Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123003) > Сторінка 2005 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp1405pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp140n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.86 грн
10+88.72 грн
25+70.48 грн
50+68.82 грн
100+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT_XMC11_BOOT_001 INFINEON TECHNOLOGIES KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Connection: pin strips; USB B micro
Kind of architecture: Cortex M0
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Components: XMC1100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC150N03LDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO150N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6804E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.5V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.61 грн
14+30.18 грн
16+27.36 грн
50+20.98 грн
100+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF IR2111PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2111.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
Turn-off time: 190ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.86 грн
50+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF IR2111SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2111SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Power: 625mW
Turn-off time: 190ns
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.90 грн
10+106.13 грн
25+98.67 грн
50+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 BC847PNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC846PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.18 грн
43+9.78 грн
100+7.63 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT323
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Technology: OptiMOS® -T
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+470.56 грн
5+340.77 грн
10+305.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422PBF PVT422PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.25VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.25V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF PVT422SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt422.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 137ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 27ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 97nC
Turn-off time: 257ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.47 грн
10+153.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 SPA11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.37 грн
10+121.05 грн
25+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.75 грн
8+53.56 грн
10+45.35 грн
20+36.48 грн
50+26.86 грн
100+22.14 грн
200+19.32 грн
250+18.74 грн
500+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR INFINEON TECHNOLOGIES irf7103qpbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+26.20 грн
50+24.71 грн
100+23.05 грн
500+19.98 грн
1000+19.24 грн
1250+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.43 грн
10+48.42 грн
50+44.69 грн
100+43.11 грн
250+41.29 грн
500+38.89 грн
800+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBF IRFP4568PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4568pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+375.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.31 грн
10+160.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.90 грн
5+146.75 грн
10+129.34 грн
25+107.79 грн
50+96.18 грн
100+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+269.66 грн
3+157.53 грн
10+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N65H5FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+331.27 грн
10+173.29 грн
30+170.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N65R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.51 грн
10+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.23 грн
10+149.24 грн
30+148.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB40N65EF5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB40N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB40N65ES5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+313.41 грн
5+168.31 грн
10+160.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+207.28 грн
10+155.05 грн
20+138.46 грн
30+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SN7002WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT323
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.11 грн
23+18.57 грн
27+15.50 грн
38+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF IRFS3207TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-G FM25L16B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 20MHz
Memory organisation: 2kx8bit
Interface: SPI
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.15 грн
5+198.99 грн
25+167.48 грн
97+154.22 грн
485+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.22 грн
18+23.46 грн
50+19.15 грн
100+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF IR2110PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 500V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
Kind of package: tube
Case: DIP14
Turn-off time: 111ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.06 грн
10+155.05 грн
25+145.10 грн
50+138.46 грн
100+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF IR2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 500V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Kind of package: tube
Case: SO16-W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.50 грн
10+189.04 грн
25+173.29 грн
45+164.99 грн
90+157.53 грн
270+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF IR2110STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2110STRPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 500V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Case: SO16-W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.14 грн
10+141.78 грн
25+131.00 грн
50+124.37 грн
100+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 440ns
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+267.87 грн
5+140.12 грн
10+131.83 грн
30+121.05 грн
60+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 1EDN7512BXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDN751x_1EDN851x.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.29 грн
13+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0040pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 52824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.25 грн
21+20.65 грн
100+11.44 грн
500+8.13 грн
1000+7.21 грн
3000+6.30 грн
6000+5.80 грн
9000+5.72 грн
15000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0100pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.50 грн
16+27.20 грн
18+23.13 грн
100+13.02 грн
500+9.37 грн
1000+8.37 грн
3000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 8.9nC
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 BC848BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
120+3.97 грн
140+3.32 грн
500+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.29 грн
10+66.74 грн
100+47.18 грн
250+41.62 грн
500+37.97 грн
1000+34.82 грн
2000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.25 грн
10+55.55 грн
50+39.13 грн
100+33.99 грн
200+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP04N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.93 грн
8+56.79 грн
10+48.84 грн
20+46.26 грн
50+42.87 грн
100+40.38 грн
250+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+131.26 грн
5+96.18 грн
10+84.57 грн
50+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+355.37 грн
10+218.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N60TXKSA1 IKA15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA15N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10.6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.04 грн
5+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.22 грн
5+104.47 грн
10+92.03 грн
50+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF irfp1405pbf.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF irfp140n.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.86 грн
10+88.72 грн
25+70.48 грн
50+68.82 грн
100+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf
KIT_XMC11_BOOT_001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Connection: pin strips; USB B micro
Kind of architecture: Cortex M0
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Components: XMC1100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG-DTE.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDG-DTE.pdf
BSO150N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804E6327HTSA1.pdf
BAT6804WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 0.5V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.61 грн
14+30.18 грн
16+27.36 грн
50+20.98 грн
100+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF description ir2111.pdf
IR2111PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
Turn-off time: 190ns
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.86 грн
50+125.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF description IR2111SPBF.pdf
IR2111SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Power: 625mW
Turn-off time: 190ns
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.90 грн
10+106.13 грн
25+98.67 грн
50+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847PNH6327XTSA1 BC846PNH6327.pdf
BC847PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.18 грн
43+9.78 грн
100+7.63 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1.pdf
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT323
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 38A; Idm: 200A
Technology: OptiMOS® -T
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TO252-3-11
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3-DTE.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.56 грн
5+340.77 грн
10+305.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422PBF description pvt422.pdf
PVT422PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.25VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.25V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT422SPBF description pvt422.pdf
PVT422SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 350mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 350mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT422PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP8
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N65S5ATMA1 IGB20N65S5.pdf
IGB20N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 28A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 28A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 137ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 27ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5.pdf
IHW20N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 97nC
Turn-off time: 257ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 25A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 40ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 183ns
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.47 грн
10+153.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N80C3 description
SPA11N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+205.37 грн
10+121.05 грн
25+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 4128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.75 грн
8+53.56 грн
10+45.35 грн
20+36.48 грн
50+26.86 грн
100+22.14 грн
200+19.32 грн
250+18.74 грн
500+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR irf7103qpbf.pdf
AUIRF7103QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+26.20 грн
50+24.71 грн
100+23.05 грн
500+19.98 грн
1000+19.24 грн
1250+18.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF irfz34nspbf.pdf
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.43 грн
10+48.42 грн
50+44.69 грн
100+43.11 грн
250+41.29 грн
500+38.89 грн
800+36.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBF description irfp4568pbf.pdf
IRFP4568PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+375.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf
IGP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+168.31 грн
10+160.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP40N65H5XKSA1 DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6
IGP40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+200.90 грн
5+146.75 грн
10+129.34 грн
25+107.79 грн
50+96.18 грн
100+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65F5FKSA1 IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf
IGW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.66 грн
3+157.53 грн
10+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1.pdf
IGW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+331.27 грн
10+173.29 грн
30+170.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5.pdf
IHW40N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+212.51 грн
10+126.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N65R6XKSA1 Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.23 грн
10+149.24 грн
30+148.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EF5ATMA1 IKB40N65EF5.pdf
IKB40N65EF5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5.pdf
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5.pdf
IKW40N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5-DTE.pdf
IKW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+313.41 грн
5+168.31 грн
10+160.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5-DTE.pdf
IKW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.28 грн
10+155.05 грн
20+138.46 грн
30+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SN7002WH6327XTSA1 SN7002WH6327XTSA1.pdf
SN7002WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.5W; SOT323
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.23A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT323
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.11 грн
23+18.57 грн
27+15.50 грн
38+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF irfs3207pbf.pdf
IRFS3207TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-G Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM25L16B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Case: SO8
Kind of memory: FRAM
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory: 16kb FRAM
Clock frequency: 20MHz
Memory organisation: 2kx8bit
Interface: SPI
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.15 грн
5+198.99 грн
25+167.48 грн
97+154.22 грн
485+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description irfz24n.pdf
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.22 грн
18+23.46 грн
50+19.15 грн
100+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF ir2110_2113.pdf
IR2110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 500V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
Kind of package: tube
Case: DIP14
Turn-off time: 111ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+184.06 грн
10+155.05 грн
25+145.10 грн
50+138.46 грн
100+134.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF description ir2110_2113.pdf
IR2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 500V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Kind of package: tube
Case: SO16-W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.50 грн
10+189.04 грн
25+173.29 грн
45+164.99 грн
90+157.53 грн
270+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF description IR2110STRPBF.pdf
IR2110STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V DC
Output current: -2...2A
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 500V
Turn-on time: 145ns
Power: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Case: SO16-W
Turn-off time: 111ns
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+169.14 грн
10+141.78 грн
25+131.00 грн
50+124.37 грн
100+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5.pdf
IHW20N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 440ns
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.87 грн
5+140.12 грн
10+131.83 грн
30+121.05 грн
60+116.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 1EDN751x_1EDN851x.pdf
1EDN7512BXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.29 грн
13+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF irlml0040pbf.pdf
IRLML0040TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 52824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.25 грн
21+20.65 грн
100+11.44 грн
500+8.13 грн
1000+7.21 грн
3000+6.30 грн
6000+5.80 грн
9000+5.72 грн
15000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF irlml0100pbf.pdf
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+37.50 грн
16+27.20 грн
18+23.13 грн
100+13.02 грн
500+9.37 грн
1000+8.37 грн
3000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF irlml6244pbf.pdf
IRLML6244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 21mΩ
Gate charge: 8.9nC
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC848BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
120+3.97 грн
140+3.32 грн
500+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+114.29 грн
10+66.74 грн
100+47.18 грн
250+41.62 грн
500+37.97 грн
1000+34.82 грн
2000+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60R.pdf
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.25 грн
10+55.55 грн
50+39.13 грн
100+33.99 грн
200+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60T.pdf
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 27nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.93 грн
8+56.79 грн
10+48.84 грн
20+46.26 грн
50+42.87 грн
100+40.38 грн
250+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T-DTE.pdf
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+131.26 грн
5+96.18 грн
10+84.57 грн
50+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3-DTE.pdf
IGW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T-DTE.pdf
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+355.37 грн
10+218.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N60TXKSA1 IKA15N60T.pdf
IKA15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10.6A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.04 грн
5+136.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+148.22 грн
5+104.47 грн
10+92.03 грн
50+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]