Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4259) > Сторінка 14 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FST16045 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 45V 160A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST16045L | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 160A Standard |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST16045L | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A TO249AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST16060 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 60V 160A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FST16060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 160A TO249ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-249AB Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC) Supplier Device Package: TO-249AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 160 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FST16080 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
FST16080 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 80V 160A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FST16080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SCHOT 80V 160A TO249ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-249AB Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC) Supplier Device Package: TO-249AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 160 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST63100M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST6310M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST6315M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST6320M | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST6330M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST6335M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST6340M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST6345M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST6360M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST6380M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST73100M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST7320M | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST7330M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST7340M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST7345M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST7360M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST7380M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST83100M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3MPackaging: Bulk Package / Case: D61-3M Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC) Supplier Device Package: D61-3M Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST83100M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FST83100SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SMPackaging: Bulk Package / Case: D61-3SM Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC) Supplier Device Package: D61-3SM Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
FST8320M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST8320M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FST8320SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
FST8320SM | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST8330M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST8330M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FST8330SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
FST8335M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST8335M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FST8335SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
FST8340M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST8340M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FST8340SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
FST8345M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST8345M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FST8345SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
FST8360M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST8360M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FST8360SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
|
FST8380M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
FST8380M | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FST8380SM | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G2R1000MT17D | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 3810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V |
на замовлення 11455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FST16045 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 45V 160A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 45V 160A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST16045L |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 160A Standard
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 160A Standard
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST16045L |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A TO249AB
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 80A TO249AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST16060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 160A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 60V 160A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST16060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 60V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST16080 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
Rectifier Diode Schottky 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-249AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST16080 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 80V 160A Schottky Recovery
Discrete Semiconductor Modules 80V 160A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST16080 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 80V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 80V 160A TO249AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AB
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 160A (DC)
Supplier Device Package: TO-249AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 160 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST63100M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST6310M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST6315M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST6320M |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST6330M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST6335M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST6340M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST6345M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST6360M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST6380M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 30A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST73100M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST7320M |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST7330M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST7340M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST7345M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST7360M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST7380M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST83100M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST83100M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST83100SM |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8320M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8320M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8320SM |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8320SM |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8330M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8330M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8330SM |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8335M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8335M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8335SM |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8340M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8340M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8340SM |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8345M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8345M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8345SM |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8360M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8360M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8360SM |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8380M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8380M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FST8380SM |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 637.04 грн |
| 25+ | 609.67 грн |
| 50+ | 586.44 грн |
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 380.40 грн |
| 10+ | 342.33 грн |
| 30+ | 260.29 грн |
| 120+ | 256.14 грн |
| 270+ | 252.68 грн |
| 510+ | 248.52 грн |
| 1020+ | 247.83 грн |
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 996+ | 304.00 грн |
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 529.51 грн |
| 26+ | 506.76 грн |
| 50+ | 487.45 грн |
| 100+ | 454.09 грн |
| 250+ | 407.70 грн |
| 500+ | 380.75 грн |
| 1000+ | 371.43 грн |
| 2500+ | 363.24 грн |
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 466.50 грн |
| 10+ | 402.20 грн |
| 25+ | 384.79 грн |
| 100+ | 338.21 грн |
| 250+ | 323.82 грн |
| 500+ | 313.36 грн |
| 1000+ | 297.92 грн |






