Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72695) > Сторінка 687 з 1212

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 682 683 684 685 686 687 688 689 690 691 692 726 847 968 1089 1210 1212  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH8004LPS-13 DMTH8004LPS-13 Diodes Incorporated DMTH8004LPS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4979 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPSWQ-13 DMTH8003SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH8003SPSWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9081 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPSW-13 DMTH8003SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH8003SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9081 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003STLW-13 DMTH8003STLW-13 Diodes Incorporated DMTH8003STLW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003STLWQ-13 DMTH8003STLWQ-13 Diodes Incorporated DMTH8003STLWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+87.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLW-13 DMTH8001STLW-13 Diodes Incorporated DMTH8001STLW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+199.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DF08M DF08M Diodes Incorporated ds21201.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFM
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFM
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 26271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.05 грн
50+23.10 грн
100+20.34 грн
500+14.53 грн
1000+13.06 грн
2000+11.83 грн
5000+10.31 грн
10000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241BS-7 MMSZ5241BS-7 Diodes Incorporated ds31038.pdf Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP68D1LQ-7 DMP68D1LQ-7 Diodes Incorporated DMP68D1LQ.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.12 грн
46+7.25 грн
53+6.33 грн
100+5.03 грн
250+4.60 грн
500+4.33 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-F 2N7002EQ-7-F Diodes Incorporated 2N7002EQ.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.10 грн
28+12.11 грн
100+7.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7 DMN62D2UQ-7 Diodes Incorporated DMN62D2UQ.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.09 грн
20+16.97 грн
100+8.96 грн
500+5.87 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7 DMN62D2UQ-7 Diodes Incorporated DMN62D2UQ.pdf Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBW-7B Diodes Incorporated DMN62D1SFBW.pdf Description: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 528mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500µW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1006-3/SWP (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBWQ-7B Diodes Incorporated DMN62D1SFBWQ.pdf Description: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 538mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1006-3/SWP (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.45 грн
20000+3.03 грн
30000+2.87 грн
50000+2.54 грн
70000+2.44 грн
100000+2.35 грн
250000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSD-13 DMTH6016LSD-13 Diodes Incorporated DMTH6016LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSD-13 DMTH6016LSD-13 Diodes Incorporated DMTH6016LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.79 грн
100+41.64 грн
500+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR745 MBR745 Diodes Incorporated ds23007.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C7V5Q-7-F BZX84C7V5Q-7-F Diodes Incorporated ds18001.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23
Tolerance: ±6%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.69 грн
38+8.73 грн
100+5.50 грн
500+3.29 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C7V5Q-7-F BZX84C7V5Q-7-F Diodes Incorporated ds18001.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23
Tolerance: ±6%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.69 грн
38+8.73 грн
100+5.50 грн
500+3.29 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD718MCTA ZXTD718MCTA Diodes Incorporated ZXTD718MC.pdf Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A W-DFN3020-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD718MCTA ZXTD718MCTA Diodes Incorporated ZXTD718MC.pdf Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A W-DFN3020-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.41 грн
10+56.11 грн
100+36.97 грн
500+26.99 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS240LX-7 DFLS240LX-7 Diodes Incorporated Description: DIODE SCHOTTK 40V 2A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 11280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+7.81 грн
66+5.00 грн
76+4.37 грн
100+3.45 грн
250+3.14 грн
500+2.95 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
DFLZ11Q-7 DFLZ11Q-7 Diodes Incorporated DFLZxxQ.pdf Description: DIODE ZENER 11V 1W POWERDI 123
Tolerance: ±5.45%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.21 грн
13+27.11 грн
100+17.34 грн
500+12.31 грн
1000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DFLZ27Q-7 DFLZ27Q-7 Diodes Incorporated DFLZxxQ.pdf Description: DIODE ZENER 27V 1W POWERDI 123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
6000+9.26 грн
9000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DFLZ27Q-7 DFLZ27Q-7 Diodes Incorporated DFLZxxQ.pdf Description: DIODE ZENER 27V 1W POWERDI 123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
12+29.50 грн
100+18.90 грн
500+13.48 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DFLT36AQ-7 DFLT36AQ-7 Diodes Incorporated DFLT5V0AQ-DFLT40AQ.pdf Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC PWRDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.87A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 40V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 58.1V
Power - Peak Pulse: 225W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.18 грн
10+34.85 грн
100+22.53 грн
500+16.17 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DA_HF ES2DA_HF Diodes Incorporated ES2DA-ES2JA_LS.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 129860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.83 грн
40+8.24 грн
46+7.32 грн
100+5.83 грн
250+5.34 грн
500+5.04 грн
1000+4.72 грн
2500+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D_HF ES2D_HF Diodes Incorporated ds14002.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 2A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 638725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.69 грн
37+9.15 грн
41+8.11 грн
100+6.46 грн
250+5.92 грн
500+5.60 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17NQTA BFS17NQTA Diodes Incorporated ds32160.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17NQTA BFS17NQTA Diodes Incorporated ds32160.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7 DMP3035SFG-7 Diodes Incorporated DMP3035SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7 DMP3035SFG-7 Diodes Incorporated DMP3035SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.75 грн
10+36.09 грн
100+23.33 грн
500+16.73 грн
1000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WSQ-13-F 1N4148WSQ-13-F Diodes Incorporated 1N4148WS_BAV16WS.pdf Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 579986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.12 грн
55+6.10 грн
100+3.74 грн
500+2.54 грн
1000+2.16 грн
2000+1.96 грн
5000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
FMC500001Q FMC500001Q Diodes Incorporated FM_2-5V.pdf Description: XTAL OSC XO 125.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.063" W (2.05mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V
Frequency: 125 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9515AZEEX PI6ULS5V9515AZEEX Diodes Incorporated PI6ULS5V9515A.pdf Description: IC REDRIVER I2C 1CH 400KHZ 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Delay Time: 113ns
Number of Channels: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output: 2-Wire Bus
Type: Buffer, ReDriver
Input: 2-Wire Bus
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Applications: I2C
Current - Supply: 1.7mA
Data Rate (Max): 400kHz
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Capacitance - Input: 6 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9515AZEEX PI6ULS5V9515AZEEX Diodes Incorporated PI6ULS5V9515A.pdf Description: IC REDRIVER I2C 1CH 400KHZ 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Delay Time: 113ns
Number of Channels: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output: 2-Wire Bus
Type: Buffer, ReDriver
Input: 2-Wire Bus
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Applications: I2C
Current - Supply: 1.7mA
Data Rate (Max): 400kHz
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Capacitance - Input: 6 pF
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9517BZEEX PI6ULS5V9517BZEEX Diodes Incorporated PI6ULS5V9517B.pdf Description: INTERFACE ULS W-DFN2030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Delay Time: 169ns
Number of Channels: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output: 2-Wire Bus
Type: Buffer, ReDriver
Input: 2-Wire Bus
Voltage - Supply: 0.8V ~ 5.5V
Applications: I2C
Current - Supply: 500µA
Data Rate (Max): 400kHz
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI3DBV10ZEEX PI3DBV10ZEEX Diodes Incorporated PI3DBV10.pdf Description: IC VIDEO SWITCH 2X1 12TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Video
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 500MHz
Supplier Device Package: 12-TDFN (3.5x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDM1M40LP8Q-7 SDM1M40LP8Q-7 Diodes Incorporated SDM1M40LP8Q.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A UDFN16082
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 8.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: U-DFN1608-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.96 грн
20000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SDM1M40LP8Q-7 SDM1M40LP8Q-7 Diodes Incorporated SDM1M40LP8Q.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A UDFN16082
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 8.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: U-DFN1608-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.52 грн
17+19.61 грн
100+12.39 грн
500+8.70 грн
1000+7.75 грн
2000+6.95 грн
5000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
D50V0S1U2LP1608-7 D50V0S1U2LP1608-7 Diodes Incorporated D12V0S1U2LP1608-D50V0S1U2LP1608.pdf Description: TVS DIODE 50VWM 90VC UDFN16082
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 126pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 50V
Supplier Device Package: U-DFN1608-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 90V
Power Line Protection: No
на замовлення 57300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.38 грн
19+17.55 грн
100+7.09 грн
500+6.13 грн
1000+5.47 грн
2000+5.44 грн
5000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1M100BLP-7 SBR1M100BLP-7 Diodes Incorporated SBR1M100BLP.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 1A DFN3030
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Super Barrier
Supplier Device Package: U-DFN3030-4
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.12 грн
6000+18.28 грн
9000+17.15 грн
15000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1M100BLP-7 SBR1M100BLP-7 Diodes Incorporated SBR1M100BLP.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 1A DFN3030
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Super Barrier
Supplier Device Package: U-DFN3030-4
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.90 грн
10+48.37 грн
100+32.74 грн
500+23.81 грн
1000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82A-B 1.5KE82A-B Diodes Incorporated ds21503.pdf Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSC06A065LP-13 DSC06A065LP-13 Diodes Incorporated Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DSC06A065LP-13 DSC06A065LP-13 Diodes Incorporated Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+320.87 грн
10+203.77 грн
100+144.10 грн
500+124.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE250A-B P6KE250A-B Diodes Incorporated ds21502.pdf Description: TVS DIODE 214VWM 344VC DO15
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.75A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: DO-15
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B250AE-13 B250AE-13 Diodes Incorporated B250%28A%2CB%29E%2C%20B260%28A%2CB%29E.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL2500094 FL2500094 Diodes Incorporated FL.pdf Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 8PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±10ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 25 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL2500094 FL2500094 Diodes Incorporated FL.pdf Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 8PF SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±10ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 25 MHz
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.22 грн
10+34.11 грн
25+32.30 грн
50+29.04 грн
100+27.85 грн
250+26.33 грн
500+24.83 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FZT956QTA FZT956QTA Diodes Incorporated FZT956.pdf Description: TRANS PNP 200V 2A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.76 грн
10+84.54 грн
100+56.90 грн
500+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HBS410-13 HBS410-13 Diodes Incorporated HBS410.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A HBS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: HBS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 792500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.22 грн
5000+17.03 грн
7500+16.28 грн
12500+14.49 грн
17500+14.02 грн
25000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HBS410-13 HBS410-13 Diodes Incorporated HBS410.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A HBS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: HBS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 794974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.15 грн
10+45.81 грн
100+29.93 грн
500+21.67 грн
1000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HBS610-13 HBS610-13 Diodes Incorporated HBS610.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A HBS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: HBS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.49 грн
5000+19.08 грн
7500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HBS610-13 HBS610-13 Diodes Incorporated HBS610.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A HBS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: HBS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.85 грн
10+50.51 грн
100+33.16 грн
500+24.12 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-7 DMT6017LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6017LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.04 грн
10+35.27 грн
100+22.77 грн
500+16.31 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated DMT6013LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated DMT6013LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.61 грн
10+36.67 грн
100+23.72 грн
500+17.03 грн
1000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LDV-7 DMT6017LDV-7 Diodes Incorporated DMT6017LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25.3 PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LDV-7 DMT6017LDV-7 Diodes Incorporated DMT6017LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25.3 PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.98 грн
10+57.35 грн
100+37.89 грн
500+27.72 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8004LPS-13 DMTH8004LPS.pdf
DMTH8004LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4979 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPSWQ-13 DMTH8003SPSWQ.pdf
DMTH8003SPSWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9081 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPSW-13 DMTH8003SPSW.pdf
DMTH8003SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9081 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003STLW-13 DMTH8003STLW.pdf
DMTH8003STLW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003STLWQ-13 DMTH8003STLWQ.pdf
DMTH8003STLWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+87.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLW-13 DMTH8001STLW.pdf
DMTH8001STLW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+199.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DF08M ds21201.pdf
DF08M
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DFM
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DFM
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 26271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.05 грн
50+23.10 грн
100+20.34 грн
500+14.53 грн
1000+13.06 грн
2000+11.83 грн
5000+10.31 грн
10000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5241BS-7 ds31038.pdf
MMSZ5241BS-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP68D1LQ-7 DMP68D1LQ.pdf
DMP68D1LQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 206mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.12 грн
46+7.25 грн
53+6.33 грн
100+5.03 грн
250+4.60 грн
500+4.33 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-F 2N7002EQ.pdf
2N7002EQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.10 грн
28+12.11 грн
100+7.47 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7 DMN62D2UQ.pdf
DMN62D2UQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.09 грн
20+16.97 грн
100+8.96 грн
500+5.87 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D2UQ-7 DMN62D2UQ.pdf
DMN62D2UQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBW-7B DMN62D1SFBW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 528mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500µW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1006-3/SWP (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1SFBWQ-7B DMN62D1SFBWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 FAMILY X2-DFN1006-3 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 538mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1006-3/SWP (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 980000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.45 грн
20000+3.03 грн
30000+2.87 грн
50000+2.54 грн
70000+2.44 грн
100000+2.35 грн
250000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSD-13 DMTH6016LSD.pdf
DMTH6016LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSD-13 DMTH6016LSD.pdf
DMTH6016LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.68 грн
10+62.79 грн
100+41.64 грн
500+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MBR745 ds23007.pdf
MBR745
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C7V5Q-7-F ds18001.pdf
BZX84C7V5Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23
Tolerance: ±6%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.69 грн
38+8.73 грн
100+5.50 грн
500+3.29 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C7V5Q-7-F ds18001.pdf
BZX84C7V5Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23
Tolerance: ±6%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.69 грн
38+8.73 грн
100+5.50 грн
500+3.29 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD718MCTA ZXTD718MC.pdf
ZXTD718MCTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A W-DFN3020-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD718MCTA ZXTD718MC.pdf
ZXTD718MCTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A W-DFN3020-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.41 грн
10+56.11 грн
100+36.97 грн
500+26.99 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DFLS240LX-7
DFLS240LX-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTK 40V 2A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 11280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+7.81 грн
66+5.00 грн
76+4.37 грн
100+3.45 грн
250+3.14 грн
500+2.95 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
DFLZ11Q-7 DFLZxxQ.pdf
DFLZ11Q-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 11V 1W POWERDI 123
Tolerance: ±5.45%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 8.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.21 грн
13+27.11 грн
100+17.34 грн
500+12.31 грн
1000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DFLZ27Q-7 DFLZxxQ.pdf
DFLZ27Q-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 27V 1W POWERDI 123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.68 грн
6000+9.26 грн
9000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DFLZ27Q-7 DFLZxxQ.pdf
DFLZ27Q-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 27V 1W POWERDI 123
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 3 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Grade: Automotive
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.48 грн
12+29.50 грн
100+18.90 грн
500+13.48 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DFLT36AQ-7 DFLT5V0AQ-DFLT40AQ.pdf
DFLT36AQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC PWRDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.87A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 40V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 58.1V
Power - Peak Pulse: 225W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.18 грн
10+34.85 грн
100+22.53 грн
500+16.17 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ES2DA_HF ES2DA-ES2JA_LS.pdf
ES2DA_HF
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 129860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.83 грн
40+8.24 грн
46+7.32 грн
100+5.83 грн
250+5.34 грн
500+5.04 грн
1000+4.72 грн
2500+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D_HF ds14002.pdf
ES2D_HF
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 200V 2A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 638725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.69 грн
37+9.15 грн
41+8.11 грн
100+6.46 грн
250+5.92 грн
500+5.60 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17NQTA ds32160.pdf
BFS17NQTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFS17NQTA ds32160.pdf
BFS17NQTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7 DMP3035SFG.pdf
DMP3035SFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3035SFG-7 DMP3035SFG.pdf
DMP3035SFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 15 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.75 грн
10+36.09 грн
100+23.33 грн
500+16.73 грн
1000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1N4148WSQ-13-F 1N4148WS_BAV16WS.pdf
1N4148WSQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 75V 150MA SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 579986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.12 грн
55+6.10 грн
100+3.74 грн
500+2.54 грн
1000+2.16 грн
2000+1.96 грн
5000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
FMC500001Q FM_2-5V.pdf
FMC500001Q
Виробник: Diodes Incorporated
Description: XTAL OSC XO 125.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.081" L x 0.063" W (2.05mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V
Frequency: 125 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9515AZEEX PI6ULS5V9515A.pdf
PI6ULS5V9515AZEEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REDRIVER I2C 1CH 400KHZ 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Delay Time: 113ns
Number of Channels: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output: 2-Wire Bus
Type: Buffer, ReDriver
Input: 2-Wire Bus
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Applications: I2C
Current - Supply: 1.7mA
Data Rate (Max): 400kHz
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Capacitance - Input: 6 pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9515AZEEX PI6ULS5V9515A.pdf
PI6ULS5V9515AZEEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REDRIVER I2C 1CH 400KHZ 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Delay Time: 113ns
Number of Channels: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output: 2-Wire Bus
Type: Buffer, ReDriver
Input: 2-Wire Bus
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Applications: I2C
Current - Supply: 1.7mA
Data Rate (Max): 400kHz
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Capacitance - Input: 6 pF
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9517BZEEX PI6ULS5V9517B.pdf
PI6ULS5V9517BZEEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: INTERFACE ULS W-DFN2030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Delay Time: 169ns
Number of Channels: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output: 2-Wire Bus
Type: Buffer, ReDriver
Input: 2-Wire Bus
Voltage - Supply: 0.8V ~ 5.5V
Applications: I2C
Current - Supply: 500µA
Data Rate (Max): 400kHz
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI3DBV10ZEEX PI3DBV10.pdf
PI3DBV10ZEEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC VIDEO SWITCH 2X1 12TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Video
On-State Resistance (Max): 8Ohm
-3db Bandwidth: 500MHz
Supplier Device Package: 12-TDFN (3.5x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDM1M40LP8Q-7 SDM1M40LP8Q.pdf
SDM1M40LP8Q-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A UDFN16082
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 8.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: U-DFN1608-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.96 грн
20000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SDM1M40LP8Q-7 SDM1M40LP8Q.pdf
SDM1M40LP8Q-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A UDFN16082
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 8.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: U-DFN1608-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.52 грн
17+19.61 грн
100+12.39 грн
500+8.70 грн
1000+7.75 грн
2000+6.95 грн
5000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
D50V0S1U2LP1608-7 D12V0S1U2LP1608-D50V0S1U2LP1608.pdf
D50V0S1U2LP1608-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 50VWM 90VC UDFN16082
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 126pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 50V
Supplier Device Package: U-DFN1608-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 90V
Power Line Protection: No
на замовлення 57300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.38 грн
19+17.55 грн
100+7.09 грн
500+6.13 грн
1000+5.47 грн
2000+5.44 грн
5000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1M100BLP-7 SBR1M100BLP.pdf
SBR1M100BLP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 1A DFN3030
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Super Barrier
Supplier Device Package: U-DFN3030-4
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.12 грн
6000+18.28 грн
9000+17.15 грн
15000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SBR1M100BLP-7 SBR1M100BLP.pdf
SBR1M100BLP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 1A DFN3030
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Super Barrier
Supplier Device Package: U-DFN3030-4
Grade: Automotive
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.90 грн
10+48.37 грн
100+32.74 грн
500+23.81 грн
1000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82A-B ds21503.pdf
1.5KE82A-B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSC06A065LP-13
DSC06A065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+112.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DSC06A065LP-13
DSC06A065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.87 грн
10+203.77 грн
100+144.10 грн
500+124.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE250A-B ds21502.pdf
P6KE250A-B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 214VWM 344VC DO15
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.75A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: DO-15
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B250AE-13 B250%28A%2CB%29E%2C%20B260%28A%2CB%29E.pdf
B250AE-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL2500094 FL.pdf
FL2500094
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 8PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±10ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 25 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL2500094 FL.pdf
FL2500094
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 8PF SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±10ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 25 MHz
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.22 грн
10+34.11 грн
25+32.30 грн
50+29.04 грн
100+27.85 грн
250+26.33 грн
500+24.83 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FZT956QTA FZT956.pdf
FZT956QTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.76 грн
10+84.54 грн
100+56.90 грн
500+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HBS410-13 HBS410.pdf
HBS410-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A HBS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: HBS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 792500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.22 грн
5000+17.03 грн
7500+16.28 грн
12500+14.49 грн
17500+14.02 грн
25000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HBS410-13 HBS410.pdf
HBS410-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A HBS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: HBS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 794974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.15 грн
10+45.81 грн
100+29.93 грн
500+21.67 грн
1000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HBS610-13 HBS610.pdf
HBS610-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A HBS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: HBS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.49 грн
5000+19.08 грн
7500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
HBS610-13 HBS610.pdf
HBS610-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A HBS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: HBS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.85 грн
10+50.51 грн
100+33.16 грн
500+24.12 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFDF-7 DMT6017LFDF.pdf
DMT6017LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 2656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.04 грн
10+35.27 грн
100+22.77 грн
500+16.31 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS.pdf
DMT6013LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6013LSS-13 DMT6013LSS.pdf
DMT6013LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.61 грн
10+36.67 грн
100+23.72 грн
500+17.03 грн
1000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LDV-7 DMT6017LDV.pdf
DMT6017LDV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 25.3 PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LDV-7 DMT6017LDV.pdf
DMT6017LDV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 25.3 PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.3 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.98 грн
10+57.35 грн
100+37.89 грн
500+27.72 грн
1000+25.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 682 683 684 685 686 687 688 689 690 691 692 726 847 968 1089 1210 1212  [ Наступна Сторінка >> ]