| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DI78L09DAB | Diotec |
стабилизатор напряжения, LDO,линейный,нерегулируемый, 9В,SO8 Мікросхеми електроживлення |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DI78L15UAB | Diotec |
стабилизатор напряжения, LDO Мікросхеми електроживлення |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DI78L18UAB | Diotec |
стабилизатор напряжения, LDO,линейный,нерегулируемый, 18В,SOT89 Мікросхеми електроживлення |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DI78L24ZAB | Diotec |
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 100mA TO-92 Мікросхеми електроживлення |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DI79L05ZAB-DIO | Diotec | DI79L05ZAB-DIO DI79L05ZAB TO-92 Мікросхеми електроживлення |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
DI79L08UAB | Diotec |
REG LINEAR -8V 100MA SOT89 Мікросхеми електроживлення |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| DI79L08ZAB | Diotec |
IC REG LINEAR -8V 100MA TO92 Мікросхеми електроживлення |
на замовлення 300 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||
| DI79L09UAB | Diotec |
REG LINEAR -9V 100MA SOT89 Мікросхеми електроживлення |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DI79L12DAB | Diotec |
Рег. напряж. -12V, 0.1A, 5%, -40..+125, SOIC-8 (SMD) Мікросхеми електроживлення |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DI79L12UAB | Diotec |
REG LINEAR -12V 100MA SOT89 Мікросхеми електроживлення |
на замовлення 19 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
|||
|
DI7A6N10SQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
DI7A6N10SQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIF065SIC020 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 550W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIF075F065 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF075F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 385 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIF120SIC022 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIF120SIC022-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIF120SIC028 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIF120SIC053 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIF120SIC053-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIF170SIC049 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIT050N06 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIT050N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
DIT050N06 | DIOTEC |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
DIT080N08-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIT080N08-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 110 A, 4800 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIT085N10 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIT085N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 4800 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIT095N08 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIT095N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.008 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIT110P06 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIT110P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 7000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| DIT150N03 | Diotec |
MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
DIT195N08 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIT195N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 215 A, 3500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 215A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 350W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIW040F135 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIW040F135 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 510W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIW075M065 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIW075M065 - IGBT, 90 A, 1.45 V, 330 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIW120SIC022-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIW120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIW120SIC023-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 600W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
DIW120SIC059-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| DIW170SIC070 | Diotec |
SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
EAL1K | DIOTEC |
Description: DIOTEC - EAL1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.8 V, 75 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-213AA (MiniMELF) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.8V Sperrverzögerungszeit: 75ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
EGL1A | Diotec |
Ultrafast 1.0A 50V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки |
на замовлення 699 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
||
|
EGL1B | Diotec |
Ultrafast 1.0A 100V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
EGL1D | Diotec |
Ultrafast 1.0A 200V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| EGL1D SOD80 (MINIMELF) DIOTEC rectifier diode | DIOTEC |
1A; 200V; SMD; 50ns; single packaging: tape&reel EGL1D DP EGL1D кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
EGL1G | Diotec |
Ultrafast 1.0A 400V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки |
на замовлення 19 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
||
| EGL1J DO213AA DIOTEC rectifier diode | DIOTEC |
1A; 600V; SMD; packaging: tape&reel; EGL1J DP EGL1J DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| EGL34D | Diotec |
SMD; 200В; 0,5А; 50нс; MiniMELF plastic; Ifsm: 8,5А Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
EM513 | Diotec |
DO-41, 1600V, 1A Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
EM513R | DIOTEC |
Description: DIOTEC - EM513R - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1500 ns, 30 AtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 4220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
EM513R | DIOTEC |
Description: DIOTEC - EM513R - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1500 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1500ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 4220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
EM518 | Diotec |
1A, 2000V, корпус DO-41 Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| EM518 DO41 DIOTEC rectifier diode | DIOTEC |
1A; 2000V; THT; packaging: ammo; EM518 DP EM518 DIOTEC кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
ER1A-DIO | Diotec | ER1A-DIO ER1A 1A 50V SMA Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
ER1B | Diotec |
Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
ER1G(SMA) | Diotec |
SMA 1A 400V Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
ER1J-DIO | Diotec | ER1J-DIO ER1J 1A 600V 60 ns DO214AC Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
ER2D | Diotec |
Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| ER2M | Diotec |
Rectifier Diode Switching 1000V 2A 35ns 2-Pin SMB Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
ER3D | Diotec |
Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| ER3J | Diotec |
DIODE ULTRAFAST 600V 3A DO-214AB(SMC) 75ns Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
ES1A | Diotec |
Super Fast, 1.0A, 50V, Vf=0.95V@1.0A, Trr=35ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
ES1B | Diotec |
ES1B Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; Package: tape; DO214AC Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| ES1D | Diotec |
Super Fast, 1.0A, 200V, Vf=0.92V@1.0A, Trr=15ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
ES1F | Diotec |
Super Fast, 1.0A, 300V, Vf=1.3V@1.0A, Trr=35ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
ES1G-DIO | Diotec | ES1G-DIO ES1G Super Fast, 1.0A, 400V, Vf=1.25V@1.0A, Trr=35ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DI78L09DAB |
![]() |
Виробник: Diotec
стабилизатор напряжения, LDO,линейный,нерегулируемый, 9В,SO8 Мікросхеми електроживлення
стабилизатор напряжения, LDO,линейный,нерегулируемый, 9В,SO8 Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DI78L15UAB |
![]() |
Виробник: Diotec
стабилизатор напряжения, LDO Мікросхеми електроживлення
стабилизатор напряжения, LDO Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DI78L18UAB |
![]() |
Виробник: Diotec
стабилизатор напряжения, LDO,линейный,нерегулируемый, 18В,SOT89 Мікросхеми електроживлення
стабилизатор напряжения, LDO,линейный,нерегулируемый, 18В,SOT89 Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DI78L24ZAB |
![]() |
Виробник: Diotec
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 100mA TO-92 Мікросхеми електроживлення
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 100mA TO-92 Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DI79L05ZAB-DIO |
Виробник: Diotec
DI79L05ZAB-DIO DI79L05ZAB TO-92 Мікросхеми електроживлення
DI79L05ZAB-DIO DI79L05ZAB TO-92 Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DI79L08UAB |
![]() |
Виробник: Diotec
REG LINEAR -8V 100MA SOT89 Мікросхеми електроживлення
REG LINEAR -8V 100MA SOT89 Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DI79L08ZAB |
![]() |
Виробник: Diotec
IC REG LINEAR -8V 100MA TO92 Мікросхеми електроживлення
IC REG LINEAR -8V 100MA TO92 Мікросхеми електроживлення
на замовлення 300 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 12.32 грн |
| DI79L09UAB |
![]() |
Виробник: Diotec
REG LINEAR -9V 100MA SOT89 Мікросхеми електроживлення
REG LINEAR -9V 100MA SOT89 Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DI79L12DAB |
![]() |
Виробник: Diotec
Рег. напряж. -12V, 0.1A, 5%, -40..+125, SOIC-8 (SMD) Мікросхеми електроживлення
Рег. напряж. -12V, 0.1A, 5%, -40..+125, SOIC-8 (SMD) Мікросхеми електроживлення
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DI79L12UAB |
![]() |
Виробник: Diotec
REG LINEAR -12V 100MA SOT89 Мікросхеми електроживлення
REG LINEAR -12V 100MA SOT89 Мікросхеми електроживлення
на замовлення 19 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 41.06 грн |
| DI7A6N10SQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DI7A6N10SQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DI7A6N10SQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.6 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIF065SIC020 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIF065SIC020 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIF075F065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF075F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 385 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: DIOTEC - DIF075F065 - IGBT, 100 A, 1.65 V, 385 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIF120SIC022 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIF120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIF120SIC028 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIF120SIC053 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIF120SIC053-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIF170SIC049 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIT050N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIT050N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIT050N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIT050N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube ODPOWIEDNIK: DIT050N06-DIO; DIT050N06 TDIT050n06
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 25.74 грн |
| DIT080N08-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIT080N08-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 110 A, 4800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: DIOTEC - DIT080N08-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 110 A, 4800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIT085N10 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIT085N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 4800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
Description: DIOTEC - DIT085N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 4800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIT095N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIT095N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: DIOTEC - DIT095N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIT110P06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIT110P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: DIOTEC - DIT110P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 7000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: Diotec
MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB Транзистори
MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DIT195N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIT195N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 215 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: DIOTEC - DIT195N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 85 V, 215 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 215A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIW040F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIW040F135 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIW040F135 - IGBT, 80 A, 2.1 V, 510 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIW075M065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIW075M065 - IGBT, 90 A, 1.45 V, 330 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIW075M065 - IGBT, 90 A, 1.45 V, 330 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIW120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIW120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIW120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIW120SIC023-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
Description: DIOTEC - DIW120SIC023-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 125 A, 1.2 kV, 0.023 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIW120SIC059-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DIW120SIC059-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DIW170SIC070 |
![]() |
Виробник: Diotec
SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1 Транзистори
SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EAL1K |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - EAL1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.8 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AA (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: DIOTEC - EAL1K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.8 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-213AA (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EGL1A |
![]() |
Виробник: Diotec
Ultrafast 1.0A 50V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки
Ultrafast 1.0A 50V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки
на замовлення 699 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 165+ | 4.74 грн |
| EGL1B |
![]() |
Виробник: Diotec
Ultrafast 1.0A 100V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки
Ultrafast 1.0A 100V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EGL1D |
![]() |
Виробник: Diotec
Ultrafast 1.0A 200V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки
Ultrafast 1.0A 200V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EGL1D SOD80 (MINIMELF) DIOTEC rectifier diode |
Виробник: DIOTEC
1A; 200V; SMD; 50ns; single packaging: tape&reel EGL1D DP EGL1D
кількість в упаковці: 2500 шт
1A; 200V; SMD; 50ns; single packaging: tape&reel EGL1D DP EGL1D
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 3.52 грн |
| EGL1G |
![]() |
Виробник: Diotec
Ultrafast 1.0A 400V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки
Ultrafast 1.0A 400V 50ns SOD-80 (SMD) Діоди та діодні збірки
на замовлення 19 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 41.06 грн |
| EGL1J DO213AA DIOTEC rectifier diode |
Виробник: DIOTEC
1A; 600V; SMD; packaging: tape&reel; EGL1J DP EGL1J DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 600V; SMD; packaging: tape&reel; EGL1J DP EGL1J DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 3.33 грн |
| EGL34D |
![]() |
Виробник: Diotec
SMD; 200В; 0,5А; 50нс; MiniMELF plastic; Ifsm: 8,5А Діоди та діодні збірки
SMD; 200В; 0,5А; 50нс; MiniMELF plastic; Ifsm: 8,5А Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EM513 |
![]() |
Виробник: Diotec
DO-41, 1600V, 1A Діоди та діодні збірки
DO-41, 1600V, 1A Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EM513R |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - EM513R - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: DIOTEC - EM513R - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EM513R |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - EM513R - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: DIOTEC - EM513R - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.6 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1500 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 1500ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EM518 |
![]() |
Виробник: Diotec
1A, 2000V, корпус DO-41 Діоди та діодні збірки
1A, 2000V, корпус DO-41 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EM518 DO41 DIOTEC rectifier diode |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.92 грн |
| ER1A-DIO |
Виробник: Diotec
ER1A-DIO ER1A 1A 50V SMA Діоди та діодні збірки
ER1A-DIO ER1A 1A 50V SMA Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ER1G(SMA) |
![]() |
Виробник: Diotec
SMA 1A 400V Діоди та діодні збірки
SMA 1A 400V Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ER1J-DIO |
Виробник: Diotec
ER1J-DIO ER1J 1A 600V 60 ns DO214AC Діоди та діодні збірки
ER1J-DIO ER1J 1A 600V 60 ns DO214AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ER2M |
![]() |
Виробник: Diotec
Rectifier Diode Switching 1000V 2A 35ns 2-Pin SMB Діоди та діодні збірки
Rectifier Diode Switching 1000V 2A 35ns 2-Pin SMB Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ER3J |
![]() |
Виробник: Diotec
DIODE ULTRAFAST 600V 3A DO-214AB(SMC) 75ns Діоди та діодні збірки
DIODE ULTRAFAST 600V 3A DO-214AB(SMC) 75ns Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1A |
![]() |
Виробник: Diotec
Super Fast, 1.0A, 50V, Vf=0.95V@1.0A, Trr=35ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки
Super Fast, 1.0A, 50V, Vf=0.95V@1.0A, Trr=35ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1B |
![]() |
Виробник: Diotec
ES1B Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; Package: tape; DO214AC Діоди та діодні збірки
ES1B Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; Package: tape; DO214AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1D |
![]() |
Виробник: Diotec
Super Fast, 1.0A, 200V, Vf=0.92V@1.0A, Trr=15ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки
Super Fast, 1.0A, 200V, Vf=0.92V@1.0A, Trr=15ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




























