Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72694) > Сторінка 684 з 1212

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 679 680 681 682 683 684 685 686 687 688 689 726 847 968 1089 1210 1212  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PI3A3899ZTAEX PI3A3899ZTAEX Diodes Incorporated PI3A3899.pdf Description: IC SWITCH DPDT X 2 2.4OHM 16UQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.4Ohm
-3db Bandwidth: 330MHz
Supplier Device Package: 16-UQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 13pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 8ns, 12ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI3A3899ZTAEX PI3A3899ZTAEX Diodes Incorporated PI3A3899.pdf Description: IC SWITCH DPDT X 2 2.4OHM 16UQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.4Ohm
-3db Bandwidth: 330MHz
Supplier Device Package: 16-UQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 13pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 8ns, 12ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.18 грн
10+39.88 грн
25+35.83 грн
100+29.45 грн
250+27.48 грн
500+26.28 грн
1000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25FSW-7 Diodes Incorporated BC817-16FSW-BC817-40FSW.pdf Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF02S-T DF02S-T Diodes Incorporated ds17001.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DF-S
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+11.96 грн
3000+10.44 грн
4500+9.90 грн
7500+8.71 грн
10500+8.37 грн
15000+8.04 грн
37500+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DF02S-T DF02S-T Diodes Incorporated ds17001.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DF-S
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 45007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.77 грн
12+29.00 грн
100+18.55 грн
500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ABS10_HF ABS10_HF Diodes Incorporated PdfFile_217570.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A ABS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 9551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.83 грн
43+7.83 грн
100+4.80 грн
500+3.28 грн
1000+2.88 грн
2000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
UF1003-T UF1003-T Diodes Incorporated UF1001-UF1007.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.15 грн
10000+5.58 грн
15000+5.53 грн
25000+4.89 грн
35000+4.83 грн
50000+4.65 грн
125000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F BSS138-13-F Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F BSS138-13-F Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.41 грн
39+8.47 грн
100+5.24 грн
500+3.59 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
AP7353D-25FS4-7 AP7353D-25FS4-7 Diodes Incorporated AP7353.pdf Description: IC REG LINEAR 2.5V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 250mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 27 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4 (Type B)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 90dB ~ 70dB (100Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.168V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.39 грн
23+14.34 грн
26+12.72 грн
100+10.25 грн
250+9.45 грн
500+8.96 грн
1000+8.42 грн
2500+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13 DMT3006LFDFQ-13 Diodes Incorporated Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13 DMT3006LDV-13 Diodes Incorporated DMT3006LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7 DMT3006LDV-7 Diodes Incorporated DMT3006LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.31 грн
4000+17.97 грн
6000+17.16 грн
10000+15.25 грн
14000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7 DMTH8028LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH8028LFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7 DMTH8028LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH8028LFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.16 грн
10+46.55 грн
100+31.35 грн
500+23.78 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPSW.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.35 грн
5000+24.16 грн
7500+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPSW.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.42 грн
10+59.74 грн
100+39.72 грн
500+29.10 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW-13 Diodes Incorporated DMT61M5SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW-13 Diodes Incorporated DMT61M5SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 17071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.27 грн
10+121.54 грн
100+83.48 грн
500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSW-13 DMP3028LPSW-13 Diodes Incorporated DMP3028LPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1421 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.03 грн
5000+13.27 грн
7500+12.66 грн
12500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13 DMT35M4LPSW-13 Diodes Incorporated DMT35M4LPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1029 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.18 грн
5000+15.21 грн
7500+14.53 грн
12500+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2LPSW-13 DMTH47M2LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH47M2LPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 20 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.61 грн
5000+15.60 грн
7500+14.90 грн
12500+13.25 грн
17500+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSW-13 DMTH4008LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPSW.pdf Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SPSW-13 DMP3021SPSW-13 Diodes Incorporated DMP3021SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 52.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPSW-13 DMP6050SPSW-13 Diodes Incorporated DMP6050SPSW.pdf Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SPSW-13 DMP3011SPSW-13 Diodes Incorporated DMP3011SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2SPSW-13 DMTH47M2SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH47M2SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPSW-13 DMP10H088SPSW-13 Diodes Incorporated DMP10H088SPSW.pdf Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4 DMWSH120H90SM4 Diodes Incorporated DMWSH120H90SM4.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 120320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+817.16 грн
30+548.74 грн
120+506.00 грн
510+452.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Q DMWSH120H90SM3Q Diodes Incorporated DMWSH120H90SM3Q.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1002.84 грн
30+662.45 грн
120+622.75 грн
510+572.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13 Diodes Incorporated DMWSH120H90SCT7.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13 Diodes Incorporated DMWSH120H90SCT7Q.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7 Diodes Incorporated DMWSH120H90SCT7.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+468.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q Diodes Incorporated DMWSH120H90SCT7Q.pdf Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+611.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PI5A3166CEX PI5A3166CEX Diodes Incorporated PI5A3166.pdf Description: IC SW SPST-NOX1 1.2OHM SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 35pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 2ns, 5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
6000+10.07 грн
9000+9.92 грн
15000+9.16 грн
21000+9.06 грн
30000+8.98 грн
75000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PI5A3166CEX PI5A3166CEX Diodes Incorporated PI5A3166.pdf Description: IC SW SPST-NOX1 1.2OHM SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 35pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 2ns, 5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 275938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+25.67 грн
20+17.06 грн
25+15.16 грн
100+12.27 грн
250+11.34 грн
500+10.77 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FN2000118 FN2000118 Diodes Incorporated FN_3-3V.pdf Description: XTAL OSC XO 20.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 15mA
Supplier Device Package: 4-SMD (7x5)
Height - Seated (Max): 0.071" (1.80mm)
Frequency: 20 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.01 грн
10+64.52 грн
50+58.49 грн
100+52.61 грн
500+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-13 DMN6041SVTQ-13 Diodes Incorporated DMN6041SVTQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVT-7 DMN6041SVT-7 Diodes Incorporated DMN6041SVT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-7 DMN6041SVTQ-7 Diodes Incorporated DMN6041SVTQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.15 грн
6000+10.71 грн
9000+10.20 грн
15000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SDT12A120P5Q-13 Diodes Incorporated SDT12A120P5Q.pdf Description: SCHOTTKY RECTIFIER PDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDT10H50P5-7 SDT10H50P5-7 Diodes Incorporated SDT10H50P5.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 10A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SDT10H50P5-7D SDT10H50P5-7D Diodes Incorporated SDT10H50P5.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 10A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2100AQ-13 B2100AQ-13 Diodes Incorporated B2100AQ.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.91 грн
11+32.05 грн
100+20.63 грн
500+14.74 грн
1000+13.25 грн
2000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ15005 GBJ15005 Diodes Incorporated ds21219.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ15005-F GBJ15005-F Diodes Incorporated ds21219.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.89 грн
15+131.89 грн
105+97.26 грн
510+74.30 грн
1005+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF15005S DF15005S Diodes Incorporated DF15005S-DF1510S.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DF-S
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.55 грн
50+52.93 грн
100+39.09 грн
500+24.28 грн
1000+22.78 грн
2000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AL8866SP-13 AL8866SP-13 Diodes Incorporated AL8866.pdf Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 20V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 400kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): Yes
Topology: SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 8-SO-EP
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 4.7V
Voltage - Supply (Max): 85V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AL8866SP-13 AL8866SP-13 Diodes Incorporated AL8866.pdf Description: IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 20V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 400kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): Yes
Topology: SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 8-SO-EP
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 4.7V
Voltage - Supply (Max): 85V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.01 грн
10+53.15 грн
25+47.99 грн
100+39.71 грн
250+37.18 грн
500+35.65 грн
1000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FL2400128 FL2400128 Diodes Incorporated FL.pdf Description: CRYSTAL 24.0000MHZ 10PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 24 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL2400128W FL2400128W Diodes Incorporated FL.pdf Description: CRYSTAL SURFACE MOUNT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FL2400129 FL2400129 Diodes Incorporated FL.pdf Description: CRYSTAL 24.0000MHZ 20PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±20ppm
Frequency Tolerance: ±20ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 24 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL6240012Q FL6240012Q Diodes Incorporated FL.pdf Description: CRYSTAL 62.4000MHZ 6PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 6pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±15ppm
Frequency Tolerance: ±15ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 40 Ohms
Frequency: 62.4 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDM02M30DCP3-7 SDM02M30DCP3-7 Diodes Incorporated SDM02M30DCP3.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 30V X3-DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.99 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Supplier Device Package: X3-DSN1006-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.81 грн
23+14.58 грн
100+8.39 грн
500+5.81 грн
1000+5.00 грн
2000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AH3234Q-P-B AH3234Q-P-B Diodes Incorporated AH3231Q-AH3234Q_AH3270Q-AH3272Q.pdf Description: HALL UNIPOLAR SWITCH SIP-3 BULK
Features: Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Output Type: Switch
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch, Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 27V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 7mT Trip, 0.3mT Release
Current - Supply (Max): 6.9mA
Supplier Device Package: 3-SIP
Test Condition: -40°C ~ 150°C
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.22 грн
10+33.95 грн
11+32.05 грн
25+27.99 грн
50+26.62 грн
100+25.36 грн
500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AH3231Q-P-B AH3231Q-P-B Diodes Incorporated AH323xQ_AH327xQ.pdf Description: Hall Unipolar Switch SIP-3 BULK
Features: Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Output Type: Current Source
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 27V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 9mT Trip, 7mT Release
Current - Supply (Max): 6.9mA
Supplier Device Package: 3-SIP
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.22 грн
10+33.95 грн
11+32.05 грн
25+27.99 грн
50+26.62 грн
100+25.36 грн
500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GBU806 GBU806 Diodes Incorporated ds21227.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 76728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.18 грн
20+76.34 грн
100+58.43 грн
500+43.54 грн
1000+39.91 грн
2000+36.86 грн
5000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FUS2MD_HF FUS2MD_HF Diodes Incorporated FUS2MD_LS.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-221AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.08 грн
17+20.02 грн
100+10.64 грн
500+7.43 грн
1000+6.42 грн
2000+5.91 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DGD05463M10-13 DGD05463M10-13 Diodes Incorporated DGD05463.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V
Supplier Device Package: 10-MSOP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DGD05463M10-13 DGD05463M10-13 Diodes Incorporated DGD05463.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V
Supplier Device Package: 10-MSOP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PI3A3899ZTAEX PI3A3899.pdf
PI3A3899ZTAEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SWITCH DPDT X 2 2.4OHM 16UQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.4Ohm
-3db Bandwidth: 330MHz
Supplier Device Package: 16-UQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 13pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 8ns, 12ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI3A3899ZTAEX PI3A3899.pdf
PI3A3899ZTAEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SWITCH DPDT X 2 2.4OHM 16UQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.4Ohm
-3db Bandwidth: 330MHz
Supplier Device Package: 16-UQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Charge Injection: 13pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 8ns, 12ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.18 грн
10+39.88 грн
25+35.83 грн
100+29.45 грн
250+27.48 грн
500+26.28 грн
1000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-25FSW-7 BC817-16FSW-BC817-40FSW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF02S-T ds17001.pdf
DF02S-T
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DF-S
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+11.96 грн
3000+10.44 грн
4500+9.90 грн
7500+8.71 грн
10500+8.37 грн
15000+8.04 грн
37500+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DF02S-T ds17001.pdf
DF02S-T
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DF-S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DF-S
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 45007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.77 грн
12+29.00 грн
100+18.55 грн
500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ABS10_HF PdfFile_217570.pdf
ABS10_HF
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A ABS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: ABS
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 9551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.83 грн
43+7.83 грн
100+4.80 грн
500+3.28 грн
1000+2.88 грн
2000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
UF1003-T UF1001-UF1007.pdf
UF1003-T
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.15 грн
10000+5.58 грн
15000+5.53 грн
25000+4.89 грн
35000+4.83 грн
50000+4.65 грн
125000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F
BSS138-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F
BSS138-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.41 грн
39+8.47 грн
100+5.24 грн
500+3.59 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
AP7353D-25FS4-7 AP7353.pdf
AP7353D-25FS4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 2.5V X2-DFN10104
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 250mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 27 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: X2-DFN1010-4 (Type B)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Current Limit, Enable
PSRR: 90dB ~ 70dB (100Hz ~ 10kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.168V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.39 грн
23+14.34 грн
26+12.72 грн
100+10.25 грн
250+9.45 грн
500+8.96 грн
1000+8.42 грн
2500+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDFQ-13
DMT3006LFDFQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-13 DMT3006LDV.pdf
DMT3006LDV-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LDV-7 DMT3006LDV.pdf
DMT3006LDV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 25A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.31 грн
4000+17.97 грн
6000+17.16 грн
10000+15.25 грн
14000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7 DMTH8028LFVWQ.pdf
DMTH8028LFVWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8028LFVWQ-7 DMTH8028LFVWQ.pdf
DMTH8028LFVWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.16 грн
10+46.55 грн
100+31.35 грн
500+23.78 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW.pdf
DMTH8012LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.35 грн
5000+24.16 грн
7500+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW.pdf
DMTH8012LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.42 грн
10+59.74 грн
100+39.72 грн
500+29.10 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW.pdf
DMT61M5SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT61M5SPSW-13 DMT61M5SPSW.pdf
DMT61M5SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 17071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.27 грн
10+121.54 грн
100+83.48 грн
500+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3028LPSW-13 DMP3028LPSW.pdf
DMP3028LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1421 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.03 грн
5000+13.27 грн
7500+12.66 грн
12500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LPSW-13 DMT35M4LPSW.pdf
DMT35M4LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.9A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1029 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.18 грн
5000+15.21 грн
7500+14.53 грн
12500+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2LPSW-13 DMTH47M2LPSW.pdf
DMTH47M2LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 20 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.61 грн
5000+15.60 грн
7500+14.90 грн
12500+13.25 грн
17500+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSW-13 DMTH4008LPSW.pdf
DMTH4008LPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3021SPSW-13 DMP3021SPSW.pdf
DMP3021SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 52.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SPSW-13 DMP6050SPSW.pdf
DMP6050SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3011SPSW-13 DMP3011SPSW.pdf
DMP3011SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH47M2SPSW-13 DMTH47M2SPSW.pdf
DMTH47M2SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H088SPSW-13 DMP10H088SPSW.pdf
DMP10H088SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1808 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4 DMWSH120H90SM4.pdf
DMWSH120H90SM4
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 120320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+817.16 грн
30+548.74 грн
120+506.00 грн
510+452.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Q DMWSH120H90SM3Q.pdf
DMWSH120H90SM3Q
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1002.84 грн
30+662.45 грн
120+622.75 грн
510+572.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13 DMWSH120H90SCT7.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13 DMWSH120H90SCT7Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7 DMWSH120H90SCT7.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+468.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q DMWSH120H90SCT7Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+611.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PI5A3166CEX PI5A3166.pdf
PI5A3166CEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SW SPST-NOX1 1.2OHM SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 35pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 2ns, 5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.77 грн
6000+10.07 грн
9000+9.92 грн
15000+9.16 грн
21000+9.06 грн
30000+8.98 грн
75000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PI5A3166CEX PI5A3166.pdf
PI5A3166CEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SW SPST-NOX1 1.2OHM SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 35pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 2ns, 5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 275938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.67 грн
20+17.06 грн
25+15.16 грн
100+12.27 грн
250+11.34 грн
500+10.77 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FN2000118 FN_3-3V.pdf
FN2000118
Виробник: Diodes Incorporated
Description: XTAL OSC XO 20.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 15mA
Supplier Device Package: 4-SMD (7x5)
Height - Seated (Max): 0.071" (1.80mm)
Frequency: 20 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.01 грн
10+64.52 грн
50+58.49 грн
100+52.61 грн
500+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-13 DMN6041SVTQ.pdf
DMN6041SVTQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVT-7 DMN6041SVT.pdf
DMN6041SVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6041SVTQ-7 DMN6041SVTQ.pdf
DMN6041SVTQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.15 грн
6000+10.71 грн
9000+10.20 грн
15000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SDT12A120P5Q-13 SDT12A120P5Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SCHOTTKY RECTIFIER PDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDT10H50P5-7 SDT10H50P5.pdf
SDT10H50P5-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 10A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
SDT10H50P5-7D SDT10H50P5.pdf
SDT10H50P5-7D
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 10A POWERDI 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B2100AQ-13 B2100AQ.pdf
B2100AQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.91 грн
11+32.05 грн
100+20.63 грн
500+14.74 грн
1000+13.25 грн
2000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ15005 ds21219.pdf
GBJ15005
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ15005-F ds21219.pdf
GBJ15005-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.89 грн
15+131.89 грн
105+97.26 грн
510+74.30 грн
1005+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DF15005S DF15005S-DF1510S.pdf
DF15005S
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A DF-S
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DF-S
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 3484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.55 грн
50+52.93 грн
100+39.09 грн
500+24.28 грн
1000+22.78 грн
2000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AL8866SP-13 AL8866.pdf
AL8866SP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 20V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 400kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): Yes
Topology: SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 8-SO-EP
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 4.7V
Voltage - Supply (Max): 85V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AL8866SP-13 AL8866.pdf
AL8866SP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 20V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 400kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): Yes
Topology: SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 8-SO-EP
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 4.7V
Voltage - Supply (Max): 85V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.01 грн
10+53.15 грн
25+47.99 грн
100+39.71 грн
250+37.18 грн
500+35.65 грн
1000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FL2400128 FL.pdf
FL2400128
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 24.0000MHZ 10PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 24 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL2400128W FL.pdf
FL2400128W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL SURFACE MOUNT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FL2400129 FL.pdf
FL2400129
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 24.0000MHZ 20PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±20ppm
Frequency Tolerance: ±20ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 60 Ohms
Frequency: 24 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FL6240012Q FL.pdf
FL6240012Q
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 62.4000MHZ 6PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 6pF
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±15ppm
Frequency Tolerance: ±15ppm
Operating Mode: Fundamental
Supplier Device Package: 4-SMD (3.2x2.5)
Height - Seated (Max): 0.031" (0.78mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 40 Ohms
Frequency: 62.4 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDM02M30DCP3-7 SDM02M30DCP3.pdf
SDM02M30DCP3-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOT 30V X3-DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.99 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Supplier Device Package: X3-DSN1006-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.81 грн
23+14.58 грн
100+8.39 грн
500+5.81 грн
1000+5.00 грн
2000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AH3234Q-P-B AH3231Q-AH3234Q_AH3270Q-AH3272Q.pdf
AH3234Q-P-B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: HALL UNIPOLAR SWITCH SIP-3 BULK
Features: Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Output Type: Switch
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Latch, Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 27V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 7mT Trip, 0.3mT Release
Current - Supply (Max): 6.9mA
Supplier Device Package: 3-SIP
Test Condition: -40°C ~ 150°C
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.22 грн
10+33.95 грн
11+32.05 грн
25+27.99 грн
50+26.62 грн
100+25.36 грн
500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AH3231Q-P-B AH323xQ_AH327xQ.pdf
AH3231Q-P-B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: Hall Unipolar Switch SIP-3 BULK
Features: Temperature Compensated
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SIP
Output Type: Current Source
Polarization: South Pole
Mounting Type: Through Hole
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 27V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 9mT Trip, 7mT Release
Current - Supply (Max): 6.9mA
Supplier Device Package: 3-SIP
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.22 грн
10+33.95 грн
11+32.05 грн
25+27.99 грн
50+26.62 грн
100+25.36 грн
500+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GBU806 ds21227.pdf
GBU806
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 76728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.18 грн
20+76.34 грн
100+58.43 грн
500+43.54 грн
1000+39.91 грн
2000+36.86 грн
5000+33.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FUS2MD_HF FUS2MD_LS.pdf
FUS2MD_HF
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 1000V 2A DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-221AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.08 грн
17+20.02 грн
100+10.64 грн
500+7.43 грн
1000+6.42 грн
2000+5.91 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DGD05463M10-13 DGD05463.pdf
DGD05463M10-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V
Supplier Device Package: 10-MSOP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DGD05463M10-13 DGD05463.pdf
DGD05463M10-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 50 V
Supplier Device Package: 10-MSOP
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 12ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 2.5A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 679 680 681 682 683 684 685 686 687 688 689 726 847 968 1089 1210 1212  [ Наступна Сторінка >> ]