Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126690) > Сторінка 2112 з 2112

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2107 2108 2109 2110 2111 2112
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IM73A135V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM73A135-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fadec36b84500 Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4913HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-tle4913-datasheet-en.pdf Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; omnipolar; SC59; -5÷5mT; Usup: 2.4÷5.5VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: omnipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.4...5.5V DC
Range of detectable magnetic field: -5...5mT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613LHALA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4961_3L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433899edae0138c3c365920311 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall
Type of sensor: Hall
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49644MXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4964_4M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e34e1192005 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
на замовлення 2688000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966V1KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4966V-1K-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b9c86b9394d76 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; TSOP6; SMT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C3XALA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4998C-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124bf6406be59d4 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar,unipolar; PG-SSO-3-10; THT; Temp: -40÷125°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar; unipolar
Case: PG-SSO-3-10
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+182.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N16KOFHPSA3 TT425N16KOFHPSA3 INFINEON TECHNOLOGIES TT425N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 471A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+34125.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N18KOFHPSA2 TT425N18KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TT425N18KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 471A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65F5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 IRF8910TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; SO8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R225C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R1K4CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R250E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 16.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R420CFDA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eac59c2420dff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R420CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R600E6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 IPD65R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 86W; DPAK,TO252
Power dissipation: 86W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA2 IPD65R660CFDATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipd65r660cfd-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 700V; 6A; 63W; DPAK
Power dissipation: 63W
Gate charge: 22nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R660CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA2 IPD65R950CFDATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 3.9A; 36.7W; DPAK
Power dissipation: 36.7W
Gate charge: 14.1nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFDBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD65R950CFD-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 239A; Idm: 956A; 231W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 239A
Pulsed drain current: 956A
Power dissipation: 231W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IM73A135V01XTSA1 Infineon-IM73A135-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fadec36b84500
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4913HTSA1 infineon-tle4913-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; omnipolar; SC59; -5÷5mT; Usup: 2.4÷5.5VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: omnipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.4...5.5V DC
Range of detectable magnetic field: -5...5mT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613LHALA1 Infineon-TLE4961_3L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433899edae0138c3c365920311
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall
Type of sensor: Hall
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49644MXTSA1 Infineon-TLE4964_4M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30434039e4f701404e34e1192005
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; SMT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: SC59
Mounting: SMT
на замовлення 2688000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966V1KHTSA1 Infineon-TLE4966V-1K-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b9c86b9394d76
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; TSOP6; SMT; Temp: -40÷150°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: latch
Case: TSOP6
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C3XALA1 Infineon-TLE4998C-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124bf6406be59d4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar,unipolar; PG-SSO-3-10; THT; Temp: -40÷125°C
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar; unipolar
Case: PG-SSO-3-10
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+182.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N16KOFHPSA3 TT425N16KOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 471A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+34125.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N18KOFHPSA2 TT425N18KOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 471A
Case: BG-PB60AT-1
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBFXTMA1 Infineon-IRF8910-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; SO8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDBTMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K4CFDBTMA1 IPD65R1K4CFD-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
Power dissipation: 28.4W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R250E6XTMA1 IPD65R250E6-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.1A; 208W; PG-TO252-3
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 16.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDAATMA1 Infineon-IPD65R420CFDA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eac59c2420dff
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA1 IPD65R420CFD-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R420CFDATMA2 Infineon-IPX65R420CFD-DataSheet-v02_06-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d510b9ad5997
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6ATMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R600E6BTMA1 IPD65R600E6-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R650CEAUMA1 Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 86W; DPAK,TO252
Power dissipation: 86W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDAATMA1 Infineon-IPD65R660CFDA-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7bd7d66028c6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDATMA2 infineon-ipd65r660cfd-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 700V; 6A; 63W; DPAK
Power dissipation: 63W
Gate charge: 22nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R660CFD-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDATMA2 Infineon-IPD65R950CFD-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f0a7335ee3163
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 3.9A; 36.7W; DPAK
Power dissipation: 36.7W
Gate charge: 14.1nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R950CFDBTMA1 IPD65R950CFD-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3
Power dissipation: 36.7W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 239A; Idm: 956A; 231W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 239A
Pulsed drain current: 956A
Power dissipation: 231W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2107 2108 2109 2110 2111 2112