Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4084) > Сторінка 14 з 69

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 24 30 36 42 48 54 60 66 69  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+696.47 грн
25+666.55 грн
50+641.15 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D-3478308.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+425.97 грн
3+355.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+406.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+584.86 грн
27+528.54 грн
29+504.91 грн
100+453.07 грн
250+392.18 грн
500+361.50 грн
1000+348.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+578.91 грн
26+554.03 грн
50+532.92 грн
100+496.46 грн
250+445.74 грн
500+416.27 грн
1000+406.09 грн
2500+397.13 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+332.36 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.20 грн
10+401.08 грн
25+383.72 грн
100+337.27 грн
250+322.92 грн
500+312.48 грн
1000+297.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
996+332.36 грн
Мінімальне замовлення: 996 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.70 грн
10+370.20 грн
25+354.13 грн
100+321.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1307.88 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1472.31 грн
10+1381.68 грн
25+1322.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1243.62 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1354.18 грн
100+1303.16 грн
250+1261.58 грн
500+1199.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1754.86 грн
10+1588.54 грн
25+1496.88 грн
100+1385.10 грн
250+1233.56 грн
500+1092.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1436.40 грн
100+1360.80 грн
250+1307.88 грн
500+1227.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1349.01 грн
10+1174.83 грн
25+1128.21 грн
100+996.17 грн
250+957.02 грн
500+928.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1472.31 грн
11+1381.68 грн
25+1322.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1676.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1676.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7941.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27838.76 грн
10+25265.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27838.76 грн
10+25265.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G375MT12U-TR G375MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F75MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2-T GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T G3F09MT12G3T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T-T G3F09MT12G3T-T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12U-TR G3F135MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8380M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+696.47 грн
25+666.55 грн
50+641.15 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D-3478308.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+425.97 грн
3+355.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+406.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+584.86 грн
27+528.54 грн
29+504.91 грн
100+453.07 грн
250+392.18 грн
500+361.50 грн
1000+348.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+578.91 грн
26+554.03 грн
50+532.92 грн
100+496.46 грн
250+445.74 грн
500+416.27 грн
1000+406.09 грн
2500+397.13 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
950+332.36 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.20 грн
10+401.08 грн
25+383.72 грн
100+337.27 грн
250+322.92 грн
500+312.48 грн
1000+297.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
996+332.36 грн
Мінімальне замовлення: 996 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+428.70 грн
10+370.20 грн
25+354.13 грн
100+321.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1307.88 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1472.31 грн
10+1381.68 грн
25+1322.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1243.62 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1354.18 грн
100+1303.16 грн
250+1261.58 грн
500+1199.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1754.86 грн
10+1588.54 грн
25+1496.88 грн
100+1385.10 грн
250+1233.56 грн
500+1092.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J-2449477.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1436.40 грн
100+1360.80 грн
250+1307.88 грн
500+1227.45 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1349.01 грн
10+1174.83 грн
25+1128.21 грн
100+996.17 грн
250+957.02 грн
500+928.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1472.31 грн
11+1381.68 грн
25+1322.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1676.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1676.43 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7941.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J-2449933.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27838.76 грн
10+25265.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27838.76 грн
10+25265.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G375MT12U-TR G3F75MT12U.pdf
G375MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T-T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J.pdf
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12U-TR G3F135MT12U.pdf
G3F135MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 24 30 36 42 48 54 60 66 69  [ Наступна Сторінка >> ]