Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (119458) > Сторінка 1962 з 1991

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1957 1958 1959 1960 1961 1962 1963 1964 1965 1966 1967 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISA170230C04LMDSXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ISA170230C04LMDSXTMA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 8903 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.73 грн
26+16.24 грн
29+14.48 грн
35+12.30 грн
50+10.97 грн
100+9.88 грн
250+8.87 грн
500+8.29 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TLV4906KFTSA1 TLV4906KFTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLV4906x_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a304320d39d590121544295e605cd Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 4.7÷13.9mT; Usup: 2.7÷18VDC
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 4.7...13.9mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...85°C
Output configuration: analogue voltage
Operation mode: unipolar
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 TLE4906KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.76 грн
14+30.89 грн
25+29.55 грн
50+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTSA1 TLE49462KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4946-2K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc925c48637f Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.72 грн
10+51.48 грн
100+36.50 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L TLE4945L INFINEON TECHNOLOGIES TLE49x5L.PDF Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.27 грн
10+92.08 грн
25+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4946KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4946K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc901e4d6379 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -19÷19mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Mounting: SMT
Kind of sensor: latch
Operating temperature: -40...150°C
Supply voltage: 2.7...18V DC
Range of detectable magnetic field: -19...19mT
Case: SC59
Type of sensor: Hall
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Power dissipation: 0.1W
Load current: 0.11A
Max. forward voltage: 0.41V
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 4V
Mounting: SMD
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.68 грн
12+35.49 грн
14+30.13 грн
50+20.01 грн
100+16.99 грн
500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895df9e4e74 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTH500301LUAAUMA1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 22.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 22.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...54V DC
Technology: PROFET™
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Infineon-BTH50030-1LUA_Data_Sheet-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6a9ebae4324 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; 25A; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 25A
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 3Ω
Operating temperature: -40...150°C
Active logical level: high
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4780BZSXKLA1
+1
 		ICE5AR4780BZSXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE5ARxxxxBZS.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.6A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 2.6A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...140°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 27.5/15/16W
Application: SMPS
Operating voltage: 10...25.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3103pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50452EKAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS5045-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa4113e5d1075 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 2; N-Channel; SMD; -40÷150°C; 2W
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: N-Channel
Case: PG-DSO-14-40 EP
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Integrated circuit features: thermal protection
On-state resistance: 85mΩ
Number of channels: 2
Power dissipation: 2W
Output current: 4A
Supply voltage: 5...28V DC
Application: automotive industry
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7430TRL7PP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
On-state resistance: 0.55mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 426A
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+214.55 грн
10+142.30 грн
25+123.05 грн
100+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 168nC
Turn-off time: 359ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.12 грн
10+188.34 грн
20+163.23 грн
30+153.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ikw30n65h5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 70nC
Turn-off time: 209ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+255.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 29ns
Gate charge: 70nC
Turn-off time: 154ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.01 грн
10+204.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 155nC
Turn-off time: 376ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+219.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 IKB30N65ES5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB30N65ES5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 55A; 188W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N65L5XKSA1 IGW30N65L5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IGW30N65L5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd55583ac9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB30N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
12+35.32 грн
25+31.81 грн
50+29.21 грн
100+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 BFR106E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR106E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 16V
Frequency: 5GHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.73 грн
28+15.40 грн
31+13.56 грн
37+11.55 грн
50+10.38 грн
100+9.54 грн
250+8.71 грн
500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB031NE7N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ150N10LS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.86 грн
6+74.00 грн
10+68.89 грн
25+62.61 грн
50+58.01 грн
100+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.24 грн
16+26.79 грн
50+18.08 грн
100+15.65 грн
500+11.38 грн
1000+9.96 грн
1500+9.29 грн
3000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP62H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO261-4
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR92p.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Collector-emitter voltage: 15V
Frequency: 5GHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.73 грн
28+15.23 грн
32+13.31 грн
37+11.47 грн
50+10.38 грн
100+9.54 грн
250+8.79 грн
500+8.29 грн
3000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.30 грн
10+44.95 грн
50+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR7540TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF IRFS7540TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7540pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7640s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT62001ENAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTT6200-1ENA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01645f3a31f312e9 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Case: PG-TDSO-8-31
Technology: PROFET™+ 24V
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.5A
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 8...36V DC
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT62001ENAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTT6200-1ENA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01645f3a31f312e9 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC110N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+215.45 грн
10+106.31 грн
50+88.73 грн
100+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8405TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 95A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 95A
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT150N10S5N035.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 166W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-HSOF-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5030-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+ 12V
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.9W
Number of channels: 1
Output current: 4A
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.33 грн
10+125.56 грн
25+113.84 грн
100+97.10 грн
250+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4019pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.68 грн
6+82.03 грн
10+71.15 грн
25+58.59 грн
50+52.74 грн
100+51.06 грн
500+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP193E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.44 грн
30+14.06 грн
100+10.71 грн
250+9.54 грн
500+8.79 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+81.20 грн
20+72.82 грн
50+63.62 грн
100+56.92 грн
200+51.90 грн
500+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4610.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+147.32 грн
10+132.26 грн
20+126.40 грн
50+117.19 грн
100+110.49 грн
200+103.80 грн
500+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs38n20d.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.62 грн
5+146.49 грн
10+130.58 грн
50+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs52n15d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.56 грн
5+121.37 грн
10+109.66 грн
25+95.43 грн
50+88.73 грн
100+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5620pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.30 грн
10+77.01 грн
20+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+142.30 грн
10+117.19 грн
20+101.28 грн
50+83.71 грн
100+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+181.19 грн
10+126.40 грн
50+113.84 грн
100+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4332pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.59 грн
10+144.81 грн
25+130.58 грн
50+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
на замовлення 8903 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.73 грн
26+16.24 грн
29+14.48 грн
35+12.30 грн
50+10.97 грн
100+9.88 грн
250+8.87 грн
500+8.29 грн
1000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
TLV4906KFTSA1 TLV4906x_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a304320d39d590121544295e605cd
TLV4906KFTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 4.7÷13.9mT; Usup: 2.7÷18VDC
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 4.7...13.9mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...85°C
Output configuration: analogue voltage
Operation mode: unipolar
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642
TLE4906KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.76 грн
14+30.89 грн
25+29.55 грн
50+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTSA1 TLE4946-2K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc925c48637f
TLE49462KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.72 грн
10+51.48 грн
100+36.50 грн
1000+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L TLE49x5L.PDF
TLE4945L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+107.27 грн
10+92.08 грн
25+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4946KHTSA1 TLE4946K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc901e4d6379
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -19÷19mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Mounting: SMT
Kind of sensor: latch
Operating temperature: -40...150°C
Supply voltage: 2.7...18V DC
Range of detectable magnetic field: -19...19mT
Case: SC59
Type of sensor: Hall
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Power dissipation: 0.1W
Load current: 0.11A
Max. forward voltage: 0.41V
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 4V
Mounting: SMD
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.68 грн
12+35.49 грн
14+30.13 грн
50+20.01 грн
100+16.99 грн
500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502ELE6327XTMA1 Infineon-BAT15-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663895df9e4e74
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6433HTMA1 INFNS15420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 BTH500301LUAAUMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 22.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 22.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 7mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 12...54V DC
Technology: PROFET™
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 Infineon-Infineon-BTH50030-1LUA_Data_Sheet-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec6a9ebae4324
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; 25A; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 25A
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 3Ω
Operating temperature: -40...150°C
Active logical level: high
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4780BZSXKLA1 ICE5ARxxxxBZS.pdf
ICE5AR4780BZSXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.6A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 2.6A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...140°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 27.5/15/16W
Application: SMPS
Operating voltage: 10...25.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF irlr3103pbf.pdf
IRLR3103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50452EKAXUMA1 Infineon-BTS5045-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa4113e5d1075
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 2; N-Channel; SMD; -40÷150°C; 2W
Operating temperature: -40...150°C
Kind of output: N-Channel
Case: PG-DSO-14-40 EP
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Integrated circuit features: thermal protection
On-state resistance: 85mΩ
Number of channels: 2
Power dissipation: 2W
Output current: 4A
Supply voltage: 5...28V DC
Application: automotive industry
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP IRFS7430TRL7PP.pdf
IRFS7430TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 375W
Gate charge: 305nC
On-state resistance: 0.55mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 426A
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+214.55 грн
10+142.30 грн
25+123.05 грн
100+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 168nC
Turn-off time: 359ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.12 грн
10+188.34 грн
20+163.23 грн
30+153.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65H5XKSA1 ikw30n65h5.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 70nC
Turn-off time: 209ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 29ns
Gate charge: 70nC
Turn-off time: 154ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.01 грн
10+204.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5.pdf
IKW30N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 155nC
Turn-off time: 376ns
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+219.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5.pdf
IHW30N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 228ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65ES5ATMA1 IKB30N65ES5.pdf
IKB30N65ES5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5-DTE.pdf
IGP30N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 55A; 188W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N65L5XKSA1 Infineon-IGW30N65L5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd55583ac9
IGW30N65L5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 62A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB30N65EH5ATMA1 IKB30N65EH5.pdf
IKB30N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.61 грн
12+35.32 грн
25+31.81 грн
50+29.21 грн
100+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 BFR106E6327-dte.pdf
BFR106E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 16V
Frequency: 5GHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.73 грн
28+15.40 грн
31+13.56 грн
37+11.55 грн
50+10.38 грн
100+9.54 грн
250+8.71 грн
500+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3G-DTE.pdf
IPB031NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3G-DTE.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF.pdf
IRFB4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.86 грн
6+74.00 грн
10+68.89 грн
25+62.61 грн
50+58.01 грн
100+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.24 грн
16+26.79 грн
50+18.08 грн
100+15.65 грн
500+11.38 грн
1000+9.96 грн
1500+9.29 грн
3000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6433HTMA1 INFNS19700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP62H6327XTSA1 bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.5W; TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO261-4
Current gain: 2k
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92p.pdf
BFR92PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Collector-emitter voltage: 15V
Frequency: 5GHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.73 грн
28+15.23 грн
32+13.31 грн
37+11.47 грн
50+10.38 грн
100+9.54 грн
250+8.79 грн
500+8.29 грн
3000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF.pdf
IRFB7540PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.30 грн
10+44.95 грн
50+39.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF.pdf
IRFR7540TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7540TRLPBF irfs7540pbf.pdf
IRFS7540TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR auirf7640s2.pdf
AUIRF7640S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT62001ENAXUMA1 Infineon-BTT6200-1ENA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01645f3a31f312e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Case: PG-TDSO-8-31
Technology: PROFET™+ 24V
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.2Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.5A
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 8...36V DC
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTT62001ENAXUMA1 Infineon-BTT6200-1ENA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01645f3a31f312e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3G-DTE.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF irfs4310.pdf
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.45 грн
10+106.31 грн
50+88.73 грн
100+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8405TR auirfn8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b179cb1440
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 95A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 95A
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035.pdf
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Power dissipation: 166W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Case: PG-HSOF-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA.pdf
BTS5030-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Technology: PROFET™+ 12V
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.9W
Number of channels: 1
Output current: 4A
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.33 грн
10+125.56 грн
25+113.84 грн
100+97.10 грн
250+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description irfb4019pbf.pdf
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.68 грн
6+82.03 грн
10+71.15 грн
25+58.59 грн
50+52.74 грн
100+51.06 грн
500+48.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327-dte.pdf
BFP193E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.44 грн
30+14.06 грн
100+10.71 грн
250+9.54 грн
500+8.79 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf
IRFB4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.31 грн
10+81.20 грн
20+72.82 грн
50+63.62 грн
100+56.92 грн
200+51.90 грн
500+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description irfs4610.pdf
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.32 грн
10+132.26 грн
20+126.40 грн
50+117.19 грн
100+110.49 грн
200+103.80 грн
500+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF description irfs38n20d.pdf
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.62 грн
5+146.49 грн
10+130.58 грн
50+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF irfs52n15d.pdf
IRFB52N15DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.56 грн
5+121.37 грн
10+109.66 грн
25+95.43 грн
50+88.73 грн
100+85.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF irfb5620pbf.pdf
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.30 грн
10+77.01 грн
20+67.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307.pdf
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.30 грн
10+117.19 грн
20+101.28 грн
50+83.71 грн
100+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+181.19 грн
10+126.40 грн
50+113.84 грн
100+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf
IRFB4332PbF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.59 грн
10+144.81 грн
25+130.58 грн
50+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 199 398 597 796 995 1194 1393 1592 1791 1957 1958 1959 1960 1961 1962 1963 1964 1965 1966 1967 1990 1991  [ Наступна Сторінка >> ]