Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119485) > Сторінка 1963 з 1992

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1958 1959 1960 1961 1962 1963 1964 1965 1966 1967 1968 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.86 грн
6+74.00 грн
10+68.89 грн
25+62.61 грн
50+58.01 грн
100+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.24 грн
16+26.79 грн
50+18.08 грн
100+15.65 грн
500+11.38 грн
1000+9.96 грн
1500+9.29 грн
3000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP62H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO261-4
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR92p.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Collector-emitter voltage: 15V
Frequency: 5GHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.73 грн
28+15.23 грн
32+13.31 грн
37+11.47 грн
50+10.38 грн
100+9.54 грн
250+8.79 грн
500+8.29 грн
3000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.30 грн
10+44.95 грн
50+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR7540TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF IRFS7540TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7540pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7640s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT62001ENAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTT6200-1ENA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01645f3a31f312e9 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Case: PG-TDSO-8-31
Technology: PROFET™+ 24V
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.5A
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 8...36V DC
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT62001ENAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTT6200-1ENA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01645f3a31f312e9 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC110N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+215.45 грн
10+106.31 грн
50+88.73 грн
100+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8405TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 95A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 95A
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT150N10S5N035.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 166W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-HSOF-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5030-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+ 12V
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.9W
Number of channels: 1
Output current: 4A
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.33 грн
10+125.56 грн
25+113.84 грн
100+97.10 грн
250+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4019pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.68 грн
6+82.03 грн
10+71.15 грн
25+58.59 грн
50+52.74 грн
100+51.06 грн
500+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP193E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.44 грн
30+14.06 грн
100+10.71 грн
250+9.54 грн
500+8.79 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+81.20 грн
20+72.82 грн
50+63.62 грн
100+56.92 грн
200+51.90 грн
500+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4610.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+147.32 грн
10+132.26 грн
20+126.40 грн
50+117.19 грн
100+110.49 грн
200+103.80 грн
500+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs38n20d.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.62 грн
5+146.49 грн
10+130.58 грн
50+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs52n15d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.56 грн
5+121.37 грн
10+109.66 грн
25+95.43 грн
50+88.73 грн
100+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.30 грн
10+77.01 грн
20+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+142.30 грн
10+117.19 грн
20+101.28 грн
50+83.71 грн
100+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.19 грн
10+126.40 грн
50+113.84 грн
100+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4332pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.59 грн
10+144.81 грн
25+130.58 грн
50+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.10 грн
5+88.73 грн
10+73.66 грн
50+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF IRFB7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7537pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.28 грн
5+112.17 грн
10+80.36 грн
25+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.21 грн
10+89.57 грн
50+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.15 грн
10+118.03 грн
50+77.01 грн
100+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.70 грн
5+88.73 грн
10+77.85 грн
25+66.13 грн
50+58.59 грн
100+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LF IPB033N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB033N10N5LF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 179W
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 3.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGNFB033 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: LGA8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT285N16KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT285N16KOF-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f7b4d4bc5 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 285A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 285A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.44 грн
10+118.86 грн
50+88.73 грн
100+77.85 грн
250+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.93 грн
34+12.64 грн
50+8.62 грн
100+7.32 грн
500+5.19 грн
1000+4.50 грн
3000+3.72 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 BAT6202VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT62E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.55 грн
21+20.01 грн
50+14.90 грн
100+13.23 грн
250+11.30 грн
500+9.88 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAT62E6327HTSA1 BAT62E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT62E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1000R33HE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FZ1000R33HE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 3.3kV; Ic: 1kA; screw
Case: AG-IHVB130-3
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: TRENCHSTOP™
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Pulsed collector current: 2kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: XHP™3
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: AG-XHP100-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ825R33HE4DBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ825R33HE4D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d4dd50584 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Topology: IGBT x2
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 825A
Pulsed collector current: 1.65kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: AG-IHVB130
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1400R33HE4BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Bodos_Power_Systems_Modules%20for_traction_converters-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a96de3a714ec0 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Topology: IGBT x2
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: AG-IHVB130-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ2000R33HE4-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed15a9df22af8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3
Topology: IGBT x3
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2kA
Pulsed collector current: 4kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: AG-IHVB190-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R33HE3KBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FD1000R33HE3K.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3.3kV
Power dissipation: 11.5kW
Case: AG-IHVB190
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Pulsed collector current: 2kA
Topology: buck-boost chopper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA524N6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGA524N6.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3VDC; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.5...3.3V DC
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70402EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7040-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e9412cf6e2dbb Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 36mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70401EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70401EPA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 36mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70802EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7080-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e941bf21e2dbe Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 39.6mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28452-24PVXI CY8C28452-24PVXI INFINEON TECHNOLOGIES CY8C28243-24PVXI.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
On-state resistance: 600µΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 478A
Case: D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JGXUMA1 ICE3BR4765JGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3BR4765JG.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.75 грн
25+85.38 грн
100+79.52 грн
500+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC340N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.69 грн
11+39.09 грн
100+29.21 грн
250+26.45 грн
500+24.53 грн
1000+22.35 грн
2000+20.51 грн
2500+19.92 грн
5000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SL BTS3800SL INFINEON TECHNOLOGIES BTS3800SL.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SCT595
On-state resistance: 0.8Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.68 грн
10+63.03 грн
25+52.90 грн
100+41.10 грн
250+35.16 грн
500+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD30N03S4L09.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 31W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 31W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ130N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF.pdf
IRFB4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.86 грн
6+74.00 грн
10+68.89 грн
25+62.61 грн
50+58.01 грн
100+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.24 грн
16+26.79 грн
50+18.08 грн
100+15.65 грн
500+11.38 грн
1000+9.96 грн
1500+9.29 грн
3000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6433HTMA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP62H6327XTSA1 bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO261-4
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92p.pdf
BFR92PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Collector-emitter voltage: 15V
Frequency: 5GHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.73 грн
28+15.23 грн
32+13.31 грн
37+11.47 грн
50+10.38 грн
100+9.54 грн
250+8.79 грн
500+8.29 грн
3000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF.pdf
IRFB7540PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.30 грн
10+44.95 грн
50+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF.pdf
IRFR7540TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF irfs7540pbf.pdf
IRFS7540TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR auirf7640s2.pdf
AUIRF7640S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT62001ENAXUMA1 Infineon-BTT6200-1ENA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01645f3a31f312e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Case: PG-TDSO-8-31
Technology: PROFET™+ 24V
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.5A
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 8...36V DC
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT62001ENAXUMA1 Infineon-BTT6200-1ENA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01645f3a31f312e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3G-DTE.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF irfs4310.pdf
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.45 грн
10+106.31 грн
50+88.73 грн
100+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8405TR auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 95A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 95A
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035.pdf
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 166W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-HSOF-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA.pdf
BTS5030-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+ 12V
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.9W
Number of channels: 1
Output current: 4A
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.33 грн
10+125.56 грн
25+113.84 грн
100+97.10 грн
250+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description irfb4019pbf.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.68 грн
6+82.03 грн
10+71.15 грн
25+58.59 грн
50+52.74 грн
100+51.06 грн
500+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327-dte.pdf
BFP193E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.44 грн
30+14.06 грн
100+10.71 грн
250+9.54 грн
500+8.79 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf
IRFB4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.31 грн
10+81.20 грн
20+72.82 грн
50+63.62 грн
100+56.92 грн
200+51.90 грн
500+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description irfs4610.pdf
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.32 грн
10+132.26 грн
20+126.40 грн
50+117.19 грн
100+110.49 грн
200+103.80 грн
500+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF description irfs38n20d.pdf
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.62 грн
5+146.49 грн
10+130.58 грн
50+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF irfs52n15d.pdf
IRFB52N15DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.56 грн
5+121.37 грн
10+109.66 грн
25+95.43 грн
50+88.73 грн
100+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF irfb5620pbf.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.30 грн
10+77.01 грн
20+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.30 грн
10+117.19 грн
20+101.28 грн
50+83.71 грн
100+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+181.19 грн
10+126.40 грн
50+113.84 грн
100+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf
IRFB4332PbF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.59 грн
10+144.81 грн
25+130.58 грн
50+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF irfs7534pbf.pdf
IRFB7534PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+127.10 грн
5+88.73 грн
10+73.66 грн
50+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF irfs7537pbf.pdf
IRFB7537PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.28 грн
5+112.17 грн
10+80.36 грн
25+56.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF irfs3307zpbf.pdf
IRFB3307ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.21 грн
10+89.57 грн
50+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description irfs4410.pdf
IRFB4410PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.15 грн
10+118.03 грн
50+77.01 грн
100+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF irfb5615pbf.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.70 грн
5+88.73 грн
10+77.85 грн
25+66.13 грн
50+58.59 грн
100+55.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LF IPB033N10N5LF.pdf
IPB033N10N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 179W
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 3.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGNFB033
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 1.7...2V
Case: LGA8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT285N16KOFHPSA2 Infineon-TT285N16KOF-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f7b4d4bc5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 285A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 285A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6-DTE.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.44 грн
10+118.86 грн
50+88.73 грн
100+77.85 грн
250+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.93 грн
34+12.64 грн
50+8.62 грн
100+7.32 грн
500+5.19 грн
1000+4.50 грн
3000+3.72 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 BAT62E6327HTSA1.pdf
BAT6202VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.55 грн
21+20.01 грн
50+14.90 грн
100+13.23 грн
250+11.30 грн
500+9.88 грн
1000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAT62E6327HTSA1 BAT62E6327HTSA1.pdf
BAT62E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1000R33HE3BPSA1 FZ1000R33HE3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 3.3kV; Ic: 1kA; screw
Case: AG-IHVB130-3
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: TRENCHSTOP™
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Pulsed collector current: 2kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5BPSA1 Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: XHP™3
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: AG-XHP100-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ825R33HE4DBPSA1 Infineon-FZ825R33HE4D-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d4dd50584
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Topology: IGBT x2
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 825A
Pulsed collector current: 1.65kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: AG-IHVB130
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1400R33HE4BPSA1 Infineon-Bodos_Power_Systems_Modules%20for_traction_converters-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a96de3a714ec0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Topology: IGBT x2
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: AG-IHVB130-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2000R33HE4BOSA1 Infineon-FZ2000R33HE4-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed15a9df22af8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3
Topology: IGBT x3
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2kA
Pulsed collector current: 4kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Case: AG-IHVB190-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R33HE3KBPSA1 FD1000R33HE3K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3.3kV
Power dissipation: 11.5kW
Case: AG-IHVB190
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Application: Inverter
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1kA
Max. off-state voltage: 3.3kV
Pulsed collector current: 2kA
Topology: buck-boost chopper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description irf1018epbf.pdf
IRF1018EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGA524N6E6327XTSA1 BGA524N6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3VDC; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Number of channels: 1
Mounting: SMT
Voltage supply range: 1.5...3.3V DC
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70402EPAXUMA1 Infineon-BTS7040-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e9412cf6e2dbb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 36mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70401EPAXUMA1 BTS70401EPA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 36mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70802EPAXUMA1 Infineon-BTS7080-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e941bf21e2dbe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 39.6mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C28452-24PVXI CY8C28243-24PVXI.pdf
CY8C28452-24PVXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SSOP28; 1kBSRAM,16kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Mounting: SMD
Case: SSOP28
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 24
Memory: 1kB SRAM; 16kB FLASH
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 8-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 478A; 375W; D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 267nC
On-state resistance: 600µΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 375W
Drain current: 478A
Case: D2PAK-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JGXUMA1 ICE3BR4765JG.pdf
ICE3BR4765JGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.75 грн
25+85.38 грн
100+79.52 грн
500+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G-DTE.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.69 грн
11+39.09 грн
100+29.21 грн
250+26.45 грн
500+24.53 грн
1000+22.35 грн
2000+20.51 грн
2500+19.92 грн
5000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3800SL BTS3800SL.pdf
BTS3800SL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SCT595
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SCT595
On-state resistance: 0.8Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 3µs
на замовлення 684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.68 грн
10+63.03 грн
25+52.90 грн
100+41.10 грн
250+35.16 грн
500+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09.pdf
IPD30N03S4L09ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 31W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 31W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSG-DTE.pdf
BSZ130N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSG-DTE.pdf
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSG-DTE.pdf
BSC030N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1958 1959 1960 1961 1962 1963 1964 1965 1966 1967 1968 1990 1992  [ Наступна Сторінка >> ]