Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 14 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FST73100M FST73100M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7320M FST7320M GeneSiC Semiconductor Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7330M FST7330M GeneSiC Semiconductor fst7320m_thru_fst7340m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7340M FST7340M GeneSiC Semiconductor fst7320m_thru_fst7340m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7345M FST7345M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7360M FST7360M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7380M FST7380M GeneSiC Semiconductor fst7345m_thru_fst73100m.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100M FST83100M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100M FST83100M GeneSiC Semiconductor FST8345M~83100M.pdf Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST8345SM~FST83100SM.pdf Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320M FST8320M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320M FST8320M GeneSiC Semiconductor FST8320M~FST8340M.pdf Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320SM FST8320SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm-473494.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM~FST8340SM.pdf Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330M FST8330M GeneSiC Semiconductor FST8320M~FST8340M.pdf Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330M FST8330M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM~FST8340SM.pdf Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335M FST8335M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335M FST8335M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m.pdf Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340M FST8340M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m.pdf Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340M FST8340M GeneSiC Semiconductor fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340SM GeneSiC Semiconductor fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345M FST8345M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345M FST8345M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360M FST8360M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360M FST8360M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380M FST8380M GeneSiC Semiconductor fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380SM GeneSiC Semiconductor fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D-3478308.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+381.26 грн
10+343.10 грн
30+260.88 грн
120+256.72 грн
270+253.25 грн
510+249.09 грн
1020+248.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+684.09 грн
25+654.70 грн
50+629.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+326.45 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+574.46 грн
27+519.14 грн
29+495.94 грн
100+445.02 грн
250+385.20 грн
500+355.08 грн
1000+342.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+568.62 грн
26+544.19 грн
50+523.45 грн
100+487.63 грн
250+437.81 грн
500+408.87 грн
1000+398.87 грн
2500+390.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
996+326.45 грн
Мінімальне замовлення: 996
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.64 грн
10+394.97 грн
25+320.55 грн
100+308.06 грн
250+294.88 грн
500+285.17 грн
1000+275.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.56 грн
10+403.11 грн
25+385.66 грн
100+338.98 грн
250+324.56 грн
500+314.07 грн
1000+298.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+429.02 грн
3+356.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+399.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.87 грн
10+372.07 грн
25+355.92 грн
100+323.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1723.67 грн
10+1560.30 грн
25+1470.27 грн
100+1360.48 грн
250+1211.63 грн
500+1073.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1355.84 грн
10+1180.78 грн
25+1133.92 грн
100+1001.22 грн
250+961.87 грн
500+933.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1446.14 грн
11+1357.12 грн
25+1298.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1410.86 грн
100+1336.61 грн
250+1284.63 грн
500+1205.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1330.11 грн
100+1279.99 грн
250+1239.15 грн
500+1177.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1284.63 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FST73100M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST73100M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7320M
FST7320M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7330M fst7320m_thru_fst7340m.pdf
FST7330M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7340M fst7320m_thru_fst7340m.pdf
FST7340M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7345M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7345M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7360M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7360M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST7380M fst7345m_thru_fst73100m.pdf
FST7380M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 35A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST83100M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 100V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100M FST8345M~83100M.pdf
FST83100M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3M
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3M
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3M
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST83100SM FST8345SM~FST83100SM.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 80A D61-3SM
Packaging: Bulk
Package / Case: D61-3SM
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80A (DC)
Supplier Device Package: D61-3SM
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 80 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8320M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320M FST8320M~FST8340M.pdf
FST8320M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320SM fst8320sm_thru_fst8340sm-473494.pdf
FST8320SM
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8320SM FST8320SM~FST8340SM.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330M FST8320M~FST8340M.pdf
FST8330M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8330M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8330SM FST8320SM~FST8340SM.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8335M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 35V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335M fst8320m_thru_fst8340m.pdf
FST8335M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8335SM fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340M fst8320m_thru_fst8340m.pdf
FST8340M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340M fst8320m_thru_fst8340m-472314.pdf
FST8340M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 40V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8340SM fst8320sm_thru_fst8340sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8345M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8345M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 45V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8345SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8360M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8360M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 60V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8360SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380M fst8345m_thru_fst83100m.pdf
FST8380M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380M fst8345m_thru_fst83100m-473548.pdf
FST8380M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 80V 80A Schottky Recovery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FST8380SM fst8345sm_thru_fst83100sm.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 80A D61-3SM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D-3478308.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-247-3 G2R SiC MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.26 грн
10+343.10 грн
30+260.88 грн
120+256.72 грн
270+253.25 грн
510+249.09 грн
1020+248.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 111 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+684.09 грн
25+654.70 грн
50+629.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D g2r1000mt17d.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
950+326.45 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+574.46 грн
27+519.14 грн
29+495.94 грн
100+445.02 грн
250+385.20 грн
500+355.08 грн
1000+342.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+568.62 грн
26+544.19 грн
50+523.45 грн
100+487.63 грн
250+437.81 грн
500+408.87 грн
1000+398.87 грн
2500+390.07 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
996+326.45 грн
Мінімальне замовлення: 996
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.64 грн
10+394.97 грн
25+320.55 грн
100+308.06 грн
250+294.88 грн
500+285.17 грн
1000+275.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.56 грн
10+403.11 грн
25+385.66 грн
100+338.98 грн
250+324.56 грн
500+314.07 грн
1000+298.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+429.02 грн
3+356.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+399.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.87 грн
10+372.07 грн
25+355.92 грн
100+323.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1723.67 грн
10+1560.30 грн
25+1470.27 грн
100+1360.48 грн
250+1211.63 грн
500+1073.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1355.84 грн
10+1180.78 грн
25+1133.92 грн
100+1001.22 грн
250+961.87 грн
500+933.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1446.14 грн
11+1357.12 грн
25+1298.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1410.86 грн
100+1336.61 грн
250+1284.63 грн
500+1205.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1330.11 грн
100+1279.99 грн
250+1239.15 грн
500+1177.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1284.63 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]