Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123003) > Сторінка 2001 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60H3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
10+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+196.44 грн
4+160.85 грн
10+139.29 грн
30+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+330.37 грн
10+237.96 грн
25+202.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+259.83 грн
5+213.08 грн
25+191.53 грн
100+181.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.61 грн
19+22.88 грн
22+19.73 грн
100+13.76 грн
500+9.62 грн
1000+8.29 грн
3000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1602VH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.14 грн
72+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.46 грн
122+3.42 грн
136+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.93 грн
10+45.60 грн
50+43.03 грн
100+40.54 грн
250+37.48 грн
500+35.15 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7545pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.54 грн
12+35.65 грн
50+33.75 грн
100+31.59 грн
250+29.02 грн
500+27.28 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.22 грн
10+157.53 грн
25+145.92 грн
50+138.46 грн
100+132.66 грн
250+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2104.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.29 грн
5+111.93 грн
10+101.15 грн
25+88.72 грн
50+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+239.62 грн
10+223.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+396.45 грн
10+286.05 грн
30+245.42 грн
60+228.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60ET.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 61ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.25 грн
9+51.07 грн
25+45.77 грн
100+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.54 грн
11+41.21 грн
100+27.03 грн
500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7341q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.29 грн
44+9.45 грн
63+6.65 грн
100+5.75 грн
500+4.30 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate charge: 42nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+404.48 грн
10+336.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+408.05 грн
3+361.50 грн
5+346.57 грн
10+317.55 грн
30+272.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW60N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 44A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.43 грн
10+54.47 грн
50+36.40 грн
100+32.00 грн
250+28.19 грн
500+26.20 грн
750+25.29 грн
1000+24.79 грн
2000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.79 грн
10+69.48 грн
50+54.72 грн
100+49.83 грн
250+44.44 грн
500+40.96 грн
800+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.61 грн
10+69.56 грн
25+61.19 грн
50+55.72 грн
100+50.83 грн
250+45.10 грн
500+41.29 грн
1000+37.81 грн
2000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+299.12 грн
5+255.37 грн
10+234.64 грн
25+198.16 грн
50+173.29 грн
100+162.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP24N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+305.37 грн
5+255.37 грн
25+225.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF IRF3710LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 200W
Gate charge: 86.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.79 грн
10+95.35 грн
50+76.11 грн
100+69.15 грн
250+61.02 грн
500+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.72 грн
10+102.15 грн
50+85.40 грн
100+79.51 грн
250+72.22 грн
500+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF IRF3710STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 160W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.33 грн
10+92.70 грн
20+81.42 грн
50+68.98 грн
100+61.27 грн
200+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf3710z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T.pdf
IKB20N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3-DTE.pdf
IKP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 241ns
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 31ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
10+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+196.44 грн
4+160.85 грн
10+139.29 грн
30+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+330.37 грн
10+237.96 грн
25+202.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.83 грн
5+213.08 грн
25+191.53 грн
100+181.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.61 грн
19+22.88 грн
22+19.73 грн
100+13.76 грн
500+9.62 грн
1000+8.29 грн
3000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1.pdf
BAS1602VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.14 грн
72+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS1603WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS16E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+4.46 грн
122+3.42 грн
136+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.93 грн
10+45.60 грн
50+43.03 грн
100+40.54 грн
250+37.48 грн
500+35.15 грн
1000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF irfb7545pbf.pdf
IRFB7545PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.54 грн
12+35.65 грн
50+33.75 грн
100+31.59 грн
250+29.02 грн
500+27.28 грн
1000+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF description IR2104PBF.pdf
IR2104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.22 грн
10+157.53 грн
25+145.92 грн
50+138.46 грн
100+132.66 грн
250+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF description ir2104.pdf
IR2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+139.29 грн
5+111.93 грн
10+101.15 грн
25+88.72 грн
50+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF description IR2104PBF.pdf
IR2104STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60T-DTE.pdf
IGP50N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.62 грн
10+223.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+396.45 грн
10+286.05 грн
30+245.42 грн
60+228.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CT.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ET.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 332ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 61ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.25 грн
9+51.07 грн
25+45.77 грн
100+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.54 грн
11+41.21 грн
100+27.03 грн
500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.29 грн
44+9.45 грн
63+6.65 грн
100+5.75 грн
500+4.30 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate charge: 42nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+404.48 грн
10+336.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+408.05 грн
3+361.50 грн
5+346.57 грн
10+317.55 грн
30+272.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3E.pdf
IKFW60N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 44A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.43 грн
10+54.47 грн
50+36.40 грн
100+32.00 грн
250+28.19 грн
500+26.20 грн
750+25.29 грн
1000+24.79 грн
2000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+126.79 грн
10+69.48 грн
50+54.72 грн
100+49.83 грн
250+44.44 грн
500+40.96 грн
800+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF irl540n.pdf
IRL540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.61 грн
10+69.56 грн
25+61.19 грн
50+55.72 грн
100+50.83 грн
250+45.10 грн
500+41.29 грн
1000+37.81 грн
2000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf
IRFP4668PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.12 грн
5+255.37 грн
10+234.64 грн
25+198.16 грн
50+173.29 грн
100+162.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description SPP24N60C3.pdf
SPP24N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.37 грн
5+255.37 грн
25+225.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 200W
Gate charge: 86.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.79 грн
10+95.35 грн
50+76.11 грн
100+69.15 грн
250+61.02 грн
500+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.72 грн
10+102.15 грн
50+85.40 грн
100+79.51 грн
250+72.22 грн
500+64.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 160W
Gate charge: 82nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.33 грн
10+92.70 грн
20+81.42 грн
50+68.98 грн
100+61.27 грн
200+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL auirf3710z.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 59A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]