Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3988) > Сторінка 14 з 67

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.71 грн
10+368.48 грн
25+352.49 грн
100+320.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.13 грн
10+1390.90 грн
25+1331.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.75 грн
10+1169.37 грн
25+1122.97 грн
100+991.55 грн
250+952.58 грн
500+924.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1766.56 грн
10+1599.14 грн
25+1506.86 грн
100+1394.33 грн
250+1241.79 грн
500+1099.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1486.17 грн
10+1324.17 грн
25+1105.28 грн
100+1040.78 грн
250+999.00 грн
500+996.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1482.13 грн
11+1390.90 грн
25+1331.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1363.21 грн
100+1311.84 грн
250+1269.99 грн
500+1207.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1251.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1445.98 грн
100+1369.87 грн
250+1316.60 грн
500+1235.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1316.60 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2000.08 грн
10+1432.06 грн
25+1202.03 грн
100+1182.24 грн
500+1136.06 грн
800+1004.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1687.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1687.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 213-222 дні (днів)
1+8591.20 грн
10+7855.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7904.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.12Ω
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+23512.72 грн
10+21759.93 грн
30+18821.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28024.35 грн
10+25433.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28024.35 грн
10+25433.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G375MT12U-TR G375MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F75MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+20477.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2-T GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+21603.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+11319.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12FB2.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+10811.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T G3F09MT12G3T GeneSiC Semiconductor index.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
на замовлення 95 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+18541.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T-T G3F09MT12G3T-T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+21628.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+20465.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+21590.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+478.00 грн
10+422.29 грн
25+351.81 грн
100+329.82 грн
250+315.17 грн
500+304.17 грн
800+294.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12U-TR G3F135MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+8079.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+8521.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+10242.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4-T GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+10805.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F18MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 763 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1840.18 грн
10+1647.84 грн
25+1380.13 грн
100+1302.44 грн
250+1254.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2357.51 грн
10+2293.49 грн
30+1348.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F20MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1334.81 грн
10+1196.05 грн
25+1001.20 грн
100+993.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2071.05 грн
10+2010.28 грн
30+1126.53 грн
120+1117.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR G3F25MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 648 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1147.55 грн
10+1028.32 грн
25+860.48 грн
100+812.83 грн
250+782.05 грн
500+760.06 грн
800+737.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1224.50 грн
10+1098.28 грн
30+918.38 грн
120+867.07 грн
270+834.82 грн
510+811.37 грн
1020+787.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06LK G3F25MT06LK GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1485.31 грн
10+1088.17 грн
25+845.08 грн
250+842.15 грн
500+841.42 грн
1200+812.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06U-TR G3F25MT06U-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT06U.pdf SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1262.13 грн
10+1074.68 грн
25+878.07 грн
100+840.69 грн
250+815.77 грн
500+804.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1668.30 грн
10+1607.38 грн
30+886.13 грн
120+848.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12U-TR G3F25MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J-TR GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J.pdf SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+719.14 грн
10+644.81 грн
25+538.71 грн
100+509.40 грн
250+490.34 грн
500+476.41 грн
800+462.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+834.58 грн
10+748.48 грн
30+625.93 грн
120+591.49 грн
270+569.50 грн
510+552.64 грн
1020+537.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor G3F33MT06L.pdf SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1060.33 грн
10+792.31 грн
25+588.55 грн
250+587.09 грн
1200+545.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F34MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1150.11 грн
10+979.43 грн
25+798.91 грн
100+765.93 грн
250+743.21 грн
500+732.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+426.71 грн
10+368.48 грн
25+352.49 грн
100+320.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1482.13 грн
10+1390.90 грн
25+1331.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1342.75 грн
10+1169.37 грн
25+1122.97 грн
100+991.55 грн
250+952.58 грн
500+924.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1766.56 грн
10+1599.14 грн
25+1506.86 грн
100+1394.33 грн
250+1241.79 грн
500+1099.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J-2449477.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1486.17 грн
10+1324.17 грн
25+1105.28 грн
100+1040.78 грн
250+999.00 грн
500+996.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1482.13 грн
11+1390.90 грн
25+1331.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 1Ω
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1363.21 грн
100+1311.84 грн
250+1269.99 грн
500+1207.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1251.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1445.98 грн
100+1369.87 грн
250+1316.60 грн
500+1235.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1316.60 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 220 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2000.08 грн
10+1432.06 грн
25+1202.03 грн
100+1182.24 грн
500+1136.06 грн
800+1004.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1687.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1687.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J-2449933.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 213-222 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8591.20 грн
10+7855.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7904.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 3.3kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.12Ω
Polarisation: unipolar
Technology: G2R™; SiC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23512.72 грн
10+21759.93 грн
30+18821.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28024.35 грн
10+25433.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28024.35 грн
10+25433.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G375MT12U-TR G3F75MT12U.pdf
G375MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20477.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21603.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11319.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2.pdf
G3F09MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10811.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T index.pdf
G3F09MT12G3T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
на замовлення 95 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18541.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T-T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21628.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20465.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21590.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J.pdf
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+478.00 грн
10+422.29 грн
25+351.81 грн
100+329.82 грн
250+315.17 грн
500+304.17 грн
800+294.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12U-TR G3F135MT12U.pdf
G3F135MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8079.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8521.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10242.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10805.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J.pdf
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 763 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1840.18 грн
10+1647.84 грн
25+1380.13 грн
100+1302.44 грн
250+1254.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf
G3F18MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2357.51 грн
10+2293.49 грн
30+1348.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J.pdf
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1334.81 грн
10+1196.05 грн
25+1001.20 грн
100+993.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K
G3F20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2071.05 грн
10+2010.28 грн
30+1126.53 грн
120+1117.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR
G3F25MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 648 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1147.55 грн
10+1028.32 грн
25+860.48 грн
100+812.83 грн
250+782.05 грн
500+760.06 грн
800+737.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K
G3F25MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1224.50 грн
10+1098.28 грн
30+918.38 грн
120+867.07 грн
270+834.82 грн
510+811.37 грн
1020+787.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06LK
G3F25MT06LK
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR
G3F25MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1485.31 грн
10+1088.17 грн
25+845.08 грн
250+842.15 грн
500+841.42 грн
1200+812.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06U-TR G3F25MT06U.pdf
G3F25MT06U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J.pdf
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1262.13 грн
10+1074.68 грн
25+878.07 грн
100+840.69 грн
250+815.77 грн
500+804.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K
G3F25MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1668.30 грн
10+1607.38 грн
30+886.13 грн
120+848.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12U-TR G3F25MT12U.pdf
G3F25MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J.pdf
G3F33MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+719.14 грн
10+644.81 грн
25+538.71 грн
100+509.40 грн
250+490.34 грн
500+476.41 грн
800+462.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K
G3F33MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+834.58 грн
10+748.48 грн
30+625.93 грн
120+591.49 грн
270+569.50 грн
510+552.64 грн
1020+537.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L.pdf
G3F33MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1060.33 грн
10+792.31 грн
25+588.55 грн
250+587.09 грн
1200+545.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J.pdf
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1150.11 грн
10+979.43 грн
25+798.91 грн
100+765.93 грн
250+743.21 грн
500+732.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.