Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123003) > Сторінка 2003 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.94 грн
10+147.58 грн
25+127.68 грн
50+114.42 грн
100+103.64 грн
250+91.20 грн
500+83.74 грн
800+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 326W
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+342.87 грн
10+263.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 349W
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+381.27 грн
10+300.14 грн
20+267.81 грн
30+264.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Power dissipation: 79W
Gate charge: 38.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.40 грн
10+43.53 грн
25+40.21 грн
50+37.89 грн
100+35.57 грн
250+32.50 грн
500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.07 грн
40+10.61 грн
58+7.18 грн
100+5.98 грн
500+3.98 грн
1000+3.52 грн
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW40N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 52ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 160ns
Collector current: 28A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.43 грн
10+97.84 грн
20+84.57 грн
50+61.35 грн
100+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.54 грн
10+87.06 грн
50+72.96 грн
100+67.99 грн
250+62.18 грн
500+58.04 грн
800+55.55 грн
1600+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.01 грн
10+139.29 грн
100+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 682 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.79 грн
10+117.73 грн
30+92.86 грн
50+82.91 грн
100+72.13 грн
250+63.84 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8743pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.61 грн
10+53.23 грн
50+50.16 грн
100+47.76 грн
500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 217W
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+266.15 грн
10+243.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6327HTSA1 BC847CE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+84.40 грн
10+71.80 грн
50+39.05 грн
500+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6327 BC857CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC857SH6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.61 грн
53+7.88 грн
100+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6433HTMA1 BC847BE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc847_8_9_bc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.25 грн
100+5.07 грн
500+4.29 грн
1000+3.92 грн
2500+3.44 грн
5000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-G FM25CL64B-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25CL64B-G.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF IR2101PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2101.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Power: 1W
Turn-off time: 150ns
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+213.40 грн
5+150.07 грн
10+135.98 грн
25+122.71 грн
50+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF IR2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2101SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Turn-off time: 150ns
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.86 грн
10+63.01 грн
25+56.38 грн
50+54.72 грн
100+52.23 грн
250+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBF IRF7401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7401pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7404pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153PBF IR2153PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 40ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
Supply voltage: 10...15.6V DC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.11 грн
10+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF IR2153SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 40ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153STRPBF IR2153STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2153DPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Turn-off time: 40ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15.6V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.40 грн
10+52.98 грн
100+34.57 грн
200+30.84 грн
500+26.86 грн
1000+24.38 грн
2000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 65.3nC
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.69 грн
10+106.96 грн
25+94.52 грн
50+86.23 грн
100+77.94 грн
250+68.82 грн
500+63.01 грн
1000+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl3705nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRL3705ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+87.06 грн
10+72.96 грн
50+57.21 грн
100+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.36 грн
6+77.11 грн
10+67.82 грн
50+50.00 грн
100+44.03 грн
250+37.64 грн
500+33.75 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7303pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.61 грн
10+56.63 грн
100+34.33 грн
200+30.01 грн
500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.33 грн
6+75.12 грн
10+65.67 грн
50+45.27 грн
100+38.80 грн
500+28.85 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR2905ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLR2905Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 217W
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.91 грн
4+167.48 грн
10+152.56 грн
20+142.61 грн
30+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 1450ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 62.2W
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 1940ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.33 грн
10+113.59 грн
30+101.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 346ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 127W
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+245.55 грн
10+168.31 грн
30+140.12 грн
120+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 100W
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 457ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 235W
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 57ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+316.98 грн
10+249.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 37mΩ
Gate charge: 6.8nC
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.04 грн
20+20.81 грн
50+14.76 грн
100+12.77 грн
200+11.11 грн
500+9.29 грн
1000+8.13 грн
3000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.18 грн
16+26.12 грн
50+17.41 грн
100+14.68 грн
200+12.52 грн
500+10.45 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ75N65H5XKSA1 IGZ75N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGZ75N65H5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 415ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 166nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 268W
Gate charge: 436nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFD SPW35N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.50 грн
10+45.68 грн
50+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Mounting: SMD
на замовлення 723 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.90 грн
10+75.78 грн
50+58.70 грн
100+52.32 грн
250+44.44 грн
500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 110W
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Mounting: SMD
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.01 грн
10+73.96 грн
100+50.41 грн
250+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.94 грн
10+147.58 грн
25+127.68 грн
50+114.42 грн
100+103.64 грн
250+91.20 грн
500+83.74 грн
800+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 326W
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+342.87 грн
10+263.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 349W
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+381.27 грн
10+300.14 грн
20+267.81 грн
30+264.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Power dissipation: 79W
Gate charge: 38.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.40 грн
10+43.53 грн
25+40.21 грн
50+37.89 грн
100+35.57 грн
250+32.50 грн
500+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3.pdf
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2.pdf
BSS138NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.07 грн
40+10.61 грн
58+7.18 грн
100+5.98 грн
500+3.98 грн
1000+3.52 грн
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3-DTE.pdf
IGW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3E.pdf
IKFW40N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 52ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 160ns
Collector current: 28A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60T-DTE.pdf
IGP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.43 грн
10+97.84 грн
20+84.57 грн
50+61.35 грн
100+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
IRL540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+170.54 грн
10+87.06 грн
50+72.96 грн
100+67.99 грн
250+62.18 грн
500+58.04 грн
800+55.55 грн
1600+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.01 грн
10+139.29 грн
100+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 682 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+176.79 грн
10+117.73 грн
30+92.86 грн
50+82.91 грн
100+72.13 грн
250+63.84 грн
500+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF irlb8743pbf.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.61 грн
10+53.23 грн
50+50.16 грн
100+47.76 грн
500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3-DTE.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 217W
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.15 грн
10+243.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6327HTSA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847CE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF irfs3607pbf.pdf
IRFB3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+84.40 грн
10+71.80 грн
50+39.05 грн
500+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6327 BC857SH6327.pdf
BC857CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.61 грн
53+7.88 грн
100+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6433HTMA1 bc847_8_9_bc850.pdf
BC847BE6433HTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.25 грн
100+5.07 грн
500+4.29 грн
1000+3.92 грн
2500+3.44 грн
5000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-G FM25CL64B-G.pdf
FM25CL64B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF description ir2101.pdf
IR2101PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Power: 1W
Turn-off time: 150ns
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+213.40 грн
5+150.07 грн
10+135.98 грн
25+122.71 грн
50+119.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF description IR2101SPBF.pdf
IR2101STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
Turn-off time: 150ns
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.86 грн
10+63.01 грн
25+56.38 грн
50+54.72 грн
100+52.23 грн
250+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBF description irf7401pbf.pdf
IRF7401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7404TRPBF description irf7404pbf.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153PBF description ir2153.pdf
IR2153PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
Kind of package: tube
Case: DIP8
Turn-off time: 40ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: THT
Supply voltage: 10...15.6V DC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.11 грн
10+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF description ir2153.pdf
IR2153SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
Kind of package: tube
Case: SO8
Turn-off time: 40ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15.6V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153STRPBF description IR2153DPBF.pdf
IR2153STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Turn-on time: 80ns
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Turn-off time: 40ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.40 грн
10+52.98 грн
100+34.57 грн
200+30.84 грн
500+26.86 грн
1000+24.38 грн
2000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF description irl3705n.pdf
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 65.3nC
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+177.69 грн
10+106.96 грн
25+94.52 грн
50+86.23 грн
100+77.94 грн
250+68.82 грн
500+63.01 грн
1000+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NSTRLPBF irl3705nspbf.pdf
IRL3705NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+87.06 грн
10+72.96 грн
50+57.21 грн
100+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+105.36 грн
6+77.11 грн
10+67.82 грн
50+50.00 грн
100+44.03 грн
250+37.64 грн
500+33.75 грн
1000+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBF irf7303pbf.pdf
IRF7303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.61 грн
10+56.63 грн
100+34.33 грн
200+30.01 грн
500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+97.33 грн
6+75.12 грн
10+65.67 грн
50+45.27 грн
100+38.80 грн
500+28.85 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR2905ZTRL AUIRLR2905Z.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 217W
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.91 грн
4+167.48 грн
10+152.56 грн
20+142.61 грн
30+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 1450ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 62.2W
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 1940ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.33 грн
10+113.59 грн
30+101.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 346ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 127W
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.55 грн
10+168.31 грн
30+140.12 грн
120+129.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 100W
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Turn-off time: 457ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 235W
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 57ns
Kind of package: tube
Case: TO247-3
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+316.98 грн
10+249.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
IRLML6344TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 37mΩ
Gate charge: 6.8nC
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.04 грн
20+20.81 грн
50+14.76 грн
100+12.77 грн
200+11.11 грн
500+9.29 грн
1000+8.13 грн
3000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF irlml0060pbf.pdf
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.18 грн
16+26.12 грн
50+17.41 грн
100+14.68 грн
200+12.52 грн
500+10.45 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGZ75N65H5XKSA1 IGZ75N65H5XKSA1-DTE.pdf
IGZ75N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 415ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 166nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 198W
Gate charge: 160nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5.pdf
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 268W
Gate charge: 436nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5.pdf
IKZ75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 650V
Power dissipation: 197W
Gate charge: 164nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60CFD SPW35N60CFD.pdf
SPW35N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21.6A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.50 грн
10+45.68 грн
50+36.40 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF irf9530nspbf.pdf
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Mounting: SMD
на замовлення 723 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.90 грн
10+75.78 грн
50+58.70 грн
100+52.32 грн
250+44.44 грн
500+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 110W
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Mounting: SMD
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.01 грн
10+73.96 грн
100+50.41 грн
250+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]