Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123003) > Сторінка 2002 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Power dissipation: 214W
Gate charge: 123nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AD
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.37 грн
5+129.34 грн
10+108.61 грн
25+87.89 грн
50+77.11 грн
100+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 234nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.41 грн
10+207.28 грн
25+185.72 грн
50+169.97 грн
100+155.87 грн
400+132.66 грн
500+129.34 грн
800+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+342.87 грн
10+224.69 грн
25+215.57 грн
50+205.62 грн
100+193.18 грн
125+189.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+193.76 грн
10+107.79 грн
25+95.35 грн
50+87.89 грн
100+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.29 грн
10+97.84 грн
50+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.14 грн
10+150.07 грн
30+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.55 грн
10+131.00 грн
50+110.27 грн
100+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.36W
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.07 грн
17+25.21 грн
50+17.83 грн
100+15.34 грн
250+12.60 грн
500+10.94 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327 BC850CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.71 грн
59+7.13 грн
100+4.70 грн
250+4.00 грн
500+3.57 грн
1000+3.17 грн
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+299.12 грн
10+211.43 грн
15+202.31 грн
25+192.36 грн
45+182.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.26 грн
5+163.34 грн
10+148.41 грн
25+131.00 грн
50+121.88 грн
100+115.25 грн
1000+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.25 грн
10+59.28 грн
25+51.24 грн
50+44.69 грн
100+40.05 грн
500+35.15 грн
1000+33.25 грн
1250+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.72 грн
5+124.37 грн
10+108.61 грн
50+74.62 грн
100+63.84 грн
250+55.55 грн
500+51.41 грн
800+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.72 грн
10+46.18 грн
25+42.29 грн
50+37.97 грн
100+32.17 грн
250+27.28 грн
500+24.96 грн
1000+23.38 грн
1250+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+146.44 грн
10+84.40 грн
20+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-042 CY8CKIT-042 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CKIT-042_PSoC_4_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eeec6a57e1e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board; Arduino
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B mini
Kind of module: evaluation board
Application - series/manufacturer: Arduino
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QS03G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 500V
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.97 грн
10+85.40 грн
25+77.94 грн
100+67.99 грн
250+62.18 грн
500+57.21 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.83 грн
10+55.39 грн
50+49.91 грн
100+46.51 грн
250+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.86 грн
10+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES BSP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+243.76 грн
10+150.90 грн
100+118.56 грн
250+106.96 грн
500+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.12 грн
10+101.15 грн
25+92.03 грн
50+86.23 грн
100+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -260...180mA
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.44 грн
10+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF IRS2153DSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -260...180mA
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.40 грн
5+131.00 грн
10+115.25 грн
25+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.01 грн
5+90.21 грн
10+78.35 грн
50+58.20 грн
100+51.49 грн
250+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+140.95 грн
10+116.08 грн
20+107.79 грн
50+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.22 грн
10+97.84 грн
25+77.94 грн
50+67.99 грн
100+65.50 грн
250+62.18 грн
500+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.08 грн
10+128.51 грн
20+116.91 грн
50+103.64 грн
100+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.22 грн
10+63.84 грн
25+61.35 грн
50+58.87 грн
100+56.38 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.58 грн
5+132.66 грн
10+116.08 грн
50+84.57 грн
100+76.28 грн
250+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.40 грн
15+29.52 грн
25+28.27 грн
50+27.20 грн
100+26.03 грн
250+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.54 грн
10+55.30 грн
20+44.36 грн
50+35.15 грн
100+30.76 грн
500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.05 грн
25+137.63 грн
50+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.01 грн
50+69.65 грн
100+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 48nC
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.26 грн
10+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+273.23 грн
3+230.50 грн
10+184.06 грн
25+170.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx20N65C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+441.98 грн
3+369.79 грн
10+326.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.51 грн
10+95.35 грн
50+72.13 грн
100+64.67 грн
250+58.04 грн
500+52.23 грн
800+49.75 грн
1600+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF IRF3205STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.79 грн
10+63.68 грн
20+60.86 грн
50+56.96 грн
100+53.98 грн
200+50.99 грн
250+50.08 грн
500+47.09 грн
1000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.26 грн
10+97.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z AUIRF3205Z INFINEON TECHNOLOGIES auirf3205z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 76nC
On-state resistance: 6.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002DWH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
34+12.52 грн
50+9.00 грн
100+7.80 грн
500+5.69 грн
1000+4.96 грн
3000+4.01 грн
6000+3.55 грн
9000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N65C3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml2244pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.57 грн
24+17.66 грн
100+10.28 грн
500+7.46 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
39+10.86 грн
58+7.26 грн
100+6.14 грн
250+5.01 грн
500+4.39 грн
1000+3.80 грн
1300+3.64 грн
2500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+165.19 грн
10+105.30 грн
25+94.52 грн
50+87.06 грн
100+81.25 грн
250+75.45 грн
500+71.30 грн
1000+67.99 грн
2000+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Power dissipation: 214W
Gate charge: 123nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AD
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+205.37 грн
5+129.34 грн
10+108.61 грн
25+87.89 грн
50+77.11 грн
100+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 234nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.41 грн
10+207.28 грн
25+185.72 грн
50+169.97 грн
100+155.87 грн
400+132.66 грн
500+129.34 грн
800+122.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+342.87 грн
10+224.69 грн
25+215.57 грн
50+205.62 грн
100+193.18 грн
125+189.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+193.76 грн
10+107.79 грн
25+95.35 грн
50+87.89 грн
100+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+114.29 грн
10+97.84 грн
50+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5.pdf
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5-DTE.pdf
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.14 грн
10+150.07 грн
30+139.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.55 грн
10+131.00 грн
50+110.27 грн
100+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Power dissipation: 0.36W
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+41.07 грн
17+25.21 грн
50+17.83 грн
100+15.34 грн
250+12.60 грн
500+10.94 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327
BC850CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.71 грн
59+7.13 грн
100+4.70 грн
250+4.00 грн
500+3.57 грн
1000+3.17 грн
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.12 грн
10+211.43 грн
15+202.31 грн
25+192.36 грн
45+182.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+206.26 грн
5+163.34 грн
10+148.41 грн
25+131.00 грн
50+121.88 грн
100+115.25 грн
1000+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+106.25 грн
10+59.28 грн
25+51.24 грн
50+44.69 грн
100+40.05 грн
500+35.15 грн
1000+33.25 грн
1250+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.72 грн
5+124.37 грн
10+108.61 грн
50+74.62 грн
100+63.84 грн
250+55.55 грн
500+51.41 грн
800+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.72 грн
10+46.18 грн
25+42.29 грн
50+37.97 грн
100+32.17 грн
250+27.28 грн
500+24.96 грн
1000+23.38 грн
1250+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+146.44 грн
10+84.40 грн
20+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-042 Infineon-CY8CKIT-042_PSoC_4_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eeec6a57e1e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8CKIT-042
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board; Arduino
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B mini
Kind of module: evaluation board
Application - series/manufacturer: Arduino
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G.pdf
ICE2QS03G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 500V
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+141.97 грн
10+85.40 грн
25+77.94 грн
100+67.99 грн
250+62.18 грн
500+57.21 грн
1000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+84.83 грн
10+55.39 грн
50+49.91 грн
100+46.51 грн
250+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.86 грн
10+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452.pdf
BSP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
на замовлення 952 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.76 грн
10+150.90 грн
100+118.56 грн
250+106.96 грн
500+97.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+174.12 грн
10+101.15 грн
25+92.03 грн
50+86.23 грн
100+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -260...180mA
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.44 грн
10+155.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -260...180mA
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+163.40 грн
5+131.00 грн
10+115.25 грн
25+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.01 грн
5+90.21 грн
10+78.35 грн
50+58.20 грн
100+51.49 грн
250+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.95 грн
10+116.08 грн
20+107.79 грн
50+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+173.22 грн
10+97.84 грн
25+77.94 грн
50+67.99 грн
100+65.50 грн
250+62.18 грн
500+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+216.08 грн
10+128.51 грн
20+116.91 грн
50+103.64 грн
100+94.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
на замовлення 882 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+98.22 грн
10+63.84 грн
25+61.35 грн
50+58.87 грн
100+56.38 грн
500+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+178.58 грн
5+132.66 грн
10+116.08 грн
50+84.57 грн
100+76.28 грн
250+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL auirf1404s.pdf
AUIRF1404STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL auirf1404z.pdf
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.40 грн
15+29.52 грн
25+28.27 грн
50+27.20 грн
100+26.03 грн
250+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.54 грн
10+55.30 грн
20+44.36 грн
50+35.15 грн
100+30.76 грн
500+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Manufacturer series: F5
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+208.05 грн
25+137.63 грн
50+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5.pdf
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.01 грн
50+69.65 грн
100+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5.pdf
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 48nC
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+206.26 грн
10+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD.pdf
SPP20N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 description SPP20N60S5.pdf
SPP20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.23 грн
3+230.50 грн
10+184.06 грн
25+170.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPx20N65C3.pdf
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+441.98 грн
3+369.79 грн
10+326.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.51 грн
10+95.35 грн
50+72.13 грн
100+64.67 грн
250+58.04 грн
500+52.23 грн
800+49.75 грн
1600+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.79 грн
10+63.68 грн
20+60.86 грн
50+56.96 грн
100+53.98 грн
200+50.99 грн
250+50.08 грн
500+47.09 грн
1000+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.26 грн
10+97.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z auirf3205z.pdf
AUIRF3205Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 76nC
On-state resistance: 6.5mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10274 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.86 грн
34+12.52 грн
50+9.00 грн
100+7.80 грн
500+5.69 грн
1000+4.96 грн
3000+4.01 грн
6000+3.55 грн
9000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3F.pdf
SPW47N65C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF irlml2244pbf.pdf
IRLML2244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.57 грн
24+17.66 грн
100+10.28 грн
500+7.46 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.86 грн
39+10.86 грн
58+7.26 грн
100+6.14 грн
250+5.01 грн
500+4.39 грн
1000+3.80 грн
1300+3.64 грн
2500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description irf4905spbf.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905.pdf
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+165.19 грн
10+105.30 грн
25+94.52 грн
50+87.06 грн
100+81.25 грн
250+75.45 грн
500+71.30 грн
1000+67.99 грн
2000+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]