Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73719) > Сторінка 684 з 1229

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 610 679 680 681 682 683 684 685 686 687 688 689 732 854 976 1098 1220 1229  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP1005UFDF-13 DMP1005UFDF-13 Diodes Incorporated DMP1005UFDF.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13 DMP1005UFDF-13 Diodes Incorporated DMP1005UFDF.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN29M9UFDF-13 DMN29M9UFDF-13 Diodes Incorporated DMN29M9UFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN29M9UFDF-7 DMN29M9UFDF-7 Diodes Incorporated DMN29M9UFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 8 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFGQ-7 DMG7401SFGQ-7 Diodes Incorporated DMG7401SFGQ.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L58A-7 SMF4L58A-7 Diodes Incorporated ds43394.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-219AA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.03 грн
6000+6.13 грн
9000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L58A-7 SMF4L58A-7 Diodes Incorporated ds43394.pdf Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO219AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-219AA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
16+19.10 грн
100+12.05 грн
500+8.45 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FX0800015-W Diodes Incorporated F6_FX.pdf Description: CRYSTAL CERAMIC SEAM6035 T&R 1K
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FX0800015-W Diodes Incorporated F6_FX.pdf Description: CRYSTAL CERAMIC SEAM6035 T&R 1K
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+47.85 грн
25+43.17 грн
100+35.73 грн
250+33.44 грн
500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SNC500007 Diodes Incorporated Description: CLOCK SAW OSCILLATOR SEAM7050 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: XO (Standard)
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSC04C065LP-13 Diodes Incorporated Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 163pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC04C065LP-13 Diodes Incorporated Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 163pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.71 грн
10+147.86 грн
25+126.50 грн
50+106.32 грн
100+95.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC04A065LP-13 Diodes Incorporated Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 193pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC04A065LP-13 Diodes Incorporated Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 193pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.50 грн
10+186.13 грн
25+160.07 грн
50+135.07 грн
100+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC08A065LP-13 Diodes Incorporated Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC08A065LP-13 Diodes Incorporated Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.12 грн
10+249.91 грн
25+216.35 грн
50+183.49 грн
100+167.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSC12A065LP-13 DSC12A065LP-13 Diodes Incorporated DSC12A065LP.pdf Description: SiC SBD 650V~1000V T-DFN8080-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 516pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+170.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC12A065LP-13 DSC12A065LP-13 Diodes Incorporated DSC12A065LP.pdf Description: SiC SBD 650V~1000V T-DFN8080-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 516pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.97 грн
10+313.99 грн
25+273.14 грн
50+232.60 грн
100+212.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13 MJD45H11-13 Diodes Incorporated MJD45H11.pdf Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C39Q-7-F BZT52C39Q-7-F Diodes Incorporated ds18004.pdf Description: DIODE ZENER 39V 370MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5.13%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 130 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 370 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
54+5.66 грн
113+2.69 грн
500+2.49 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS1000TC ZHCS1000TC Diodes Incorporated ZHCS1000.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 25V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS1000TC ZHCS1000TC Diodes Incorporated ZHCS1000.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 25V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 9941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.32 грн
25+36.26 грн
50+29.88 грн
100+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B360-13-F-2477 B360-13-F-2477 Diodes Incorporated Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123JLP-7 DDTC123JLP-7 Diodes Incorporated ds30755.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.76 грн
100+15.78 грн
500+11.17 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510W Diodes Incorporated GBPC25005-2510_W.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20200CT MBRF20200CT Diodes Incorporated MBR%28F%2920200CT.pdf Description: DIODE ARR SCHOTTKY 200V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDFQ-13 DMT6012LFDFQ-13 Diodes Incorporated DMT6012LFDFQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDFQ-13 DMT6012LFDFQ-13 Diodes Incorporated DMT6012LFDFQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100CTP MBR10100CTP Diodes Incorporated MBR10100CTP.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: ITO-220S
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ECA-7-F-W DDTC143ECA-7-F-W Diodes Incorporated DDTB143EC.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
9000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ECA-7-F-W DDTC143ECA-7-F-W Diodes Incorporated DDTB143EC.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3503550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+9.96 грн
37+8.18 грн
50+6.66 грн
100+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF2045CT MBRF2045CT Diodes Incorporated MBR%28F%292045CT-2060CT.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 60V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP22817AKCWT-7 AP22817AKCWT-7 Diodes Incorporated AP22816_17_18.pdf Description: USB POWER SWITCH TSOT25 T&R 3K
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
25+12.53 грн
28+11.05 грн
100+8.90 грн
250+8.19 грн
500+7.77 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP22816BKCWT-7 AP22816BKCWT-7 Diodes Incorporated AP22816_17_18.pdf Description: USB POWER SWITCH TSOT25 T&R 3K
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
на замовлення 35995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
25+12.53 грн
28+11.05 грн
100+8.90 грн
250+8.19 грн
500+7.77 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP22816BKWT-7 AP22816BKWT-7 Diodes Incorporated AP22816_17_18.pdf Description: USB POWER SWITCH TSOT25 T&R 3K
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
25+12.53 грн
28+11.05 грн
100+8.90 грн
250+8.19 грн
500+7.77 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114TE-7 DDTC114TE-7 Diodes Incorporated DDTC_R1-ONLY_SERIES_E.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BS-7 MMBZ5239BS-7 Diodes Incorporated ds31039.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BS-7 MMBZ5239BS-7 Diodes Incorporated ds31039.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.27 грн
61+4.98 грн
100+4.26 грн
500+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BW-7 MMBZ5239BW-7 Diodes Incorporated ds31037.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+6.27 грн
67+4.53 грн
100+3.85 грн
500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BW-7-F MMBZ5239BW-7-F Diodes Incorporated ds31037.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239B-7-G Diodes Incorporated Description: DIODE ZENER SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BT-7-G Diodes Incorporated Description: DIODE ZENER SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPC357S-A-TR DPC357S-A-TR Diodes Incorporated DPC357+Series.pdf Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 80% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 200mV
Current Transfer Ratio (Max): 160% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Rise / Fall Time (Typ): 18µs, 18µs (Max)
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
24+12.91 грн
27+11.35 грн
50+9.80 грн
100+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPC357S-B-TR DPC357S-B-TR Diodes Incorporated DPC357+Series.pdf Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 130% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 200mV
Current Transfer Ratio (Max): 260% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Rise / Fall Time (Typ): 18µs, 18µs (Max)
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 62649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
24+12.91 грн
27+11.35 грн
50+9.80 грн
100+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M72SPGW-13 DMTH4M72SPGW-13 Diodes Incorporated DMTH4M72SPGW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 584A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9522 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M72SPGWQ-13 DMTH4M72SPGWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4M72SPGWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 584A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9522 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2045CT MBR2045CT Diodes Incorporated MBR%28F%292045CT-2060CT.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2045CTP MBR2045CTP Diodes Incorporated ds31799.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220S
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2535CT MBR2535CT Diodes Incorporated MBR2545CT-2560CT.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 30A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7 DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1026UVQ_NRND.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7 DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1026UVQ_NRND.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.42 грн
100+14.27 грн
500+10.09 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13 DMT3006LFDF-13 Diodes Incorporated DMT3006LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.74 грн
30000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13 DMT3006LFDF-13 Diodes Incorporated DMT3006LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.21 грн
25+31.10 грн
50+25.60 грн
100+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-13 DMT6016LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6016LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-13 DMT6016LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6016LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 19735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.70 грн
25+43.32 грн
50+35.79 грн
100+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C60PSQ.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.91 грн
5000+13.18 грн
7500+12.58 грн
12500+11.17 грн
17500+10.80 грн
25000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ-13 Diodes Incorporated DXTN3C60PSQ.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.15 грн
100+23.48 грн
500+16.92 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC126S14-13 74AHC126S14-13 Diodes Incorporated 74AHC126.pdf Description: IC BUFF 2V/5.5V 14-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 14-SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC126S14-13 74AHC126S14-13 Diodes Incorporated 74AHC126.pdf Description: IC BUFF 2V/5.5V 14-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 14-SO
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
20+15.47 грн
25+13.68 грн
50+11.83 грн
100+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSB30TM MSB30TM Diodes Incorporated MSB30TM.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A MSBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: MSBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 960000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13 DMP1005UFDF.pdf
DMP1005UFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP1005UFDF-13 DMP1005UFDF.pdf
DMP1005UFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2475 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN29M9UFDF-13 DMN29M9UFDF.pdf
DMN29M9UFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 8 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN29M9UFDF-7 DMN29M9UFDF.pdf
DMN29M9UFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 8 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7401SFGQ-7 DMG7401SFGQ.pdf
DMG7401SFGQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2987 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L58A-7 ds43394.pdf
SMF4L58A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-219AA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.03 грн
6000+6.13 грн
9000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L58A-7 ds43394.pdf
SMF4L58A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO219AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58V
Supplier Device Package: DO-219AA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 93.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.14 грн
16+19.10 грн
100+12.05 грн
500+8.45 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FX0800015-W F6_FX.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL CERAMIC SEAM6035 T&R 1K
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+34.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FX0800015-W F6_FX.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL CERAMIC SEAM6035 T&R 1K
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.98 грн
10+47.85 грн
25+43.17 грн
100+35.73 грн
250+33.44 грн
500+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SNC500007
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CLOCK SAW OSCILLATOR SEAM7050 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: XO (Standard)
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSC04C065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 163pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC04C065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 163pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.71 грн
10+147.86 грн
25+126.50 грн
50+106.32 грн
100+95.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC04A065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 193pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC04A065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 193pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.50 грн
10+186.13 грн
25+160.07 грн
50+135.07 грн
100+122.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC08A065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC08A065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 414pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+391.12 грн
10+249.91 грн
25+216.35 грн
50+183.49 грн
100+167.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSC12A065LP-13 DSC12A065LP.pdf
DSC12A065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SiC SBD 650V~1000V T-DFN8080-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 516pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+170.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC12A065LP-13 DSC12A065LP.pdf
DSC12A065LP-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SiC SBD 650V~1000V T-DFN8080-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 516pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.97 грн
10+313.99 грн
25+273.14 грн
50+232.60 грн
100+212.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD45H11-13 MJD45H11.pdf
MJD45H11-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C39Q-7-F ds18004.pdf
BZT52C39Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 370MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5.13%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 130 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 370 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.62 грн
54+5.66 грн
113+2.69 грн
500+2.49 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS1000TC ZHCS1000.pdf
ZHCS1000TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 25V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS1000TC ZHCS1000.pdf
ZHCS1000TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 25V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 9941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.89 грн
10+43.32 грн
25+36.26 грн
50+29.88 грн
100+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B360-13-F-2477
B360-13-F-2477
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123JLP-7 ds30755.pdf
DDTC123JLP-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.54 грн
13+24.76 грн
100+15.78 грн
500+11.17 грн
1000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2510W GBPC25005-2510_W.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF20200CT MBR%28F%2920200CT.pdf
MBRF20200CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTTKY 200V ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDFQ-13 DMT6012LFDFQ.pdf
DMT6012LFDFQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDFQ-13 DMT6012LFDFQ.pdf
DMT6012LFDFQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100CTP MBR10100CTP.pdf
MBR10100CTP
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 5A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: ITO-220S
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ECA-7-F-W DDTB143EC.pdf
DDTC143ECA-7-F-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.40 грн
9000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC143ECA-7-F-W DDTB143EC.pdf
DDTC143ECA-7-F-W
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3503550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.24 грн
31+9.96 грн
37+8.18 грн
50+6.66 грн
100+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRF2045CT MBR%28F%292045CT-2060CT.pdf
MBRF2045CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOT 60V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP22817AKCWT-7 AP22816_17_18.pdf
AP22817AKCWT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: USB POWER SWITCH TSOT25 T&R 3K
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.60 грн
25+12.53 грн
28+11.05 грн
100+8.90 грн
250+8.19 грн
500+7.77 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP22816BKCWT-7 AP22816_17_18.pdf
AP22816BKCWT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: USB POWER SWITCH TSOT25 T&R 3K
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
на замовлення 35995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.60 грн
25+12.53 грн
28+11.05 грн
100+8.90 грн
250+8.19 грн
500+7.77 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP22816BKWT-7 AP22816_17_18.pdf
AP22816BKWT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: USB POWER SWITCH TSOT25 T&R 3K
Features: Load Discharge, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TSOT-23-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, Short Circuit, UVLO
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.60 грн
25+12.53 грн
28+11.05 грн
100+8.90 грн
250+8.19 грн
500+7.77 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114TE-7 DDTC_R1-ONLY_SERIES_E.pdf
DDTC114TE-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BS-7 ds31039.pdf
MMBZ5239BS-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BS-7 ds31039.pdf
MMBZ5239BS-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER ARRAY 9.1V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+6.27 грн
61+4.98 грн
100+4.26 грн
500+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BW-7 ds31037.pdf
MMBZ5239BW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+6.27 грн
67+4.53 грн
100+3.85 грн
500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BW-7-F ds31037.pdf
MMBZ5239BW-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 9.1V 200MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 7 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239B-7-G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5239BT-7-G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DPC357S-A-TR DPC357+Series.pdf
DPC357S-A-TR
Виробник: Diodes Incorporated
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 80% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 200mV
Current Transfer Ratio (Max): 160% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Rise / Fall Time (Typ): 18µs, 18µs (Max)
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
24+12.91 грн
27+11.35 грн
50+9.80 грн
100+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPC357S-B-TR DPC357+Series.pdf
DPC357S-B-TR
Виробник: Diodes Incorporated
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 4-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 130% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 200mV
Current Transfer Ratio (Max): 260% @ 5mA
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Rise / Fall Time (Typ): 18µs, 18µs (Max)
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 62649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
24+12.91 грн
27+11.35 грн
50+9.80 грн
100+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M72SPGW-13 DMTH4M72SPGW.pdf
DMTH4M72SPGW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 584A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9522 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M72SPGWQ-13 DMTH4M72SPGWQ.pdf
DMTH4M72SPGWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 584A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9522 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2045CT MBR%28F%292045CT-2060CT.pdf
MBR2045CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 20A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2045CTP ds31799.pdf
MBR2045CTP
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220S
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2535CT MBR2545CT-2560CT.pdf
MBR2535CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 35V 30A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7 DMG1026UVQ_NRND.pdf
DMG1026UVQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7 DMG1026UVQ_NRND.pdf
DMG1026UVQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.62 грн
14+22.42 грн
100+14.27 грн
500+10.09 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13 DMT3006LFDF.pdf
DMT3006LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+12.74 грн
30000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3006LFDF-13 DMT3006LFDF.pdf
DMT3006LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 14.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.71 грн
10+37.21 грн
25+31.10 грн
50+25.60 грн
100+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-13 DMT6016LFDF.pdf
DMT6016LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6016LFDF-13 DMT6016LFDF.pdf
DMT6016LFDF-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 19735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.44 грн
10+51.70 грн
25+43.32 грн
50+35.79 грн
100+31.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ.pdf
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.91 грн
5000+13.18 грн
7500+12.58 грн
12500+11.17 грн
17500+10.80 грн
25000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXTN3C60PSQ-13 DXTN3C60PSQ.pdf
DXTN3C60PSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.35 грн
10+36.15 грн
100+23.48 грн
500+16.92 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC126S14-13 74AHC126.pdf
74AHC126S14-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BUFF 2V/5.5V 14-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 14-SO
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC126S14-13 74AHC126.pdf
74AHC126S14-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BUFF 2V/5.5V 14-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 14-SO
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.51 грн
20+15.47 грн
25+13.68 грн
50+11.83 грн
100+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSB30TM MSB30TM.pdf
MSB30TM
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A MSBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: MSBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 960000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 610 679 680 681 682 683 684 685 686 687 688 689 732 854 976 1098 1220 1229  [ Наступна Сторінка >> ]