Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3962) > Сторінка 13 з 67

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FST6340M FST6340M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST6345M FST6345M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST6360M FST6360M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST6380M FST6380M GeneSiC Semiconductor fst6340m_thru_fst63100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST73100M FST73100M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7320M FST7320M GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7330M FST7330M GeneSiC Semiconductor fst7320m_thru_fst7340m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7340M FST7340M GeneSiC Semiconductor fst7320m_thru_fst7340m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7345M FST7345M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7360M FST7360M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7380M FST7380M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100M FST83100M GeneSiC Semiconductor FST8345M~83100M.pdf Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100M FST83100M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST8345SM~FST83100SM.pdf Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320M FST8320M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320M FST8320M GeneSiC Semiconductor FST8320M~FST8340M.pdf Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM~FST8340SM.pdf Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320SM FST8320SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm-473494.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330M FST8330M GeneSiC Semiconductor FST8320M~FST8340M.pdf Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330M FST8330M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM~FST8340SM.pdf Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335M FST8335M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m.pdf Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335M FST8335M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340M FST8340M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m.pdf Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340M FST8340M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345M FST8345M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345M FST8345M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360M FST8360M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360M FST8360M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D-3478308.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+413.42 грн
10+372.04 грн
30+282.89 грн
120+278.37 грн
270+274.61 грн
510+270.10 грн
1020+269.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+719.69 грн
25+688.76 грн
50+662.53 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+604.36 грн
27+546.16 грн
29+521.74 грн
100+468.18 грн
250+405.25 грн
500+373.55 грн
1000+360.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+470.88 грн
3+387.15 грн
7+365.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+485.40 грн
10+428.28 грн
25+347.59 грн
100+334.05 грн
250+319.75 грн
500+309.22 грн
1000+298.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+343.44 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+419.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
996+343.44 грн
Мінімальне замовлення: 996 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.31 грн
10+409.79 грн
25+392.05 грн
100+344.60 грн
250+329.94 грн
500+319.27 грн
1000+303.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+598.20 грн
26+572.50 грн
50+550.69 грн
100+513.01 грн
250+460.59 грн
500+430.14 грн
1000+419.62 грн
2500+410.36 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.01 грн
10+378.24 грн
25+361.82 грн
100+328.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1285.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1484.28 грн
100+1406.16 грн
250+1351.48 грн
500+1268.37 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1378.32 грн
10+1200.35 грн
25+1152.71 грн
100+1017.81 грн
250+977.81 грн
500+948.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1525.53 грн
10+1359.25 грн
25+1134.56 грн
100+1068.35 грн
250+1025.47 грн
500+1023.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FST6340M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6340M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST6345M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6345M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST6360M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6360M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST6380M fst6340m_thru_fst63100m.pdf
FST6380M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST73100M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST73100M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7320M
FST7320M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7330M fst7320m_thru_fst7340m.pdf
FST7330M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7340M fst7320m_thru_fst7340m.pdf
FST7340M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7345M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7345M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7360M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7360M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7380M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7380M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100M FST8345M~83100M.pdf
FST83100M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST83100M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100SM FST8345SM~FST83100SM.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8320M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320M FST8320M~FST8340M.pdf
FST8320M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320SM FST8320SM~FST8340SM.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320SM fst8320sm_thru_fst8340sm-473494.pdf
FST8320SM
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330M FST8320M~FST8340M.pdf
FST8330M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8330M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330SM FST8320SM~FST8340SM.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335M fst8320m_thru_fst8340m.pdf
FST8335M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8335M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335SM fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340M fst8320m_thru_fst8340m.pdf
FST8340M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8340M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340SM fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8345M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8345M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8360M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8360M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8380M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8380M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D-3478308.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+413.42 грн
10+372.04 грн
30+282.89 грн
120+278.37 грн
270+274.61 грн
510+270.10 грн
1020+269.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+719.69 грн
25+688.76 грн
50+662.53 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+604.36 грн
27+546.16 грн
29+521.74 грн
100+468.18 грн
250+405.25 грн
500+373.55 грн
1000+360.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.88 грн
3+387.15 грн
7+365.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.40 грн
10+428.28 грн
25+347.59 грн
100+334.05 грн
250+319.75 грн
500+309.22 грн
1000+298.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
950+343.44 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+419.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
996+343.44 грн
Мінімальне замовлення: 996 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+475.31 грн
10+409.79 грн
25+392.05 грн
100+344.60 грн
250+329.94 грн
500+319.27 грн
1000+303.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+598.20 грн
26+572.50 грн
50+550.69 грн
100+513.01 грн
250+460.59 грн
500+430.14 грн
1000+419.62 грн
2500+410.36 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.01 грн
10+378.24 грн
25+361.82 грн
100+328.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1285.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1484.28 грн
100+1406.16 грн
250+1351.48 грн
500+1268.37 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1378.32 грн
10+1200.35 грн
25+1152.71 грн
100+1017.81 грн
250+977.81 грн
500+948.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J-2449477.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1525.53 грн
10+1359.25 грн
25+1134.56 грн
100+1068.35 грн
250+1025.47 грн
500+1023.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.