Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (121555) > Сторінка 2002 з 2026

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 404 606 808 1010 1212 1414 1616 1818 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2020 2026  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FM25V01A-G FM25V01A-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25V01A-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; SPI; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 128kb FRAM
Memory organisation: 16kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V02A-DGTR FM25V02A-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES FM25V02A-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25C160B-GTR FM25C160B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25C160B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec906b74172&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-DG FM25CL64B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L04B-DG FM25L04B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L04B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V02A-DGQTR FM25V02A-DGQTR INFINEON TECHNOLOGIES FM25V02A-DGQ-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V05-G FM25V05-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 512kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V05-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 512kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-G FM25V10-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipt015n10nf2s-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 315A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 315A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7437TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.15 грн
10+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7734TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4321TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.56 грн
10+162.70 грн
20+146.76 грн
50+129.15 грн
100+117.41 грн
200+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7730PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.18 грн
10+206.31 грн
20+189.53 грн
50+168.57 грн
100+151.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.86 грн
5+109.86 грн
10+90.57 грн
25+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4127pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.56 грн
10+167.73 грн
20+146.76 грн
50+124.96 грн
100+110.70 грн
200+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4010pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Technology: HEXFET®
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.08 грн
10+135.86 грн
20+124.12 грн
50+110.70 грн
100+100.64 грн
200+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4010TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF IRFS4615TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4615pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRRP INFINEON TECHNOLOGIES IRFS52N15DTRRP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBF IRFS4020TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4020TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4229pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS3307ZTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3107-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBF IRFSL3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4310ZPBF IRFSL4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBF IRFSL7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFSL7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563631632147 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 400A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 400A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLP IRFS23N20DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES IRFS23N20DTRLP.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs3107-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3607pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES irfs38n20dpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for controller
Frequency: 36...44kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4105ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr4105.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.24 грн
10+133.35 грн
50+107.35 грн
100+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3315STRLPBF IRF3315STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3315spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBF IRF3610STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF3610STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.1µC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 87A; 79W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 87A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PP IRF3805STRL-7PP INFINEON TECHNOLOGIES irf3805s-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R900P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.28 грн
10+66.50 грн
25+56.94 грн
75+47.55 грн
100+45.29 грн
500+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPU80R900P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
10+65.08 грн
75+53.67 грн
150+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ips80r900p7-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb4030pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.53 грн
3+207.99 грн
10+156.83 грн
50+109.86 грн
100+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
10+43.95 грн
50+36.31 грн
100+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN10LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP12CN10LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF IRS2008SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2008S.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF IRS2005STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V01A-G FM25V01A-DTE.pdf
FM25V01A-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; SPI; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 2...3.6V DC
Memory: 128kb FRAM
Memory organisation: 16kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V02A-DGTR FM25V02A-DTE.pdf
FM25V02A-DGTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25C160B-GTR Infineon-FM25C160B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec906b74172&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25C160B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 20MHz; SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Memory: 16kb FRAM
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-DG Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25CL64B-DG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-DGTR Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Memory: 64kb FRAM
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L04B-DG Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25L04B-DG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L04B-DGTR Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Interface: SPI
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 4kb FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V02A-DGQTR FM25V02A-DGQ-DTE.pdf
FM25V02A-DGQTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V05-G Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25V05-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 512kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: serial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V05-GTR Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 512kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 64kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-DG Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-G Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25V10-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10NF2SATMA1 infineon-ipt015n10nf2s-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 315A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 315A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.15 грн
10+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF.pdf
IRFS7734TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF.pdf
IRFS4321TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.56 грн
10+162.70 грн
20+146.76 грн
50+129.15 грн
100+117.41 грн
200+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730PBF.pdf
IRFS7730TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.18 грн
10+206.31 грн
20+189.53 грн
50+168.57 грн
100+151.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.86 грн
5+109.86 грн
10+90.57 грн
25+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.56 грн
10+167.73 грн
20+146.76 грн
50+124.96 грн
100+110.70 грн
200+104.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBF description irfs4010pbf.pdf
IRFSL4010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Technology: HEXFET®
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165
IRFS3306TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.08 грн
10+135.86 грн
20+124.12 грн
50+110.70 грн
100+100.64 грн
200+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF irfs4615pbf.pdf
IRFS4615TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF irfs4310pbf.pdf
IRFS4310TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRRP.pdf
IRFS52N15DTRRP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4020TRLPBF IRFS4020TRLPBF.pdf
IRFS4020TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF irfs4229pbf.pdf
IRFS4229TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF.pdf
IRFS3307ZTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP irfs3006-7ppbf.pdf
IRFS3006TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF irfs3107-7ppbf.pdf
IRFS3107TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFSL3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFSL4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBF IRFSL7430PBF.pdf
IRFSL7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRL7PP irfs3004-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563631632147
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 400A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 400A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLP IRFS23N20DTRLP.pdf
IRFS23N20DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP irfs3107-7ppbf.pdf
IRFS3107TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF irfs3607pbf.pdf
IRFS3607TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS38N20DTRLP irfs38n20dpbf.pdf
IRFS38N20DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: for controller
Frequency: 36...44kHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4105TRPBF irfr4105pbf.pdf
IRFR4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4105ZTRL auirfr4105.pdf
AUIRFR4105ZTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF irf3805.pdf
IRF3805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+212.24 грн
10+133.35 грн
50+107.35 грн
100+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3315STRLPBF irf3315spbf.pdf
IRF3315STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBF IRF3610STRLPBF.pdf
IRF3610STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.1µC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 87A; 79W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 87A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PP irf3805s-7ppbf.pdf
IRF3805STRL-7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7.pdf
IPD80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+109.28 грн
10+66.50 грн
25+56.94 грн
75+47.55 грн
100+45.29 грн
500+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7.pdf
IPU80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.90 грн
10+65.08 грн
75+53.67 грн
150+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 infineon-ips80r900p7-datasheet-en.pdf
IPS80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF irlb4030pbf.pdf
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.53 грн
3+207.99 грн
10+156.83 грн
50+109.86 грн
100+103.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.74 грн
10+43.95 грн
50+36.31 грн
100+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN10LG-DTE.pdf
IPP12CN10LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 12mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 69A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF IRS2008S.pdf
IRS2008SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf
IRS2005STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 202 404 606 808 1010 1212 1414 1616 1818 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2020 2026  [ Наступна Сторінка >> ]