10.80 грн
17500+10.43 грн
25000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13 DMG9926USD-13 Diodes Incorporated ds31757.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 144335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.92 грн
5000+9.61 грн
7500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4051LK3-13 DMP4051LK3-13 Diodes Incorporated DMP4051LK3.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 20 V
на замовлення 8323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.78 грн
10+37.28 грн
100+23.89 грн
500+17.40 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TL072SG-13 TL072SG-13 Diodes Incorporated Description: IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: J-FET
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 1.4mA (x2 Channels)
Slew Rate: 13V/µs
Gain Bandwidth Product: 3 MHz
Current - Input Bias: 65 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 10 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSD-13 DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated DMC3028LSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.30 грн
10+36.55 грн
100+23.65 грн
500+16.98 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated DMN3024LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.43 грн
5000+14.54 грн
7500+13.88 грн
12500+12.33 грн
17500+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TL082SG-13 TL082SG-13 Diodes Incorporated Description: IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: J-FET
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 1.4mA (x2 Channels)
Slew Rate: 13V/µs
Gain Bandwidth Product: 4 MHz
Current - Input Bias: 30 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-SO
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 10 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated DMN3024LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 112335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.02 грн
10+40.84 грн
100+26.60 грн
500+19.19 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4051LK3-13 DMP4051LK3-13 Diodes Incorporated DMP4051LK3.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.30 грн
5000+13.11 грн
7500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTC ZXMP6A17KTC Diodes Incorporated ZXMP6A17K.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.78 грн
5000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SBR20100CTP SBR20100CTP Diodes Incorporated SBR20100CTP.pdf Description: DIODE ARR SBR 100V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220S
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7 DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.18 грн
6000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR40U120CTE SBR40U120CTE Diodes Incorporated SBR40U120CTE.pdf Description: DIODE ARRAY SBR 120V 20A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.82 грн
50+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ATS137-WG-7-A ATS137.pdf
ATS137-WG-7-A
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP139-35WG-7 AP139.pdf
AP139-35WG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LDO 3.5V 0.3A SOT25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1012T-7 DMG1012T.pdf
DMG1012T-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67 pF @ 16 V
на замовлення 391885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.69 грн
6000+15.71 грн
9000+15.03 грн
15000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1013T-7 ds31784.pdf
DMG1013T-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59.76 pF @ 16 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.61 грн
6000+3.12 грн
9000+2.94 грн
15000+2.56 грн
21000+2.45 грн
30000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035U-7 ds31830.pdf
DMP2035U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 10 V
на замовлення 26830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.92 грн
6000+6.04 грн
9000+5.73 грн
15000+5.04 грн
21000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
DMG8601UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
на замовлення 62902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.55 грн
10+32.35 грн
100+22.06 грн
500+16.31 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD7000HC-7-F MMBD7000HS_HC.pdf
MMBD7000HC-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR GP 100V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 223109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.56 грн
71+4.61 грн
100+4.43 грн
500+3.03 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD7000HS-7-F MMBD7000HS_HC.pdf
MMBD7000HS-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR GP 100V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 296692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.56 грн
96+3.40 грн
108+3.02 грн
500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027LK3-13 DMN2027LK3-13.pdf
DMN2027LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020LK3-13 DMN3020LK3-13.pdf
DMN3020LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13 DMN4015LK3-13.pdf
DMN4015LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3025LK3-13 DMP3025LK3.pdf
DMP3025LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13 DMN3024LK3.pdf
DMN3024LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
на замовлення 75846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.67 грн
10+35.58 грн
100+24.71 грн
500+18.10 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13 DMN4030LK3.pdf
DMN4030LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020LK3-13 DMN3020LK3-13.pdf
DMN3020LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
DMG8601UFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.38 грн
6000+12.83 грн
9000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13 DMN4015LK3-13.pdf
DMN4015LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4009LK3-13 DMN4009LK3.pdf
DMN4009LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13 DMN3024LK3.pdf
DMN3024LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.56 грн
5000+13.30 грн
12500+12.35 грн
25000+11.33 грн
62500+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4009LK3-13 DMN4009LK3.pdf
DMN4009LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 18A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4030LK3-13 DMN4030LK3.pdf
DMN4030LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD7000HC-7-F MMBD7000HS_HC.pdf
MMBD7000HC-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR GP 100V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.76 грн
6000+1.68 грн
9000+1.65 грн
15000+1.50 грн
21000+1.31 грн
30000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4015LK3-13 DMN4015LK3-13.pdf
DMN4015LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD7000HS-7-F MMBD7000HS_HC.pdf
MMBD7000HS-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR GP 100V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
на замовлення 296692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.76 грн
6000+1.68 грн
9000+1.65 грн
15000+1.50 грн
21000+1.31 грн
30000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3025LK3-13 DMP3025LK3.pdf
DMP3025LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 10.6A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP7215-33YG-13 AP7215.pdf
AP7215-33YG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 3.3V 600MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 600mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-89-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 55dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 100mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 46933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.55 грн
17+19.08 грн
25+16.98 грн
100+13.77 грн
250+12.74 грн
500+12.12 грн
1000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AH5792-ZG-7 AH5792.pdf
AH5792-ZG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC MOTOR DRIVER ON/OFF SOT553
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AP7215-33YG-13 AP7215.pdf
AP7215-33YG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 3.3V 600MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 600mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-89-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 55dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 100mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.25 грн
5000+11.45 грн
7500+11.28 грн
12500+10.40 грн
17500+10.30 грн
25000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SBR60A100CT SBR60A100CT.pdf
SBR60A100CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SBR 100V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.30 грн
50+164.63 грн
100+135.45 грн
500+107.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SBR2A40SA-13 SBR2A40SA.pdf
SBR2A40SA-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 40V 2A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.59 грн
12+27.90 грн
100+19.36 грн
500+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SBR02U30LP-7
SBR02U30LP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 200MA X1DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR0240LP-7 SBR0240LP.pdf
SBR0240LP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 40V 250MA X1DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 1256309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.15 грн
25+13.02 грн
500+9.43 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
AH2984-PG-B AH2984.pdf
AH2984-PG-B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC MOTOR DRIVER 2.5V-15V 4SIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side (2)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 15V
Applications: Fan Motor Driver
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Supplier Device Package: 4-SIP
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Part Status: Active
на замовлення 181000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.23 грн
10+43.18 грн
25+40.53 грн
100+31.05 грн
250+28.84 грн
500+24.54 грн
1000+19.31 грн
2500+17.50 грн
5000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1A40SA-13 SBR1A40SA.pdf
SBR1A40SA-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 40V 1A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR20U40CT-G SBR20U40.pdf
SBR20U40CT-G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SBR 40V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.20 грн
50+80.16 грн
100+72.82 грн
500+56.07 грн
1000+52.07 грн
2000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1A40SA-13 SBR1A40SA.pdf
SBR1A40SA-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 40V 1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR40U60CTE SBR40U60CTE.pdf
SBR40U60CTE
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SBR 60V 20A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+152.54 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AH5771-PG-B AH5771.pdf
AH5771-PG-B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC MOTOR DRIVER 2.5V-15V 4SIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH5792-ZG-7 AH5792.pdf
AH5792-ZG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC MOTOR DRIVER ON/OFF SOT553
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR0240LP-7 SBR0240LP.pdf
SBR0240LP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 40V 250MA X1DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
на замовлення 1254000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.25 грн
6000+5.96 грн
9000+5.74 грн
15000+5.17 грн
21000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AH5792-ZG-7 AH5792.pdf
AH5792-ZG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC MOTOR DRIVER ON/OFF SOT553
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3.pdf
DMN4036LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
на замовлення 46802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.55 грн
11+31.94 грн
100+21.82 грн
500+16.15 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3.pdf
DMN6068LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 13934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.30 грн
10+36.55 грн
100+23.65 грн
500+16.98 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTC ZXMP6A17K.pdf
ZXMP6A17KTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 12624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.22 грн
10+56.61 грн
100+35.09 грн
500+26.51 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3.pdf
DMN6068LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.47 грн
5000+12.77 грн
7500+12.18 грн
12500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13 ds31757.pdf
DMG9926USD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 144335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.75 грн
11+32.02 грн
100+20.57 грн
500+14.70 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4036LK3-13 DMN4036LK3.pdf
DMN4036LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.55 грн
5000+12.97 грн
7500+12.44 грн
12500+11.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSD-13 DMC3028LSD.pdf
DMC3028LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.47 грн
5000+12.77 грн
7500+12.18 грн
12500+10.80 грн
17500+10.43 грн
25000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13 ds31757.pdf
DMG9926USD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 144335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.92 грн
5000+9.61 грн
7500+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4051LK3-13 DMP4051LK3.pdf
DMP4051LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 20 V
на замовлення 8323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.78 грн
10+37.28 грн
100+23.89 грн
500+17.40 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TL072SG-13
TL072SG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: J-FET
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 1.4mA (x2 Channels)
Slew Rate: 13V/µs
Gain Bandwidth Product: 3 MHz
Current - Input Bias: 65 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 10 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSD-13 DMC3028LSD.pdf
DMC3028LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 29973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.30 грн
10+36.55 грн
100+23.65 грн
500+16.98 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD.pdf
DMN3024LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.43 грн
5000+14.54 грн
7500+13.88 грн
12500+12.33 грн
17500+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TL082SG-13
TL082SG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: J-FET
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 1.4mA (x2 Channels)
Slew Rate: 13V/µs
Gain Bandwidth Product: 4 MHz
Current - Input Bias: 30 pA
Voltage - Input Offset: 3 mV
Supplier Device Package: 8-SO
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 10 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD.pdf
DMN3024LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 112335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.02 грн
10+40.84 грн
100+26.60 грн
500+19.19 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4051LK3-13 DMP4051LK3.pdf
DMP4051LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.30 грн
5000+13.11 грн
7500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP6A17KTC ZXMP6A17K.pdf
ZXMP6A17KTC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.78 грн
5000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SBR20100CTP SBR20100CTP.pdf
SBR20100CTP
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SBR 100V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220S
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LDM-7
DMG6402LDM-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.18 грн
6000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR40U120CTE SBR40U120CTE.pdf
SBR40U120CTE
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARRAY SBR 120V 20A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-262
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 860 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 120 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.82 грн
50+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 124 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 248 372 496 620 744 868 992 1116 1240 1244  Наступна Сторінка >> ]