Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3962) > Сторінка 14 з 67

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1813.36 грн
10+1641.50 грн
25+1546.78 грн
100+1431.27 грн
250+1274.68 грн
500+1129.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1521.39 грн
11+1427.74 грн
25+1366.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1378.32 грн
10+1200.35 грн
25+1152.71 грн
100+1017.81 грн
250+977.81 грн
500+948.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1399.32 грн
100+1346.59 грн
250+1303.63 грн
500+1239.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1525.53 грн
10+1359.25 грн
25+1134.56 грн
100+1068.35 грн
250+1025.47 грн
500+1023.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1732.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2053.06 грн
10+1470.00 грн
25+1233.87 грн
100+1213.56 грн
500+1166.16 грн
800+1030.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1732.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.12Ω
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8113.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 213-222 дні (днів)
1+8818.78 грн
10+8063.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28766.71 грн
10+26107.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+24135.57 грн
10+22336.35 грн
30+19319.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28766.71 грн
10+26107.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G375MT12U-TR G375MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F75MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+21020.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2-T GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+22175.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+11619.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12FB2.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+11097.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T G3F09MT12G3T GeneSiC Semiconductor index.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
на замовлення 95 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+19032.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T-T G3F09MT12G3T-T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+22201.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+21007.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+22162.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+490.66 грн
10+433.47 грн
25+361.13 грн
100+338.56 грн
250+323.51 грн
500+312.23 грн
800+302.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12U-TR G3F135MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+8293.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+8747.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+10513.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4-T GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+11092.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F18MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 763 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1888.92 грн
10+1691.49 грн
25+1416.69 грн
100+1336.94 грн
250+1288.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2419.96 грн
10+2354.25 грн
30+1384.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F20MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1370.17 грн
10+1227.74 грн
25+1027.72 грн
100+1019.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2125.92 грн
10+2063.53 грн
30+1156.38 грн
120+1146.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR G3F25MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 648 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1177.94 грн
10+1055.56 грн
25+883.27 грн
100+834.37 грн
250+802.77 грн
500+780.20 грн
800+756.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1256.94 грн
10+1127.37 грн
30+942.71 грн
120+890.04 грн
270+856.94 грн
510+832.86 грн
1020+808.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06LK G3F25MT06LK GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1524.66 грн
10+1116.99 грн
25+867.47 грн
250+864.46 грн
500+863.71 грн
1200+834.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06U-TR G3F25MT06U-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT06U.pdf SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1295.56 грн
10+1103.15 грн
25+901.33 грн
100+862.96 грн
250+837.38 грн
500+825.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1712.50 грн
10+1649.96 грн
30+909.60 грн
120+871.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12U-TR G3F25MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J-TR GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J.pdf SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+738.19 грн
10+661.89 грн
25+552.98 грн
100+522.89 грн
250+503.33 грн
500+489.03 грн
800+474.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+856.69 грн
10+768.31 грн
30+642.52 грн
120+607.15 грн
270+584.58 грн
510+567.28 грн
1020+551.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor G3F33MT06L.pdf SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1088.41 грн
10+813.30 грн
25+604.14 грн
250+602.64 грн
1200+559.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F34MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1481.65 грн
10+1059.02 грн
25+826.84 грн
100+822.33 грн
250+821.58 грн
500+820.82 грн
800+752.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 761 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+878.63 грн
10+746.68 грн
25+610.16 грн
100+584.58 грн
250+567.28 грн
500+559.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1155.12 грн
10+1112.66 грн
30+598.88 грн
510+583.08 грн
1020+568.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+782.96 грн
10+701.69 грн
30+586.84 грн
120+553.74 грн
270+534.18 грн
510+518.38 грн
1020+503.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR G3F45MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+631.98 грн
10+565.85 грн
25+473.99 грн
100+447.65 грн
250+430.35 грн
500+418.31 грн
800+405.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+810.17 грн
10+725.91 грн
30+607.15 грн
120+573.30 грн
270+552.23 грн
510+536.43 грн
1020+520.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+894.43 грн
10+645.45 грн
25+463.45 грн
100+455.18 грн
500+454.43 грн
1200+421.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06U-TR G3F45MT06U-TR GeneSiC Semiconductor G3F45MT06U.pdf SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1813.36 грн
10+1641.50 грн
25+1546.78 грн
100+1431.27 грн
250+1274.68 грн
500+1129.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1521.39 грн
11+1427.74 грн
25+1366.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1378.32 грн
10+1200.35 грн
25+1152.71 грн
100+1017.81 грн
250+977.81 грн
500+948.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1399.32 грн
100+1346.59 грн
250+1303.63 грн
500+1239.18 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J-2449477.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1525.53 грн
10+1359.25 грн
25+1134.56 грн
100+1068.35 грн
250+1025.47 грн
500+1023.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1732.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2053.06 грн
10+1470.00 грн
25+1233.87 грн
100+1213.56 грн
500+1166.16 грн
800+1030.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1732.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.12Ω
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8113.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J-2449933.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 213-222 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8818.78 грн
10+8063.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28766.71 грн
10+26107.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24135.57 грн
10+22336.35 грн
30+19319.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28766.71 грн
10+26107.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G375MT12U-TR G3F75MT12U.pdf
G375MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21020.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22175.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11619.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2.pdf
G3F09MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11097.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T index.pdf
G3F09MT12G3T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
на замовлення 95 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+19032.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T-T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22201.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21007.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22162.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J.pdf
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+490.66 грн
10+433.47 грн
25+361.13 грн
100+338.56 грн
250+323.51 грн
500+312.23 грн
800+302.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12U-TR G3F135MT12U.pdf
G3F135MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8293.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8747.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10513.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11092.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J.pdf
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 763 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1888.92 грн
10+1691.49 грн
25+1416.69 грн
100+1336.94 грн
250+1288.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf
G3F18MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2419.96 грн
10+2354.25 грн
30+1384.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J.pdf
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1370.17 грн
10+1227.74 грн
25+1027.72 грн
100+1019.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K
G3F20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2125.92 грн
10+2063.53 грн
30+1156.38 грн
120+1146.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR
G3F25MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 648 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1177.94 грн
10+1055.56 грн
25+883.27 грн
100+834.37 грн
250+802.77 грн
500+780.20 грн
800+756.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K
G3F25MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1256.94 грн
10+1127.37 грн
30+942.71 грн
120+890.04 грн
270+856.94 грн
510+832.86 грн
1020+808.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06LK
G3F25MT06LK
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR
G3F25MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1524.66 грн
10+1116.99 грн
25+867.47 грн
250+864.46 грн
500+863.71 грн
1200+834.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06U-TR G3F25MT06U.pdf
G3F25MT06U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J.pdf
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1295.56 грн
10+1103.15 грн
25+901.33 грн
100+862.96 грн
250+837.38 грн
500+825.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K
G3F25MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1712.50 грн
10+1649.96 грн
30+909.60 грн
120+871.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12U-TR G3F25MT12U.pdf
G3F25MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J.pdf
G3F33MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+738.19 грн
10+661.89 грн
25+552.98 грн
100+522.89 грн
250+503.33 грн
500+489.03 грн
800+474.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K
G3F33MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+856.69 грн
10+768.31 грн
30+642.52 грн
120+607.15 грн
270+584.58 грн
510+567.28 грн
1020+551.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L.pdf
G3F33MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1088.41 грн
10+813.30 грн
25+604.14 грн
250+602.64 грн
1200+559.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J.pdf
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1481.65 грн
10+1059.02 грн
25+826.84 грн
100+822.33 грн
250+821.58 грн
500+820.82 грн
800+752.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J.pdf
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 761 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+878.63 грн
10+746.68 грн
25+610.16 грн
100+584.58 грн
250+567.28 грн
500+559.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K.pdf
G3F40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1155.12 грн
10+1112.66 грн
30+598.88 грн
510+583.08 грн
1020+568.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D
G3F45MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+782.96 грн
10+701.69 грн
30+586.84 грн
120+553.74 грн
270+534.18 грн
510+518.38 грн
1020+503.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR
G3F45MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+631.98 грн
10+565.85 грн
25+473.99 грн
100+447.65 грн
250+430.35 грн
500+418.31 грн
800+405.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K
G3F45MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+810.17 грн
10+725.91 грн
30+607.15 грн
120+573.30 грн
270+552.23 грн
510+536.43 грн
1020+520.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR
G3F45MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+894.43 грн
10+645.45 грн
25+463.45 грн
100+455.18 грн
500+454.43 грн
1200+421.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06U-TR G3F45MT06U.pdf
G3F45MT06U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.